JP5710098B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ムBTaの表面に形成された粘着層BTbとを有しており、粘着層BTbと絶縁性樹脂層18の表面とが接着されている。
Claims (8)
- 一方の主面に複数の突出電極が設けられた半導体ウエハを用意する第1工程と、
ダイシングテープを前記半導体ウエハの他方の主面及び環状のダイシングフレームに貼付けて、前記半導体ウエハが前記ダイシングフレームに固定された状態とする第2工程と、
前記一方の主面側から前記半導体ウエハを所定の深さまでダイシングして、前記半導体ウエハを貫通しない複数の切断溝を前記一方の主面側に形成する第3工程と、
前記一方の主面上に、前記複数の突出電極を覆う絶縁性樹脂層を形成する第4工程と、
前記他方の主面からの前記ダイシングテープの剥離が行われた状態で、前記複数の切断溝に至るまで前記他方の主面側から前記半導体ウエハを研削し、前記絶縁性樹脂層が繋がったまま前記半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する第5工程と、
前記絶縁性樹脂層の表面及び前記他方の主面のうちいずれか一方と、個片化された前記複数の半導体チップの全体を囲むように配置された環状のウエハリングとに、支持テープを貼付ける第6工程と、
前記ウエハリングを固定した状態で、個片化された前記複数の半導体チップの全体を治具により前記支持テープを介して押し出して、前記支持テープの主面に沿う方向に前記支持テープを引き伸ばすことによって、前記絶縁性樹脂層を前記複数の半導体チップの外形に沿うように切断する第7工程と、
前記半導体チップを前記支持テープから剥離してピックアップする第8工程と、
前記第8工程でピックアップされた前記半導体チップを接続ヘッドによって保持した状態で、当該半導体チップの突出電極と基板上の回路電極との位置合わせを行い、前記接続ヘッドを用いて当該半導体チップと前記基板とを加熱圧着することで、当該半導体チップの前記突出電極と前記基板の前記回路電極とを電気的に接続する第9工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一方の主面に複数の突出電極が設けられた半導体ウエハを用意する第1工程と、
ダイシングテープを前記半導体ウエハの他方の主面及び環状のダイシングフレームに貼付けて、前記半導体ウエハが前記ダイシングフレームに固定された状態とする第2工程と、
前記一方の主面側から前記半導体ウエハを所定の深さまでダイシングして、前記半導体ウエハを貫通しない複数の切断溝を前記一方の主面側に形成する第3工程と、
前記一方の主面上に、前記複数の突出電極を覆う絶縁性樹脂層を形成する第4工程と、
前記他方の主面からの前記ダイシングテープの剥離が行われた状態で、前記複数の切断溝に至るまで前記他方の主面側から前記半導体ウエハを研削し、前記絶縁性樹脂層が繋がったまま前記半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する第5工程と、
前記絶縁性樹脂層の表面及び前記他方の主面のうちいずれか一方と、個片化された前記複数の半導体チップの全体を囲むように配置された環状のウエハリングとに支持テープを貼付ける第6工程と、
前記ウエハリングを固定した状態で、個片化された前記複数の半導体チップの全体を治具により前記支持テープを介して押し出して、前記支持テープの主面に沿う方向に前記支持テープを引き伸ばすことによって、前記絶縁性樹脂層を前記複数の半導体チップの外形に沿うように切断する第7工程と、
前記半導体チップを前記支持テープから剥離してピックアップする第8工程と、
前記第8工程でピックアップされた前記半導体チップを位置合わせヘッドによって保持した状態で、当該半導体チップの突出電極と基板上の回路電極との位置合わせを行い、前記位置合わせヘッドを用いて当該半導体チップと前記基板とを仮固定する第9工程と、
前記位置合わせヘッドよりも高温に設定された接続ヘッド又は接続ステージによって当該半導体チップと前記基板とを加熱圧着することで、当該半導体チップの前記突出電極と前記基板の前記回路電極とを電気的に接続する第10工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記治具の外形は前記半導体ウエハの外形よりも大きいことを特徴とする、請求項1又は2に記載された半導体装置の製造方法。
- 前記第6の工程では、前記他方の主面と前記ウエハリングとに前記支持テープを貼り付けることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁性樹脂層の可視光に対する光透過率が10%以上であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップと前記基板とを加熱圧着する際の温度が300℃以上であるときに、前記絶縁性樹脂層に発泡が生じないことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程では、表面に絶縁性樹脂組成物が設けられたフィルムを前記一方の主面に貼付けることで、前記一方の主面上に、前記複数の突出電極を覆う絶縁性樹脂層を形成することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁性樹脂層を構成する絶縁性樹脂組成物が、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂及び硬化剤を含有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法。
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