WO2021060163A1 - モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
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- region
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 112
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 112
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 93
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
Definitions
- the present invention relates to a module and a method for manufacturing the module.
- Patent Document 1 An example of a module having a shield layer having an opening is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-146624 (Patent Document 1).
- Patent Document 1 a protruding portion is formed in advance in the sealing resin in order to provide an opening not covered by the shield layer in the shield layer.
- the present invention provides a module and a manufacturing method thereof, which can easily produce a region in which the sealing resin is not covered with a shield film in a module having a built-in component and covered with a sealing resin.
- the purpose is to provide.
- the module based on the present invention has a substrate having a first surface, a first component mounted on the first surface, and a first surface for sealing the first surface and the first component.
- the first sealing resin contains a filler and a resin component that fills a gap between the fillers, and the upper surface of the first sealing resin has a first region and a second region.
- the ratio of the area where the filler is exposed from the first sealing resin in the second region is smaller than the ratio of the area where the filler is exposed from the first sealing resin in the first region.
- At least the first region and the side surface of the first sealing resin are covered with a shield film, and the second region is not covered with the shield film.
- a region where the sealing resin is not covered with a shield film can be easily produced.
- FIG. 1 shows a perspective view of the module 101 in this embodiment.
- the upper surface and the side surface of the module 101 are covered with the shield film 8.
- the shield film 8 has an opening 9.
- the opening 9 includes a striped opening 9a and a dot-shaped opening 9b.
- the positions, shapes, numbers, and sizes of the openings 9 shown here are merely examples, and are not necessarily as shown here.
- FIG. 2 shows a perspective view of the module 101 as viewed from diagonally below. External terminals 4 are arranged on the lower surface of the module 101.
- FIG. 2 shows an example in which eight external terminals 4 are arranged, but this is just an example, and the shape, size, number, and layout of the external terminals 4 are not necessarily the same.
- the module 101 includes a substrate 1.
- the substrate 1 has a first surface 1a and a second surface 1b.
- the first surface 1a and the second surface 1b form the front and back sides of each other.
- the board 1 is a wiring board.
- the substrate 1 is, for example, a ceramic multilayer substrate.
- the substrate 1 may be a resin multilayer substrate.
- the substrate 1 may be a single-layer substrate or a multilayer substrate.
- Wiring may be provided on the surface or the inside of the substrate 1.
- the ground electrode 7 is built in the substrate 1.
- the ground electrode 7 is exposed on the side surface of the substrate 1.
- the shield film 8 is electrically connected to the ground electrode 7 on the side surface of the substrate 1.
- FIG. 4 shows an enlarged portion of Z1 in FIG.
- the module 101 includes a substrate 1 having a first surface 1a, a first component 3a mounted on the first surface 1a, and a first sealing resin 6a for sealing the first surface 1a and the first component 3a. .. Not only the first component 3a but also other components 3b are mounted on the first surface 1a.
- the first sealing resin 6a contains the filler 23.
- the first sealing resin 6a further contains a resin component 21 that fills the gaps between the fillers 23.
- the upper surface of the first sealing resin 6a has a first region 61 and a second region 62.
- the ratio of the area where the filler 23 is exposed from the first sealing resin 6a in the second region 62 is smaller than the ratio of the area where the filler 23 is exposed from the first sealing resin 6a in the first region 61. ..
- At least the side surfaces of the first region 61 and the first sealing resin 6a are covered with the shield film 8.
- the second region 62 is not covered by the shield film 8.
- the filler 23 is drawn so as not to be exposed at all from the first sealing resin 6a in the second region 62, but in reality, it may be slightly exposed.
- the ratio of the area where the filler 23 is exposed from the first sealing resin 6a is compared between the first region 61 and the second region 62, the magnitude relationship as described above may be satisfied.
- a region having a large ratio is referred to as a "filler-rich region", and a region having a small ratio is referred to as a "filler poor region”.
- the filler 23 in the first region 61, even if the filler 23 is exposed from the first sealing resin 6a, it is further covered by the shield film 8, so that the filler 23 comes into direct contact with the outside air. It is not exposed to.
- the filler 23 may be completely covered by the shield film 8. What is of interest here is the ratio of the area where the filler 23 is exposed from the first sealing resin 6a.
- the filler 23 may be covered with some other layer while being exposed from the first sealing resin 6a.
- the upper surface of the first sealing resin 6a has a groove 13 so as to separate the first region 61 and the second region 62.
- the adhesion of the shield film 8 is improved in the filler-rich region, and the shield film 8 is formed in the filler-poor region. Adhesion is reduced. Utilizing this, it can be produced by a method of removing the shield film 8 in the filler poor region. Therefore, in the present embodiment, in a module having a built-in component and covered with a sealing resin, a region in which the sealing resin is not covered with a shield film can be easily produced. There are no restrictions on the shape of the region where the sealing resin is not covered by the shield film, and it can be freely designed. It is also possible to miniaturize the area where the sealing resin is not covered by the shield film. The details of the manufacturing method will be described later.
- the first sealing resin 6a preferably has a groove 13 at the boundary between the first region 61 and the second region 62.
- the groove 13 it is possible to prevent the shield film 8 covering the filler-rich region from being dragged and peeling off together when the shield film 8 in the filler poor region is removed.
- the opening 9, that is, the second region 62 includes a portion that is striped by being alternately arranged with the first region 61.
- the openings 9a which are a part of the openings 9, are arranged in a stripe shape.
- the shield film arranged so as to overlap the region where the inductor is arranged is not striped but solid, an eddy current flows through the shield film due to the magnetic field generated by the inductor, and as a result, the characteristics of the inductor deteriorate. It ends up.
- the presence of such striped portions can suppress the generation of eddy currents in the region of the shield film 8.
- FIG. 4 shows an example in which the groove 13 is provided along the boundary line between the first region 61 and the second region 62, but as shown in FIG. 5, a configuration without the groove 13 may be used. ..
- the adhesion layer 11 is interposed between the shield film 8 and the first sealing resin 6a.
- the adhesion layer 11 is preferably passivated. That is, the material of the adhesion layer 11 is preferably a passivation metal.
- the passivation metal referred to here may be, for example, an alloy of Ti, Cr, Ni and two or more metals selected from these.
- FIG. 7 A cross-sectional view of the module 102 in this embodiment is shown in FIG.
- An enlarged view of the Z2 portion in FIG. 7 is shown in FIG.
- the fillerless resin layer 12 is arranged so as to cover the second region 62.
- the fillerless resin layer 12 is a resin containing almost no glass filler. Although the name "fillerless resin layer" is used here, this does not necessarily mean that the filler content is completely zero.
- the fillerless resin layer may contain a small amount of filler as long as the shield film can be peeled off.
- the fillerless resin layer 12 may be formed by an inkjet printer or screen printing.
- the fillerless resin layer 12 may be formed by forming the entire surface and then removing unnecessary portions, or may be formed only in a part of the region from the beginning.
- the shield film 8 can be easily peeled off in the second region 62.
- FIG. 3 A cross-sectional view of the module 103 in this embodiment is shown in FIG.
- the module 103 has the same basic configuration as the module 101 described in the first embodiment, but has the following configuration.
- Module 103 has a double-sided mounting structure. That is, in the module 103, the substrate 1 has a second surface 1b as a surface opposite to the first surface 1a, and at least one component is mounted on the second surface 1b. Specifically, in the module 103, the components 3c and 3d are mounted on the second surface 1b of the substrate 1. The parts 3c and 3d are sealed with the second sealing resin 6b.
- An external terminal 4 is provided on the lower surface of the module 103.
- the external terminal 4 includes a columnar conductor 17 and a solder bump 18.
- the columnar conductor 17 is arranged on the second surface 1b.
- the columnar conductor 17 penetrates the second sealing resin 6b.
- a solder bump 18 is connected to the lower end of the columnar conductor 17.
- the configuration of the external terminal 4 shown here is just an example, and is not always the same.
- the columnar conductor 17 may be formed of a protruding electrode, a metal pin, plating, or the like. Further, instead of the columnar conductor, solder bumps may be used.
- the enlarged portion of the Z3 portion in FIG. 9 is the same as that shown in FIG. Also in the present embodiment, the same effect as described in the first embodiment can be obtained. Since the present embodiment has a double-sided mounting structure, more components can be mounted on the substrate 1.
- FIG. 10 shows an example in which the opening 9i has a “+” shape, but this is just an example of the marking portion, and the position, shape, number, and size of the opening 9i are as shown here. Is not always.
- the marking portion can be easily formed.
- the marking portion may be, for example, a character, a symbol, or some kind of figure.
- the marking portion may be a simple line, a point, or the like. Marking portions may be provided at a plurality of locations at the same time in one module. Not all of the second region 62 is a marking portion. Only a part of the second region 62 may form a marking portion.
- FIG. 5 A method of manufacturing a module according to a fifth embodiment based on the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 18. The method for manufacturing this module is for obtaining the module 101 described in the first embodiment. A flowchart of the manufacturing method of this module is shown in FIG.
- the method for manufacturing a module in the present embodiment includes a step S1 of mounting the first component on the first surface of the assembly substrate, and the filler and the fillers so as to seal the first surface and the first component.
- step S5 of forming the shield film and in the second region selected from the regions different from the first region on the surface of the first sealing resin while leaving the shield film in the first region.
- step S6 for removing the shield film is included.
- the first component 3a is mounted on the first surface 1a of the assembly substrate 10.
- the first component 3a not only the first component 3a but also the component 3b is mounted.
- some component other than the first component 3a may be mounted on the first surface 1a.
- the first sealing resin 6a is arranged so as to seal the first surface 1a and the first component 3a.
- the first sealing resin 6a contains a filler and a resin component that fills the gap between the fillers. When components other than the first component 3a are mounted on the first surface 1a, these components are also sealed by the first sealing resin 6a.
- step S3 As shown in FIG. 14, the laser beam 15 is irradiated.
- An enlarged view of part A is shown in FIG.
- the right half of part A is the area irradiated with the laser beam 15.
- the first region 61 which is a part of the surface of the first sealing resin 6a, is irradiated with the laser beam 15 to expose the filler 23.
- the wavelength of the laser beam 15 is preferably 532 nm or less. By adopting such a wavelength, it is possible to perform fine processing with little variation.
- the description is based on the example in which the fillerless resin layer 12 is not provided, but as described in the second embodiment, when the fillerless resin layer 12 is formed, the step S3 is performed.
- the fillerless resin layer 12 is scraped off by irradiating the laser beam 15. As a result, the surface of the first sealing resin 6a hidden under the resin 6a is scraped off to expose the filler 23.
- step S4 as shown in FIG. 16, the assembly substrate 10 is divided into a plurality of individual pieces. This step is performed after the step S3 for exposing the filler 23.
- a shield film 8 is formed on each of the plurality of pieces so as to cover the upper surface and the side surface of the first sealing resin 6a.
- the shield film 8 since the depth of the dent cut by the irradiation of the laser beam 15 in step S3 is exaggerated and displayed, in FIG. 17, the shield film 8 has a thick portion and a thin portion. In practice, the shield film 8 may have a substantially constant thickness.
- the groove 13 may be formed by laser processing.
- the laser processing for forming the groove 13 has different processing conditions from the laser processing in step S3.
- step S6 the shield film 8 in the second region 62 is removed while leaving the shield film 8 in the first region 61.
- the second region 62 becomes an opening 9.
- This step can be performed using adhesive tape.
- the first region 61 since a large amount of the filler 23 is exposed on the surface of the first sealing resin 6a, there are irregularities, so that the shield film 8 is sufficiently firmly fixed to the first sealing resin 6a.
- the second region 62 since the filler 23 is not so exposed on the surface of the first sealing resin 6a and there are few irregularities, the shield film 8 is easily peeled off from the first sealing resin 6a. As a result, it becomes as shown in FIG.
- the second region 62 has no shield film 8, and the second region 62 has an opening 9.
- burrs of the shield film 8 are less likely to occur at the boundary, which is preferable.
- the external terminal 4 is attached to the second surface 1b. By doing so, the module 101 shown in FIG. 3 is obtained.
- the external terminal 4 is installed last, but the external terminal 4 may be installed at different timings.
- the external terminal 4 may be installed in the state of the collective board.
- the external terminal 4 may already be installed before the step S1 in the state of the collective substrate.
- the surface of the first sealing resin 6a is distinguished from the first region 61 and the second region 62, and the first region 61 is irradiated with the laser beam 15, and the first region 61 is irradiated with the laser light 15. This is the area where the shield film 8 is left later. Therefore, by controlling the irradiation position of the laser beam 15, it is possible to distinguish between the first region 61 and the second region 62.
- a region where the sealing resin is not covered with a shield film can be easily produced.
- FIG. 6 A flowchart of the manufacturing method of this module is shown in FIG. Among the steps of the module manufacturing method in the present embodiment, the same steps as those shown in the fifth embodiment are assigned the same step numbers. A new process number is assigned to the new process as compared with the fifth embodiment.
- the method for manufacturing a module in the present embodiment includes a step S1 of mounting the first component on the first surface of the assembly substrate, and a filler and the filler so as to cover the first surface and seal the first component.
- the first sealing resin is divided along the step S2 for arranging the first sealing resin containing the resin component that fills the gap between the two, and the boundary line for dividing the assembly substrate into a plurality of individual pieces.
- a shield film is formed so as to cover the upper surface and the side surface of the first sealing resin surrounded by the outer peripheral groove of the first sealing resin.
- the shield film in the second region selected from the regions different from the first region on the surface of the first sealing resin is removed while leaving the shield film in the first region.
- a step S6 and a step S13 of dividing the assembly substrate into the plurality of individual piece sizes along the outer peripheral groove are included. Hereinafter, each step will be described in detail.
- the first component 3a is mounted on the first surface 1a of the assembly substrate 10.
- the first component 3a is mounted on the first surface 1a of the assembly substrate 10.
- the component 3b is mounted.
- a ground electrode 7 is arranged in advance inside the assembly substrate 10.
- the first sealing resin 6a is arranged so as to seal the first surface 1a and the first component 3a.
- the first sealing resin 6a contains a filler and a resin component that fills the gap between the fillers. When components other than the first component 3a are mounted on the first surface 1a, these components are also sealed by the first sealing resin 6a.
- step S11 as shown in FIG. 20, an outer peripheral groove having a depth of reaching the assembly substrate 10 by dividing the first sealing resin 6a along a boundary line for dividing the assembly substrate 10 into a plurality of individual pieces. 16 is formed.
- the outer peripheral groove 16 is formed to a depth sufficient to divide the ground electrode 7. As a result, the side surface of the ground electrode 7 is exposed to the inner surface of the outer peripheral groove 16.
- step S3 the filler is exposed by irradiating the first region, which is a part of the surface of the first sealing resin 6a, with a laser beam.
- FIG. 21 shows a state in which the irradiation of the laser beam is completed.
- irregularities are formed on the surface.
- the surface is maintained smooth. Either step S11 or step S3 may be performed first.
- the shield film 8 covers the upper surface and the side surface of the first sealing resin 6a surrounded by the outer peripheral groove 16 of the first sealing resin 6a. To form. The side surface of the ground electrode 7 exposed on the inner surface of the outer peripheral groove 16 is also covered with the shield film 8. As a result, the ground electrode 7 is electrically connected to the shield film 8.
- step S6 as shown in FIG. 23, the shield film 8 in the second region is removed while leaving the shield film 8 in the first region.
- the second region is the opening 9.
- step S13 the assembly substrate 10 is divided into the plurality of individual piece sizes along the outer peripheral groove 16. As a result, as shown in FIG. 24, individual pieces are obtained. In this state, there is a portion on the side surface of the substrate 1 that is not covered by the shield film 8.
- the same effect as described in the fifth embodiment can be obtained.
- the processing of each step can be performed with the size of the collective substrate until then, and the handling becomes easy.
- the external terminal 4 may be installed on the second surface 1b at any timing. This point is the same as that described in the fifth embodiment.
- Substrate 1a 1st surface, 1b 2nd surface, 3a 1st component, 3b, 3c, 3d component, 4 external terminal, 6a 1st sealing resin, 7 ground electrode, 8 shield film, 9 opening, 9a ( Striped opening, 9b (dotted) opening, 9i (marking) opening, 10 assembly substrate, 11 adhesion layer, 12 fillerless resin layer, 13 groove, 15 laser beam, 16 outer groove, 17 columnar conductors, 18 solder bumps, 21 resin components, 23 fillers, 61 first region, 62 second region, 101, 102, 103, 104 modules.
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Abstract
モジュール(101)は、第1面(1a)を有する基板(1)と、第1面(1a)に実装された第1部品(3a)と、第1部品(3a)を封止する第1封止樹脂(6a)とを備える。第1封止樹脂(6a)は、フィラーを含む。第1封止樹脂(6a)の上面は、第1領域および第2領域を有する。前記第2領域における前記フィラーが第1封止樹脂(6a)から露出している面積の比率は、前記第1領域における前記フィラーが第1封止樹脂(6a)から露出している面積の比率に比べて小さく、少なくとも前記第1領域および前記第1封止樹脂の側面は、シールド膜(8)によって覆われており、前記第2領域はシールド膜(8)に覆われていない。
Description
本発明は、モジュールおよびその製造方法に関するものである。
開口部を有するシールド層を備えるモジュールの一例が、特開2014-146624号公報(特許文献1)に記載されている。
特許文献1では、シールド層に、シールド層で覆われていない開口部を設けるために、予め封止樹脂に突出部分を形成している。しかし、突出部分を形成する方法では、微細な構成の開口部を形成することは困難である。
そこで、本発明は、部品を内蔵し、封止樹脂によって覆われた構成のモジュールにおいて、封止樹脂がシールド膜に覆われていない領域を容易に作製することができる、モジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、第1面を有する基板と、上記第1面に実装された第1部品と、上記第1面および上記第1部品を封止する第1封止樹脂とを備え、上記第1封止樹脂は、フィラーおよび上記フィラー同士の隙間を満たす樹脂成分を含み、上記第1封止樹脂の上面は、第1領域および第2領域を有し、上記第2領域における上記フィラーが上記第1封止樹脂から露出している面積の比率は、上記第1領域における上記フィラーが上記第1封止樹脂から露出している面積の比率に比べて小さく、少なくとも上記第1領域および上記第1封止樹脂の側面は、シールド膜によって覆われており、上記第2領域は上記シールド膜に覆われていない。
本発明によれば、部品を内蔵し、封止樹脂によって覆われた構成のモジュールにおいて、封止樹脂がシールド膜に覆われていない領域を容易に作製することができる。
図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
(実施の形態1)
図1~図4を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール101の斜視図を図1に示す。モジュール101の上面および側面はシールド膜8によって覆われている。シールド膜8は開口部9を有する。開口部9は、ストライプ状の開口部9aと、ドット状の開口部9bとを含む。ここで示す開口部9の位置、形状、個数、サイズは、あくまで一例であって、ここで図示した通りとは限らない。モジュール101を斜め下から見た斜視図を図2に示す。モジュール101の下面には外部端子4が配列されている。図2では、8個の外部端子4が配列されている例を示しているが、これはあくまで一例であり、外部端子4の形状、サイズ、個数、レイアウトはこのとおりとは限らない。
図1~図4を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール101の斜視図を図1に示す。モジュール101の上面および側面はシールド膜8によって覆われている。シールド膜8は開口部9を有する。開口部9は、ストライプ状の開口部9aと、ドット状の開口部9bとを含む。ここで示す開口部9の位置、形状、個数、サイズは、あくまで一例であって、ここで図示した通りとは限らない。モジュール101を斜め下から見た斜視図を図2に示す。モジュール101の下面には外部端子4が配列されている。図2では、8個の外部端子4が配列されている例を示しているが、これはあくまで一例であり、外部端子4の形状、サイズ、個数、レイアウトはこのとおりとは限らない。
モジュール101の断面図を図3に示す。図3に示すように、モジュール101は基板1を備える。基板1は、第1面1aと第2面1bとを有する。第1面1aと第2面1bとは、互いに表裏をなす。基板1は、配線基板である。基板1は、たとえばセラミック多層基板である。基板1は、樹脂多層基板であってもよい。基板1は単層基板であっても多層基板であってもよい。基板1の表面または内部には、配線が設けられていてよい。ここで示す例では、図3に示すように、基板1にはグランド電極7が内蔵されている。グランド電極7は、基板1の側面に露出している。シールド膜8は、基板1の側面においてグランド電極7に電気的に接続されている。図3におけるZ1部を拡大したところを図4に示す。
モジュール101は、第1面1aを有する基板1と、第1面1aに実装された第1部品3aと、第1面1aおよび第1部品3aを封止する第1封止樹脂6aとを備える。第1面1aには、第1部品3aだけでなく、他の部品3bも実装されている。第1封止樹脂6aは、フィラー23を含む。第1封止樹脂6aは、さらに、フィラー23同士の隙間を満たす樹脂成分21を含む。第1封止樹脂6aの上面は、第1領域61および第2領域62を有する。第2領域62におけるフィラー23が第1封止樹脂6aから露出している面積の比率は、第1領域61におけるフィラー23が第1封止樹脂6aから露出している面積の比率に比べて小さい。少なくとも第1領域61および第1封止樹脂6aの側面は、シールド膜8によって覆われている。第2領域62はシールド膜8に覆われていない。図1および図3に示した開口部9は、第2領域62に相当する。
図4では、第2領域62においてフィラー23が第1封止樹脂6aから全く露出していないように描かれているが、実際には多少は露出していてもよい。第1領域61と第2領域62とで、フィラー23が第1封止樹脂6aから露出している面積の比率を比較したときに、上述のような大小関係になっていればよい。この比率が多い領域を「フィラーリッチ領域」と呼び、この比率が少ない領域を「フィラープア領域」と呼ぶ。
図4に示すように、第1領域61においては、フィラー23が第1封止樹脂6aから露出しているとしても、さらにシールド膜8によって覆われているので、フィラー23が直接外気に触れるように露出しているわけではない。フィラー23はシールド膜8によって完全に覆われていてもよい。ここで注目するのは、フィラー23が第1封止樹脂6aから露出している面積の比率である。フィラー23が第1封止樹脂6aから露出した状態で何か他の層によって覆われていてもよい。
ここで示す例では、第1封止樹脂6aの上面は、第1領域61と第2領域62とを隔てるように溝13を有する。
本実施の形態では、第1封止樹脂6aの表面に、フィラーリッチ領域とフィラープア領域とが形成されているので、フィラーリッチ領域ではシールド膜8の密着性が上がり、フィラープア領域ではシールド膜8の密着性が下がる。これを利用して、フィラープア領域のシールド膜8を除去するという方法で、作製することができる。したがって、本実施の形態では、部品を内蔵し、封止樹脂によって覆われた構成のモジュールにおいて、封止樹脂がシールド膜に覆われていない領域を容易に作製することができる。封止樹脂がシールド膜に覆われていない領域の形状には制約がなく、自由に設計可能である。封止樹脂がシールド膜に覆われていない領域の微細化も可能である。なお、製造方法について詳細は後述する。
本実施の形態で示したように、第1封止樹脂6aは、第1領域61と第2領域62との境界に溝13を有することが好ましい。溝13が設けられていることにより、フィラープア領域のシールド膜8を除去する際に、フィラーリッチ領域を覆うシールド膜8が引きずられて共に剥離してしまうことを防止することができる。
本実施の形態で示したように、開口部9すなわち第2領域62は、第1領域61と交互に配置されることによってストライプ状となっている部分を含むことが好ましい。図1に示した例では、開口部9の一部である開口部9aはストライプ状に配置されている。インダクタが配置された領域に重なるように配置されたシールド膜がストライプ状ではなく、べた状である場合、インダクタが発する磁界によりシールド膜に渦電流が流れ、その結果、インダクタの特性が劣化してしまう。しかしながら、このようにストライプ状に配置された部分が存在すれば、シールド膜8の当該領域における渦電流の発生を抑制することができる。
(第1の変形例)
図5を参照して、本実施の形態の第1の変形例について説明する。図4では、第1領域61と第2領域62との境界線に沿って溝13が設けられている例を示したが、図5に示すように、溝13がない構成であってもよい。
図5を参照して、本実施の形態の第1の変形例について説明する。図4では、第1領域61と第2領域62との境界線に沿って溝13が設けられている例を示したが、図5に示すように、溝13がない構成であってもよい。
(第2の変形例)
図6を参照して、本実施の形態の第2の変形例について説明する。図6に示す例では、シールド膜8と第1封止樹脂6aとの間に密着層11が介在している。この構成を採用することにより、シールド膜8と第1封止樹脂6aとの結合強度を高めることができる。密着層11は不動態であることが好ましい。すなわち、密着層11の材料は、不動態金属であることが好ましい。ここでいう不動態金属とは、たとえば、Ti,Cr,Niおよびこれらの中から選択される2以上の金属の合金であってよい。フィラー23としては、SiO2などの無機酸化物を用いることが好ましい。無機酸化物中の酸素は、不動態金属と安定かつ強固に結合するので、密着層11と第1封止樹脂6aとの結合強度を高めることができる。
図6を参照して、本実施の形態の第2の変形例について説明する。図6に示す例では、シールド膜8と第1封止樹脂6aとの間に密着層11が介在している。この構成を採用することにより、シールド膜8と第1封止樹脂6aとの結合強度を高めることができる。密着層11は不動態であることが好ましい。すなわち、密着層11の材料は、不動態金属であることが好ましい。ここでいう不動態金属とは、たとえば、Ti,Cr,Niおよびこれらの中から選択される2以上の金属の合金であってよい。フィラー23としては、SiO2などの無機酸化物を用いることが好ましい。無機酸化物中の酸素は、不動態金属と安定かつ強固に結合するので、密着層11と第1封止樹脂6aとの結合強度を高めることができる。
(実施の形態2)
図7~図8を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール102の断面図を図7に示す。図7におけるZ2部を拡大したところを図8に示す。
図7~図8を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール102の断面図を図7に示す。図7におけるZ2部を拡大したところを図8に示す。
モジュール102においては、第2領域62を覆うように、フィラーレス樹脂層12が配置されている。フィラーレス樹脂層12は、ガラスフィラーをほぼ含まない樹脂である。ここでは、「フィラーレス樹脂層」という名称を用いているが、これは、フィラーの含有量が完全にゼロであることを必ずしも意味するものではない。フィラーレス樹脂層は、シールド膜の剥離が可能な程度であれば、フィラーを少量含んでいてもよい。フィラーレス樹脂層12の形成は、インクジェットプリンタまたはスクリーン印刷によって行なってもよい。フィラーレス樹脂層12は、全面にわたって形成してから不要な部分を除去することによって形成してもよく、最初から一部の領域のみに形成してもよい。
本実施の形態では、第2領域62を覆うようにフィラーレス樹脂層12が配置されていることにより、第2領域62においてシールド膜8を剥離することが容易となる。
(実施の形態3)
図9を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール103の断面図を図9に示す。モジュール103は、基本的な構成に関しては、実施の形態1で説明したモジュール101と同様であるが、以下の構成を備える。
図9を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール103の断面図を図9に示す。モジュール103は、基本的な構成に関しては、実施の形態1で説明したモジュール101と同様であるが、以下の構成を備える。
モジュール103は、両面実装構造となっている。すなわち、モジュール103においては、基板1は、第1面1aと反対側の面として第2面1bを有し、第2面1bに少なくとも1つの部品が実装されている。具体的には、モジュール103においては、基板1の第2面1bには、部品3c,3dが実装されている。部品3c,3dは、第2封止樹脂6bによって封止されている。モジュール103の下面には外部端子4が設けられている。外部端子4は、柱状導体17とはんだバンプ18とを含む。柱状導体17は第2面1bに配置されている。柱状導体17は、第2封止樹脂6bを貫通している。柱状導体17の下端にははんだバンプ18が接続されている。ここで示した外部端子4の構成は、あくまで一例であり、この通りとは限らない。柱状導体17は、突起電極、金属ピン、めっきなどで形成されていてもよい。また、柱状導体に代えて、はんだバンプを用いてもよい。
図9におけるZ3部を拡大したところは、図4に示したものと同じである。
本実施の形態においても、実施の形態1で説明したのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、両面実装構造となっているので、より多くの部品を基板1に実装することができる。
本実施の形態においても、実施の形態1で説明したのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、両面実装構造となっているので、より多くの部品を基板1に実装することができる。
(実施の形態4)
図10を参照して、本発明に基づく実施の形態4におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール104の斜視図を図10に示す。モジュール104は、シールド膜8を備え、シールド膜8は開口部9iを有する。開口部9iはマーキング部である。開口部9iは第2領域62に形成されるものである。すなわち、モジュール104においては、第2領域62は、マーキング部となっている部分を含む。図10では、開口部9iが「+」形状である例を示しているが、これはあくまでマーキング部の一例であり、開口部9iの位置、形状、個数、サイズは、ここで図示した通りとは限らない。
図10を参照して、本発明に基づく実施の形態4におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール104の斜視図を図10に示す。モジュール104は、シールド膜8を備え、シールド膜8は開口部9iを有する。開口部9iはマーキング部である。開口部9iは第2領域62に形成されるものである。すなわち、モジュール104においては、第2領域62は、マーキング部となっている部分を含む。図10では、開口部9iが「+」形状である例を示しているが、これはあくまでマーキング部の一例であり、開口部9iの位置、形状、個数、サイズは、ここで図示した通りとは限らない。
本実施の形態で示したように、第2領域62がマーキング部として配置された部分を含むので、マーキング部を容易に形成することができる。
なお、マーキング部は、たとえば文字であってもよく、記号であってもよく、何らかの図形であってもよい。マーキング部は、単なる線、点などであってもよい。マーキング部は1つのモジュールの中に同時に複数箇所に設けられてもよい。第2領域62の全てがマーキング部であるとは限らない。第2領域62の一部のみがマーキング部をなしていてもよい。
(実施の形態5)
図11~図18を参照して、本発明に基づく実施の形態5におけるモジュールの製造方法について説明する。このモジュールの製造方法は、実施の形態1で説明したモジュール101を得るためのものである。このモジュールの製造方法のフローチャートを図11に示す。
図11~図18を参照して、本発明に基づく実施の形態5におけるモジュールの製造方法について説明する。このモジュールの製造方法は、実施の形態1で説明したモジュール101を得るためのものである。このモジュールの製造方法のフローチャートを図11に示す。
本実施の形態におけるモジュールの製造方法は、集合基板の第1面に第1部品を実装する工程S1と、前記第1面および前記第1部品を封止するように、フィラーおよび前記フィラー同士の隙間を満たす樹脂成分を含む第1封止樹脂を配置する工程S2と、前記第1封止樹脂の表面の一部である第1領域にレーザ光を照射して前記フィラーを露出させる工程S3と、前記フィラーを露出させる工程S3より後に、前記集合基板を複数の個片に分割する工程S4と、前記複数の個片の各々に対して、前記第1封止樹脂の上面および側面を覆うようにシールド膜を形成する工程S5と、前記第1領域の前記シールド膜を残しつつ、前記第1封止樹脂の表面のうち前記第1領域とは異なる領域の中から選択される第2領域における前記シールド膜を除去する工程S6とを含む。以下、各工程について詳細に説明する。
まず、工程S1として、図12に示すように、集合基板10の第1面1aに第1部品3aを実装する。ここで示した例では、第1部品3aだけでなく、部品3bも実装されている。このように、第1面1aには、第1部品3aに加えて、第1部品3a以外の何らかの部品が実装されていてもよい。
工程S2として、図13に示すように、第1面1aおよび第1部品3aを封止するように第1封止樹脂6aを配置する。第1封止樹脂6aは、フィラーおよび前記フィラー同士の隙間を満たす樹脂成分を含む。第1面1aに第1部品3a以外の部品も実装されている場合は、これらの部品も第1封止樹脂6aによって封止される。
工程S3として、図14に示すように、レーザ光15を照射する。A部の拡大図を図15に示す。A部の右半分はレーザ光15が照射された領域である。工程S3では、第1封止樹脂6aの表面の一部である第1領域61にレーザ光15を照射してフィラー23を露出させる。レーザ光15の波長は532nm以下とすることが好ましい。このような波長を採用することで、微細でばらつきが少ない加工を行なうことができる。
本実施の形態では、フィラーレス樹脂層12がない例を基に説明しているが、実施の形態2で説明したように、フィラーレス樹脂層12が形成されている場合には、工程S3でレーザ光15を照射することによって、フィラーレス樹脂層12を削り取る。これによって、その下に隠れていた第1封止樹脂6aの表面を削り取ることによって、フィラー23を露出させる。
工程S4として、図16に示すように、集合基板10を複数の個片に分割する。この工程は、フィラー23を露出させる工程S3より後に行なわれる。
工程S5として、図17に示すように、前記複数の個片の各々に対して、前記第1封止樹脂6aの上面および側面を覆うようにシールド膜8を形成する。ここでは、工程S3におけるレーザ光15の照射によって削られた凹みの深さを誇張して表示しているので、図17においては、シールド膜8が厚い部分と薄い部分とが生じているが、実際には、シールド膜8はほぼ一定の厚みであってよい。
工程S5の前または後で、第1領域61と第2領域62との境界に溝13を形成する工程を行なうことが好ましい。溝13はレーザ加工によって形成することとしてよい。溝13を形成するためのレーザ加工は、工程S3におけるレーザ加工と加工条件が異なる。
工程S6として、図18に示すように、第1領域61のシールド膜8を残しつつ、第2領域62におけるシールド膜8を除去する。第2領域62は、開口部9となる。この工程は、粘着テープを使って行なうことができる。第1領域61では、第1封止樹脂6aの表面にフィラー23が多く露出していることにより凹凸が存在するので、シールド膜8は十分強固に第1封止樹脂6aに固着している。一方、第2領域62では、第1封止樹脂6aの表面にフィラー23があまり露出しておらず凹凸が少ないので、シールド膜8は第1封止樹脂6aから容易に剥離する。その結果、図18に示すようになる。すなわち、第2領域62にはシールド膜8がない状態となり、第2領域62は開口部9となる。第1領域61と第2領域62との境界に予め溝13が形成されている場合には、境界にシールド膜8のバリが発生しにくくなるので、好ましい。
さらに、必要に応じて第2面1bに外部端子4を取り付ける。こうすることによって、図3に示したモジュール101が得られる。
ここでは、外部端子4の設置を最後に行なうこととして説明したが、外部端子4の設置は異なるタイミングであってもよい。たとえば、集合基板の状態で外部端子4の設置を行なってもよい。集合基板の状態で工程S1より前に既に外部端子4が設置されていてもよい。
本実施の形態では、第1封止樹脂6aの表面に対して第1領域61と第2領域62とを区別して第1領域61にレーザ光15を照射することとしており、この第1領域61がのちにシールド膜8を残す領域としている。したがって、レーザ光15の照射位置を制御することによって、第1領域61と第2領域62との区別を付けることができる。
本実施の形態における製造方法によれば、部品を内蔵し、封止樹脂によって覆われた構成のモジュールにおいて、封止樹脂がシールド膜に覆われていない領域を容易に作製することができる。
(実施の形態6)
図12~図13および図19~図24を参照して、本発明に基づく実施の形態6におけるモジュールの製造方法について説明する。このモジュールの製造方法のフローチャートを図19に示す。本実施の形態におけるモジュールの製造方法の各工程のうち、実施の形態5で示した工程と同じものには同じ工程番号を付けている。実施の形態5に比べて新たな工程には新たな工程番号を付けている。
図12~図13および図19~図24を参照して、本発明に基づく実施の形態6におけるモジュールの製造方法について説明する。このモジュールの製造方法のフローチャートを図19に示す。本実施の形態におけるモジュールの製造方法の各工程のうち、実施の形態5で示した工程と同じものには同じ工程番号を付けている。実施の形態5に比べて新たな工程には新たな工程番号を付けている。
本実施の形態におけるモジュールの製造方法は、集合基板の第1面に第1部品を実装する工程S1と、前記第1面を覆って前記第1部品を封止するように、フィラーおよび前記フィラー同士の隙間を満たす樹脂成分を含む第1封止樹脂を配置する工程S2と、前記集合基板を複数の個片に分割するための境界線に沿って、前記第1封止樹脂を分割して前記集合基板に達する深さの外周溝を形成する工程S11と、前記第1封止樹脂の表面の一部である第1領域にレーザ光を照射してフィラーを露出させる工程S3と、前記外周溝を形成する工程S11および前記フィラーを露出させる工程S3より後に、前記第1封止樹脂の前記外周溝に囲まれた前記第1封止樹脂の上面および側面を覆うようにシールド膜を形成する工程S12と、前記第1領域の前記シールド膜を残しつつ、前記第1封止樹脂の表面のうち前記第1領域とは異なる領域の中から選択される第2領域における前記シールド膜を除去する工程S6と、前記外周溝に沿って前記集合基板を前記複数の個片サイズに分割する工程S13とを含む。以下、各工程について詳細に説明する。
まず、工程S1として、図12に示すように、集合基板10の第1面1aに第1部品3aを実装する。ここで示した例では、第1部品3aだけでなく、部品3bも実装されている。集合基板10の内部には、予めグランド電極7が配置されている。
工程S2として、図13に示すように、第1面1aおよび第1部品3aを封止するように第1封止樹脂6aを配置する。第1封止樹脂6aは、フィラーおよび前記フィラー同士の隙間を満たす樹脂成分を含む。第1面1aに第1部品3a以外の部品も実装されている場合は、これらの部品も第1封止樹脂6aによって封止される。
工程S11として、図20に示すように、集合基板10を複数の個片に分割するための境界線に沿って、第1封止樹脂6aを分割して集合基板10に達する深さの外周溝16を形成する。外周溝16は、グランド電極7を分断する程度の深さに形成される。これによって、グランド電極7の側面が外周溝16の内面に露出する。
工程S3として、図21に示すように、第1封止樹脂6aの表面の一部である第1領域にレーザ光を照射してフィラーを露出させる。図21では、レーザ光の照射を終えた状態が示されている。第1封止樹脂6aの表面のうち第1領域では、表面に凹凸が形成されている。第2領域では、表面が平滑な状態が維持されている。工程S11と工程S3とは、いずれを先に行なってもよい。
工程S11および工程S3より後に、工程S12として、図22に示すように、第1封止樹脂6aの外周溝16に囲まれた第1封止樹脂6aの上面および側面を覆うようにシールド膜8を形成する。外周溝16の内面に露出していたグランド電極7の側面もシールド膜8によって覆われる。これにより、グランド電極7はシールド膜8と電気的に接続される。
工程S6として、図23に示すように、第1領域のシールド膜8を残しつつ、第2領域におけるシールド膜8を除去する。第2領域は開口部9となる。
工程S13として、外周溝16に沿って集合基板10を前記複数の個片サイズに分割する。その結果、図24に示すように個片サイズのものが得られる。この状態では、基板1の側面にシールド膜8によって覆われていない部分がある。
本実施の形態においても、実施の形態5で述べたのと同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、個片サイズに分割する工程S13を後ろの方で行なうので、それまでは集合基板サイズで各工程の処理を行なうことができ、取扱いが容易となる。
第2面1bへの外部端子4の設置は、いずれのタイミングで行なってもよい。この点については、実施の形態5で述べたのと同様である。
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
1 基板、1a 第1面、1b 第2面、3a 第1部品、3b,3c,3d 部品、4 外部端子、6a 第1封止樹脂、7 グランド電極、8 シールド膜、9 開口部、9a (ストライプ状の)開口部、9b (ドット状の)開口部、9i (マーキングとしての)開口部、10 集合基板、11 密着層、12 フィラーレス樹脂層、13 溝、15 レーザ光、16 外周溝、17 柱状導体、18 はんだバンプ、21 樹脂成分、23 フィラー、61 第1領域、62 第2領域、101,102,103,104 モジュール。
Claims (10)
- 第1面を有する基板と、
前記第1面に実装された第1部品と、
前記第1面および前記第1部品を封止する第1封止樹脂とを備え、
前記第1封止樹脂は、フィラーを含み、
前記第1封止樹脂の上面は、第1領域および第2領域を有し、
前記第2領域における前記フィラーが前記第1封止樹脂から露出している面積の比率は、前記第1領域における前記フィラーが前記第1封止樹脂から露出している面積の比率に比べて小さく、
少なくとも前記第1領域および前記第1封止樹脂の側面は、シールド膜によって覆われており、前記第2領域は前記シールド膜に覆われていない、モジュール。 - 前記第2領域を覆うように、フィラーレス樹脂層が配置されている、請求項1に記載のモジュール。
- 前記シールド膜と前記第1封止樹脂との間に密着層が介在している、請求項1または2に記載のモジュール。
- 前記密着層は不動態である、請求項3に記載のモジュール。
- 前記第1封止樹脂は、前記第1領域と前記第2領域との境界に溝を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載のモジュール。
- 前記第2領域は、前記第1領域と交互に配置されることによってストライプ状となっている部分を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載のモジュール。
- 前記第2領域は、マーキング部となっている部分を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載のモジュール。
- 前記基板は、前記第1面と反対側の面として第2面を有し、前記第2面に少なくとも1つの部品が実装されている、請求項1から7のいずれか1項に記載のモジュール。
- 集合基板の第1面に第1部品を実装する工程と、
前記第1面および前記第1部品を封止するように、フィラーを含む第1封止樹脂を配置する工程と、
前記第1封止樹脂の表面の一部である第1領域にレーザ光を照射して前記フィラーを露出させる工程と、
前記フィラーを露出させる工程より後に、前記集合基板を複数の個片に分割する工程と、
前記複数の個片の各々に対して、前記第1封止樹脂の上面および側面を覆うようにシールド膜を形成する工程と、
前記第1領域の前記シールド膜を残しつつ、前記第1封止樹脂の表面のうち前記第1領域とは異なる領域の中から選択される第2領域における前記シールド膜を除去する工程とを含む、モジュールの製造方法。 - 集合基板の第1面に第1部品を実装する工程と、
前記第1面を覆って前記第1部品を封止するように、フィラーを含む第1封止樹脂を配置する工程と、
前記集合基板を複数の個片に分割するための境界線に沿って、前記第1封止樹脂を分割して前記集合基板に達する深さの外周溝を形成する工程と、
前記第1封止樹脂の表面の一部である第1領域にレーザ光を照射してフィラーを露出させる工程と、
前記外周溝を形成する工程および前記フィラーを露出させる工程より後に、前記第1封止樹脂の前記外周溝に囲まれた前記第1封止樹脂の上面および側面を覆うようにシールド膜を形成する工程と、
前記第1領域の前記シールド膜を残しつつ、前記第1封止樹脂の表面のうち前記第1領域とは異なる領域の中から選択される第2領域における前記シールド膜を除去する工程と、
前記外周溝に沿って前記集合基板を前記複数の個片サイズに分割する工程とを含む、モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/656,008 US20220216164A1 (en) | 2019-09-27 | 2022-03-23 | Module and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019176918 | 2019-09-27 | ||
JP2019-176918 | 2019-09-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US17/656,008 Continuation US20220216164A1 (en) | 2019-09-27 | 2022-03-23 | Module and method for manufacturing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2021060163A1 true WO2021060163A1 (ja) | 2021-04-01 |
Family
ID=75165787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/035347 WO2021060163A1 (ja) | 2019-09-27 | 2020-09-17 | モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220216164A1 (ja) |
WO (1) | WO2021060163A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020218272A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 株式会社村田製作所 | モジュールおよびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015035572A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-02-19 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
WO2016093040A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 株式会社メイコー | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
US20180315714A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Unimicron Technology Corp. | Chip package structure and manufacturing method thereof |
WO2019026902A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
JP2019021905A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | 電子モジュール |
WO2019159913A1 (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6570350B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2019-09-04 | キヤノン株式会社 | 弾性ローラ及び定着装置 |
CN114068487A (zh) * | 2020-08-06 | 2022-02-18 | 力成科技股份有限公司 | 封装结构及其制造方法 |
-
2020
- 2020-09-17 WO PCT/JP2020/035347 patent/WO2021060163A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-03-23 US US17/656,008 patent/US20220216164A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015035572A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-02-19 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
WO2016093040A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | 株式会社メイコー | モールド回路モジュール及びその製造方法 |
US20180315714A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Unimicron Technology Corp. | Chip package structure and manufacturing method thereof |
JP2019021905A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | 電子モジュール |
WO2019026902A1 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
WO2019159913A1 (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220216164A1 (en) | 2022-07-07 |
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