JP2006286660A

JP2006286660A - 立体的電子回路装置

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Publication number: JP2006286660A
Application number: JP2005100318A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Ono; 正浩小野; Masahito Mori; 将人森; Takahiko Yagi; 能彦八木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-03-31
Filing date: 2005-03-31
Publication date: 2006-10-19
Anticipated expiration: 2025-03-31
Also published as: JP4463139B2

Abstract

【課題】高密度実装と高接続信頼性を実現できる立体的電子回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の回路基板２０と第２の回路基板３０が中継基板１０を介して立体的に接続された構造である。ランド部７０，８０が曲面形状になっていることにより、応力集中が分散され、高い接続信頼性が得られる。さらにシールド電極１７０を中継基板１０に面状に設けているので、不要輻射を抑制できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品を実装した回路モジュール等をベース回路基板上に中継する立体的電子回路装置に関する。

近年、絶縁回路基板上に抵抗、コンデンサや半導体素子等を実装する電子回路装置においては、モバイル機器の高機能化と軽薄短小化が進む中で、平面的な電子回路装置では、接続ピッチの微細化や隣接の部品間の間隔縮小等により実装密度の向上をはかるには限界がある。そのために３次元的にモジュール回路基板を積層して高密度化がはかられている。

例えば、下記の（特許文献１）などには図１０に示すように、表面実装部品３３０や半導体ベアチップ３４０等が実装されたモジュール回路基板３５０を、ベースプリント回路基板３１０に実装する場合には、スペーサ３６０が使用されている。スペーサ３６０は、上下両面をビアホール３２０で導通するとともに球状半田３８０，３９０を付けて構成されており、このスペーサ３６０をベースプリント回路基板３１０とモジュール回路基板３５０間に仮固定した状態で一括してリフロー半田付けされている。

また、下記の（特許文献２）などには図１１に示すように、表面実装部品４５０や半導体ベアチップ４６０等が実装された電子回路基板４１０，４３０を上下に積層して実装する場合には、耐熱性弾性体４００が使用されている。耐熱性弾性体４００は、外周囲を導電性の物質でコーティングされており、この耐熱性弾性体４００を一方の電子回路基板４１０の接続用ランド４２０に半田付けし、他方の電子回路基板４３０の接続用ランド４４０にクリップやボルト４７０等で圧着されている。

さらに、下記の（特許文献３）などには図１２に示すように、ＩＣパッケージ５１０と受動部品５２０，５３０を実装したモジュール用回路基板５００を、マザーボード５４０に実装する場合には、接続用チップ５５０が使用されている。

また、上記以外にも一般的な接続部品であるコネクタを用いて接合する方法等もある。
また、モバイル機器は持ち運びして使用することが前提であり、落下衝撃時のショックに対しても強いことが望まれている。従来、樹脂成形体表面に形成された金属薄膜の密着性は強くはなく、そこで金属との密着性と機械的強度の両立を目的として下記の（特許文献４）などでは、無電解めっきを容易に行うことができる易めっき性プラスチックス材料を用いた射出成形により回路部分を形成し、次に成形体のめっき不要部分を機械強度が高いが難めっき性プラスチックス材料を二次成形し、化学粗化処理後、金属メッキ層を形成している。

また、下記の（特許文献５）では、プラスチックス材料の射出成形の条件や金型形状によって、成形時に表面に多数の微少凹部を形成し、工程数を増やすことなく、金属との密着性の向上を図っている。
特開２００１−１７７２３５号公報特開２００１−２６７７１５号公報特開平６−２６０７３６号公報

モバイル機器の高機能化と軽薄短小化が進む中で、平面的な電子回路装置では、接続ピッチの微細化や隣接の部品間の間隔縮小等により実装密度の向上をはかるには限界がある。そのために３次元的にモジュール回路基板を積層して高密度化がはかられている。特許文献１のスペーサ３６０および特許文献３の接続用チップ５５０は、ガラスエポキシ回路基板の上下面に形成されたランドと対応するランド間を接続する導電性ビアまたはビアホール３２０を介して３次元的に接続するものである。しかし、スペーサ３６０または接続用チップ５５０は対向するモジュール回路基板間を電気的、機械的に接続するものであり、それらには半導体素子等の電子部品は実装されていない。また、特許文献２の積層されたモジュール回路基板間の固定にクリップやボルト等を用いた場合、固定や接続部材の占有する面積が増加するため実装面積が減少する。また、モジュール回路基板間の接続端子数の増加により、モジュール回路基板の接続に占める接続コネクタの面積が増大している。

従って、モジュール回路基板間の接続面積の増大により実装密度を上げることができないという課題がある。さらに、上下の基板を接続するため、高い接続信頼性が必要となる。

本発明は、上記従来の課題を解決し、高密度実装と高接続信頼性を実現できる立体的電子回路装置を提供することを目的とする。

本発明の請求項１記載の立体的電子回路装置は、第１の回路基板と第２の回路基板を中継基板を介して接続した立体的電子回路装置であって、前記中継基板は、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するランド部が端面に形成されるとともに、前記ランド部を曲面形状にしたことを特徴とする。

本発明の請求項２記載の立体的電子回路装置は、請求項１において、前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極を形成したことを特徴とする。
本発明の請求項３記載の立体的電子回路装置は、請求項１において、前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部の境界位置またはその近傍位置にはシールド電極のその他の部分よりも濡れ性の低い導電性のスリットを形成したことを特徴とする。

本発明の請求項４記載の立体的電子回路装置は、請求項１において、前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との接続をランド部よりも幅の狭い括れ部を形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項５記載の立体的電子回路装置は、請求項１において、前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも中継基板の内側に窪んだ凹部を形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項６記載の立体的電子回路装置は、請求項１において、前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも中継基板の外側に突出した凸部を形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項７記載の立体的電子回路装置は、請求項１において、前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置を波状形状部に形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項８記載の立体的電子回路装置は、請求項１〜請求項７の何れかにおいて、前記中継基板は、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するための接続配線と電子部品を搭載できる窪み部を有していることを特徴とする。

本発明の請求項９記載の立体的電子回路装置は、請求項１〜請求項８の何れかにおいて、前記ランド部を、蒲鉾状になった連続体に形成したことを特徴とする。
本発明の請求項１０記載の中継基板は、第１の回路基板と第２の回路基板の接続に使用される中継基板であって、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するランド部が端面に形成されるとともに、前記ランド部を曲面形状にしたことを特徴とする。

本発明の請求項１１記載の中継基板は、請求項１０において、電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極を側面に形成したことを特徴とする。
本発明の請求項１２記載の中継基板は、請求項１０において、電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部の境界位置またはその近傍位置にはシールド電極のその他の部分よりも濡れ性の低い導電性のスリットを形成したことを特徴とする。

本発明の請求項１３記載の中継基板は、請求項１０において、電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との接続をランド部よりも幅の狭い括れ部を形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項１４記載の中継基板は、請求項１０において、電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも内側に窪んだ凹部を形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項１５記載の中継基板は、請求項１０において、電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも外側に突出した凸部を形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項１６記載の中継基板は、請求項１０において、電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置を波状形状部に形成して濡れ性を低下させたことを特徴とする。

本発明の請求項１７記載の中継基板は、請求項１０〜請求項１６の何れかにおいて、第１の回路基板と第２の回路基板とを接続するための接続配線と電子部品を搭載できる窪み部を有していることを特徴とする。

本発明の請求項１８記載の中継基板は、請求項１０〜請求項１７の何れかにおいて、前記ランド部を、蒲鉾状になった連続状に形成したことを特徴とする。

この構成によると、第１の回路基板と第２の回路基板を中継基板を介して接続した立体的電子回路装置であって、前記中継基板は、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するランド部が端面に形成されるとともに、前記ランド部を曲面形状にしたため、回路基板間の接続面積を確保しながら高密度実装を実現でき、不要輻射ノイズを減らすことができる。

さらに、ランド部を曲面形状にすることで、応力集中分散を防ぐことができ、高い接続信頼性も実現できる。
さらに、中継基板や中継枠に電子部品も搭載できる窪み部を設けることで、第１の回路基板または第２の回路基板に実装した他の電子部品と中継基板や中継枠に搭載した電子部品とを最短距離で電気的に接続することができ、立体的電子回路装置の周波数特性が向上する。

以下、本発明の各実施の形態を図１〜図９に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１と図２は、本発明の（実施の形態１）に係る立体的電子回路装置を示す。

図１に示すようにこの立体的電子回路装置は、第１の回路基板２０と第２の回路基板３０が中継基板１０により接続部材４０を介して電気的、機械的に接続される３次元接続構造である。

図２は中継基板１０の斜視図を示し、図１は図２のＡ−Ａ’からみた断面図である。
つまり、中継基板１０は、絶縁性の外周壁１０ａを有する枠型で、外周壁１０ａの上面１０ｂと下面１０ｃには、第１の回路基板２０と第２の回路基板３０とを接続するランド部７０が設けられている。このランド部７０は、何れも曲面形状、具体的には蒲鉾状になった連続体で、外周壁１０ａの上面１０ｂの連続体の上から外周壁１０ａの内面１０ｄを経て下面１０ｃの連続体の上にかけて複数の第１の配線１４０が形成されている。第１の回路基板２０の電極９０と外周壁１０ａの上面１０ｂの第１の配線１４０とは、半田ボール、マイクロコネクタ、ヒートシールコネクタ、異方導電性フィルムや半田バンプ等の接続部材４０を介して接合されている。第２の回路基板３０の電極９０と外周壁１０ａの下面１０ｃの第１の配線１４０も接続部材４０を介して接合されている。

外周壁１０ａの上面１０ｂの各ランド部７０を中央にしてその両側には、シールド配線用のランド８０が設けられている。外周壁１０ａの下面１０ｃの各ランド部７０を中央にしてその両側にもシールド配線用のランド８０が設けられている。このランド８０は全面が電極８１で覆われている。

さらに、中継基板１０の外周壁１０ａの外面には、外周壁１０ａを取り巻くようにシールド電極１７０が形成されており、このシールド電極１７０は前記ランド８０に接続されている。なお、接続部材４０による接合時に第１の配線１４０とシールド電極１７０との間がブリッジして導通しないように、ランド部７０に対応して外周壁１０ａのシールド電極１７０の中央が両側よりも細く形成されて、ランド部７０とシールド電極１７０の中央との間には中継基板１０の基材が露出した露出部７１が形成されている。

第１の回路基板２０と第２の回路基板３０は、電極９０、導電性ビア１００と絶縁基材９５から構成される、または、さらに他の電子部品１１０，１２０を実装して構成される両面基板または多層配線基板である。各電子部品１１０，１２０の電極は半田または導電性接着剤等の接続部材１３０により、それぞれの対応する電極と電気的に接続されている。ここで、各電子部品１１０，１２０は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子や抵抗、コンデンサ、インダクタ等の一般の受動部品である。また、ベアチップ形状の電子部品をフリップチップ実装またはワイヤボンディング接続で実装することも可能である。

なお、第１の回路基板２０や第２の回路基板３０には、一般の樹脂基板や無機基板を用いることができる。特に、ガラスエポキシ基板やアラミド基材を用いた基板やビルドアップ基板、ガラスセラミック基板、アルミナ基板等が好ましい。中継基板１０は、一般の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂等を用いる。熱可塑性樹脂の場合、射出成形や加工によって所望の形状に成型することが可能である。また、熱硬化性樹脂の場合、硬化物を切削加工することで所望の形状にすることができる。熱可塑性樹脂としてはＰＰＡ（ポリフタルアミド）、ＰＰＳ（エンプラ）、ＰＢＴ、エステル系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）、熱硬化性樹脂としては通常のエポキシ樹脂等を用いることが好ましい。中継基板１０にヤング率の小さい樹脂材料を用いることにより、第１の回路基板２０と第２の回路基板３０の間の熱膨張係数の差によって生じる応力を緩和することができる。

ここではシールド電極１７０が中継基板１０の外面に設けられているが、場合によっては中継基板１０の内面１０ｄに設けられることもある。また、ランド７０はランド部８０に挟まれて存在している方がシールド効果は高くなる。そして、面状にしていることで、電子部品１１０等からの不要輻射を抑制する効果が一層高められる。さらに、ランド部７０，８０が曲面形状になっていることにより、応力集中が分散され、高い接続信頼性が得られる。

中継基板１０の第１の配線１４０の立体配線は、導電性ペーストを用いた印刷法や基板面に貼り付けられた金属箔または基板面に析出させたメッキ層をレーザー加工する等の方法で作製される。立体配線材料としてはＡｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｂｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｐｂなどの金属が用いられる。

上記の３次元接続構造の立体的電子回路装置により、中継基板１０にシールド電極１７０を形成できるため回路基板間の接続面積を確保しながら高密度実装を実現できる。さらに、第１の回路基板２０と第２の回路基板３０を接続する必要がなければ、第１の配線１４０、ビアホールやランド部７０を形成しなくてもよい。なお、第１の回路基板２０には、他の電子部品１１０を実装せず、配線基板だけであってもよい。

（実施の形態２）
図３は本発明の（実施の形態２）を示す。
（実施の形態１）では中継基板１０は枠型で内面１０ｄには隔壁が設けられていなかったが、図３では隔壁１０ｅを設けて外周壁１０ａの内側に窪み部１６を形成し、電子部品５０が窪み部１６に搭載されている。この場合は電子部品５０からの第２の配線６０がランド部７０の位置まで延設され、第１の回路基板２０と第２の回路基板３０とそれぞれ接続される。

また、接続強度や信頼性確保のために、窪み部１６において各電子部品５０、１１０、１２０や窪み部１６をモールド樹脂でモールドする構成としてもよい。さらに、中継基板１０の側面にも窪み部を設けて電子部品を実装することもできる。その他は図１，図２に示した（実施の形態１）と同じである。

（実施の形態３）
図４は本発明の（実施の形態３）を示す。
（実施の形態１）では中継基板１０におけるランド部８０とシールド電極１７０とは単に同じ材質で接続されているだけであったが、この（実施の形態３）では、ランド部８０とシールド電極１７０との境界位置またはその近傍位置にはシールド電極１７０のその他の部分よりも濡れ性の低い導電性のスリット２２０を入れて、接続部材４０がシールド電極１７０に濡れ広がってくるのを防ぐよう構成されている。

具体的には、スリット２２０とは電極すべてを除去するものではなく、電極材質としてＣｕ（銅）の上にＮｉ（ニッケル）を下地としてＡｕ（金）をつけた場合、レーザーの出力を調整することにより、Ａｕだけをスリット２２０の範囲内だけ飛ばすことによって形成されている。

これにより、接続部材４０が界面から流出して接続部の信頼性が損なわれるのを防ぐことができる。このスリット２２０は、また、これは図３で同じことを実施しても同様のことが言える。

（実施の形態４）
図５は本発明の（実施の形態４）を示す。
（実施の形態１）では中継基板１０におけるランド部８０とシールド電極１７０とは単に同じ材質で接続されているだけであったが、この（実施の形態４）では、ランド部８０とシールド電極１７０との境界位置またはその近傍位置に、電極を全部除去してランド部８０よりも幅の狭い括れ部２２１を形成して濡れ性を低下させ、接続部材４０がシールド電極１７０に濡れ広がってくるのを防ぐよう構成されている。また、これは図３で同じことを実施しても同様のことが言える。

（実施の形態５）
図６は本発明の（実施の形態５）を示す。
（実施の形態１）では中継基板１０におけるランド部８０とシールド電極１７０とは単に同じ材質で接続されているだけであったが、この（実施の形態５）では、ランド部８０とシールド電極１７０との境界位置またはその近傍位置が、シールド電極１７０のその他の部分よりも中継基板１０の内側に窪んだ凹部２３０になっており、接続部材４０が側面電極に濡れ広がってくるのを防ぐ。

これにより、接続部材４０が界面から流出することで、接続部の信頼性が損なわれるのを防ぐことができる。また、これは図３で同じことを実施しても同様のことが言える。
（実施の形態６）
図７は本発明の（実施の形態６）を示す。

（実施の形態１）では中継基板１０におけるランド部８０とシールド電極１７０とは単に同じ材質で接続されているだけであったが、この（実施の形態５）では、ランド部８０とシールド電極１７０との境界位置またはその近傍位置に、シールド電極１７０のその他の部分よりも中継基板１０の外側に突出した凸部２４０を形成して構成されており、接続部材４０が側面電極に濡れ広がってくるのを防ぐ。

これにより、接続部材４０が界面から流出して、接続部の信頼性が損なわれるのを防ぐことができる。また、これは図３で同じことを実施しても同様のことが言える。
（実施の形態７）
図８は本発明の（実施の形態７）を示す。

（実施の形態１）では中継基板１０におけるランド部８０とシールド電極１７０とは単に同じ材質で接続されているだけであったが、この（実施の形態５）では、ランド部８０とシールド電極１７０との境界位置またはその近傍位置に、波状形状部２５０を形成して接続部材４０が側面電極に濡れ広がってくるのを防ぐ。

これにより、接続部材４０が界面から流出して、接続部の信頼性が損なわれるのを防ぐことができる。また、これは図３で同じことを実施しても同様のことが言える。
なお、本発明の各実施の形態では、中継基板１０の上下面に第１の回路基板２０と第２の回路基板３０を配置する構成で述べたが、これに限られず、図９に示すように第１の回路基板２０と第２の回路基板３０を中継基板Ｒで中継して略Ｌ字形状に連結するような場合を挙げることができる。

また、本発明で述べた各実施の形態は、相互に適用できることはいうまでもなく、また、これらの実施の形態に限定されるものでもない。具体的には、（実施の形態３）で説明したスリット２２０を、（実施の形態４）の括れ部２２１の電極材料のＡｕだけを飛ばすことによって形成することによってより効果的である。また、（実施の形態５）の凹部２３０の電極材料のＡｕだけを飛ばすことによって形成することによってより効果的である。また、（実施の形態６）の凸部２４０の電極材料のＡｕだけを飛ばすことによって形成することによってより効果的である。また、（実施の形態７）の波形形状部２５０の電極材料のＡｕだけを飛ばすことによって形成することによってより効果的である。

本発明の立体的電子回路装置は、第１の回路基板と第２の回路基板を中継基板または中継枠を介して接続する３次元接続構造であり、回路基板間を接合すると共に高密度実装を実現できる。また、高い接続信頼性が得られる。そのため、高機能、多機能でコンパクト化が要望される携帯電話機等をはじめとする各種のモバイル機器に広く利用できる。

本発明の実施の形態１に係る立体的電子回路装置の断面図同実施の形態の中継基板の斜視図本発明の実施の形態２に係る立体的電子回路装置の断面図本発明の実施の形態３に係る立体的電子回路装置の断面図本発明の実施の形態４に係る中継基板の斜視図本発明の実施の形態５に係る立体的電子回路装置の要部断面図本発明の実施の形態６に係る立体的電子回路装置の要部断面図本発明の実施の形態７に係る中継基板の要部斜視図本発明の具体例を示す斜視図第１の従来例の断面図第２の従来例の断面図第３の従来例の断面図

符号の説明

１０中継基板
１６窪み部
２０第１の回路基板
３０第２の回路基板
６０第２の配線
７０，８０ランド部
９５絶縁基材
１４０第１の配線
１７０シールド電極
２２０スリット
２２１括れ部
２３０凹部（電極）
２４０凸部（電極）
２５０波状形状部（電極）

Claims

第１の回路基板と第２の回路基板を中継基板を介して接続した立体的電子回路装置であって、
前記中継基板は、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するランド部が端面に形成されるとともに、前記ランド部を曲面形状にした
立体的電子回路装置。
前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極を形成した
請求項１に記載の立体的電子回路装置。
前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部の境界位置またはその近傍位置にはシールド電極のその他の部分よりも濡れ性の低い導電性のスリットを形成した
請求項１に記載の立体的電子回路装置。
前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との接続をランド部よりも幅の狭い括れ部を形成して濡れ性を低下させた
請求項１に記載の立体的電子回路装置。
前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも中継基板の内側に窪んだ凹部を形成して濡れ性を低下させた
請求項１に記載の立体的電子回路装置。
前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも中継基板の外側に突出した凸部を形成して濡れ性を低下させた
請求項１に記載の立体的電子回路装置。
前記中継基板の側面に電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置を波状形状部に形成して濡れ性を低下させた
請求項１に記載の立体的電子回路装置。
前記中継基板は、前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するための接続配線と電子部品を搭載できる窪み部を有している
請求項１〜請求項７の何れかに記載の立体的電子回路装置。
前記ランド部を、蒲鉾状になった連続体に形成した
請求項１〜請求項８の何れかに記載の立体的電子回路装置。
第１の回路基板と第２の回路基板の接続に使用される中継基板であって、
前記第１の回路基板と前記第２の回路基板とを接続するランド部が端面に形成されるとともに、前記ランド部を曲面形状にした
中継基板。
電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極を側面に形成した
請求項１０に記載の中継基板。
電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部の境界位置またはその近傍位置にはシールド電極のその他の部分よりも濡れ性の低い導電性のスリットを形成した
請求項１０に記載の中継基板。
電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との接続をランド部よりも幅の狭い括れ部を形成して濡れ性を低下させた
請求項１０に記載の中継基板。
電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも内側に窪んだ凹部を形成して濡れ性を低下させた
請求項１０に記載の中継基板。
電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置にシールド電極のその他の部分よりも外側に突出した凸部を形成して濡れ性を低下させた
請求項１０に記載の中継基板。
電気的ノイズを遮蔽するためのシールド電極が側面に形成され、このシールド電極に接続されるランド部との境界位置またはその近傍位置を波状形状部に形成して濡れ性を低下させた
請求項１０に記載の中継基板。
第１の回路基板と第２の回路基板とを接続するための接続配線と電子部品を搭載できる窪み部を有している
請求項１０〜請求項１６の何れかに記載の中継基板。
前記ランド部を、蒲鉾状になった連続状に形成した
請求項１０〜請求項１７の何れかに記載の中継基板。