JP6848930B2 - 電子モジュール - Google Patents

Description

本発明は、基板に電子部品が実装された電子モジュールに関する。

基板に電子部品が実装された電子モジュールが、種々の電子機器に広く使用されている。例として、ＷＯ２０１４-０１７１５９Ａ１（特許文献１）に開示された電子モジュール１１００を図６に示す。

電子モジュール１１００は、基板（配線基板）１０１の一方主面に、コンデンサ、インダクタ、抵抗などの両端に電極が形成されたチップ状の電子部品（チップ部品）１０２、１０３、１０４が実装されている。また、基板１０１の他方主面に、実装面に複数の電極が形成された半導体装置（半導体基板）１０５が実装されている。

そして、電子部品１０２、１０３、１０４が、封止樹脂（樹脂層）１０８によって封止されている。また、半導体装置１０５が、封止樹脂１０９によって封止されている。

電子モジュール１１００では、基板（配線基板）１０１の一方主面と他方主面に、同種の樹脂である封止樹脂１０８と封止樹脂１０９を使用している。但し、電子モジュール１１００の反りが大きい場合には、反りを抑制するために、封止樹脂１０８と封止樹脂１０９の線膨張係数を異ならせてもよいとしている。

また、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave；弾性表面波）やＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave； バルク弾性波）を利用した弾性波装置が、移動体通信機器などの電子機器に、共振子やフィルタなどとして広く使用されている。例として、ＷＯ２０１５-０９８６７８Ａ１（特許文献２）に開示された弾性波装置１２００を図７に示す。

弾性波装置１２００は、基板（支持基板）２０１、支持部材２０２、蓋材２０３などで囲まれた中空部２０４を備えている。

弾性波装置１２００は、中空部２０４内に形成された圧電薄膜２０５上に、ＩＤＴ電極２０６が形成されている。中空部２０４は、ＩＤＴ電極２０６の振動が妨げられないようにするために設けられたものである。

ＷＯ２０１４-０１７１５９Ａ１ ＷＯ２０１５-０９８６７８Ａ１

電子モジュール１１００は、基板１０１に、コンデンサ、インダクタ、抵抗などのチップ状の電子部品１０２、１０３、１０４や、半導体装置１０５を実装している。電子モジュール１１００において、さらに高機能化をはかるために、基板１０１に、弾性波装置１２００のような中空部を有する電子部品を追加して実装したい場合がある。

しかしながら、基板に、半導体装置と、中空部を有する電子部品との両方を実装しようとした場合には、次のような問題が発生する。

すなわち、弾性波装置１２００のような中空部を有する電子部品は、液密性は備えているが、完璧な気密性は備えていない場合があり、中空部に湿度の高い気体が侵入しないようにするために、封止樹脂で封止して耐湿性を向上させる必要がある。

また、弾性波装置１２００のような中空部を有する電子部品を封止する場合には、未硬化状態での流動性が低い封止樹脂を使用する必要がある。未硬化状態での流動性が高い封止樹脂を使用すると、中空部を有する電子部品の周囲に封止樹脂を形成する工程において、封止樹脂の圧力によって中空部が潰れてしまう虞があるからである。

一方、半導体装置は、実装面に複数の電極が形成されているが、一般に、その電極間ピッチが極めて小さいため、半導体装置を封止する場合に、中空部を有する電子部品を封止するのに適した未硬化状態での流動性が低い封止樹脂を使用すると、半導体装置の実装面の電極間に十分に封止樹脂が充填されず、空隙が形成されてしまう虞があった。そして、半導体装置の電極間の封止樹脂に空隙が形成されてしまうと、電子モジュールをリフロー半田などによって電子機器の基板などに実装するときの熱によって、半導体装置を基板に実装するのに使用した半田が再溶融し、かつ膨張して、空隙に入り込む虞があった。そして、空隙に入り込んだ半田が半導体装置の電極間を短絡させてしまう、半田フラッシュと呼ばれる現象が発生する虞があった。

このように、電子部品ごとに、封止樹脂の要否や、封止樹脂に要求される未硬化状態での流動性が異なるため、基板に、中空部を有する電子部品（弾性波装置など）と、実装面に複数の電極が極めて小さいピッチで形成された、中空部を有さない電子部品（半導体装置など）との両方を実装し、同じ封止樹脂で封止しようとした場合には、次のような問題が発生した。

まず、中空部を有さない電子部品の電極間に十分に封止樹脂を充填し、電極間の封止樹脂に空隙が形成されないようにするために、封止樹脂に未硬化状態での流動性が高いものを使用すると、中空部を有する電子部品の中空部が封止樹脂を充填するときの圧力で潰れてしまう虞があった。

逆に、中空部を有する電子部品の中空部が封止樹脂を充填するときの圧力で潰れてしまわないようにするために、封止樹脂に、未硬化状態での流動性が低いものを使用すると、中空部を有さない電子部品の電極間に十分に封止樹脂が充填されず、電極間の封止樹脂に空隙が形成され、半田フラッシュの原因になる虞があった。

本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の一局面にかかる電子モジュールは、第１主面および第２主面を有する基板と、基板への実装面に複数の電極が形成されるとともに、中空部を有する、少なくとも１つの第１電子部品と、基板への実装面に複数の電極が形成されるとともに、中空部を有さない、少なくとも１つの第２電子部品と、封止樹脂と、を備え、第１電子部品は、圧電基板と蓋材とを有し、圧電基板と蓋材との間に中空部が形成された弾性波装置であり、蓋材を基板側にして、基板の第１主面に実装され、かつ、封止樹脂によって封止され、第２電子部品のうち、実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品は、基板の前記第２主面に実装され、かつ、少なくとも基板との接合部分が封止樹脂によって封止されていないものとする。

封止樹脂にフィラーが含有されていることが好ましい。この場合には、封止樹脂の未硬化状態での流動性が低くなり、封止樹脂を充填するときの圧力で第１電子部品の中空部が潰れることが抑制される。また、一般に、フィラーを含有することによって封止樹脂の硬化状態での耐湿性が向上し、第１電子部品の中空部への水分の侵入をより確実に抑制することができる。

基板の第２主面に、金属片からなる外部電極を取付けることも好ましい。

第１電子部品は、例えば、ＳＡＷやＢＡＷなどを利用した弾性波装置である。

第２電子部品のうち、実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品が、自身の外表面を構成する外装樹脂を有することも好ましい。この場合には、第２電子部品を封止樹脂によって改めて封止しなくても、外装樹脂によって第２電子部品の耐湿性と強度とを維持することができる。

第２電子部品のうち、実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品は、例えば、半導体装置である。

封止樹脂の外表面の少なくとも一部に、シールド電極が形成されることも好ましい。この場合には、シールド電極によって、外部からのノイズが封止樹脂に封止された電子部品（第１電子部品など）に悪影響を与えることや、封止樹脂に封止された電子部品が外部にノイズを放出することを抑制することができる。また、シールド電極によって封止樹脂内部への水分の侵入が抑制されるため、第１電子部品の中空部への水分の侵入をより確実に抑制することができる。

本発明の電子モジュールは、封止樹脂に、第１電子部品を封止するのに適した未硬化状態での流動性が低い封止樹脂を使用することができるため、封止樹脂を充填するときの圧力によって第１電子部品の中空部が潰れにくい。また、本発明の電子モジュールは、第１電子部品が封止樹脂によって封止されているため、第１電子部品の中空部に水分が侵入しにくい。また、本発明の電子モジュールは、第２電子部品のうち、実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品が封止樹脂によって封止されていないため、電子モジュールをリフロー半田などによって電子機器の基板などに実装するときの熱によって、その第２電子部品を実装するのに使用した半田が再溶融してしまったとしても、半田フラッシュが発生しない。

第１実施形態にかかる電子モジュール１００を示す断面図である。 図２（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、電子モジュール１００の製造方法の一例において施す工程を示す断面図である。 図３（Ｄ）、（Ｅ）は、図２（Ｃ）の続きであり、それぞれ、電子モジュール１００の製造方法の一例において施す工程を示す断面図である。 第２実施形態にかかる電子モジュール２００を示す断面図である。 第３実施形態にかかる電子モジュール３００を示す断面図である。 特許文献１に開示された電子モジュール１１００を示す断面図である。 特許文献２に開示された弾性波装置１２００を示す断面図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
図１に、第１実施形態にかかる電子モジュール１００を示す。ただし、図１は、電子モジュール１００の断面図である。

電子モジュール１００は、基板１を備えている。基板１の材質は任意であり、例えば、ＰＣＢ（Poly Chlorinated Biphenyl；ポリ塩化ビフェニル）などを用いた樹脂基板や、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co‐fired Ceramics；低温同時焼成セラミックス）などを用いたセラミックス基板を使用することができる。また、基板１の構造も任意であり、多層基板であってもよいし、単層基板であってもよい。

基板１は、図１における上側に第１主面１Ａを有し、図１における下側に第２主面１Ｂを有している。そして、第１主面１Ａに電極２が形成され、第２主面１Ｂに電極３が形成されている。電極２、３の材質は任意であるが、例えば、銅、銀などを使用することができる。また、電極２、３の表面に、錫や半田などのめっきが施される場合がある。

基板１の内部には、図示を省略するが、例えば、銅などによって、ビア電極、または、ビア電極および配線電極が形成されて、内部配線が構成されている。内部配線によって、基板１の第１主面１Ａに形成された電極２と、第２主面１Ｂに形成された電極３とが接続されている。

基板１の第１主面１Ａに、中空部５を有する、２つの第１電子部品４が実装されている。本実施形態においては、ＳＡＷを利用した弾性波装置を、第１電子部品４とした。ただし、第１電子部品４の種類は任意であり、ＳＡＷを利用した弾性波装置に代えて、ＢＡＷを利用した弾性波装置であってもよく、さらには、弾性波装置以外の電子部品であってもよい。

第１電子部品４は、圧電基板５ａ、支持部材５ｂ、蓋材５ｃで構成された中空部５を有している。そして、中空部５の内部の圧電基板５ａ上に、ＩＤＴ電極６が形成されている。第１電子部品４の中空部５は、ＩＤＴ電極６の振動が妨げられないようにするために設けられたものである。なお、本明細書において、中空部とは、意図的に形成された閉じた空間をいい、たとえば、製造過程において樹脂中に空気が入り込むなどして意図せずに形成された空隙などは含まれない。第１電子部品４の中空部５は、液密性は備えているが、完璧な気密性を備えていない場合がある。すなわち、ＳＡＷ（あるいはＢＡＷ）を利用した弾性波装置などの第１電子部品４は、中空部５を形成することにより高さ寸法が大きくなる傾向にあるため、少しでも高さ寸法を小さく抑えるように、蓋材５ｃの厚みをできるだけ薄くする必要があり、耐湿性が弱くなってしまう場合がある。したがって、第１電子部品４は、中空部５に湿度の高い気体が侵入しないように、封止樹脂によって耐湿性を向上させる必要がある。

第１電子部品４は、実装面に複数の電極７が形成されている。電極７の材質は任意であるが、例えば、ＣｕやＮｉを使用することができる。電極７の電極間ピッチは十分に大きく、最も近接した電極７同士の電極間ピッチが、例えば ０．３ｍｍである。なお、電極７は、金属膜からなる電極ではなく、金バンプなどのバンプ電極であってもよい。

第１電子部品４は、実装面に形成された電極７が、基板１の第１主面１Ａに形成された電極２に、半田８によって接合されている。なお、電極７と電極２との接合には、半田８に代えて、導電性接着剤などを使用してもよい。本実施形態においては、基板１の第１主面１Ａに、２つの第１電子部品４が実装されている。

また、基板１の第１主面１Ａに、中空部を有していない、チップ状の第２電子部品９が実装されている。第２電子部品９は、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗などである。第２電子部品９の両端には、電極１０ａ、１０ｂが形成されている。電極１０ａ、１０ｂの電極間ピッチは十分に大きく、例えば０．３ｍｍである。

第２電子部品９は、電極１０ａ、１０ｂが、基板１の第１主面１Ａに形成された電極２に、半田８によって接合されている。なお、電極１０ａ、１０ｂと電極２との接合には、半田８に代えて、導電性接着剤などを使用してもよい。なお、第２電子部品９は、中空部を有していないが、実装面に電極が形成されたものではないため、実装面に形成された電極の電極間ピッチを有していない（「実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品」には該当しない）。

基板１の第２主面１Ｂに、中空部を有していない、第２電子部品１１が実装されている。本実施形態においては、半導体装置を、第２電子部品１１とした。なお、第２電子部品１１は、自身の外表面が、外装樹脂１１ａによって構成されている。すなわち、第２電子部品１１は、電子部品本体（図示せず；半導体基板など）が、外装樹脂１１ａによって封止されている。

第２電子部品１１は、実装面に複数の電極１２が形成されている。電極１２の材質は任意であるが、例えば、Ｃｕを使用することができる。第２電子部品１１の実装面に形成された電極１２の電極間ピッチは、他の第２電子部品の実装面に形成された電極の電極間ピッチより小さく、最も近接した電極１２同士の電極間ピッチは、例えば １５０μｍである。なお、電極１２は、金属膜からなる電極ではなく、金バンプなどのバンプ電極であってもよい。

第２電子部品１１は、実装面に形成された電極１２が、基板１の第２主面１Ｂに形成された電極３に、半田８によって接合されている。なお、電極１２と電極３との接合には、半田８に代えて、導電性接着剤などを使用してもよい。

基板１の第１主面１Ａに実装された、第１電子部品４と、チップ状の第２電子部品９とが、封止樹脂１３によって封止されている。

封止樹脂１３には、未硬化状態での流動性が低く、かつ、硬化状態での耐湿性が高い樹脂が使用される。封止樹脂１３に未硬化状態において流動性の低い樹脂を使用するのは、封止樹脂１３を形成する工程において、封止樹脂１３の圧力によって、第１電子部品４の中空部５が潰れてしまうことがないようにするためである。また、封止樹脂１３に硬化状態での耐湿性の高い樹脂を使用するのは、封止樹脂１３によって封止された第１電子部品４の中空部５に、水分が侵入することを抑制するためである。

本実施形態においては、封止樹脂１３として、基材であるエポキシ樹脂に、フィラーとして、平均粒径が３０μｍのシリカの粉末を、８０体積％、添加したものを使用した。

フィラーの添加は、一般に、封止樹脂の未硬化状態での流動性を低くする。また、フィラーは封止樹脂内の水分の透過経路を遮断するため、一般に、フィラーを多く添加するほど、封止樹脂の硬化状態での耐湿性は高くなる。

本実施形態においては、上述したとおり、封止樹脂１３に、フィラーとして、平均粒径が３０μｍのシリカの粉末を、８０体積％、添加しているため、封止樹脂１３は、未硬化状態において流動性が低く、かつ、硬化状態において耐湿性が高い。なお、封止樹脂１３は、フィラーの添加量や平均粒径を調整することによって、未硬化状態での流動性や硬化状態での耐湿性を調整することができる。

また、封止樹脂１３の基材の種類は任意であり、エポキシ樹脂に代えて、シリコーン樹脂やアクリル樹脂などを使用してもよい。また、フィラーの材質も任意であり、シリカに代えて、アルミナ、窒化ホウ素、あるいはこれらの複合材料などを使用してもよい。

上述したとおり、ＳＡＷ（あるいはＢＡＷ）を利用した弾性波装置などの第１電子部品４は、中空部５を形成することにより高さ寸法が大きくなる傾向にあるため、少しでも高さ寸法を小さく抑えるように、蓋材５ｃの厚みをできるだけ薄くする必要があった。そして、その結果、耐湿性が弱くなってしまう場合があり、封止樹脂１３によって耐湿性を向上させる必要があった。

これに対し、基板１の第２主面１Ｂに実装された、第２電子部品１１は、封止樹脂によって封止されていない。上述したとおり、第２電子部品１１は、中空部を備えていないため、封止樹脂によって封止しなくても十分な耐湿性と強度とを備えている。

基板１の第２主面１Ｂに、金属片からなる外部電極１４が取付けられている。具体的には、基板１の第２主面１Ｂに形成された電極３のうち、所定のものに、半田８によって外部電極１４が接合されている。本実施形態においては、外部電極１４の材質にＣｕを使用した。また、外部電極１４の形状を円柱にした。ただし、外部電極１４の材質および形状は任意であり、Ｃｕ以外の金属を使用してもよく、円柱以外の形状であってもよい。ただし、外部電極１４の高さは、第２電子部品１１の高さよりも大きくする必要がある。なお、外部電極１４の取付けには、半田８に代えて、導電性接着剤などを使用してもよい。

以上の構造からなる電子モジュール１００は、封止樹脂１３に、第１電子部品４を封止するのに適した未硬化状態での流動性が低い封止樹脂を使用することができるため、封止樹脂１３を充填するときの圧力によって第１電子部品４の中空部５が潰れにくい。

また、本発明の電子モジュール１００は、第１電子部品４が封止樹脂１３によって封止されているため、第１電子部品４の中空部５に水分が侵入しにくい。

また、本発明の電子モジュール１００は、第２電子部品のうち、実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品１１が封止樹脂によって封止されていないため、電子モジュール１００をリフロー半田などによって電子機器の基板などに実装するときの熱によって、第２電子部品１１を基板１に実装するのに使用した半田８が再溶融してしまったとしても、半田フラッシュが発生しない。

以上の構造からなる第１実施形態にかかる電子モジュール１００は、例えば、以下に説明する製造方法によって作製することができる。なお、実際の製造工程においては、マザー基板を使い、途中で個片化することにより、多数の電子モジュール１００を一括して作製するが、以下においては、便宜上、１個の電子モジュール１００を作製する場合について説明する。

（電子モジュール１００の製造方法の一例）
まず、図２（Ａ）に示すように、予め、第１主面１Ａに電極２が形成され、第２主面１Ｂに電極３が形成され、電極２と電極３とを繋ぐ内部配線（図示せず）が内部に形成された基板１を用意する。

次に、図２（Ｂ）に示すように、第１電子部品４と第２電子部品９とを、基板１の第１主面１Ａの電極２に実装する。具体的には、まず、電極２上にクリーム半田を塗布する。次に、クリーム半田が塗布された電極２上に、第１電子部品４の電極７、第２電子部品９の電極１０ａ、１０ｂを配置する。次に、加熱してクリーム半田を溶融させ、続いて冷却して半田８を形成し、第１電子部品４の電極７および第２電子部品９の電極１０ａ、１０ｂを、基板１の第１主面１Ａに形成された電極２に接合する。

次に、図２（Ｃ）に示すように、基板１の第１主面１Ａに実装された第１電子部品４および第２電子部品９を、封止樹脂１３によって封止する。具体的には、まず、第１電子部品４および第２電子部品９の周囲に、未硬化の封止樹脂１３を充填する。次に、加熱および光照射の少なくとも一方を施し、封止樹脂１３を硬化させる。なお、封止樹脂１３は未硬化状態において流動性が低いため、封止樹脂１３を充填するときの圧力によって、第１電子部品４の中空部５が潰れることがない。

次に、図３（Ｄ）に示すように、基板１の上下方向を反転させる。具体的には、基板１の第１主面１Ａ側を下にし、基板１の第２主面１Ｂ側を上にする。

次に、図３（Ｅ）に示すように、基板１の第２主面１Ｂに、第２電子部品１１を実装するとともに、外部電極１４を取付ける。具体的には、基板１の第２主面１Ｂに形成された電極３上にクリーム半田を塗布する。次に、クリーム半田が塗布された所定の電極３上に、第２電子部品１１の電極１２を配置する。また、クリーム半田が塗布された別の所定の電極３上に、金属片からなる外部電極１４を配置する。次に、加熱してクリーム半田を溶融させ、続いて冷却して半田８を形成し、第２電子部品１１の電極１２を電極３に接合するとともに、外部電極１４を電極３に接合する。

以上の工程によって、電子モジュール１００が完成する。

［第２実施形態］
図４に、第２実施形態にかかる電子モジュール２００を示す。ただし、図４は、電子モジュール２００の断面図である。

電子モジュール２００は、第１実施形態にかかる電子モジュール１００に変更を加えた。具体的には、電子モジュール１００では、基板１の第１主面１Ａに、中空部５を有する、２つの第１電子部品４と、中空部を有さない１つの第２電子部品９を実装していたが、電子モジュール２００では、第１電子部品４のうちの１つを、第２電子部品２１に置換えた。第２電子部品２１は、第１電子部品４および第２電子部品９とともに、封止樹脂１３によって封止されている。なお、第２電子部品２１は、電子部品本体（図示せず）が、外装樹脂２１ａによって封止されている。

第２電子部品２１も、第２電子部品１１と同様に半導体装置であり、実装面に複数の電極２２が形成されている。しかしながら、第２電子部品２１は、第２電子部品１１に比べて、実装面に形成された電極２２の電極間ピッチが大きく、例えば０．３ｍｍである。

第２電子部品２１は、未硬化状態において流動性の低い封止樹脂１３によって封止しても、電極２２の電極間ピッチが大きいため、電極２２間に、封止樹脂１３が十分に充填され、空隙が形成されない。

第２電子部品であっても、第２電子部品２１のように、実装面に形成された電極２２の電極間ピッチが十分大きければ、基板１の第１主面１Ａに実装し、未硬化状態における流動性が低い封止樹脂１３によって封止することができる。

［第３実施形態］
図５に、第３実施形態にかかる電子モジュール３００を示す。ただし、図５は、電子モジュール３００の断面図である。

電子モジュール３００は、第１実施形態にかかる電子モジュール１００に構成を追加した。具体的には、電子モジュール３００は、電子モジュール１００の封止樹脂１３の全ての外表面と、基板１の４つの端面とに、シールド電極３１を形成した。シールド電極３１の材質および構成は任意であるが、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳＵＳ、またはそれらの合金からなる密着層、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、またはそれらの合金からなる導電層、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、またはそれらの合金からなる耐食層の３層構造に形成することができる。

電子モジュール３００は、シールド電極３１によって、外部からのノイズが第１電子部品４やチップ状の第２電子部品９に悪影響を与えることを抑制している。また、電子モジュール３００は、シールド電極３１によって、第１電子部品４や第２電子部品９が外部にノイズを放出することを抑制している。さらに、電子モジュール３００は、シールド電極３１によって、封止樹脂１３内部への水分の侵入が抑制されるため、第１電子部品４の中空部５の耐湿性がさらに向上している。

以上、第１実施形態〜第３実施形態にかかる電子モジュール１００、２００、３００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

例えば、電子モジュール１００、２００、３００では、封止樹脂１３の基材にエポキシ樹脂を使用したが、樹脂の基材の種類は任意であり、エポキシ樹脂に代えて、例えば、シリコーン樹脂などを使用してもよい。

また、電子モジュール１００、２００、３００では、封止樹脂１３のフィラーにシリカの粉末を使用したが、フィラーの材質は任意であり、シリカに代えて、例えば、アルミナ、窒化ホウ素、あるいはこれらの複合材料などを使用してもよい。なお、封止樹脂１３の基材の未硬化状態における流動性が十分に低い場合には、封止樹脂１３にフィラーを添加せず、いわゆるフィラーレスにしてもよい。

また、電子モジュール１００、２００、３００では、中空部５を有する第１電子部品４として弾性波装置を使用したが、第１電子部品４の種類は任意であり、弾性波装置に代えて、他の種類の第１電子部品を使用しても良い。

また、電子モジュール１００、２００、３００では、中空部を有さない第２電子部品１１として半導体装置を使用したが、第２電子部品１１の種類は任意であり、半導体装置に代えて、他の種類の第２電子部品を使用しても良い。

１・・・基板
１Ａ・・・第１主面
１Ｂ・・・第２主面
２、３・・・電極（基板１に形成されたもの）
４・・・第１電子部品（中空部を有する；弾性波装置など）
５・・・中空部
６・・・ＩＤＴ電極
７・・・電極（第１電子部品４に形成されたもの）
８・・・半田
９、２１・・・第２電子部品（中空部を有さない；半導体装置、コンデンサ、インダクタ、抵抗など）
１０ａ、１０ｂ・・・電極（電子部品９に形成されたもの）
１１・・・第２電子部品のうち実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第２電子部品（半導体装置など）
１１ａ、２１ａ・・・外装樹脂
１２、２２・・・第２電子部品の実装面に形成された電極
１３・・・封止樹脂
１４・・・外部電極（金属片からなる）
３１・・・シールド電極
１００、２００、３００・・・電子モジュール

Claims (7)

1. 第１主面および第２主面を有する基板と、
   前記基板への実装面に複数の電極が形成されるとともに、中空部を有する、少なくとも１つの第１電子部品と、
   前記基板への実装面に複数の電極が形成されるとともに、中空部を有さない、少なくとも１つの第２電子部品と、
   封止樹脂と、を備えた電子モジュールであって、
   前記第１電子部品は、圧電基板と蓋材とを有し、前記圧電基板と前記蓋材との間に前記中空部が形成された弾性波装置であり、前記蓋材を前記基板側にして、前記基板の前記第１主面に実装され、かつ、前記封止樹脂によって封止され、
   前記第２電子部品のうち、前記実装面に形成された前記電極の電極間ピッチが最も小さい前記第２電子部品は、前記基板の前記第２主面に実装され、かつ、少なくとも前記基板との接合部分が前記封止樹脂によって封止されていない、電子モジュール。
2. 前記封止樹脂にフィラーが含有されている、請求項１に記載された電子モジュール。
3. 前記基板の前記第２主面に、金属片からなる外部電極が取付けられた、請求項１または２に記載された電子モジュール。
4. 前記第１電子部品が、弾性波装置である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載され
   た電子モジュール。
5. 前記第２電子部品のうち、前記実装面に形成された前記電極の電極間ピッチが最も小さい前記第２電子部品が、自身の外表面を構成する外装樹脂を有する、請求項１ないし４のいずれか１項に記載された電子モジュール。
6. 前記第２電子部品のうち、前記実装面に形成された前記電極の電極間ピッチが最も小さい前記第２電子部品が、半導体装置である、請求項１ないし５のいずれか１項に記載され
   た電子モジュール。
7. 前記封止樹脂の外表面の少なくとも一部に、シールド電極が形成された、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された電子モジュール。

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