JP2002252309A - 半導体チップのパッケージ構造及びパッケージ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハレベルのチップサイズパッケージ構造
において、ウエハ側の半導体チップのアルミニュウム電
極パッドと回路基板側との接合を簡素化する。 【解決手段】 回路基板２０に、樹脂製の絶縁基板部２
２と、この樹脂製の絶縁基板部２２上に形成された配線
パターン部２５とを設け、更に、この配線パターン部２
５にウエハ１０の電極パッド１２に対応してバンプ２７
を形成し、このバンプ２７は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ｐｄのうちから選ばれた１つの材料から形成し、ウ
エハ１０に回路基板２０を積層して熱圧着することによ
り、バンプ２７とアルミニュウム製電極パッド１２との
間を電気接続するとともに、ウエハ１０と回路基板２０
との間を接着固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのパ
ッケージ構造及びパッケージ方法に関するもので、特
に、ウエハの状態で複数個分の半導体チップの電極パッ
ドの再配列およびパッケージを一括して行うウエハレベ
ルのチップサイズパッケージ構造（ＣＳＰ）及びその方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置のチップサイズパッケ
ージ構造（ＣＳＰ）は、一般に、ウエハをダイシング技
術により複数に分割して形成された半導体チップについ
て、それぞれ１個づつ個別にパッケージ化しているの
で、パッケージ化工程の生産性が悪く、コスト高になる
等の不具合がある。

【０００３】そこで、特開平２０００−３６５１８号公
報、特開平２０００−１５０５４９号公報等において
は、ウエハの状態で複数個分の半導体チップの電極パッ
ドの再配列およびパッケージを一括して行うウエハレベ
ルのチップサイズパッケージ構造（ＣＳＰ）が提案され
ている。

【０００４】具体的には、前者の特開平２０００−３６
５１８号公報では、半導体チップの電極パッドの再配列
を行う回路基板の電極部分に、はんだバンプを予め形成
しておき、ウエハ側の半導体チップの電極パッドに上記
のはんだバンプを接合している。

【０００５】また、後者の特開平２０００−１５０５４
９号公報においては、ウエハ側の半導体チップの電極パ
ッドにＡｕ（金）バンプを形成し、このＡｕバンプを回
路基板側の電極部分に接合している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハ側の
半導体チップの電極パッドは、通常、パッド形成の信頼
性、パッド形成の容易性等の理由からアルミニュウム製
としている。このアルミニュウム製の電極パッドには、
はんだを直接接合できないので、前者の特開平２０００
−３６５１８号公報では、ウエハ側の電極パッド上にＡ
ｕのフラッシュメッキ処理を行っており（段落番号００
３３に記載）、これにより、ウエハ側の電極パッドと回
路基板側のはんだバンプとの接合を可能としている。

【０００７】このため、ウエハ側の電極パッド上にＡｕ
のメッキ処理を特別に行なわなければならず、ウエハ側
の製造コストアップを招く。

【０００８】また、後者の特開平２０００−１５０５４
９号公報でも、ウエハ側の電極パッドに、予めチタン、
及びパラジウムからなるバリヤメタル層を形成し、その
バリヤメタル層の上にＡｕバンプを形成しているので、
Ａｕバンプ形成のための特別な工程が必要となり、ウエ
ハ側の製造コストアップを招く。

【０００９】本発明は上記点に鑑みて、ウエハレベルの
チップサイズパッケージ構造において、ウエハ側の半導
体チップのアルミニュウム電極パッドと回路基板側との
電気接続を簡素化することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明では、回路基板（２０）側の
配線パターン部（２５）に、ウエハ（１０）側のアルミ
ニュウム製電極パッド（１２）対応するバンプ（２７）
を形成し、このバンプ（２７）は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ａｇ、Ｐｄのうちから選ばれた１つの材料から形成し、
ウエハ（１０）に回路基板（２０）を積層して熱圧着す
ることにより、バンプ（２７）とアルミニュウム製電極
パッド（１２）との間を電気接続するとともに、ウエハ
（１０）と回路基板（２０）との間を接着固定すること
を特徴とする。

【００１１】このように、請求項１によれば、回路基板
（２０）側の配線パターン部（２５）に形成したバンプ
（２７）を、熱圧着によりウエハ（１０）側のアルミニ
ュウム製電極パッド（１２）と直接電気接続している。
つまり、バンプ（２７）を構成するＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ａｇ、Ｐｄは、アルミニュウム材に対して熱圧着による
接合性が良好な材質であるため、アルミニュウム材との
接合界面の電気抵抗を十分僅少値に抑制して良好に圧着
接合できる。従って、従来技術のようにウエハ側の電極
パッド上にＡｕのメッキ処理やバリヤメタル層を一切形
成する必要がないので、ウエハ側の処理工程を大幅に簡
素化でき、コスト低減を図ることができる。

【００１２】請求項２に記載の発明では、バンプ（２
７）はＡｕからなり、配線パターン部（２５）にメッキ
により形成されていることを特徴とする。

【００１３】Ａｕはアルミニュウム材に対して熱圧着に
よる接合性が最も良好であり、且つ、Ａｕのメッキ処理
により複数箇所のバンプ（２７）を一度に容易に形成で
きる。

【００１４】請求項３に記載の発明では、絶縁基板部
（２２）は熱硬化性樹脂からなり、ウエハ（１０）と回
路基板（２０）との間に接着材（２６）を介在して、ウ
エハ（１０）と回路基板（２０）とを熱圧着することを
特徴とする。

【００１５】これによると、絶縁基板部（２２）が熱硬
化性樹脂であっても、ウエハ（１０）と回路基板（２
０）とを熱圧着により接着できるとともに、バンプ（２
７）の電気接続部を樹脂封止できる。

【００１６】請求項４に記載の発明では、絶縁基板部
（２２）は熱可塑性樹脂からなり、ウエハ（１０）と回
路基板（２０）とを熱圧着することにより、ウエハ（１
０）と回路基板（２０）との間を絶縁基板部（２２）の
熱可塑性樹脂にて直接接着することを特徴とする。

【００１７】このように、絶縁基板部（２２）が熱可塑
性樹脂である場合には、熱可塑性樹脂の軟化による接着
作用によりウエハ（１０）と回路基板（２０）との間を
直接接着できる。また、絶縁基板部（２２）自身により
バンプ（２７）の電気接続部を樹脂封止できる。

【００１８】請求項５に記載の発明では、絶縁基板部
（２２）は熱可塑性樹脂からなり、絶縁基板部（２２）
上に、配線パターン部（２５）のうち、バンプ（２７）
の形成部位以外の部分を被覆する熱可塑性樹脂被覆層
（２２ａ）を設け、ウエハ（１０）と回路基板（２０）
とを熱圧着することによりウエハ（１０）と回路基板
（２０）との間を熱可塑性樹脂被覆層（２２ａ）にて直
接接着することを特徴とする。

【００１９】これにより、熱可塑性樹脂被覆層（２２
ａ）の接着作用によりウエハ（１０）と回路基板（２
０）との間を直接接着できる。また、熱可塑性樹脂被覆
層（２２ａ）によりバンプ（２７）の電気接続部を樹脂
封止できる。更に、配線パターン部（２５）のうち、バ
ンプ（２７）の形成部位以外の部分を熱可塑性樹脂被覆
層（２２ａ）により被覆するから、ウエハ（１０）側の
回路部分と回路基板（２０）側の配線パターン部（２
５）との間を熱可塑性樹脂被覆層（２２ａ）により良好
に電気絶縁できる。このため、ウエハ（１０）側の絶縁
被膜を廃止することも可能となる。

【００２０】請求項６に記載の発明では、ウエハ（１
０）に、複数個分の半導体チップ形成領域（１１）を形
成するとともに、この半導体チップ形成領域（１１）に
アルミニュウム製の電極パッド（１２）を形成する工程
と、回路基板（２０）の樹脂製絶縁基板部（２２）上に
配線パターン部（２５）を形成し、この配線パターン部
（２５）に、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄのうちから
選ばれた１つの材料からなるバンプ（２７）を電極パッ
ド（１２）に対応して形成する工程と、ウエハ（１０）
に回路基板（２０）を積層して熱圧着することにより、
バンプ（２７）とアルミニュウム製電極パッド（１２）
との間を電気接続するとともに、ウエハ（１０）と回路
基板（２０）との間を接着固定する工程とを備える、パ
ッケージ方法を特徴とする。

【００２１】請求項６は請求項１に対応するパッケージ
方法であって、請求項１による作用効果を発揮するパッ
ケージ構造を提供できる。

【００２２】請求項７に記載の発明では、請求項６にお
いて、絶縁基板部（２２）を熱硬化性樹脂により形成
し、ウエハ（１０）と回路基板（２０）との間に接着材
（２６）を介在して、ウエハ（１０）と回路基板（２
０）とを熱圧着することを特徴とする。

【００２３】請求項８に記載の発明では、請求項６にお
いて、絶縁基板部（２２）を熱可塑性樹脂により形成
し、ウエハ（１０）と回路基板（２０）とを熱圧着する
ことにより、ウエハ（１０）と回路基板（２０）との間
を絶縁基板部（２２）の熱可塑性樹脂にて直接接着する
ことを特徴とする。

【００２４】請求項９に記載の発明では、絶縁基板部
（２２）を熱可塑性樹脂により形成し、絶縁基板部（２
２）上に、配線パターン部（２５）のうち、バンプ（２
７）の形成部位以外の部分を被覆する熱可塑性樹脂被覆
層（２２ａ）を形成し、ウエハ（１０）と回路基板（２
０）とを熱圧着することによりウエハ（１０）と回路基
板（２０）との間を熱可塑性樹脂被覆層（２２ａ）にて
直接接着することを特徴とする。

【００２５】上記した請求項７〜９は、請求項３〜５に
対応するパッケージ方法であって、それぞれ各請求項３
〜５の作用効果を発揮するパッケージ構造を提供でき
る。

【００２６】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。

【００２７】

【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１は第１実施
形態による半導体チップのパッケージ方法の概要を示
し、図２は第１実施形態に用いるウエハ１０と回路基板
２０の平面図であり、円板状の外形を有するウエハ１０
には格子状に多数のチップ形成領域１１が形成され、ま
た、同じく円板状の外形を有する回路基板２０にはこの
チップ形成領域１１に対応する配線パターン形成領域２
１が格子状に多数形成される。なお、図１は図２のチッ
プ形成領域１１の１個分および配線パターン形成領域２
１の１個分をそれぞれ拡大図示している。

【００２８】ウエハ１０は、周知のようにシリコン基板
の各チップ形成領域１１にそれぞれチップ回路パターン
を形成し、このチップ回路パターンの電極部表面に、ア
ルミニュウム製の電極パッド１２を形成している。この
アルミニュウム製の電極パッド１２は周知の蒸着法等に
より形成される。

【００２９】図１において、ａ１〜ａ２はウエハ１０側
の処理工程であり、ａ１は上記電極パッド１２の形成後
に絶縁被膜１３を形成した状態を示しており、絶縁被膜
１３の材質としては耐熱性に優れたポリイミド系の樹脂
が好適である。ａ２は、電極パッド１２の形成部位にお
ける絶縁被膜１３をレーザー穴開け法等により除去して
電極パッド１２を外部へ露出させた状態を示している。

【００３０】一方、ｂ１〜ｂ４は回路基板２０側の処理
工程であり、ｂ１は樹脂製の絶縁基板部２２に導体箔２
３を熱圧着する工程であり、導体箔２３は具体的にはＣ
ｕ箔である。なお、絶縁基板部２２の材質は、本例で
は、耐熱性、寸法精度等に優れた樹脂として熱硬化性の
ポリイミド系樹脂を用いているので、導体箔２３の熱圧
着はポリイミド系樹脂が熱硬化する前に行う。

【００３１】ｂ２は導体箔２３にエッチング処理を施し
て導体箔２３に導体除去部２４を形成して配線パターン
部２５を形成する工程である。次に、ｂ３は絶縁基板部
２２のうち、配線パターン部２５側の表面に接着材シー
ト２６を熱圧着により貼り付ける。ここで、接着材シー
ト２６は熱可塑性のポリイミド系樹脂であり、その融点
は例えば、３８０℃程度であり、絶縁基板部２２を構成
する熱硬化性ポリイミド系樹脂の分解点（例えば、４５
０℃程度）より十分低い。

【００３２】ｂ４は配線パターン部２５の電極部にＡｕ
バンプ２７を形成する工程であって、先ず。接着材シー
ト２６のうち、配線パターン部２５の電極部となる所定
部位にレーザー穴開け法等を施して、当該部位の接着材
シート２６を除去し、当該部位の配線パターン部２５表
面を外部へ露出させる。次に、この配線パターン部２５
の露出面上にＡｕバンプ２７を形成する。

【００３３】ここで、Ａｕバンプ２７は、ウエハ１０側
の電極パッド１２との電気接続を行うための突起形状で
あって、より具体的には、立方体状の突起形状であり、
立方体の一辺の長さを２０μｍ程度の微小寸法に設定す
る。Ａｕバンプ２７をこのような微小寸法のバンプ（マ
イクロバンプ）として構成することにより、ウエハ側の
電極パッド１２が微細なピッチ（例えば、５０μｍ程
度）であっても、Ａｕバンプ２７を電極パッド１２に問
題なく電気接続できる。

【００３４】Ａｕバンプ２７の形成方法は、具体的には
次の３つの方法を使用できる。第１は電気メッキ法であ
り、これは複数箇所のＡｕバンプ２７を容易に同時形成
できるので、生産性が高く、実用的である。電気メッキ
法以外の方法としては、Ａｕペーストを印刷法により所
定の複数箇所に供給して、複数箇所のＡｕバンプ２７を
同時形成するようにしてもよい。さらには、ワイヤボン
ド法によりＡｕバンプ２７を１個ずつ形成してもよい。

【００３５】次に、ｃ１、ｃ２はウエハ１０と回路基板
２０との接着、パッケージ工程であり、工程ｃ１では、
ウエハ１０側の電極パッド１２上に回路基板２０側のＡ
ｕバンプ２７が位置するように、ウエハ１０と回路基板
２０とを位置あわせして、ウエハ１０と回路基板２０と
を積層する。更に、ウエハ１０のうち、電極パッド１２
を形成しない裏面側に、接着材シート２８を介して反り
防止用の樹脂板材２９を積層する。なお、接着材シート
２８は接着材シート２６と同材質であり、また、樹脂板
材２９は絶縁基板部２２と同材質である。

【００３６】上記積層後に、ウエハ１０と回路基板２０
と樹脂板材２９との三者を熱圧着により接着固定する。
ｃ１はこの三者を熱圧着した後の状態を示している。こ
の熱圧着工程をより具体的に説明すると、この熱圧着工
程は、略真空の低圧室内にて上記積層状態の三者を所定
温度に加熱し、この加熱状態にてプレス圧を三者間に印
加して、三者間を接着固定する。

【００３７】このとき、回路基板２０側のＡｕバンプ２
７がウエハ１０側のアルミニュウム製の電極パッド１２
上に強く圧着されて、Ａｕバンプ２７と電極パッド１２
間を電気接続できる。特に、Ａｕは圧着相手がアルミニ
ュウム材であっても、圧着接合部の抵抗を十分僅少値に
抑制できるので、バンプ２７と電極パッド１２間を直
接、良好に電気接続できる。そして、この電気接続によ
って、ウエハ１０側の電極パッド１２の微細なピッチを
回路基板２０によるラフなレベル（プリント基板レベ
ル）に再配列できる。

【００３８】上記熱圧着工程の加熱温度は、絶縁基板部
２２（樹脂板材２９）および接着材シート２６、２８の
材質により変動するが、通常、２００℃〜３００℃程度
の範囲となる。プレス圧も上記材質により変動するが、
通常、２０〜１００ｋｇ／ｃｍ² 程度の範囲である。

【００３９】次に、ｃ２は、回路基板２０の配線パター
ン部２５に、外部接続用の露出部２５ａを形成するレー
ザー穴開け工程であり、回路基板２０の絶縁基板部２２
において、配線パターン部２５を形成してない面（ｃ
１、ｃ２の工程図の上側面）が電子部品（図示せず）を
搭載する実装面３０となる。そこで、この実装面３０に
おいて配線パターン部２５の対応部位にレーザー穴開け
加工を行って、配線パターン部２５の外部露出用の穴３
１を形成し、外部接続用の露出部２５ａを形成する。

【００４０】この露出部２５ａは実装面３０に搭載され
る電子部品、あるいは外部回路との電気接続部として利
用する。なお、露出部２５ａと電子部品等との電気接続
を容易化するために、実装面３０上へ突き出すはんだボ
ール３１ａ（２点鎖線部分）を予め穴３１に設けるよう
にしてもよい。

【００４１】なお、ウエハ１０を構成するシリコン基板
の線膨張係数は、回路基板２０の樹脂製の絶縁基板部２
２の線膨張係数より大幅に小さい。そのため、ウエハ１
０の片面側のみに回路基板２０を接着すると、ウエハ１
０と回路基板２０との間の膨張収縮量の差異が原因とな
って、ウエハ１０の反りが発生しやすい。そこで、本実
施形態では、ウエハ１０の片面に回路基板２０を、他の
片面に樹脂板材２９を接着し、回路基板２０の膨張収縮
による力と、樹脂板材２９の膨張収縮による力とを相殺
して、ウエハ１０の反りを防止できるようにしている。

【００４２】ところで、上記ｃ１、ｃ２の工程を終える
ことにより、ウエハ１０に形成された複数個分の半導体
チップ形成領域１１の各電極パッド１２の再配列を回路
基板２０により一括して行うことができる。つまり、ウ
エハレベルでチップサイズパッケージ構造を製作するこ
とができる。

【００４３】その後、図２に示すウエハ１０のチップ形
成領域１１および回路基板２０の配線パターン形成領域
２１を区画する格子状の区画ラインに沿って周知のダイ
シング技術により、ウエハ１０と回路基板２０との一体
構造体を分割することにより、チップサイズパッケージ
構造を持つ個々の半導体チップを得ることができる。

【００４４】（第２実施形態）第１実施形態では、回路
基板２０の片面側（ウエハ１０との接着側の面）のみに
配線パターン部２５を形成する場合について説明した
が、第２実施形態は回路基板２０の両面に配線パターン
部２５を形成するものであり、そのため、第２実施形態
は図３に示すように回路基板２０側の処理工程（ｄ１〜
ｄ６）が第１実施形態に対して異なっている。

【００４５】図３のｄ１は樹脂製の絶縁基板部２２にレ
ーザー穴開け加工をして、複数の貫通穴３２を設ける工
程である。次に、ｄ２はこの貫通穴３２に導体（具体的
にはＣｕ）ペーストを埋め込み、導体連結部３３を形成
する工程である。次に、ｄ３は絶縁基板部２２の両面
に、導体（具体的にはＣｕ）箔２３、２３ａを熱圧着す
る工程である。なお、絶縁基板部２２の材質は、第１実
施形態と同様に、熱硬化性のポリイミド系樹脂を用いて
おり、導体箔２３の熱圧着は樹脂材料の熱硬化前に行
う。

【００４６】次に、ｄ４は両面の導体箔２３、２３ａに
エッチング処理を施して導体箔２３、２３ａに導体除去
部２４、２４ａを形成して配線パターン部２５、２５ｂ
を形成する工程である。ここで、片側の配線パターン部
２５はウエハ１０側と電気接続されるもので、他の片側
の配線パターン部２５ｂは、回路基板２０に搭載される
電子部品、外部回路等との電気接続に使用される。

【００４７】次に、ｄ５は絶縁基板部２２のうち、配線
パターン部２５側の表面に接着材シート２６を貼り付け
る工程である。ここで、接着材シート２６は第１実施形
態と同様に、熱可塑性のポリイミド系樹脂である。

【００４８】次に、ｄ６は配線パターン部２５の電極部
にＡｕバンプ２７を形成する工程であって、その形成方
法、形状等は全て第１実施形態と同じでよい。

【００４９】次に、ｅ１はウエハ１０と回路基板２０と
の接着、パッケージ工程であり、工程ｅ１では、ウエハ
１０側の電極パッド１２上に回路基板２０側のＡｕバン
プ２７が位置するように、ウエハ１０と回路基板２０と
を位置あわせして、ウエハ１０と回路基板２０とを積層
する。更に、ウエハ１０のうち、電極パッド１２を形成
しない裏面側に、接着材シート２８を介して反り防止用
の樹脂板材２９を積層する。この積層後に、ウエハ１０
と回路基板２０と樹脂板材２９との三者を熱圧着により
接着固定する。ｅ１はこの三者を熱圧着した後の状態を
示している。

【００５０】第２実施形態によると、回路基板２０の一
面側の配線パターン部２５に形成したＡｕバンプ２７を
ウエハ１０側のアルミニュウム製電極パッド１２に電気
接続するとともに、回路基板２０の他面側の配線パター
ン部２５ｂを用いて、回路基板２０の実装面３０に搭載
される電子部品、あるいは外部回路等との電気接続を容
易に行うことができる。

【００５１】（第３実施形態）第１、第２実施形態で
は、絶縁基板部２２の材質として熱硬化性のポリイミド
系樹脂を用いているので、絶縁基板部２２とウエハ１０
との熱圧着、および樹脂板材２９とウエハ１０との熱圧
着に際して、接着材シート２６、２８を介在し、この接
着材シート２６、２８の融点以上に加熱して、絶縁基板
部２２とウエハ１０との間および樹脂板材２９とウエハ
１０との間を接着しているが、第３実施形態では、絶縁
基板部２２の材質として耐熱性及び寸法精度に優れた熱
可塑性樹脂を用いる。

【００５２】このような熱可塑性樹脂の具体例としては
ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）とポリエーテ
ルイミド（ＰＥＩ）との混合物を使用できる。

【００５３】熱可塑性樹脂の場合には、そのガラス転移
温度（Ｔｇ）以上で、融点以下の温度に加熱すると、絶
縁基板部２２（樹脂板材２９）のヤング率（弾性係数）
が低下して絶縁基板部２２（樹脂板材２９）が変形しや
すくなる。しかも、これと同時に、プレス圧力を加える
ことにより、ウエハ１０と回路基板２０との間、および
ウエハ１０と樹脂板材２９との間の隙間を埋めるように
熱可塑性樹脂が変形し、これらの部材間が密着する。

【００５４】更に、上記の熱圧着状態では、熱可塑性樹
脂からなる絶縁基板部２２および樹脂板材２９の表面が
軟化して、それ自身で接着作用を発揮して、ウエハ１０
と回路基板２０との間、およびウエハ１０と樹脂板材２
９との間を接着固定する。

【００５５】図４は第３実施形態を例示するものであ
り、図４（ａ）は第１実施形態のように導体箔２３を片
面貼りして、片面のみに配線パターン部２５を形成した
場合である。また、図４（ｂ）は第２実施形態のように
導体箔２３．２３ａを両面貼りして、両面に配線パター
ン部２５、２５ｂを形成した場合であり、何れも、熱可
塑性樹脂からなる絶縁基板部２２および樹脂板材２９を
それ自身の接着作用で直接、ウエハ１０側に接着してい
る。

【００５６】従って、第３実施形態によると、接着材シ
ート２６、２８を廃止できる。回路基板２０側のＡｕバ
ンプ２７とウエハ１０側のアルミニュウム製電極パッド
１２との電気接続部は、絶縁基板部２２表面の熱変形に
よる接着部により封止される。

【００５７】（第４実施形態）第４実施形態は第３実施
形態と同様に、絶縁基板部２２の材質として熱可塑性樹
脂を用いる場合であり、図５は第１実施形態のように導
体箔２３を片面貼りした場合の例であり、エッチングに
よる配線パターン部２５の形成工程（ｂ２）の次に、絶
縁基板部２２のうち、配線パターン部２５側の面を全面
的に被覆するように、熱可塑性樹脂シート材２２ａを熱
圧着する（工程ｂ３’）。ここで、熱可塑性樹脂シート
材２２ａは、絶縁基板部２２を構成する熱可塑性樹脂と
同一材質である。

【００５８】次の工程ｂ４にて、配線パターン部２５上
の所定部位にレーザー穴開け加工をして、配線パターン
部２５の露出部を形成し、この露出部にＡｕバンプ２７
を形成する。

【００５９】第４実施形態によると、熱可塑性樹脂シー
ト材２２ａがウエハ１０との接着作用、およびＡｕバン
プ２７の電気接続部の樹脂封止作用を発揮するととも
に、Ａｕバンプ２７の電気接続部以外の部分は配線パタ
ーン部２５を全面的に被覆する。そのため、ウエハ１０
側の絶縁皮膜１３を廃止しても、ウエハ１０側（チップ
形成領域１１）の回路部と、配線パターン部２５との間
を良好に電気絶縁できる。

【００６０】なお、第４実施形態は第２実施形態のよう
に導体箔２３を両面貼りする場合にも、同様に適用でき
ることはもちろんである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態よるパッケージ方法を説
明する断面図である。

【図２】（ａ）は第１実施形態のウエハの平面図、
（ｂ）は回路基板の平面図である。

【図３】第２実施形態よるパッケージ方法を説明する断
面図である。

【図４】第３実施形態よるパッケージ構造の断面図であ
る。

【図５】第４実施形態よるパッケージ方法を説明する断
面図である。

【符号の説明】

１０…ウエハ、１１…半導体チップ形成領域、１２…電
極パッド、２０…回路基板、２１…配線パターン形成領
域、２２…絶縁基板部、２５…配線パターン部、２６…
接着剤シート、２７…バンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沼澤 成男 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 中村 克己 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハ（１０）に形成された複数個分の
   半導体チップ形成領域（１１）にアルミニュウム製の電
   極パッド（１２）を設け、この電極パッド（１２）の再
   配列を回路基板（２０）により一括して行う半導体チッ
   プのパッケージ構造であって、 前記回路基板（２０）は、樹脂製の絶縁基板部（２２）
   と、この樹脂製の絶縁基板部（２２）上に形成された配
   線パターン部（２５）と、この配線パターン部（２５）
   に前記電極パッド（１２）に対応して形成されたバンプ
   （２７）とを有し、 前記バンプ（２７）は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ
   のうちから選ばれた１つの材料からなり、 前記ウエハ（１０）に前記回路基板（２０）を積層して
   熱圧着することにより、前記バンプ（２７）と前記アル
   ミニュウム製電極パッド（１２）との間を電気接続する
   とともに、前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２０）
   との間を接着固定することを特徴とする半導体チップの
   パッケージ構造。
2. 【請求項２】 前記バンプ（２７）はＡｕからなり、前
   記配線パターン部（２５）にメッキにより形成されてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップのパ
   ッケージ構造。
3. 【請求項３】 前記絶縁基板部（２２）は熱硬化性樹脂
   からなり、前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２０）
   との間に接着材（２６）を介在して、前記ウエハ（１
   ０）と前記回路基板（２０）とを熱圧着することを特徴
   とする請求項１または２に記載の半導体チップのパッケ
   ージ構造。
4. 【請求項４】 前記絶縁基板部（２２）は熱可塑性樹脂
   からなり、前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２０）
   とを熱圧着することにより、前記ウエハ（１０）と前記
   回路基板（２０）との間を前記絶縁基板部（２２）の熱
   可塑性樹脂にて直接接着することを特徴とする請求項１
   または２に記載の半導体チップのパッケージ構造。
5. 【請求項５】 前記絶縁基板部（２２）は熱可塑性樹脂
   からなり、前記絶縁基板部（２２）上に、前記配線パタ
   ーン部（２５）のうち、前記バンプ（２７）の形成部位
   以外の部分を被覆する熱可塑性樹脂被覆層（２２ａ）を
   設け、 前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２０）とを熱圧着
   することにより前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２
   ０）との間を前記熱可塑性樹脂被覆層（２２ａ）にて直
   接接着することを特徴とする請求項１または２に記載の
   半導体チップのパッケージ構造。
6. 【請求項６】 ウエハ（１０）に、複数個分の半導体チ
   ップ形成領域（１１）を形成するとともに、この半導体
   チップ形成領域（１１）にアルミニュウム製の電極パッ
   ド（１２）を形成する工程と、 回路基板（２０）の樹脂製絶縁基板部（２２）上に配線
   パターン部（２５）を形成し、この配線パターン部（２
   ５）に、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄのうちから選ば
   れた１つの材料からなるバンプ（２７）を前記電極パッ
   ド（１２）に対応して形成する工程と、 前記ウエハ（１０）に前記回路基板（２０）を積層して
   熱圧着することにより、前記バンプ（２７）と前記アル
   ミニュウム製電極パッド（１２）との間を電気接続する
   とともに、前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２０）
   との間を接着固定する工程とを備えることを特徴とする
   半導体チップのパッケージ方法。
7. 【請求項７】 前記絶縁基板部（２２）を熱硬化性樹脂
   により形成し、前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２
   ０）との間に接着材（２６）を介在して、前記ウエハ
   （１０）と前記回路基板（２０）とを熱圧着することを
   特徴とする請求項６に記載の半導体チップのパッケーパ
   方法。
8. 【請求項８】 前記絶縁基板部（２２）を熱可塑性樹脂
   により形成し、前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２
   ０）とを熱圧着することにより、前記ウエハ（１０）と
   前記回路基板（２０）との間を前記絶縁基板部（２２）
   の熱可塑性樹脂にて直接接着することを特徴とする請求
   項６に記載の半導体チップのパッケージ方法。
9. 【請求項９】 前記絶縁基板部（２２）を熱可塑性樹脂
   により形成し、前記絶縁基板部（２２）上に、前記配線
   パターン部（２５）のうち、前記バンプ（２７）の形成
   部位以外の部分を被覆する熱可塑性樹脂被覆層（２２
   ａ）を形成し、 前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２０）とを熱圧着
   することにより前記ウエハ（１０）と前記回路基板（２
   ０）との間を前記熱可塑性樹脂被覆層（２２ａ）にて直
   接接着することを特徴とする請求項６に記載の半導体チ
   ップのパッケージ方法。