JP3847693B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を備える半導体装置およびその製造方法に関するものであり、特に、フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載されたＣＯＦ（Chip On Film）と呼ばれる半導体装置（以下ＣＯＦと称する）とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話、携帯情報端末をはじめとして、電子機器の小型化、薄型化、軽量化の進展はめざましい。それに伴い、これらの電子機器へ搭載される半導体装置を始め、あらゆる部品も同様の小型化、軽量化、高機能化、高性能化、高密度化が進んでいる。
【０００３】
上述の状況の中、半導体装置においては、薄膜の絶縁テープ上に配線を形成してなる配線基板上に半導体素子を実装することで、形体の高密度化を図ると共に、薄型化や軽量化を実現することが行われている。
【０００４】
上記のような半導体装置としては、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）やＣＯＦが知られている。ＣＯＦは、半導体素子を搭載するための搭載用の開口部を有してはおらず、半導体素子が薄膜の絶縁テープ上に接合・搭載されている。ＣＯＦでは、その使用目的から自由に折り曲げることが可能な薄膜の絶縁テープが使用され、この絶縁テープの表面にはパターン状に配線が形成され、フレキシブル配線基板となっている。パターン状の配線は半導体素子が有する突起電極と電気的に接続される。また、外部接続用のコネクタ部は、液晶パネルやプリント基板などに接続される。
【０００５】
また、製造過程では、パターン状に形成された配線における上記半導体素子や外部接続用のコネクタ部以外の露出部は、ソルダーレジストを塗布することによって、絶縁状態を確保する。
【０００６】
上記ＣＯＦの製造方法の一つとして、ＭＢＢ（Micro Bump Bonding）や、近年、注目されているＮＣＰ（Non Conductive Paste）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）を用いた接続、樹脂封止方法がある。これらは、多ピン、狭ピッチ、エッジタッチに有効な技術であり、半導体素子とフレキシブル配線基板との間に絶縁性樹脂を介在させ、半導体素子の突起電極とフレキシブル配線基板上の配線とを接続するとともに樹脂封止する方法である。
【０００７】
従来のＭＢＢ技術を用いたＣＯＦの製造方法としては、例えば、▲１▼特開昭６０−２６２４３０号公報（特許第１６８９５０４号）や、▲２▼特開昭６３−１５１０３３号公報（特許第２０３９５１０号）に開示されている技術が知られている。
【０００８】
上記▲１▼の技術では、図３（ａ）に示すように、まず、絶縁テープ１上にパターン状の配線２を形成してなる配線基板２０上に、ソルダーレジスト５を塗布することにより、配線２を被覆するが、半導体素子と接続する部位（接続部４と称する）や上記コネクタ部にはソルダーレジスト５を塗布しない。
【０００９】
次に、図３（ｂ）で示すように、接続部４に絶縁性樹脂１４を塗布し、図３（ｃ）に示すように、半導体素子３の突起電極（バンプ）６と配線２の接続部４とを位置合せし、矢印Ａで示すように半導体素子３を上方から加圧する。これによって、矢印Ｂに示すように、半導体素子３の下部から絶縁性樹脂１４が押し広げられて、突起電極６と配線２の接続部４とが電気的に接続されるように接触するとともに、半導体素子３の周縁まで絶縁性樹脂１４がはみ出す。
【００１０】
その後、図３（ｄ）に示すように、上記の状態で絶縁性樹脂１４を硬化させることで、半導体素子３を配線基板２０上に固定する。なお、上記絶縁性樹脂１４としては、一般的に光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂が用いられるので、矢印Ｄに示すように、光の照射や加熱をすることで上記絶縁性樹脂１４は硬化する。
【００１１】
次に、上記▲２▼の技術では、図４（ａ）・（ｂ）・（ｃ）に示すように、半導体素子３の突起電極６と配線２の接続部４とを位置合せして半導体素子３の上方から加圧する点までは、前記▲１▼の技術と同様であるが、図４（ｄ）に示すように、半導体素子３を加圧した状態で、さらに、矢印Ｃに示すように、パルス加熱ツールに電流を通して半導体素子３を加熱する。これにより、絶縁性樹脂１４を硬化させて、半導体素子３の突起電極６を配線２の接続部４に電気的に接続した状態で、半導体素子３を配線基板２０上に固定する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術では、樹脂封止の強度や信頼性が低くなるといった問題や、絶縁性樹脂の半導体素子を加圧及び加熱するツールへの這い上がりによる製造過程上の問題等が生じるため、樹脂封止の技術としては未だ不十分となっている。
【００１３】
具体的には、上記▲１▼の技術も▲２▼の技術も、図３（ｃ）または図４（ｃ）に示すように、半導体素子３の突起電極６と配線２の接続部４とを位置合せして半導体素子３の上方から加圧することで、絶縁性樹脂１４を半導体素子３の外周に押し広げる。
【００１４】
そのため、絶縁性樹脂１４の塗布量が少ない場合、その濡れ性が小さいために、半導体素子３を加圧しても絶縁性樹脂１４が広がらず、半導体素子３近傍に滞留するという矢印Ｅに示すような「樹脂弾き」現象が発生する。その結果、半導体素子３の外側にある配線２がソルダーレジスト５の内側で露出しやすくなるとともに、半導体素子３の側面に形成され、半導体素子３を固定するための樹脂フィレットが小さくなる。ゆえに、樹脂封止の強度や信頼性は低くなる。
【００１５】
一方、絶縁性樹脂１４の塗布量を多くすると、絶縁性樹脂１４はソルダーレジスト５まで達しやすいため、配線２が露出する等の問題は減少するが、矢印Ｅに示す樹脂弾きによって、半導体素子３の突起電極６と配線２の接続部４とを圧接させる際に、矢印Ｆに示すように、半導体素子３の側面を絶縁性樹脂１４が這い上がる。その結果、半導体素子３を加圧及び加熱するためのツールに絶縁性樹脂１４が付着するという問題が生じる。
【００１６】
特に、近年は半導体装置の薄型化が図られているが、これに対応して、半導体素子の厚みも小さくなっているので、上記矢印Ｆで示すような樹脂の這い上がりはより大きな問題となっている。
【００１７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂封止の強度や信頼性の向上を図るとともに、絶縁性樹脂の這い上がりによる製造過程上の問題の発生も回避することのできる、高性能で高品質の半導体装置とその製造方法とを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体装置は、上記の課題を解決するために、パターン状に形成された配線を有する絶縁性基板と、突起電極を介して該配線に電気的に接続される半導体素子と、該半導体素子を固定する樹脂フィレットとを備えている半導体装置において、上記樹脂フィレットは、少なくとも、絶縁性樹脂の濡れ性を調節する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂からなっていることを特徴としている。
【００１９】
上記構成によれば、樹脂弾き防止剤を含む樹脂を用いて絶縁性樹脂を形成するので、半導体素子を配線に電気的に接合する際に、半導体素子の外側に位置する配線が、ソルダーレジストの内側で露出することを防止できるとともに、半導体素子の下方から周囲に形成される樹脂フィレットをサイズアップできる。その結果、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができる。また、製造過程において、半導体素子を加圧して配線と接続させる際に、半導体素子の側面を絶縁性樹脂が這い上がり、半導体素子を加圧及び加熱するツールに絶縁性樹脂が付着することを防止できる。その結果、製造過程上での問題の発生も回避することができる。
【００２０】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加えて、上記絶縁性基板が折り曲げ可能な絶縁テープであることを特徴としている。
【００２１】
上記構成によれば、従来のＭＢＢ技術を用いたＣＯＦタイプの半導体装置では、樹脂封止の強度や信頼性の低下、あるいは製造過程上での問題がより顕著に発生するおそれがあるが、本発明によればこれら問題の発生をより確実に回避して高性能・高品質の半導体装置を提供することができる。
【００２２】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加えて、上記樹脂弾き防止剤が界面活性剤であることを特徴としている。
【００２３】
上記構成によれば、界面活性剤を樹脂弾き防止剤として用いることで、絶縁性樹脂の樹脂弾きの発生を回避することができる。その結果、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができるとともに、製造過程上での問題も効率的に回避することができる。
【００２４】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加えて、上記絶縁性樹脂が光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂であることを特徴としている。
【００２５】
上記構成によれば、光を照射したり熱を加えたりすることで、絶縁性樹脂を容易に硬化できるので、簡素な製造過程で、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができる。
【００２６】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加え、上記絶縁性樹脂中に導電性粒子が分散されていることを特徴としている。
【００２７】
上記構成によれば、絶縁性樹脂中に導電性粒子が分散されているので、導電性粒子を介して、半導体素子と絶縁性基板上の配線とを接続することができる。その結果、半導体素子と配線との電気的接続をより確実なものとすることができる。
【００２８】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、少なくとも、絶縁性基板上に形成されたパターン状の配線に対して、半導体素子を搭載する部位を残して、ソルダーレジストを被覆するソルダーレジスト被覆工程と、該ソルダーレジスト被覆工程の後に、半導体素子を搭載する部位を含む領域に絶縁性樹脂を塗布する絶縁性樹脂塗布工程と、塗布された絶縁性樹脂に半導体素子を載置して絶縁性基板に加圧することにより、該半導体素子が有する突起電極と上記配線とを電気的に接続する半導体素子加圧工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記絶縁性樹脂塗布工程では、少なくとも絶縁性樹脂の濡れ性を調節する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を用いるとともに、上記半導体素子加圧工程により半導体素子の下方から押し出された絶縁性樹脂と、半導体素子の外周部に存在する絶縁性樹脂とにより、半導体素子の側面に樹脂フィレットが形成されるように、絶縁性樹脂を塗布することを特徴としている。
【００２９】
上記方法によれば、絶縁性樹脂塗布工程にて樹脂弾き防止剤を含む樹脂を塗布することで、後段の半導体素子加圧工程では、半導体素子の外側に位置する配線が、ソルダーレジストの内側で露出することを防止できるとともに、半導体素子の下方から周囲に形成される樹脂フィレットをサイズアップできる。その結果、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができる。また、製造過程において、半導体素子を加圧して配線と接続させる際に、半導体素子の側面を絶縁性樹脂が這い上がり、半導体素子を加圧及び加熱するツールに絶縁性樹脂が付着することを防止できる。その結果、製造過程上での問題の発生も回避して半導体装置を製造することができる。
【００３０】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記方法に加え、上記絶縁性基板として、折り曲げ可能な絶縁テープが用いられることを特徴としている。
【００３１】
上記方法によれば、従来のＭＢＢ技術を用いたＣＯＦタイプの半導体装置では、樹脂封止の強度や信頼性の低下、あるいは製造過程上での問題がより顕著に発生するおそれがあるが、本発明によればこれら問題の発生をより確実に回避して高性能・高品質の半導体装置を製造することができる。
【００３２】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記絶縁性樹脂塗布工程では、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を、周囲のソルダーレジストに接触するか、または一部がソルダーレジストに被覆するように塗布する、あるいはソルダーレジスト付近まで塗布してソルダーレジストまで滲ませることでソルダーレジストに被覆することを特徴としている。
【００３３】
上記方法によれば、ソルダーレジストに接触するか、その一部を被覆するように、絶縁性樹脂を塗布する、あるいはソルダーレジスト付近まで塗布してソルダーレジストまで滲ませることでソルダーレジストに被覆するように絶縁性樹脂を塗布する。そのため、半導体素子の外側に位置する配線が、ソルダーレジストの内側で露出することをより確実に防止することができるとともに、半導体素子加圧工程にて樹脂フィレットを確実に形成して半導体装置を製造することができる。
【００３４】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記方法に加え、上記樹脂弾き防止剤として界面活性剤が用いられることを特徴としている。
【００３５】
上記方法によれば、界面活性剤を樹脂弾き防止剤として用いることで、絶縁性樹脂の樹脂弾きの発生を回避することができる。その結果、得られる半導体装置の樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができるとともに、製造過程で発生する問題も効率的に回避して半導体装置を製造することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明における実施の一形態について図１に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３７】
本発明にかかる半導体装置は、絶縁性基板上にパターン状に形成された配線を有するとともに、半導体素子を、突起電極を介してこの配線に電気的に接続し、さらに、該半導体素子と絶縁性基板との間および半導体素子の周囲に樹脂層および樹脂フィレットを形成してなる半導体装置において、絶縁性樹脂の濡れ性を調節する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を用いて、上記樹脂フィレットを形成する。
【００３８】
より具体的には、図１（ｅ）に示すように、本実施の形態における半導体装置は、配線基板２０、半導体素子３、樹脂フィレット１１等を備えている。
【００３９】
配線基板２０は、絶縁性基板としての絶縁テープ１とその表面に形成されているパターン状の配線２及びソルダーレジスト５からなっている。上記絶縁テープ１は、絶縁性を有しており、その表面にパターン状の配線２を形成できるものであれば特に限定されるものではないが、自由に折り曲げることが可能なものが好ましく、具体的には、ポリイミド、カプトン等のポリイミド系絶縁テープが好ましく用いられる。ポリイミド系絶縁テープの厚さは特に限定されるものではないが、高い柔軟性を確保するためには薄型のものが好ましい。具体的には、１５〜４０μｍの範囲内が好ましく、より具体的には、例えば、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍ、３８μｍ、あるいは４０μｍの厚みのものが好適に用いられる。
【００４０】
上記パターン状の配線２としては、半導体装置の構成や用途に応じて適切にパターン状に形成され、導電性を有しておれば特に限定されるものではないが、例えば、金属薄膜からなる配線を挙げることができる。この配線２に用いられる金属としても特に限定されるものではないが、銅が好ましく用いられる。配線２は薄膜状となっていればよく、銅箔が好ましく用いられ、その厚みは、通常５〜１８μｍの範囲内が好ましく、より具体的には、例えば、５μｍ、８μｍ、９μｍ、１２μｍ、あるいは１８μｍの厚みのものが好適に用いられる。
【００４１】
さらに、上記配線２が銅箔から形成されている場合には、配線２の劣化を防ぐために、その表面をメッキしておくことが好ましい。メッキする金属としては特に限定されるものではないが、錫メッキや金メッキ等が好ましく用いられる。なお、説明の便宜上、図１（ａ）〜（ｅ）中にはメッキは記載していない。
【００４２】
上記絶縁テープ１上にパターン状の配線２を形成する方法、並びに、配線２の表面にメッキを施す方法は特に限定されるものではなく、従来公知の方法を好適に用いることができる。
【００４３】
上記薄型で自由に折り曲げ可能な配線基板２０を用いれば、ＣＯＦタイプの半導体装置を製造することができる。
【００４４】
上記ＣＯＦやＴＣＰ等は、フレキシブル配線基板上に半導体素子が接合・搭載された構成の半導体装置であり、特に、液晶表示装置によく用いられる。具体的には、半導体素子として液晶ドライバＩＣを搭載することで、上記ＣＯＦやＴＣＰを、液晶パネルを駆動する液晶ドライバとすることができる。この液晶ドライバを液晶パネルと組み合わせることにより、液晶モジュールを形成して、各種電子機器に表示部として搭載することができる。
【００４５】
ここで、ＴＣＰは、絶縁テープ上の半導体素子が搭載される部分に、予めデバイスホールと呼ばれる貫通した開口部が設けられている。そして、インナーリードと呼ばれるパターン状の配線の先端部がデバイスホールから片持ち梁状に突き出した状態で、インナーリードと半導体素子とが電気的に接続される。
【００４６】
これに対して、ＣＯＦは、絶縁テープに半導体素子を搭載するための開口部は有しておらず、半導体素子が有する電極と接続するパターン状の配線は、絶縁テープの表面上に配置された状態となっている。
【００４７】
ＣＯＦは、半導体パッケージの一つであるＴＣＰを用いた実装よりも高密度化が可能であり、複雑な空間に実装するには有利な搭載方法となっている。
【００４８】
ここで、従来のＭＢＢ技術を用いたＣＯＦタイプの半導体装置では、前述したように、樹脂封止の強度や信頼性の低下、あるいは製造過程上での問題がより顕著に発生するおそれがあるが、後述するように、本発明によれば、これら問題の発生をより確実に回避して高性能・高品質の半導体装置を製造することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態では、上記絶縁テープ１を用いて配線基板２０を形成しているが、もちろん本発明はこれに限定されるものではなく、従来公知の各種絶縁性基板上にパターン状の配線２を形成することで配線基板２０を形成することができる。
【００５０】
すなわち、本発明の適用範囲はＣＯＦタイプの半導体装置のみに限定されるものではなく、パターン状の配線が形成された絶縁性基板上に半導体素子を搭載する構成の半導体装置に広く応用することができる。
【００５１】
上記半導体素子３は、半導体装置の用途に応じた各種の集積回路を含んでいる構成であれば特に限定されるものではなく、従来公知の半導体チップやＩＣ等が用いられる。
【００５２】
ここで、上記半導体素子３には、突起電極６が形成されている。この突起電極６は、半導体素子３と配線２とを電気的に接続するものである。上記突起電極６としては、例えばバンプ等が好適に用いられるが特に限定されるものではない。また、突起電極（バンプ）６の材質としては、導電性を有し配線２と良好に接続できる材質であれば特に限定されるものではないが、例えば、金等が好ましく用いられる。なお、配線２において、突起電極６と電気的な接続を達成する部位を、以下、接続部４と称する。
【００５３】
配線基板２０において、接続部４、および図示しない外部接続用のコネクタ部以外は、ソルダーレジスト５が塗布されている。換言すれば、配線２における接続部４およびコネクタ部近傍はソルダーレジスト５に被覆されておらず、製造過程では、半導体素子３の突起電極６および外部のデバイス部分と接続できるように露出している。
【００５４】
このソルダーレジスト５は、プリント配線板上の特定領域に施す耐熱性被覆材料で、パターン状の配線２の絶縁状態を確保する。ソルダーレジスト５の具体的な種類としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを好適に用いることができる。
【００５５】
上記樹脂フィレット１１は、絶縁性樹脂からなり、半導体素子３を、突起電極６を介して配線２の接続部４に電気的に接続した状態で固定している。本発明では、この樹脂フィレット１１は、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７からなっている。
【００５６】
上記樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７として用いられる絶縁性樹脂は、半導体素子３の突起電極６以外の部分と配線２との間を絶縁可能とするものであれば特に限定されるものではないが、本発明では、光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂が好ましく用いられる。これら樹脂を用いれば、光を照射したり熱を加えたりすることで、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を容易に硬化できる。
【００５７】
上記光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂のより具体的な例は、特に限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。
【００５８】
上記樹脂弾き防止剤とは、絶縁性樹脂の濡れ性を調節するものである。なお、樹脂弾き防止剤については、後述する本発明にかかる半導体装置の製造方法とともに説明する。
【００５９】
本発明にかかる半導体装置には、図示しないが、配線２における外部接続用のコネクタ部には、液晶パネルやプリント基板等の各種デバイス部分が接続される。このコネクタ部の構成も特に限定されるものではなく、接続されるデバイス部品の種類に応じて適切な構成が選択される。
【００６０】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、ソルダーレジスト被覆工程と、絶縁性樹脂塗布工程と、半導体素子加圧工程とを含んでいる。
【００６１】
上記ソルダーレジスト被覆工程は、図１（ａ）に示すように、少なくとも、絶縁テープ１の表面に形成されるパターン状の配線２に対して、半導体素子３を搭載する部位、すなわち配線２における接続部４を残して、ソルダーレジスト５を被覆する工程である。
【００６２】
上記ソルダーレジスト５を形成する場合に、接続部４をどの程度残すかについては、特に限定されるものではなく、半導体素子３における突起電極６が配線２に確実に接続できる程度に配線２が露出していればよい。また、配線２を被覆するようにソルダーレジスト５を形成する方法やその条件としては特に限定されるものではなく、従来公知の塗布方法を好適に用いることができる。
【００６３】
上記絶縁性樹脂塗布工程は、図１（ｂ）に示すように、上記ソルダーレジスト被覆工程の後に、上記配線２における接続部４を含む領域に、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を塗布する工程である。この工程で実施される樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７の塗布方法は特に限定されるものではなく、後段の半導体素子加圧工程において、半導体素子３の下方から押し出された樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７と、半導体素子３の外周部に存在する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７とにより、半導体素子３の側面に樹脂フィレット１１が形成されるようになっていればよい。具体的には、従来公知の塗布方法を好適に用いることができる。
【００６４】
ここで、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を塗布する領域である「接続部４を含む領域」は、具体的には特に限定されるものではないが、少なくとも、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を周囲のソルダーレジスト５に接触するか、または一部がソルダーレジスト５に被覆する、あるいはソルダーレジスト５付近まで塗布してソルダーレジスト５まで滲ませることでソルダーレジスト５に被覆するような領域である。
【００６５】
上記のように、ソルダーレジスト５に接触するか、その一部を被覆するように、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を塗布すれば、半導体素子３の外側に位置する配線２が、ソルダーレジスト５の内側、すなわち、ソルダーレジスト５を形成していない領域で露出することをより確実に防止することができる。しかも、後述するように、半導体素子加圧工程にて樹脂フィレット１１を確実に形成することができる。
【００６６】
上記半導体素子加圧工程は、図１（ｃ）に示すように、塗布された樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７の上方に半導体素子３を載置して配線基板２０の表面側に加圧する（図中矢印Ａ）ことによって、該半導体素子３の突起電極６と上記配線２の接続部４とを電気的に接続する工程である。
【００６７】
半導体素子３を加圧する手段（加圧手段）については特に限定されるものではなく、従来公知の加圧ツールを好適に用いることができ、特に、パルス加熱ツールを用いることが好ましい。また、加圧の条件についても特に限定されるものではなく、半導体素子３が加圧により破損することなく、かつ、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を押し出して、突起電極６と接続部４とを十分に接触させて電気的な接続が実現できるような圧力であればよい。
【００６８】
ここで、本発明では、上記絶縁性樹脂塗布工程では、少なくとも前記樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を用いているため、前記絶縁性樹脂７の濡れ性を向上することができ、種々の問題の発生を回避することができる。以下、絶縁性樹脂の濡れ性の調節について説明する。
【００６９】
固体表面は通常空気と接触しており、固体が気体を吸着することで、固体−気体の界面が形成される。ここで、液体が固体に直接接触するためには、気体−固体の界面を押しのけて固体−液体の界面を形成しなければならない。このように、固体−気体の界面が消失して新しく固体−液体の界面が生じることを「濡れ」という。
【００７０】
上記樹脂フィレット１１は、上述のように、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を配線基板２０上に塗布した後に、半導体素子３を上方から加圧してから、該樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を硬化することで形成される。
【００７１】
ところが、従来の絶縁性樹脂１４（図３または図４参照）は濡れ性が小さいために、配線２の表面やソルダーレジスト５近傍まで広がらないという、前述した「樹脂弾き」現象が発生する。それゆえ、その塗布量が少ないと、ソルダーレジストを形成していない領域で配線２が露出し易くなるとともに、樹脂フィレット１１が小さくなるという問題が生じる一方、塗布量が多いと、上記樹脂弾きによって、半導体素子３の側面を従来の絶縁性樹脂１４が過剰に這い上がり、加圧及び加熱ツールに従来の絶縁性樹脂１４が付着するという問題が生じていた。
【００７２】
これに対して、本発明では、上記樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を用いているため、濡れ性が向上して樹脂弾きが生じにくくなる。その結果、図１（ｄ）に示すように、半導体素子加圧工程にて、半導体素子３の加圧（矢印Ａ）により押し出された樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７が周囲に良好に広がり（矢印Ｂ）、ソルダーレジストを形成していない領域で配線２が露出することを回避することができる。しかも、樹脂弾きが発生しにくいことから、上記這い上がりを抑制することができ、その結果、加圧及び加熱ツールに接触しない程度に半導体素子３の側面に樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７が適度になじみ、良好な樹脂フィレット１１を形成することができる。
【００７３】
本発明で用いられる樹脂弾き防止剤としては、絶縁性樹脂の濡れ性を調節するものであれば特に限定されるものではないが、具体的には、界面活性剤が好ましく用いられる。界面活性剤を樹脂弾き防止剤として用いることで、絶縁性樹脂の樹脂弾きの発生を回避することができる。その結果、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができるとともに、製造過程上での問題も効率的に回避することができる。
【００７４】
上記界面活性剤は、絶縁性樹脂の種類に応じて適宜選択されるものであり、その種類、含有量等は特に限定されるものではない。
【００７５】
本発明にかかる半導体装置の製造方法では、半導体素子加圧工程の後に、樹脂フィレット１１を形成した樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７を硬化させる樹脂硬化工程を実施する。樹脂硬化工程における樹脂硬化の条件は特に限定されるものではなく、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７として選択された樹脂の種類に応じて適切な条件を設定すればよい。本実施の形態では、上記樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７として用いる絶縁性樹脂は、光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いることが好ましいため、樹脂硬化工程では、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７で形成される樹脂フィレット１１に光を照射するか、場合によっては配線基板２０を通して半導体素子３と配線基板２０との間の絶縁性樹脂７に光を照射するか、または樹脂を加熱すればよい。
【００７６】
例えば、熱硬化性樹脂を用いた場合には、パルス加熱ツールで半導体素子３を加圧した状態で、図１（ｅ）に示すように、例えば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合には、２３０〜２５０℃の範囲内に加熱（図中矢印Ｃ）する。これによって、樹脂が硬化し、配線基板２０の表面上に半導体素子３を電気的に接続した状態で固定することができる。
【００７７】
このように、本発明では、樹脂弾き防止剤を含む樹脂を用いて樹脂フィレットを形成するので、半導体素子を配線に電気的に接合する際に、半導体素子の外側に位置する配線が、ソルダーレジストの内側で露出することを防止できるとともに、半導体素子の下方から周囲に形成される樹脂フィレットをサイズアップすることができる。その結果、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができる。
【００７８】
また、製造過程において、半導体素子を加圧して配線と接続させる際に、半導体素子の側面を絶縁性樹脂が這い上がり、半導体素子を加圧及び加熱するツールに絶縁性樹脂が付着することを防止できる。その結果、製造過程上での問題の発生も回避することができる。
【００７９】
それゆえ、本発明は、特にＣＯＦタイプの半導体装置を製造する分野に好適に用いることができ、さらには、このＣＯＦタイプの半導体装置を用いた各種電子機器、例えば、携帯電話、携帯情報端末、液晶表示用パネル等を製造する分野に好適に用いることができる。
【００８０】
〔実施の形態２〕
本発明における実施の他の形態について図２に基づいて説明すれば以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【００８１】
前記実施の形態１では、樹脂フィレット１１は、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７からなっていたが、本実施の形態では、図２（ｅ）に示すように、樹脂フィレット１１は、樹脂弾き防止剤を含み、かつ導電性粒子２１を分散した絶縁性樹脂１２からなっている。
【００８２】
樹脂フィレット１１を形成する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂１２中に導電性粒子２１が分散されていると、導電性粒子２１を介して、半導体素子３の突起電極６と絶縁テープ１上の配線２の接続部４とを接続することができる。その結果、半導体素子３と配線２との電気的接続をより確実なものとすることができる。
【００８３】
本発明で用いられる上記導電性粒子２１としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、金コート樹脂粒子、ニッケル粒子等が好ましく用いられる。
【００８４】
また、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂１２中に導電性粒子２１を分散させる方法は特に限定されるものではなく、硬化前の樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７に導電性粒子２１を添加して公知の方法で混合すればよい。また、導電性粒子２１を樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂１２中に分散させた状態についても特に限定されるものではなく、導電性粒子２１の種類、粒径等に応じて、所定量の樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂７に適切な量の導電性粒子２１を加えて十分に混合すればよい。
【００８５】
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｅ）に示すように、本実施の形態における製造方法では、前記実施の形態１と同様に、ソルダーレジスト被覆工程、絶縁性樹脂塗布工程、半導体素子加圧工程、樹脂硬化工程を実施しているが、図２（ｂ）〜（ｅ）に示すように、上記樹脂弾き防止剤を含み、かつ導電性粒子２１を分散した絶縁性樹脂１２を用いる点が異なっている。このような樹脂弾き防止剤を含み、かつ導電性粒子２１を分散した絶縁性樹脂１２を用いれば、図２（ｅ）に示すように、例えば、部材番号１３で表す導電性粒子２１を介して半導体素子３を配線２に電気的に接続することができる。
【００８６】
このように、本発明にかかる半導体装置およびその製造方法においては、少なくとも樹脂弾き防止剤が含まれている絶縁性樹脂７が用いられていればよいが、さらに、半導体素子３と配線２との接続信頼性を向上させるといった目的で、上記導電性粒子２１のように、他の材料が樹脂中に含まれていてもよい。
【００８７】
なお、本発明は、上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても、本発明の技術的範囲に含まれることはいうまでもない。
【００８８】
【発明の効果】
以上のように、本発明にかかる半導体装置は、パターン状に形成された配線を有する絶縁性基板と、突起電極を介して該配線に電気的に接続される半導体素子と、該半導体素子を固定する樹脂フィレットとを備えている半導体装置において、上記樹脂フィレットは、少なくとも、絶縁性樹脂の濡れ性を調節する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂からなる構成である。
【００８９】
それゆえ、上記構成では、配線基板上の配線のソルダーレジスト内側での露出防止や、樹脂封止の強度や信頼性の向上、半導体素子を加圧するツールへの絶縁性樹脂の付着防止ができる。その結果、製造過程上での問題の発生も回避することができるという効果を奏する。
【００９０】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加えて、上記絶縁性基板が折り曲げ可能な絶縁テープからなる構成である。
【００９１】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加えて、上記樹脂弾き防止剤が界面活性剤である構成である。
【００９２】
それゆえ、上記構成では、樹脂弾きの発生を回避することができ、樹脂封止の強度や信頼性を向上でき、製造過程上での問題も効率的に回避できるという効果を奏する。
【００９３】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加えて、上記絶縁性樹脂が光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂である構成である。
【００９４】
それゆえ、上記構成では、光の照射や加熱で、絶縁性樹脂を容易に硬化できるので、簡素な製造過程で、樹脂封止の強度や信頼性を向上できるという効果を奏する。
【００９５】
本発明にかかる半導体装置は、上記構成に加え、上記絶縁性樹脂中に導電性粒子が分散されている構成である。
【００９６】
それゆえ、上記構成では、導電性粒子を介して、半導体素子と配線とを接続することができ、半導体素子と配線との電気的接続をより確実なものとすることができるという効果を奏する。
【００９７】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、少なくとも、絶縁性基板上に形成されたパターン状の配線に対して、半導体素子を搭載する部位を残して、ソルダーレジストを被覆するソルダーレジスト被覆工程と、該ソルダーレジスト被覆工程の後に、半導体素子を搭載する部位を含む領域に絶縁性樹脂を塗布する絶縁性樹脂塗布工程と、塗布された絶縁性樹脂の上方に半導体素子を載置して絶縁性基板の表面側に加圧することにより、該半導体素子が有する突起電極と上記配線とを電気的に接続する半導体素子加圧工程とを有する半導体素子の製造方法において、上記絶縁性樹脂塗布工程では、少なくとも絶縁性樹脂の濡れ性を調節する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を用いるとともに、上記半導体素子加圧工程により半導体素子の下方から押し出された絶縁性樹脂と、半導体素子の外周部に存在する絶縁性樹脂とにより、半導体素子の側面に樹脂フィレットが形成されるように、絶縁性樹脂を塗布するという方法である。
【００９８】
それゆえ、上記方法では、配線がソルダーレジストの内側での露出を防止できるとともに、樹脂フィレットをサイズアップでき、樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができ、また、半導体素子を加圧するツールに絶縁性樹脂が付着することを防止できる。その結果、製造過程上での問題の発生も回避することができるという効果を奏する。
【００９９】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記方法に加え、上記絶縁性基板として、折り曲げ可能な絶縁テープを用いるという方法である。
【０１００】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記方法に加え、上記絶縁性樹脂塗布工程で、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を、周囲のソルダーレジストに接触するか、または一部がソルダーレジストに被覆するように塗布する、あるいはソルダーレジスト付近まで塗布してソルダーレジストまで滲ませることでソルダーレジストに被覆するという方法である。
【０１０１】
それゆえ、上記方法では、半導体素子の外側に位置する配線が、ソルダーレジストの内側で露出することをより確実に防止することができるとともに、半導体素子加圧工程にて樹脂フィレットを確実に形成することができるという効果を奏する。
【０１０２】
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記方法において、上記樹脂弾き防止剤として界面活性剤が用いられるという方法である。
【０１０３】
それゆえ、上記方法では、絶縁性樹脂の樹脂弾きの発生を回避することができる。その結果、得られる半導体装置の樹脂封止の強度や信頼性を向上させることができるとともに、製造過程で発生する問題も効率的に回避することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる半導体装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明にかかる半導体装置の他の例を示す概略断面図である。
【図３】従来の半導体装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】従来の半導体装置の他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁テープ（絶縁性基板）
２ パターン状の配線
３ 半導体素子
４ パターン状配線の半導体素子との接続部
５ ソルダーレジスト
６ 突起電極
７ 絶縁性樹脂（樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂）
１１ 樹脂フィレット（樹脂フィレットの形成）
１２ 絶縁性樹脂（樹脂弾き防止剤を含み、導電性粒子を分散した絶縁性樹脂）
１３ 導電性粒子を介した接続部
１４ 絶縁性樹脂
２０ 配線基板
２１ 導電性粒子
Ａ 半導体素子加圧工程（半導体素子の加圧）
Ｂ 半導体素子外周への樹脂流動
Ｃ 半導体素子加圧状態での加熱工程（半導体素子を加圧した状態での加熱）
Ｄ 光照射または加熱
Ｅ 樹脂弾き
Ｆ 樹脂這い上がり

Claims (4)

  1. 少なくとも、絶縁性基板に形成される配線に対して、半導体素子を搭載する部位を残して、ソルダーレジストを被覆するソルダーレジスト被覆工程と、
    該ソルダーレジスト被覆工程の後に、半導体素子を搭載する部位を含む領域に絶縁性樹脂を塗布する絶縁性樹脂塗布工程と、
    塗布された絶縁性樹脂に半導体素子を載置して絶縁性基板上の配線に圧接することによって、該半導体素子が有する突起電極と上記配線とを電気的に接続する半導体素子加圧工程とを有する半導体装置の製造方法において、
    上記絶縁性樹脂塗布工程では、少なくとも絶縁性樹脂の濡れ性を調節する樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を用いるとともに、
    上記半導体素子加圧工程により半導体素子の下方から押し出された絶縁性樹脂と、半導体素子の外周部に存在する絶縁性樹脂とにより、半導体素子の側面に樹脂フィレットが形成されるように、絶縁性樹脂を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 上記絶縁性基板として、折り曲げ可能な絶縁テープが用いられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 上記絶縁性樹脂塗布工程では、樹脂弾き防止剤を含む絶縁性樹脂を、周囲のソルダーレジストに接触するか、または一部がソルダーレジストに被覆するように塗布する、あるいはソルダーレジスト付近まで塗布してソルダーレジストまで滲ませることでソルダーレジストに被覆することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 上記樹脂弾き防止剤として界面活性剤が用いられることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6943678B2 (en) * 2000-01-24 2005-09-13 Nextreme, L.L.C. Thermoformed apparatus having a communications device
JP2004327920A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Sharp Corp 半導体装置の製造方法、フレキシブル基板及び半導体装置
JP4024773B2 (ja) * 2004-03-30 2007-12-19 シャープ株式会社 配線基板、半導体装置およびその製造方法並びに半導体モジュール装置
JP4451214B2 (ja) * 2004-05-21 2010-04-14 シャープ株式会社 半導体装置
JP2006100385A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Rohm Co Ltd 半導体装置
US11842972B2 (en) 2004-09-28 2023-12-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner
JP4009872B2 (ja) * 2006-03-07 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7742001B2 (en) * 2008-03-31 2010-06-22 Tdk Corporation Two-tier wide band antenna
JP5410387B2 (ja) * 2010-08-31 2014-02-05 デクセリアルズ株式会社 導電性粒子及びその製造方法、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法
JP5274586B2 (ja) * 2011-01-17 2013-08-28 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 フレキシブル回路基板
US9232634B2 (en) 2011-01-17 2016-01-05 Canon Components, Inc. Flexible circuit board for mounting light emitting element, illumination apparatus, and vehicle lighting apparatus
KR102481381B1 (ko) * 2016-01-11 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
US10879211B2 (en) 2016-06-30 2020-12-29 R.S.M. Electron Power, Inc. Method of joining a surface-mount component to a substrate with solder that has been temporarily secured

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1165148A (en) * 1915-03-09 1915-12-21 Francis K Shepherd Paint and varnish remover.
BE759288A (fr) * 1969-11-24 1971-05-24 Int Farm Systems Installation pour cantonner et elever des animaux en milieu ferme
US3734057A (en) * 1971-09-01 1973-05-22 G Lee Pet toilet
US3889881A (en) * 1974-05-29 1975-06-17 Lonnie C Cunningham Liquid dispersal apparatus
GB1571438A (en) * 1977-03-15 1980-07-16 Colgate Palmolive Co Cleaning compositions
US4175515A (en) * 1977-12-05 1979-11-27 Bradley Kenneth M Sanitary unit for confined environmental controlled feeding of hogs
US4424379A (en) * 1982-07-16 1984-01-03 International Flavors & Fragrances Inc. Cyclohexenyl-alpha-alkyl acrolein derivatives
US4834265A (en) * 1984-02-21 1989-05-30 Snyder Stuart D Automatic watering device for decorative plants
US4770878A (en) * 1984-05-02 1988-09-13 Thomas Richard D Mold and dust inhibiting product and method
US4639327A (en) * 1985-06-20 1987-01-27 Mcgaha Larry E Composition and method for cleaning painted surfaces
US4836144A (en) * 1986-09-05 1989-06-06 Cole John B Method and apparatus for washing and treating animals with a recirculating fluid system
US4700887A (en) * 1986-12-29 1987-10-20 Cornell Research Foundation, Inc. Environmental control system for poultry houses
US4773471A (en) * 1988-03-17 1988-09-27 Grant Ace A Integrated water misting heating and cooling system for poultry buildings or the like
JPH027180A (ja) 1988-06-27 1990-01-11 Hitachi Ltd 命令一斉発火方式
US5054434A (en) * 1989-09-27 1991-10-08 W. R. Grace & Co.-Conn. Suppression of ammonia odors from animal wastes
US5656862A (en) * 1990-03-14 1997-08-12 International Business Machines Corporation Solder interconnection structure
US5063880A (en) * 1990-12-03 1991-11-12 Bug Atomateck Inc. Automatic spraying device for farm animals
JPH0777227A (ja) 1991-04-05 1995-03-20 Voith Turbo Gmbh & Co Kg 流体式リターダ
US5233940A (en) * 1992-04-16 1993-08-10 Zonco, Inc. Piglet protection apparatus
JPH06151480A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Hitachi Chem Co Ltd 導電性樹脂ペーストおよび半導体装置
US5865143A (en) * 1993-09-30 1999-02-02 Trustees Of University Of Arkansas And United States Of America High-rise laying hen rearing facility and method
US6015099A (en) * 1993-12-10 2000-01-18 Potomac Rain Room, Inc. Method and apparatus for spraying pressurized water
AUPM294993A0 (en) * 1993-12-13 1994-01-13 HADDON, Bruce Alexander A deodorizer
GB9403855D0 (en) * 1994-03-01 1994-04-20 Scotia Holdings Plc Fatty acid derivatives
JP3093621B2 (ja) 1995-01-30 2000-10-03 松下電器産業株式会社 半導体装置の実装方法
US5710071A (en) * 1995-12-04 1998-01-20 Motorola, Inc. Process for underfilling a flip-chip semiconductor device
US5630379A (en) * 1996-02-12 1997-05-20 Ssi Corporation Electrically controlled spraying device for cleaning and treating animals
US6116516A (en) * 1996-05-13 2000-09-12 Universidad De Sevilla Stabilized capillary microjet and devices and methods for producing same
US5890454A (en) * 1997-01-21 1999-04-06 Trustees Of The University Of Arkansas And The United States Of America Swine rearing facility and method for reducing ammonia and odors therein
GB2345799A (en) * 1997-08-19 2000-07-19 Taiyo Yuden Kk Filler material for a wire wound electronic component
DE69934153T2 (de) * 1998-02-02 2007-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Montage von Flip-Chip-Halbleiterbauelementen
US5953814A (en) * 1998-02-27 1999-09-21 Delco Electronics Corp. Process for producing flip chip circuit board assembly exhibiting enhanced reliability
JPH11315222A (ja) * 1998-05-07 1999-11-16 Sumitomo Chem Co Ltd 水性塗料
JP2000294894A (ja) * 1998-12-21 2000-10-20 Seiko Epson Corp 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器
US6230660B1 (en) * 1999-06-23 2001-05-15 John Stuart Greeson Apparatus for controlling insects on an animal
US6194470B1 (en) * 1999-08-06 2001-02-27 Bath & Body Works, Inc. Sparkle linen spray
US6302161B1 (en) * 2000-01-11 2001-10-16 Larry D. Heller Process for mixing, diluting and dispensing water dilutable formulations of insecticides utilizing an injector system
JP3536023B2 (ja) * 2000-10-13 2004-06-07 シャープ株式会社 Ｃｏｆ用テープキャリアおよびこれを用いて製造されるｃｏｆ構造の半導体装置
KR100928124B1 (ko) 2001-01-29 2009-11-24 우베 고산 가부시키가이샤 Ｃｏｆ 실장용 언더필재 및 전자부품
JP3696512B2 (ja) 2001-02-13 2005-09-21 シャープ株式会社 表示素子駆動装置およびそれを用いた表示装置
JP2002270652A (ja) 2001-03-09 2002-09-20 Hitachi Cable Ltd テープキャリア及びそれを用いた半導体装置
JP3716237B2 (ja) 2002-08-19 2005-11-16 ナミックス株式会社 封止剤樹脂組成物

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