JP2022184454A - 積層体、弾性波デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】スループットを向上することができる積層体と弾性波デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】積層体は、複数の単位機能素子が形成された圧電体ウエハと、導電性材料を介して前記圧電体ウエハと接合された配線基板と、を備える。前記配線基板の熱膨張係数は、前記圧電体ウエハの熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等であり、前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向が略平行である。【選択図】図１
Description
本開示は、積層体と、弾性波デバイスの製造方法に関連する。
特許文献１は、弾性波デバイスを開示する。特許文献１には、線膨張係数が異なる基板が接合された複合基板上にバンプ等の接続層を用い基板を搭載すると、複合基板の熱歪みにより接続層に熱応力が加わることが記載されている。この文献では、個片化されたデバイスチップの線熱膨張係数が議論されている。
弾性波デバイスの製造においてスループットを高めることが求められている。しかしながら、特許文献１に開示の技術では個片化されたデバイスチップを基板にフリップチップ実装するので、処理が複雑であり、スループットの向上が求められていた。
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、スループットを高めることができる積層体と弾性波デバイスの製造方法を提供することである。
本開示にかかる積層体は、
複数の単位機能素子が形成された圧電体ウエハと、
導電性材料を介して前記圧電体ウエハと接合された配線基板と、を備え、
前記配線基板の熱膨張係数は、前記圧電体ウエハの熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等であり、
前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向が略平行である。
複数の単位機能素子が形成された圧電体ウエハと、
導電性材料を介して前記圧電体ウエハと接合された配線基板と、を備え、
前記配線基板の熱膨張係数は、前記圧電体ウエハの熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等であり、
前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向が略平行である。
前記第１方向と直交する第２方向において、前記配線基板の熱膨張係数と前記圧電体ウエハの熱膨張係数が同等であることが、本開示の一形態とされる。
前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部が設けられ、
前記第２熱膨張調整部の密度は、前記第１熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部が設けられ、
前記第２熱膨張調整部の密度は、前記第１熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１熱膨張調整部と前記第２熱膨張調整部は、プロプレグのファイバーであることが、本開示の一形態とされる。
前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部が設けられ、
前記第３熱膨張調整部の密度は、前記第４熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部が設けられ、
前記第３熱膨張調整部の密度は、前記第４熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第３熱膨張調整部と前記第４熱膨張調整部は、ガラス又は銅であることが、本開示の一形態とされる。
前記圧電体ウエハはリチウムタンタレートを含むことが、本開示の一形態とされる。
本開示にかかる弾性波デバイスの製造方法は、
圧電体ウエハに、単位機能素子を複数形成する第１工程と、
前記圧電体ウエハのうち熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等の熱膨張係数を有する配線基板を製造する第２工程と、
前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向とを合わせて、前記圧電体ウエハと前記配線基板を貼り合わせる第３工程と、を備える。
圧電体ウエハに、単位機能素子を複数形成する第１工程と、
前記圧電体ウエハのうち熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等の熱膨張係数を有する配線基板を製造する第２工程と、
前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向とを合わせて、前記圧電体ウエハと前記配線基板を貼り合わせる第３工程と、を備える。
前記第１方向と直交する第２方向において、前記配線基板の熱膨張係数と前記圧電体ウエハの熱膨張係数が同等であることが、本開示の一形態とされる。
前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部が設けられ、
前記第２熱膨張調整部の密度は、前記第１熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部が設けられ、
前記第２熱膨張調整部の密度は、前記第１熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部が設けられ、
前記第３熱膨張調整部の密度は、前記第４熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部が設けられ、
前記第３熱膨張調整部の密度は、前記第４熱膨張調整部の密度より大きいことが、本開示の一形態とされる。
前記圧電体ウエハを単位機能素子ごとに切断し、前記配線基板は少なくとも完全には切断しない第４工程と、
前記第４工程で形成された領域に封止材料を充填する第５工程と、
前記配線基板を完全に切断する第６工程と、を備えたことが、本開示の一形態とされる。
前記第４工程で形成された領域に封止材料を充填する第５工程と、
前記配線基板を完全に切断する第６工程と、を備えたことが、本開示の一形態とされる。
前記第４工程では第１ダイシングブレードを用い、前記第６工程では前記第１ダイシングブレードより細い第２ダイシングブレードを用いることが、本開示の一形態とされる。
前記第５工程の後、前記第６工程の前に、前記封止材料を研磨する工程を有することが、本開示の一形態とされる。
前記封止材料を研磨する工程では前記圧電体ウエハが露出するまで研磨することが、本開示の一形態とされる。
本開示によれば、スループットを高めることができる積層体と弾性波デバイスの製造方法を提供することができる。
実施の形態について添付の図面に従って説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号が付される。当該部分の重複説明は適宜に簡略化ないし省略される。
実施の形態１．
図１は実施の形態１における積層体１の縦断面図である。積層体１は、配線基板２を備えている。配線基板２は例えばPrinted Circuit board(PCB)基板、又はHigh Temperature Co-fired Ceramics(HTCC)基板である。別の例によれば、基材と、当該基材を貫通する配線電極が設けられた任意の基板を配線基板とすることができる。図１の例では、配線基板２は基材２ａと、上部電極２ｂと、ビア配線などによって上部電極２ｂと電気的に接続された下部電極２ｃとを備えている。配線基板２の内部にコンデンサ又はインダクタ等の受動素子を形成してもよい。
図１は実施の形態１における積層体１の縦断面図である。積層体１は、配線基板２を備えている。配線基板２は例えばPrinted Circuit board(PCB)基板、又はHigh Temperature Co-fired Ceramics(HTCC)基板である。別の例によれば、基材と、当該基材を貫通する配線電極が設けられた任意の基板を配線基板とすることができる。図１の例では、配線基板２は基材２ａと、上部電極２ｂと、ビア配線などによって上部電極２ｂと電気的に接続された下部電極２ｃとを備えている。配線基板２の内部にコンデンサ又はインダクタ等の受動素子を形成してもよい。
配線基板２は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板またはシリコン基板である。別の例によれば、別の基板を採用することもできる。
積層体１は、複数の単位機能素子が形成された圧電体ウエハ３を備えている。一例によれば、圧電体ウエハ３の材料は、リチウムタンタレート、又はリチウムタンタレートを含む材料である。別の例によれば、圧電体ウエハ３は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶で形成される。別の例によれば、圧電体ウエハ３は、圧電セラミックスで形成される。さらに別の例によれば、圧電体ウエハ３は、圧電基板と支持基板とが接合された基板である。圧電体ウエハ３の主面には、例えばInterdigital Transducer(IDT)及び反射器を有する。当該主面には、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金により配線パターンが形成され得る。
図１に示されるように、圧電体ウエハ３と配線基板２は導電性材料４を介して接合されている。導電性材料４は、例えばAu、導電性接着剤又ははんだを材料とするバンプである。
図２は、配線基板２の平面図である。説明の便宜上電極は省略されている。この配線基板２は、第１方向（ｘ方向）に略平行に、配線基板２の基材２ａより熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部２ｄを備えている。一例によれば、第１熱膨張調整部２ｄは、基材２ａの内部に完全に埋め込まれている。別の例によれば、第１熱膨張調整部２ｄは基材２ａの上面又は下面に露出しつつ基材２ａに埋め込まれることができる。第１熱膨張調整部２ｄは、この例では、３本一組とする構成が、概ね等間隔に５つ設けられている。
配線基板２は、第２方向（ｙ方向）と略平行に、基材２ａより熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部２ｅを備えている。一例によれば、第２熱膨張調整部２ｅは、基材２ａの内部に完全に埋め込まれている。別の例によれば、第２熱膨張調整部２ｅは基材２ａの上面又は下面に露出しつつ基材２ａに埋め込まれることができる。第２熱膨張調整部２ｅは、この例では、５本一組とする構成が、概ね等間隔に５つ設けられている。
第２熱膨張調整部２ｅの密度は、第１熱膨張調整部２ｄの密度より大きい。言いかえると、第１方向の単位長さあたりの第２熱膨張調整部２ｅの密度は、第２方向の単位長さあたりの第１熱膨張調整部２ｄの密度より大きい。この例では、第２熱膨張調整部２ｅの本数は第１熱膨張調整部２ｄの本数より大きい。配線基板２は第１方向において熱膨張係数が最大となり、第２方向において熱膨張係数が最小となる。
第１熱膨張調整部２ｄと第２熱膨張調整部２ｅの材料は、基材２ａの材料よりも熱膨張係数が小さいものであれば特に限定されない。第１熱膨張調整部２ｄと第２熱膨張調整部２ｅの材料は例えば、プロプレグのファイバーである。例えば、ガラスクロスを第１熱膨張調整部２ｄと第２熱膨張調整部２ｅの材料とすることができる。
図３は、積層体１の平面図の例を示す図である。例えばリチウムタンタレートを材料とする圧電体ウエハ３は、方向によって熱膨張率が異なる。つまり、圧電体ウエハ３の熱膨張係数は異方性を有する。例えば、圧電体ウエハ３の第１方向（ｘ方向）の熱膨張係数は１６．１ｐｐｍ／Ｋであり、第２方向（ｙ方向）の熱膨張係数は４．１ｐｐｍ／Ｋである。この例では、圧電体ウエハ３は、第１方向において熱膨張係数が最大となる。別の例によれば、圧電体ウエハ３の第１方向（ｘ方向）の熱膨張係数は１３ｐｐｍ／Ｋであり、第２方向（ｙ方向）の熱膨張係数は３ｐｐｍ／Ｋである。
一例によれば、前述の配線基板２は、圧電体ウエハ３の熱膨張係数の異方性と同等の異方性を有するように製造される。この例では、配線基板２は第１方向において熱膨張係数が最大となり、圧電体ウエハ３も第１方向において熱膨張係数が最大となる。言いかえると、配線基板２の熱膨張係数が最大となる方向と第１方向が略平行である。さらに、第１方向と直交する第２方向（ｙ方向）において、配線基板２の熱膨張係数と圧電体ウエハ３の熱膨張係数が同等である。
このように、配線基板２に配線基板の熱膨張係数を調整する第１熱膨張調整部２ｄと第２熱膨張調整部２ｅを設けることで、配線基板２の熱膨張係数と圧電体ウエハ３の熱膨張係数を略一致させる。これにより、積層体１にリフローなどの熱履歴をかけても、積層体１が大きくゆがむことを防止又は抑制できる。
この例では、圧電体ウエハ３の熱膨張係数に異方性があることとしたが、熱膨張係数に異方性がない圧電体ウエハを用いることもできる。その場合でも、配線基板に熱膨張調整部を設けることで、配線基板の熱膨張係数と、圧電体ウエハの熱膨張係数を略一致させ、積層体１が大きくゆがむことを防止又は抑制できる。
このような積層体１の製造を含む弾性波デバイスの製造方法を説明する。まず、第１工程において、圧電体ウエハに単位機能素子を複数形成する。単位機能素子は、例えばバンドパスフィルタ、デュアルフィルタ、デュプレクサなどの弾性表面波デバイスである。
次いで、第２工程に処理を進める。第２工程では、配線基板２を製造する。配線基板２は、例えば、圧電体ウエハ３のうち熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等の熱膨張係数を有するように形成する。一例によれば、前述のとおり、第１熱膨張調整部２ｄと第２熱膨張調整部２ｅを設けることで、配線基板２の熱膨張係数と、圧電体ウエハ３の熱膨張係数を略一致させる。
次いで、第３工程に処理を進める。第３工程では、配線基板２の熱膨張係数が最大となる方向と第１方向とを合わせて、圧電体ウエハ３と配線基板２を貼り合わせる。この例では、図１に示すように、導電性材料４によって圧電体ウエハ３と配線基板２を電気的に接続しつつ、両者を貼り合わせる。
このとき、図３に示すように、第１方向（ｘ方向）と直交する第２方向（ｙ方向）において、配線基板２の熱膨張係数と圧電体ウエハ３の熱膨張係数が同等となるように、圧電体ウエハ３と配線基板２を貼り合わせる。
次いで、第４工程に処理を進める。第４工程では、圧電体ウエハ３を単位機能素子ごとに切断する。図４には、第１ダイシングブレード５によって、圧電体ウエハ３を複数の単位機能素子であるデバイスチップ３ａに個片化することが示されている。これと同時に、配線基板２の一部に切り込みを入れることができるが、第４工程では配線基板２を完全には切断しない。
次いで、第５工程に処理を進める。第５工程では、第４工程で形成された領域に封止材料６を充填する。一例によれば、個片化された複数のデバイスチップ３ａにまたがるように樹脂シートをのせる。一例によれば、樹脂シートは液状のエポキシ樹脂をシート化したものである。別の例によれば、樹脂シートは、エポキシ樹脂とは異なるポリイミドなどの合成樹脂とすることができる。樹脂シートの上面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を材料とする保護フィルムを設けたり、樹脂シートの下面にポリエステルを材料とするベースフィルムを設けたりすることができる。
複数のデバイスチップ３ａの上に樹脂シートをのせることで、樹脂シートが複数のデバイスチップ３ａに仮固定される。そして、複数のデバイスチップ３ａ、樹脂シート及び配線基板２を有する構造を、少なくとも樹脂シートの軟化温度まで加熱した上ローラと下ローラの間を通することで、樹脂シートがデバイスチップ３ａの側面と配線基板２の上面に充填される。これは熱ローララミネート法と呼ばれる。ラミネートができる方法であれば、熱ローララミネート法以外の方法を採用してもよい。
その後、樹脂シートを完全に硬化させるために、例えば、樹脂の硬化温度まで加熱された上金型と下金型を有するプレス機によって、樹脂シートを配線基板２の方向に押圧することで、空間７のエアーの膨張を抑制しつつ、樹脂を硬化させる。
この例によれば、樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてデバイスチップ３ａの外面と配線基板２の上面に密着させた後に、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することで、封止材料６が形成される。封止材料６は例えば、空間７を気密空間とし、配線基板２に対するデバイスチップ３ａの固定力を補強する。図５の例では、空間７は、デバイスチップ３ａの主面と配線基板２の上面と封止材料６によって囲まれた気密空間である。一例によれば、封止材料６は熱硬化性樹脂である。このように、封止材料６は、配線基板２とデバイスチップ３ａの間に空間７を残しつつ、デバイスチップ３ａを封止する。封止材料６に代えて、任意の絶縁体、金属又は樹脂層と金属層を用いることもできる。
一例によれば、第５工程の後第６工程の前に、封止材料６を研磨する工程を有する。封止材料６を研磨する工程では個片化された圧電体ウエハ３が露出するまで研磨することができる。この研磨工程は省略し得る。
次いで、第６工程に処理を進める。第６工程では、配線基板２を完全に切断する。図６には、配線基板２を完全に切断することが示されている。一例によれば、第６工程では、第２ダイシングブレード８によって配線基板２を完全に切断する。例えば、第２ダイシングブレード８の幅ｘ２は、第４工程で用いた第１ダイシングブレード５の幅ｘ１より細い。細い第２ダイシングブレード８を用いることで、デバイスチップ３ａの側面の封止材料６を残すことができる。
この例では、第４工程と第６工程でダイシングブレードを用いたが、これらの工程の両方又は一方でダイシングブレードに代えてレーザダイシングすることもできる。別の例によれば、超音波ダイシング又はステルスダイシングを用いることができる。
このように、圧電体ウエハ３と配線基板２をウエハレベルで接合した積層体１を形成することで、例えば、製造プロセスが効率化されたり、ばらつきが抑制されたり、歩留まりが向上したりする。
実施の形態２．
実施の形態２に係る積層体と弾性波デバイスの製造方法は、実施の形態１と類似点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。図７は、実施の形態２に係る積層体の平面図である。配線基板２´には、第１方向（ｘ方向）に略平行に、配線基板２の基材２ａより熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部２ｆが設けられている。第３熱膨張調整部２ｆは、この例では、５本一組とする構成が、概ね等間隔に５つ設けられている。
実施の形態２に係る積層体と弾性波デバイスの製造方法は、実施の形態１と類似点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。図７は、実施の形態２に係る積層体の平面図である。配線基板２´には、第１方向（ｘ方向）に略平行に、配線基板２の基材２ａより熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部２ｆが設けられている。第３熱膨張調整部２ｆは、この例では、５本一組とする構成が、概ね等間隔に５つ設けられている。
さらに、第２方向（ｙ方向）と略平行に、基材２ａより熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部２ｇが設けられている。第４熱膨張調整部２ｇは、この例では、３本一組とする構成が、概ね等間隔に５つ設けられている。したがって、第３熱膨張調整部２ｆの密度は、第４熱膨張調整部２ｇの密度より大きい。
この例では、第３熱膨張調整部２ｆの本数は、第４熱膨張調整部２ｇの本数より大きい。この配線基板２´は第１方向において熱膨張係数が最大となり、第２方向において熱膨張係数が最小となる。
第３熱膨張調整部２ｆと第４熱膨張調整部２ｇの材料は、基材２ａの材料よりも熱膨張係数が大きいものであれば特に限定されない。第３熱膨張調整部２ｆと第４熱膨張調整部２ｇの材料は例えば、ガラス又は銅である。
この配線基板２´は第１方向（ｘ方向）に最大の熱膨張係数を有し、第２方向（ｙ方向）に最小の熱膨張係数を有する。したがって、第１方向に最大の熱膨張係数を有し第２方向に最小の熱膨張係数を有する圧電体ウエハと、配線基板２´を貼り合わせた積層体は、リフローなどの熱履歴をかけても大きくゆがむことを防止又は抑制できる。
実施の形態１、２では、熱膨張係数に異方性を有する圧電体ウエハに対し、その異方性と略一致した異方性を有する配線基板を用意した。別の例によれば、配線基板の熱膨張係数を、例えば上述した熱膨張調整部によって調整し、圧電体ウエハの最大の熱膨張係数と同等とすることができる。この場合、例えば配線基板の熱膨張係数は等方性を有する。
また、１つの配線基板に、基材よりも熱膨張係数が小さい熱膨張調整部と、基材よりも熱膨張係数が大きい熱膨張調整部とを設けて、配線基板の熱膨張係数を圧電性ウエハの熱膨張係数に近づけてもよい。
少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面が説明されたが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本開示の範囲内にあることが意図される。
理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。
特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。
本開示で使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。
「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。
前後左右、頂底上下、横縦、表裏への言及は、いずれも、記載の便宜を意図する。当該言及は、本開示の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は、例示にすぎない。
１ 積層体、 ２,２´ 配線基板、 ２ａ 基材、 ２ｂ 上部電極、 ２ｃ 下部電極、 ２ｄ 第１熱膨張調整部、 ２ｅ 第２熱膨張調整部、 ２ｆ 第３熱膨張調整部、 ２ｇ 第４熱膨張調整部、 ３ 圧電体ウエハ、 ４ 導電性材料、 ５ 第１ダイシングブレード、 ６ 封止材料、 ７ 空間、 ８ 第２ダイシングブレード
Claims (15)
- 複数の単位機能素子が形成された圧電体ウエハと、
導電性材料を介して前記圧電体ウエハと接合された配線基板と、を備え、
前記配線基板の熱膨張係数は、前記圧電体ウエハの熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等であり、
前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向が略平行である、積層体。 - 前記第１方向と直交する第２方向において、前記配線基板の熱膨張係数と前記圧電体ウエハの熱膨張係数が同等である請求項１に記載の積層体。
- 前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部が設けられ、
前記第２熱膨張調整部の密度は、前記第１熱膨張調整部の密度より大きい請求項２に記載の積層体。 - 前記第１熱膨張調整部と前記第２熱膨張調整部は、プロプレグのファイバーである請求項３に記載の積層体。
- 前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部が設けられ、
前記第３熱膨張調整部の密度は、前記第４熱膨張調整部の密度より大きい請求項２に記載の積層体。 - 前記第３熱膨張調整部と前記第４熱膨張調整部は、ガラス又は銅である請求項５に記載の積層体。
- 前記圧電体ウエハはリチウムタンタレートを含む請求項１から６のいずれか１項に記載の積層体。
- 圧電体ウエハに、単位機能素子を複数形成する第１工程と、
前記圧電体ウエハのうち熱膨張係数が最大となる第１方向における熱膨張係数と同等の熱膨張係数を有する配線基板を製造する第２工程と、
前記配線基板の熱膨張係数が最大となる方向と前記第１方向とを合わせて、前記圧電体ウエハと前記配線基板を貼り合わせる第３工程と、を備えた弾性波デバイスの製造方法。 - 前記第１方向と直交する第２方向において、前記配線基板の熱膨張係数と前記圧電体ウエハの熱膨張係数が同等である請求項８に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が小さい第１熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が小さい第２熱膨張調整部が設けられ、
前記第２熱膨張調整部の密度は、前記第１熱膨張調整部の密度より大きい請求項９に記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記配線基板には、
前記第１方向に略平行に、前記配線基板の基材より熱膨張係数が大きい第３熱膨張調整部が設けられ、
前記第２方向と略平行に、前記基材より熱膨張係数が大きい第４熱膨張調整部が設けられ、
前記第３熱膨張調整部の密度は、前記第４熱膨張調整部の密度より大きい請求項９に記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記圧電体ウエハを単位機能素子ごとに切断し、前記配線基板は少なくとも完全には切断しない第４工程と、
前記第４工程で形成された領域に封止材料を充填する第５工程と、
前記配線基板を完全に切断する第６工程と、を備えた請求項８から１１のいずれか１項に記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記第４工程では第１ダイシングブレードを用い、前記第６工程では前記第１ダイシングブレードより細い第２ダイシングブレードを用いる請求項１２に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記第５工程の後、前記第６工程の前に、前記封止材料を研磨する工程を有する請求項１２又は１３に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記封止材料を研磨する工程では前記圧電体ウエハが露出するまで研磨する請求項１４に記載の弾性波デバイスの製造方法。
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| CN202210408378.XA CN114696778A (zh) | 2021-06-01 | 2022-04-19 | 积层体及弹性波装置的制造方法 |
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