JP6360678B2 - モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明はモジュールおよびその製造方法に関し、例えばデバイスチップを基板にフリップチップ実装するモジュールおよびその製造方法に関する。

近年、高周波部品の小型化、低コスト化、および高機能化の要求に伴い、基板上に高周波デバイスチップだけでなく、チップインダクタ、チップキャパシタおよびチップ抵抗等のいわゆるチップ部品も実装し、高集積化を図った高周波数用モジュールが利用されている。こうしたモジュールに、異物付着や外部からの水分の浸入等があると、デバイスチップの機能が損なわれることがある。特に、デバイスチップがＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振器またはＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）等を含む弾性波デバイスである場合、その特性が悪化しやすい。特性悪化を抑制するために、デバイスチップを封止する技術が用いられている。

特許文献１には、電気絶縁性基板上に回路部品を実装し、回路部品を樹脂により封止する技術が記載されている。特許文献２には、多層基板上に高周波用チップをフリップチップ実装し充填剤により封止する技術が記載されている。特許文献３には、基板上にデバイスチップをフリップチップ実装し、デバイスチップの下面を空隙に露出させ、基板上にチップ部品を実装する。デバイスチップを封止半田で封止し、チップ部品を封止半田で封止しない技術が記載されている。

特開２００３−３４７４８３号公報 特表２００６−５１３５６４号公報 特開２０１１−９１１６５号公報

しかしながら、特許文献１および２のように樹脂による封止では気密性が十分ではない。特許文献３では、デバイスチップを半田で封止するため高い気密性を保つことができる。しかしながら、半田封止する部品としない部品を設けるため小型化が難しい。

本発明は、上記課題に鑑み、デバイスチップの高い気密性を保ちつつ、小型化が可能なモジュールおよびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、基板と、前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記基板上に実装されたチップ部品と、前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に設けられ、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材と、前記基板上に平面視において前記板状部材を囲むように設けられ、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を前記板状部材とともに封止する封止金属と、前記板状部材および前記封止金属上に設けられた金属リッドと、を具備することを特徴とするモジュールである。

上記構成において、前記板状部材は、前記デバイスチップおよび前記チップ部品の上面の少なくとも一部に接している構成とすることができる。

本発明は、基板と、前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記基板上に実装されたチップ部品と、前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に設けられ、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材と、前記基板上に設けられ、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を前記板状部材とともに封止する封止金属と、前記基板と前記板状部材との間に設けられたスペーサと、を具備し、前記デバイスチップおよび前記チップ部品と前記板状部材との間には前記空隙が形成されていることを特徴とするモジュールである。

上記構成において、前記封止金属および前記スペーサは、前記板状部材に接合されている構成とすることができる。

本発明は、基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記基板上にチップ部品を実装する工程と、前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に平面視において前記板状部材を囲むように設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、前記板状部材および前記封止金属上に金属リッドを設ける工程と、を含むことを特徴とするモジュールの製造方法である。

上記構成において、前記板状部材を配置する工程は、前記デバイスチップおよび前記チップ部品の上面の少なくとも一部が前記板状部材に接するように前記板状部材を配置する工程を含む構成とすることができる。

本発明は、基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記基板上にチップ部品を実装する工程と、前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、前記基板上にスペーサを配置する工程と、を含み、前記板状部材を配置する工程は、前記スペーサの上面に前記板状部材が接することにより、前記デバイスチップおよび前記チップ部品の上面と前記板上部材との間に前記空隙が形成されるように、前記板状部材を配置する工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法である。

上記構成において、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程は、前記板状部材上に封止金属となる金属シートを配置し、前記金属シートを前記板状部材に押圧する工程を含む構成とすることができる。

本発明は、基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記基板上にチップ部品を実装する工程と、前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、を含み、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程は、前記板状部材上に封止金属となる金属シートを配置し、前記金属シートを前記板状部材に押圧する工程を含み、前記板状部材を配置する工程は、各板状部材に複数の前記デバイスチップの少なくとも１つと複数の前記チップ部品の少なくとも１つが含まれるように、複数の前記板状部材が連結部で連結された部材を配置する工程であり、前記連結部および前記基板を切断する工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法である。

本発明は、基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記基板上にチップ部品を実装する工程と、前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、を含み、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程は、複数の開口のそれぞれ内に複数の前記デバイスチップの少なくとも１つと複数の前記チップ部品の少なくとも１つが含まれるように、前記複数の開口を有し前記封止金属となる金属シートを前記基板上に配置する工程と、前記板状部材を前記金属シートに押圧する工程と、を含み、前記板状部材および前記基板を切断する工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法である。

本発明によれば、デバイスチップの高い気密性を保ちつつ、小型化が可能なモジュールおよびその製造方法を提供することができる。

図１（ａ）および図１（ｂ）は、それぞれ実施例１に係るモジュールの断面図および平面図である。 図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係るモジュールの製造工程を示す断面図（その１）である。 図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造工程を示す断面図（その２）である。 図４は、実施例２に係るモジュールの断面図である。 図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例２に係るモジュールの製造工程を示す断面図である。 図６は、実施例２に係るモジュールの製造工程を示す平面図である。 図７は、図６の領域Ｃの拡大図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ実施例３に係るモジュールの断面図および平面図である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、それぞれ実施例４に係るモジュールの断面図および平面図である。 図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例４に係るモジュールの製造工程を示す断面図である。 図１１は、実施例４に係るモジュールの製造工程を示す平面図である。 図１２は、図１１の領域Ｃの拡大図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、それぞれ実施例５に係るモジュールの断面図および平面図である。 図１４は、実施例６に係るモジュールの断面図である。

図面を用いて、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）および図１（ｂ）は、それぞれ実施例１に係るモジュールの断面図および平面図である。図１（ｂ）は、保護膜、リッドおよび板状部材を透視した図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ断面に相当する図である。なお、断面図において、断面はハッチングあり、側面はハッチングなしとして図示している。以下の図も同様である。

図１（ａ）に示すように、基板１０の下面に電極１４が、基板１０内に配線１２が、基板１０の上面に金属層１６が形成されている。基板１０は、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Co- fired Ceramic）基板である。基板１０は、絶縁体基板であり、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co- fired Ceramic）基板等のセラミック基板でもよく、樹脂基板でもよい。基板１０は多層基板でもよいし、単層基板でもよい。電極１４、配線１２および金属層１６は、Ｃｕ（銅）またはＡｕ（金）等の金属を主に含む。電極１４と金属層１６とは、配線１２と基板１０に形成されたビア金属とを介し、電気的に接続されている。

基板１０上にデバイスチップ２４がバンプ２５を介しフリップチップ実装されている。デバイスチップ２４の下面には、ＳＡＷ共振器またはＦＢＡＲ等の弾性波素子が形成されている。複数のデバイスチップ２４が基板１０上に実装されていてもよい。バンプ２５は、金属層１６上に形成されており、Ａｕまたは半田等の金属である。基板１０上にチップ部品２６が実装されている。チップ部品２６の電極部２７が金属層１６に例えば半田等の接合材料２８を用い接合されている。接合材料２８はＡｇペーストまたはＣｕペースト等の金属ペーストでもよい。チップ部品２６は、例えばチップ抵抗、チップコンデンサ、および／またはチップインダクタである。チップ部品２６の表面には電極部２７が形成されている。基板１０の上面からデバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面までの高さは、例えば約０．２ｍｍから０．３ｍｍである。

デバイスチップ２４およびチップ部品２６上に板状部材４０が設けられている。板状部材４０は、絶縁体板４１と接着層４２を備えている。接着層４２は絶縁体板４１の下面に設けられている。絶縁体板４１は、例えば平板状であり、例えばサファイア基板である。絶縁体板４１は、セラミック板または樹脂板でもよい。接着層４２により、デバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面が板状部材４０と接着されている。接着層４２は、絶縁性であり、例えば樹脂接着剤である。接着層４２により、板状部材４０は、デバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面の少なくとも一部に接着される。デバイスチップ２４とチップ部品２６との高さが異なる場合、板状部材４０は、デバイスチップ２４とチップ部品２６との高い方の上面に接着される。

板状部材４０上にはリッド３０が設けられている。リッド３０は、例えばコバール合金板である。リッド３０としては金属板または絶縁体板を用いることができる。リッド３０と基板１０との間に封止金属２０が設けられている。封止金属２０は、金属層１６上に設けられ、板状部材４０の周りに設けられている。封止金属２０は、例えばＡｇ（銀）−Ｓｎ（錫）等の半田である。封止金属２０は、例えば金属層１６を介しグランドに接続されている。

封止金属２０およびリッド３０を覆うように、保護膜３２が形成されている。保護膜３２は、例えばＮｉ（ニッケル）膜である。保護膜３２は、封止金属２０が変形することを抑制する膜であり、金属膜または絶縁膜である。

図１（ｂ）に示すように、封止金属２０がデバイスチップ２４およびチップ部品２６を囲っている。これにより、デバイスチップ２４は、封止金属２０およびリッド３０により気密封止される。よって、デバイスチップ２４の下面に形成された弾性波素子は空隙２２に露出する。

図２（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造工程を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、基板１０上に、デバイスチップ２４をバンプ２５を介しフリップチップ実装する。基板１０上にチップ部品２６を実装する。チップ部品２６の電極部２７を接合材料２８を用い金属層１６に接合する。図２（ｂ）に示すように、デバイスチップ２４およびチップ部品２６上に板状部材４０を位置合わせし配置する。板状部材４０は、後に個片化される領域ごとに配置される。図２（ｃ）に示すように、下面に金属シート２１が設けられたリッド３０を板状部材４０上に配置する。１つのリッド３０が複数の板状部材４０上を覆う。

図２（ｄ）に示すように、金属シート２１が溶融する温度に基板１０を加熱し、リッド３０を板状部材４０に押圧する。金属シート２１がＡｇ−Ｓｎの場合、溶融温度は２７０℃である。金属シート２１は溶融し、板状部材４０の側面を覆い、金属層１６と接合する封止金属２０となる。金属層１６は、デバイスチップ２４およびチップ部品２６の周辺に形成されており、封止金属２０はデバイスチップ２４およびチップ部品２６の周囲を完全に囲むように形成される。金属層１６の表面は濡れ性があるため、封止金属２０と金属層１６とは接合する。封止金属２０の表面張力により、封止金属２０は板状部材４０と基板１０との間には侵入しない。以上により、板状部材４０および封止金属２０の上面をリッド３０が覆うように、デバイスチップ２４およびチップ部品２６が封止金属２０で封止される。

図３（ａ）に示すように、リッド３０および封止金属２０をダイシングブレード８０を用い切断する。図３（ｂ）に示すように、封止金属２０に基板１０まで達する溝８２が形成される。例えばＮｉ等の金属からなる保護膜３２を電解メッキ法を用い形成する。保護膜３２は、リッド３０の上面および封止金属２０の側面を覆うように形成される。図３（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８４を用い、基板１０を切断する。これにより、モジュールが個片化される。

実施例１によれば、図１（ａ）および図１（ｂ）のように、板状部材４０がデバイスチップ２４およびチップ部品２６上に設けられている。封止金属２０および板状部材４０は、デバイスチップ２４の下面およびチップ部品２６の周囲に空隙２２が形成されるように、デバイスチップ２４およびチップ部品２６を封止する。金属により、デバイスチップ２４およびチップ部品２６を封止するため、特許文献１および２のような樹脂封止に比べ、気密性を高めることができる。また、デバイスチップ２４の下面に空隙２２が形成されるため、デバイスチップ２４の下面に形成された素子を気密封止することができる。また、空隙２２により、デバイスチップ２４の下面に形成されたＳＡＷ共振器またはＦＢＡＲ等の弾性波素子の振動が規制されない。

チップ部品２６の周囲（例えば上から見た周囲）においてに空隙２２が形成されるため、チップ部品２６の電極部２７が封止金属２０とのショートを抑制できる。電極部２７は空隙２２に露出されることが好ましい。さらに、板状部材４０は、デバイスチップ２４およびチップ部品２６側が絶縁体である。これにより、デバイスチップ２４およびチップ部品２６とリッド３０等とのショートを抑制できる。チップ部品２６の表面に電極部２７が形成されている場合、チップ部品２６とリッド３０等とがショートしやすい。よって、板状部材４０のチップ部品２６側が絶縁体であることが好ましい。

また、板状部材４０がデバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面の少なくとも一部に接している。これにより、板状部材４０の高さを維持できる。

図２（ｃ）のように、デバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面の少なくとも一部に接するように板状部材４０を配置する。図２（ｄ）のように、板状部材４０上に金属シート２１を配置し、金属シート２１を板状部材４０に押圧する。これにより、板状部材４０と基板１０との間に空隙２２が形成できる。このように、封止金属２０を形成することにより、封止金属２０は、基板１０上に設けられ、板状部材４０を囲むように設けられる。また、リッド３０を用い金属シート２１を押圧することにより、金属シート２１を一様に押圧できる。

実施例２は、板状部材が連結部により連結された例である。図４は、実施例２に係るモジュールの断面図である。図４に示すように、板状部材４０は、金属板４４および絶縁層４６を備えている。金属板４４の下面に絶縁層４６が形成されている。板状部材４０には連結部４５が接続されている。金属板４４および連結部４５は、例えばコバール合金または銅であり、一体に形成されている。すなわち、金属板４４および連結部４５は、同じ膜厚であり同じ材料から形成されている。絶縁層４６は、例えば樹脂または無機絶縁体である。その他の構成は実施例１と同じであり、説明を省略する。

図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例２に係るモジュールの製造工程を示す断面図である。図６は、実施例２に係るモジュールの製造工程を示す平面図である。図６は、基板１０、板状部材４０および連結部４５を示している。図７は、図６の領域Ｃの拡大図である。図７は、板状部材４０および連結部４５を破線で示し、板状部材４０および４５を透視して図示している。

図５（ａ）に示すように、実施例１と同様に、基板１０上にデバイスチップ２４およびチップ部品２６を実装する。デバイスチップ２４およびチップ部品２６上に部材５８を配置する。図６に示すように、部材５８は、複数の板状部材４０と板状部材４０を連結する連結部４５を有している。部材５８を基板１０上に配置する。図７に示すように、デバイスチップ２４およびチップ部品２６上に板状部材４０が配置されている。デバイスチップ２４およびチップ部品２６を囲むように、金属層１６が設けられている。

図５（ｂ）に示すように、部材５８上にリッド３０および金属シート２１を配置する。実施例１と同様に、金属シート２１が溶融するように基板１０を加熱する。リッド３０を用い、金属シート２１を板状部材４０に押圧する。実施例１と同様に、封止金属２０がデバイスチップ２４およびチップ部品２６を囲むように形成される。このとき、連結部４５の幅は、板状部材４０に比べ十分小さい。これにより、連結部４５の下に封止金属２０が回りこむ。よって、空隙２２の気密性は損なわれない。

図５（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８０を用い、リッド３０、連結部４５および封止金属２０を切断する。その後、実施例１と同様に保護膜の形成および基板１０の切断を行なう。その他の構成および製造方法は実施例１と同じであり、説明を省略する。

実施例２によれば、図７のように、基板１０上に、複数のデバイスチップ２４がフリップチップ実装されており、複数のチップ部品２６が形成されている。デバイスチップ２４およびチップ部品２６上に複数の板状部材４０が連結部４５で連結された部材を配置する。このとき、１つの板状部材４０下には、複数のデバイスチップ２４の少なくとも１つと複数のチップ部品２６の少なくとも１つが含まれる。図５（ｃ）のように、連結部４５および基板１０を切断する。

このように、板状部材４０が連結部４５により接続されているため、実施例１の図２（ｂ）のように、板状部材４０を１つずつ配置しなくてもよい。よって、製造工程を簡略化することができる。

連結部４５は、板状部材４０の金属板４４と一体形成することにより、容易に形成することができる。絶縁層４６により、金属板４４と、デバイスチップ２４およびチップ部品２６と、が電気的に接続することを抑制できる。

実施例３は、板状部材をスペーサにより固定した例である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ実施例３に係るモジュールの断面図および平面図である。図８（ｂ）は、保護膜、リッドおよび板状部材を透視した図である。図８（ａ）は、図８（ｂ）のＡ−Ａ断面に相当する図である。

図８（ａ）に示すように、基板１０上にスペーサ５２が配置されている。スペーサ５２は、例えばＣｕ、半田または樹脂であり、金属部材または絶縁体部材である。スペーサ５２の下面と金属層１６とは、例えば半田または金属ペーストにより接合されている。スペーサ５２上には絶縁基板４８が搭載されている。絶縁基板４８の下面には金属層５０が形成されている。絶縁基板４８は、例えばＨＴＣＣ基板である。絶縁基板４８は、ＬＴＣＣ基板または樹脂基板でもよい。金属層５０は、例えばＣｕ層またはＡｕ層である。スペーサ５２と金属層５０とは例えば半田または金属ペーストにより接合されている。スペーサ５２の高さはデバイスチップ２４およびチップ部品２６より高い。よって、絶縁基板４８は、スペーサ５２に接し、絶縁基板４８と、デバイスチップ２４およびチップ部品２６との間には空隙２２が形成される。

図８（ｂ）に示すように、スペーサ５２は、空隙２２内の四隅に設けられている。封止金属２０は、スペーサ５２を囲むように形成されている。その他の構成は実施例１と同じであり、説明を省略する。

実施例３によれば、スペーサ５２が基板１０と板状部材４０との間に設けられている。デバイスチップ２４およびチップ部品２６と板状部材４０との間には空隙２２が形成されている。このように、スペーサ５２により、板状部材４０の高さを規定することにより、デバイスチップ２４およびチップ部品２６のショートをより抑制できる。なお、スペーサ５２を設け、かつデバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面の少なくとも一部が板状部材４０と接していてもよい。

基板１０と絶縁基板４８との材料を同じとすることで、線熱膨張係数の差に起因した応力を緩和できる。

実施例４は、封止金属が基板上かつ板状部材下に設けられた例である。図９（ａ）および図９（ｂ）は、それぞれ実施例４に係るモジュールの断面図および平面図である。図９（ｂ）は、板状部材を透視した図である。図９（ａ）は、図９（ｂ）のＡ−Ａ断面に相当する図である。

図９（ａ）に示すように、板状部材４０は、絶縁基板５４である。絶縁基板５４は、例えばＨＴＣＣ基板である。絶縁基板５４は、ＬＴＣＣ基板または樹脂基板でもよい。絶縁基板５４の下面に金属層５６が形成されている。金属層５６は、例えばＣｕ層またはＡｕ層である。封止金属２０は、基板１０上であり、かつ絶縁基板５４の下に設けられている。封止金属２０は金属層５６と接合されている。スペーサ５２の上面と金属層５６とは例えば半田または金属ペーストにより接合されている。封止金属２０の側面には保護膜３２が形成されている。

図９（ｂ）に示すように、デバイスチップ２４、チップ部品２６およびスペーサ５２を囲むように、封止金属２０が設けられている、スペーサ５２は、空隙２２の四隅に設けられている。

図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例４に係るモジュールの製造工程を示す断面図である。図１１は、実施例４に係るモジュールの製造工程を示す平面図である。図１１は、基板１０および金属シート２３を示している。図１２は、図１１の領域Ｃの拡大図である。

図１０（ａ）に示すように、基板１０上にデバイスチップ２４、チップ部品２６およびスペーサ５２が搭載されている。金属シート２３を基板１０上に配置する。金属シート２３上に板状部材４０を配置する。金属層５６が、金属シート２３およびスペーサ５２上に配置されるように、板上部材４０を位置合わせする。

図１１に示すように、金属シート２３には複数の開口６０が形成されている。図１２に示すように、開口６０内にデバイスチップ２４、チップ部品２６およびスペーサ５２が配置されるように、金属シート２３を配置する。

図１０（ｂ）に示すように、金属シート２３が溶融するように基板１０を加熱する。板状部材４０を金属シート２３に押圧する。金属シート２３がデバイスチップ２４、チップ部品２６およびスペーサ５２を囲むように形成される。開口６０が空隙２２となる。

図１０（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８４を用い、基板１０、金属シート２３および板状部材４０を切断する。保護膜３２を、バレルメッキ法を用い形成する。これにより、実施例４に係るモジュールが完成する。その他の構成および製造方法は実施例１および３と同じであり、説明を省略する。

実施例４によれば、図１０（ａ）および図１２のように、複数の開口６０のそれぞれ内に複数のデバイスチップ２４の少なくとも１つと複数のチップ部品２６の少なくとも１つが含まれるように、金属シート２３を基板１０上に配置する。図１０（ｂ）のように、板状部材４０を金属シート２３に押圧する。図１０（ｃ）のように、板状部材４０および基板１０を切断する。このように、板状部材４０がリッドを兼ねることにより、製造工程を簡略化できる。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、それぞれ実施例５に係るモジュールの断面図および平面図である。図１３（ｂ）は、板状部材を透視した図である。図１３（ａ）は、図１３（ｂ）のＡ−Ａ断面に相当する図である。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、空隙２２内にスペーサ５２が１つ設けられている。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。空隙２２内のスペーサ５２の数は任意に設定できる。実施例４のように、空隙２２の四隅にスペーサ５２を配置することで、板状部材４０を安定に支持することができる。実施例５のように、スペーサ５２を空隙２２の中央付近に配置することにより、モジュールを小型化することができる。

図１４は、実施例６に係るモジュールの断面図である。図１４に示すように、空隙２２内にスペーサが設けられていない。板状部材４０は、デバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面の少なくとも一部と接している。その他の構成は実施例４と同じであり、説明を省略する。デバイスチップ２４およびチップ部品２６の上面の少なくとも一部が板状部材４０を支持することもできる。これにより、モジュールを小型化することができる。デバイスチップ２４およびチップ部品２６は、高い部品が板状部材４０をバランスよく支持するように配置することが好ましい。

実施例１から６において、板状部材４０は、絶縁体板４１の下面に接着層４２を設けた構造とすることができる。また、板状部材４０は、金属板４４の下面に絶縁層４６を設けた構造とすることができる。さらに、板状部材４０は、絶縁基板４８または５４とすることができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

基板 １０
封止金属 ２０
金属シート ２１、２３
空隙 ２２
デバイスチップ ２４
チップ部品 ２６
板状部材 ４０
連結部 ４５
スペーサ ５２
開口 ６０

Claims (11)

1. 基板と、
   前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
   前記基板上に実装されたチップ部品と、
   前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に設けられ、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材と、
   前記基板上に平面視において前記板状部材を囲むように設けられ、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を前記板状部材とともに封止する封止金属と、
   前記板状部材および前記封止金属上に設けられた金属リッドと、
   を具備することを特徴とするモジュール。
2. 前記板状部材は、前記デバイスチップおよび前記チップ部品の上面の少なくとも一部に接していることを特徴とする請求項１記載のモジュール。
3. 前記板状部材は、前記絶縁体の前記デバイスチップおよび前記チップ部品と反対側に設けられた金属板を有し、
   前記金属板の一部は前記封止金属と前記金属リッドとの間を内側から外側に延伸していることを特徴とする請求項１または２記載のモジュール。
4. 基板と、
   前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
   前記基板上に実装されたチップ部品と、
   前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に設けられ、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材と、
   前記基板上に設けられ、前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記デバイスチップおよび前記チップ部品を前記板状部材とともに封止する封止金属と、
   前記基板と前記板状部材との間に設けられたスペーサと、を具備し、
   前記デバイスチップおよび前記チップ部品と前記板状部材との間には前記空隙が形成されていることを特徴とするモジュール。
5. 前記封止金属および前記スペーサは、前記板状部材に接合されていることを特徴とする請求項４記載のモジュール。
6. 基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
   前記基板上にチップ部品を実装する工程と、
   前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、
   前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に平面視において前記板状部材を囲むように設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、
   前記板状部材および前記封止金属上に金属リッドを設ける工程と、
   を含むことを特徴とするモジュールの製造方法。
7. 前記板状部材を配置する工程は、前記デバイスチップおよび前記チップ部品の上面の少なくとも一部が前記板状部材に接するように前記板状部材を配置する工程を含むことを特徴とする請求項６記載のモジュールの製造方法。
8. 基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
   前記基板上にチップ部品を実装する工程と、
   前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、
   前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、
   前記基板上にスペーサを配置する工程と、を含み、
   前記板状部材を配置する工程は、前記スペーサの上面に前記板状部材が接することにより、前記デバイスチップおよび前記チップ部品の上面と前記板上部材との間に前記空隙が形成されるように、前記板状部材を配置する工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法。
9. 前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程は、前記板状部材上に封止金属となる金属シートを配置し、前記金属シートを前記板状部材に押圧する工程を含むことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項記載のモジュールの製造方法。
10. 基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
    前記基板上にチップ部品を実装する工程と、
    前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、
    前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、
    を含み、
    前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程は、前記板状部材上に封止金属となる金属シートを配置し、前記金属シートを前記板状部材に押圧する工程を含み、
    前記板状部材を配置する工程は、各板状部材に複数の前記デバイスチップの少なくとも１つと複数の前記チップ部品の少なくとも１つが含まれるように、複数の前記板状部材が連結部で連結された部材を配置する工程であり、
    前記連結部および前記基板を切断する工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法。
11. 基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
    前記基板上にチップ部品を実装する工程と、
    前記デバイスチップおよび前記チップ部品上に、前記デバイスチップおよび前記チップ部品側が絶縁体である板状部材を配置する工程と、
    前記デバイスチップの下面および前記チップ部品の周囲に空隙が形成されるように、前記板状部材と前記基板上に設けられた封止金属とで前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程と、
    を含み、
    前記デバイスチップおよび前記チップ部品を封止する工程は、複数の開口のそれぞれ内に複数の前記デバイスチップの少なくとも１つと複数の前記チップ部品の少なくとも１つが含まれるように、前記複数の開口を有し前記封止金属となる金属シートを前記基板上に配置する工程と、前記板状部材を前記金属シートに押圧する工程と、を含み、
    前記板状部材および前記基板を切断する工程を含むことを特徴とするモジュールの製造方法。

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