WO2013018700A1 - 弾性波装置を有する電子部品 - Google Patents

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WO2013018700A1
WO2013018700A1 PCT/JP2012/069147 JP2012069147W WO2013018700A1 WO 2013018700 A1 WO2013018700 A1 WO 2013018700A1 JP 2012069147 W JP2012069147 W JP 2012069147W WO 2013018700 A1 WO2013018700 A1 WO 2013018700A1
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和幸 岩村
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京セラ株式会社
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    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component having an acoustic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device.
  • SAW surface acoustic wave
  • a so-called wafer level package acoustic wave device is known (for example, Patent Document 1).
  • the acoustic wave device of Patent Document 1 is an element substrate made of a piezoelectric body, an excitation electrode provided on the main surface of the element substrate, a cover that covers the excitation electrode, and an electrode that is connected to the excitation electrode and exposed from the upper surface of the cover. Terminal.
  • the acoustic wave device is arranged with the top surface of the cover facing the mounting surface of the mounting substrate, and the terminals and the pads on the mounting surface are connected by solder.
  • the elastic wave device is covered and sealed with a sealing resin.
  • the elastic wave device uses an elastic wave (mechanical vibration), and therefore has a feature that is not available in a device that handles only electrical signals.
  • the deformation of the element substrate affects the frequency of the elastic wave propagating through the element substrate, which leads to a significant decrease in the reliability of the elastic wave device.
  • the cover of Patent Document 1 forms a space on the excitation electrode, in other words, the thickness is changed, and the amount of thermal expansion is locally different. Therefore, it is preferable that the sealing resin is also suitable in consideration of such circumstances. That is, it is desirable to provide an electronic component in which the acoustic wave device is suitably sealed.
  • An elastic wave device includes a mounting substrate having a mounting surface, an elastic wave device mounted on the mounting surface, and covering the elastic wave device and between the elastic wave device and the mounting surface.
  • the elastic wave device has an element substrate, an excitation electrode provided on a main surface of the element substrate, and a cover that covers the excitation electrode, Mounted on the mounting surface with the top surface of the cover facing the mounting surface, the sealing portion includes a resin and an insulating filler having a lower coefficient of thermal expansion than the resin, containing the filler The rate is different between a region including at least a part of a region between the cover and the mounting surface and another region.
  • An electronic component includes a mounting substrate having a mounting surface, an elastic wave device mounted on the mounting surface, and covering the elastic wave device and between the elastic wave device and the mounting surface.
  • the elastic wave device has an element substrate, an excitation electrode provided on a main surface of the element substrate, and a cover that covers the excitation electrode,
  • the cover is mounted on the mounting surface with the top surface facing the mounting surface, and the sealing portion includes a resin and an insulating filler having a lower coefficient of thermal expansion than the resin, and the cover and the The filler having a particle size larger than the particle size of the filler distributed in the region including at least a part of the region between the mounting surface is distributed in other regions.
  • the acoustic wave device can be suitably sealed.
  • FIG. 1 is a perspective view of a SAW device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an enlarged view of region IV in FIG. 3.
  • 5 (a) to 5 (d) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of FIG. 6 (a) to 6 (c) are sectional views showing a continuation of FIG. 5 (d).
  • FIG. 8A and FIG. 8B are enlarged cross-sectional views showing modifications of the SAW device.
  • FIG. 9A and FIG. 9B are enlarged sectional views showing modifications of the SAW device.
  • FIG. 10A and FIG. 10B are perspective views showing modifications of the SAW device.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a SAW device 1 according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a part of the SAW device 1 in a cutaway manner.
  • the SAW device 1 may have either direction upward or downward, but in the following embodiment, for convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the positive side in the z direction (see FIG. It is assumed that words such as an upper surface and a lower surface are used for the cover 9 and the like, with the upper side of the sheet of FIG.
  • the SAW device 1 is a so-called wafer level package (WLP) type SAW device.
  • the SAW device 1 is connected to the element substrate 3, the excitation electrode 5 (FIG. 2) provided on the first main surface 3a of the element substrate 3, and the first electrode 3a. It has a pad 7, a cover 9 (FIG. 1) that covers the excitation electrode 5 and exposes the pad 7, and a back surface portion 11 provided on the second main surface 3 b of the element substrate 3.
  • WLP wafer level package
  • the SAW device 1 receives a signal through any of the plurality of pads 7.
  • the input signal is filtered by the excitation electrode 5 or the like. Then, the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of pads 7.
  • the specific configuration of each member is as follows.
  • the element substrate 3 is composed of a piezoelectric substrate.
  • the element substrate 3 is configured by a single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal.
  • the element substrate 3 is formed in a rectangular parallelepiped shape, for example, and has a first main surface 3a and a second main surface 3b which are rectangular and parallel to each other and are flat.
  • the size of the element substrate 3 may be set as appropriate.
  • the thickness (z direction) is 0.2 mm to 0.5 mm
  • the length of one side (x direction or y direction) is 0.5 mm. ⁇ 2 mm.
  • the excitation electrode 5 is formed in a layered (flat plate) shape on the first main surface 3a.
  • the excitation electrode 5 is a so-called IDT (Interdigital Transducer) and has a pair of comb-like electrodes 13.
  • Each comb-like electrode 13 includes a bus bar 13a extending in the propagation direction of surface acoustic waves (x direction in the present embodiment) on the element substrate 3, and a direction perpendicular to the propagation direction from the bus bar 13a (y direction in the present embodiment). And a plurality of electrode fingers 13b extending in the direction.
  • the two comb-like electrodes 13 are provided so that the electrode fingers 13b are engaged with each other (intersect).
  • FIG. 2 is a schematic diagram, two pairs of comb-like electrodes 13 having several electrode fingers 13b are shown. Actually, a plurality of pairs of comb-like electrodes 13 having a larger number of electrode fingers may be provided. Further, a ladder-type SAW filter in which a plurality of excitation electrodes 5 are connected by a system such as series connection or parallel connection may be configured, or a dual mode SAW resonator in which a plurality of excitation electrodes 5 are arranged in the x direction. A filter may be configured.
  • the pad 7 is formed in layers on the first main surface 3a.
  • the planar shape of the pad 7 may be set as appropriate, but is circular, for example.
  • the number and arrangement positions of the pads 7 are appropriately set according to the configuration of the filter constituted by the excitation electrodes 5. In this embodiment, the case where the six pads 7 are arranged along the outer periphery of the 1st main surface 3a is illustrated.
  • wiring 15 for connection between the excitation electrodes 5, connection between the excitation electrode 5 and the pad 7, or connection between the pads 7 Is provided.
  • the wiring 15 is formed in layers on the first main surface 3a.
  • the wiring 15 may have not only a part formed on the 1st main surface 3a but the part which carries out the three-dimensional intersection in the state which interposed the insulator with respect to the said part.
  • the excitation electrode 5, the pad 7, and the wiring 15 are made of, for example, the same conductive material.
  • the conductive material is an Al alloy such as an Al—Cu alloy.
  • the excitation electrode 5, the pad 7 and the wiring 15 are formed with the same thickness, for example, and these thicknesses are, for example, 100 to 300 nm.
  • the pad 7 may have a connection reinforcing layer for the purpose of improving the connectivity with the bump (see FIG. 3) in addition to the layer having the same material and thickness as the excitation electrode 5.
  • the pad 7 may have a nickel layer overlaid on an Al—Cu alloy layer and a gold layer overlaid on the nickel layer.
  • the cover 9 is provided on the first main surface 3a, and overlaps the frame portion 17 (first layer, FIGS. 1 and 2) surrounding the excitation electrode 5 in a plan view of the first main surface 3a. And a lid portion 19 (second layer, FIG. 1) that closes the opening of the frame portion 17.
  • a vibration space 21 (FIG. 2) that facilitates vibration of the excitation electrode 5 is formed by the space surrounded by the first main surface 3 a (strictly speaking, a protective layer 25 described later), the frame portion 17, and the lid portion 19. Has been.
  • the frame portion 17 is configured by forming one or more (two in the present embodiment) openings to be the vibration space 21 in a layer having a substantially constant thickness.
  • the thickness of the frame portion 17 (the height of the vibration space 21) is, for example, several ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the lid portion 19 is composed of a layer having a substantially constant thickness. The thickness of the lid portion 19 is, for example, several ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the planar shape of the inner and outer edges of the frame portion 17 and the planar shape of the lid portion 19 may be set as appropriate.
  • the frame portion 17 (outer edge) and the lid portion 19 are substantially rectangular so that the area of the vibration space 21 can be ensured while avoiding the pads 7 positioned on the four corners of the vibration space 21.
  • 7 is a shape in which a notch is formed at a position 7.
  • the outer edge of the lid part 19 is positioned at least partially (in the present embodiment as a whole) on the inner side of the outer edge of the frame part 17. That is, the planar shape of the lid portion 19 is formed smaller than the planar shape of the outer edge of the frame portion 17. Therefore, the outer peripheral side of the upper surface of the frame portion 17 is exposed from the lid portion 19.
  • the cover 9 is positioned on the outer periphery of the first top surface 9a (FIG. 1) and the first top surface 9a, and the height from the first main surface 3a is lower than the first top surface 9a. It has a top surface 9b (FIG. 1).
  • the outer edge of the frame part 17 and the cover part 19 have a similar shape, and the second top surface 9b is provided over the entire circumference of the cover 9 with a certain width.
  • the frame portion 17 and the lid portion 19 may be formed of the same material, or may be formed of different materials. In the present application, for convenience of explanation, a boundary line between the frame portion 17 and the lid portion 19 is also clearly shown in a sectional view (FIG. 3 and the like). However, in an actual product, the frame portion 17 and the lid portion 19 are made of the same material. May be formed integrally.
  • the cover 9 (frame portion 17 and lid portion 19) is made of a photosensitive resin.
  • the photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acryl group or a methacryl group.
  • the back surface portion 11 includes, for example, a back electrode that covers substantially the entire second main surface 3b of the element substrate 3 and an insulating protective layer that covers the back electrode.
  • the charge charged on the surface of the element substrate 3 due to a temperature change or the like is discharged by the back electrode. Damage to the element substrate 3 is suppressed by the protective layer.
  • illustration and description of the back surface part 11 may be omitted.
  • a protective layer 25 (see FIG. 6C) that covers the excitation electrode 5 and the like is provided on the first main surface 3 a of the element substrate 3. ing.
  • the protective layer 25 contributes to preventing the excitation electrode 5 from being oxidized.
  • the protective layer 25 is made of, for example, silicon oxide (such as SiO 2 ), aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon nitride, or silicon.
  • the thickness of the protective layer 25 is, for example, about 1/10 (10 to 30 nm) of the thickness of the excitation electrode 5 or 200 nm to 700 nm, which is thicker than the excitation electrode 5.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of the electronic component 51 on which the SAW device 1 is mounted, and corresponds to line III-III in FIG.
  • the electronic component 51 includes a mounting substrate 53, a pad 55 provided on the mounting surface 53a of the mounting substrate 53, a bump 57 disposed on the pad 55, and a SAW mounted on the mounting surface 53a via the bump 57.
  • the apparatus 1 and the sealing part 59 which seals the SAW apparatus 1 are provided.
  • the electronic component 51 is, for example, an electronic device such as an IC mounted on the mounting surface 53 a and connected to the SAW device 1 via the mounting substrate 53 and sealed together with the SAW device 1 by the sealing portion 59. It has an element and constitutes a module. However, electronic elements other than the SAW device 1 may not be mounted on the mounting surface 53a.
  • the mounting board 53 may simply mediate between the SAW device 1 and another circuit board, and the area of the mounting surface 53a may be equivalent to that of the SAW device 1.
  • the mounting substrate 53 is constituted by, for example, a printed wiring board together with the pad 55 or together with the pad 55 and the bump 57.
  • the printed wiring board may be a rigid board or a flexible board.
  • the printed wiring board may be a single-layer board, a two-layer board, or a multilayer board.
  • the base material, insulating material, and conductive material of the printed wiring board may be selected from appropriate materials.
  • the bump 57 is formed of a metal that is melted by heating and bonded to the pad 7.
  • the bump 57 is made of, for example, solder.
  • the solder may be a solder using lead such as Pb—Sn alloy solder, or lead-free solder such as Au—Sn alloy solder, Au—Ge alloy solder, Sn—Ag alloy solder, Sn—Cu alloy solder, etc. It may be.
  • the bump 57 may be formed of a conductive adhesive.
  • the SAW device 1 is disposed with the top surface of the cover 9 facing the mounting surface 53a.
  • the bumps 57 are bonded to the pads 7 to be mounted on the mounting surface 53a.
  • the total thickness of the pad 55, the bump 57, and the pad 7 is larger than the thickness of the cover 9, and a gap is formed between the top surface (first top surface 9a) of the cover 9 and the mounting surface 53a.
  • the size of the gap is, for example, 10 to 20 ⁇ m.
  • the sealing part 59 is mainly composed of, for example, an epoxy resin, a curing material, and a filler.
  • the sealing portion 59 covers the SAW device 1 from the side of the back surface portion 11 and from the side, and is filled between the SAW device 1 and the mounting substrate 53.
  • FIG. 4 is an enlarged view of region IV in FIG.
  • the sealing portion 59 includes a resin 61 and fillers 63S, 63M, and 63L (hereinafter, S, M, and L may be omitted) mixed in the resin 61.
  • Resin 61 is, for example, an epoxy resin.
  • the filler 63 is composed of insulating particles having a lower coefficient of thermal expansion than the resin 61.
  • the material for the insulating particles include silica, alumina, phenol, polyethylene, glass fiber, and graphite.
  • an inorganic material for example, silica
  • the filler 63 preferably has a curved surface, and more preferably, the filler 63 is spherical.
  • the fillers 63S, 63M, and 63L are different only in size. Specifically, when the particle sizes of the fillers 63S, 63M, and 63L are D S , D M, and D L , respectively, D S ⁇ D M ⁇ D L.
  • an enlarged cross-sectional image including a predetermined number (for example, several tens) of fillers 63 is obtained by imaging the polished surface or fractured surface of the sealing portion 59 using a field emission electron microscope or the like. And it is obtained by measuring the maximum diameter of the filler 63 in the image.
  • the sizes of the fillers 63S, 63M, and 63L may be compared by a cross-sectional area or a volume instead of the particle diameter.
  • Particle size D S when the distance between the mounting surface 53a and the first top surface 9a and S 1, a D S ⁇ S 1, preferably less than 2/3 of the distance S 1, or, preferably, the distance it is less than half of the S 1. For example, if the distance S 1 is 18 ⁇ m, the particle size D S is less than 18 ⁇ m, preferably less than 12 ⁇ m, or preferably less than 9 ⁇ m.
  • the lower limit of the particle diameter D S is, for example, 0.5 [mu] m.
  • Particle size D M when the distance between the mounting surface 53a and the second top surface 9b and S 2, a D M ⁇ S 2.
  • the particle size D M to the extent not causing contradiction to the conditions of D S ⁇ D M, preferably less than 2/3 of the distance S 2, or less than preferably half the distance S 2. For example, if the distance S 2 is 48 ⁇ m, the particle size D S is less than 48 ⁇ m, preferably less than 32 ⁇ m, or preferably less than 24 ⁇ m.
  • the particle size D M is equal to or more than half of the S 1, preferably the distance S 1 2 / it is 3 or more, or, preferably a distance S 1 or more.
  • the distance S 1 is 18 [mu] m
  • the particle diameter D M is at 9 .mu.m or more (grain size D S less than 9 .mu.m), is preferably 12 [mu] m or more (grain size D S less than 12 [mu] m), or, preferably 18 ⁇ m or more.
  • Particle size D L for example, when the distance between the mounting surface 53a and the first main surface 3a of the element substrate 3 (strictly on the surface of the protective layer 25) and S 3, a D L ⁇ S 3.
  • the particle diameter D L is preferably less than 2/3 of the distance S 3 or preferably less than half of the distance S 3 within a range that does not contradict the condition of D M ⁇ D L.
  • the distance S 3 is a 78 .mu.m
  • particle size D L is less than 78 .mu.m, preferably less than 52 .mu.m, or preferably less than 39 .mu.m
  • particle size D M for example less than 24 [mu] m).
  • the particle size D L is equal to or more than half of the S 2, preferably a distance S 2 2/3 or more There, or, preferably the distance S 2 or more.
  • the distance S 2 is 48 [mu] m
  • the particle diameter D L is greater than or equal to 24 [mu] m
  • particle size D M is less than 24 [mu] m
  • grain size D M is less than 32 [mu] m
  • the content ratio (volume ratio) of the filler 63 (63S) in the area AR1 the content ratio of the filler 63 (63S and 63M) in the area AR2, and the content ratio of the filler 63 (63S, 63M and 63L) in the area AR3.
  • P1 ⁇ P2 ⁇ P3 is satisfied, for example, the content rate P1 is 10 to 50%, the content rate P2 is 30 to 70%, and the content rate P3 is 50 to 90%.
  • the content rate of the filler 63 is obtained by, for example, imaging the polished surface or fractured surface of the sealing portion 59 using a field emission electron microscope, measuring the area ratio of the filler 63 from the cross-sectional image, and determining the area ratio. Is obtained by averaging over multiple cross sections.
  • FIG. 5 (a) to 6 (c) are cross-sectional views (corresponding to the line III-III in FIG. 1) for explaining a method for manufacturing the SAW device 1 and the electronic component 51.
  • FIG. The manufacturing process proceeds in order from FIG. 5 (a) to FIG. 6 (c).
  • FIGS. 5A to 6A corresponding to the method for manufacturing the SAW device 1 is realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the mother substrate that becomes the element substrate 3 by being divided, and then a large number of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing.
  • FIGS. 5A to 6A only a portion corresponding to one SAW device 1 is shown.
  • a common code may be used before and after the change.
  • the excitation electrode 5, the pad 7 and the wiring 15 are formed on the first main surface 3a of the element substrate 3.
  • a metal layer is formed on the first main surface 3a by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the metal layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus.
  • the excitation electrode 5, the wiring 15 and the pad 7 are formed by patterning.
  • a protective layer 25 is formed as shown in FIG. Specifically, first, a thin film to be the protective layer 25 is formed by an appropriate thin film forming method.
  • the thin film forming method is, for example, a sputtering method or CVD.
  • a part of the thin film is removed by a photolithography method or the like so that the pad 7 is exposed. Thereby, the protective layer 25 is formed.
  • a thin film made of a photosensitive resin, which becomes the frame portion 17, is formed.
  • the thin film is formed, for example, by attaching a film.
  • the film has, for example, a base film 31 and a resin layer that is stacked on the base film 31 and becomes the frame portion 17, and after the resin layer is brought into close contact with the protective layer 25, as indicated by an arrow y1, The base film 31 is peeled off.
  • the thin film that becomes the frame portion 17 may be formed by a thin film forming method similar to that for the protective layer 25.
  • the thin film to be the frame portion 17 is formed, as shown in FIG. 5D, a part of the thin film is removed by a photolithography method or the like, and the opening and the pad 7 constituting the vibration space 21 are exposed. Notches to be formed are formed. The thin film is also removed with a constant width on the dicing line. In this way, the frame portion 17 is formed.
  • the process of peeling the base film 31 may be performed after photolithography.
  • a lid portion 19 is formed as shown in FIG.
  • the method for forming the lid portion 19 is substantially the same as the method for forming the frame portion 17. Specifically, first, a thin film made of a photosensitive resin to be the lid portion 19 is formed. The thin film is formed, for example, by attaching a film similarly to the frame portion 17. The thin film is patterned by removing the outer peripheral portion by photolithography or the like.
  • the SAW device 1 is cut out from the wafer and mounted on the mounting substrate 53 as shown in FIG.
  • bumps 57 are provided on the pads 7 of the SAW element 1, and pads 55 are provided on the mounting surface 53 a of the mounting substrate 53.
  • the bump 57 is formed by, for example, a vapor deposition method, a plating method, or a printing method, and is formed in a substantially spherical or hemispherical shape due to the influence of surface tension or the like.
  • the bump 57 may be formed before the SAW device 1 is cut out, or may be formed after the cut out.
  • the SAW device 1 is arranged with the top surface (the first top surface 9a and the second top surface 9b) of the cover 9 facing the mounting surface 53a.
  • the bump 57 contacts the pad 55 and supports the SAW device 1. Thereafter, the SAW device 1 and the mounting substrate 53 are temporarily heated by passing through a reflow furnace or the like, and the bumps 57 and the pads 55 are fixed by melting and solidifying the bumps 57.
  • the SAW device 1 is covered with a material to be the sealing portion 59 (a molten resin 61 including the filler 63).
  • the material to be the sealing portion 59 is supplied around the SAW device 1 by, for example, a transfer molding method or a printing method.
  • the sealing portion 59 supplied to the periphery of the SAW device 1 flows between the SAW device 1 and the mounting surface 53a by the applied pressure, as indicated by an arrow y3.
  • the resin 61 is solidified, the electronic component 51 is manufactured as shown in FIG.
  • the fillers 63S, 63M, and 63L also flow into the area AR3.
  • the fillers 63S and 63M flow into the area AR2, and only the filler 63S flows into the area AR1. That is, when the resin 61 flows into the regions AR3, AR2, and AR1 that are sequentially narrowed, the resin 61 is in a state of being filtered, and the distribution of the fillers 63S, 63M, and 63L described with reference to FIG. 4 is realized. Is done.
  • the absolute condition that only the filler 63S flows into the area AR1 is D S ⁇ S 1 ⁇ D M ( ⁇ D S ), but actually, it is generally less than 2/3 of the distance S 1 or Only filler 63 having a particle size of less than half flows into area AR1. This is considered to be due to the increase in fluid resistance of the resin 61 accompanying the narrowing of the gap.
  • the electronic component 51 includes the mounting substrate 53 having the mounting surface 53a, the SAW device 1 mounted on the mounting surface 53a, the SAW device 1 and the SAW device 1 between the mounting surface 53a. And a sealed sealing portion 59.
  • the SAW device 1 includes an element substrate 3, an excitation electrode 5 provided on the first main surface 3 a of the element substrate 3, and a cover 9 that covers the excitation electrode 5.
  • the SAW device 1 is mounted on the mounting surface 53a with the top surface (9a, 9b) of the cover 9 facing the mounting surface 53a.
  • the sealing portion 59 includes a resin 61 and an insulating filler 63 having a thermal expansion coefficient lower than that of the resin 61.
  • the content ratio of the filler 63 is different between a region (for example, the region AR1) including at least a part of a region between the cover 9 and the mounting surface 53a and other regions (for example, AR2 and AR3).
  • the coefficient of thermal expansion of the sealing portion 59 can be controlled according to the position of the SAW device 1.
  • the thermal expansion coefficient of the sealing portion 59 can be locally adjusted, and deformation of the SAW device 1 can be suppressed as a whole.
  • the first main surface 3a of the element substrate 3 is exposed on the outer periphery of the cover 9, and the content of the filler 63 is between the cover 9 and the mounting surface 53a (regions AR1 and AR2). It is higher between the first main surface 3a and the mounting surface 53a (region AR3).
  • the sealing portion 59 has a coefficient of thermal expansion that approaches the coefficient of thermal expansion (generally relatively high) of the cover 9 in a region that overlaps the cover 9, and the element substrate 3 in a region that does not overlap the cover 9. Or the thermal expansion coefficient of the mounting substrate 53 (generally relatively low).
  • thermal stress relaxation improvement of adhesion strength
  • thermal stress relaxation between the cover 9 and the sealing portion 59 in the xy plane direction
  • thermal stress relaxation between the element substrate 3 and the sealing portion 59 in the xy plane direction.
  • Coexistence with (adhesion strength improvement) is achieved.
  • the crack of the cover 9 resulting from the thermal stress in the xy plane direction is suppressed.
  • the filler 63L having a particle size (D L ) larger than the maximum particle size (D M ) of the filler 63 distributed between the cover 9 and the mounting surface 53a is the first main surface 3a and the mounting surface. 53a.
  • the cover 9 includes a first top surface 9a that faces the mounting surface 53a, and a second top surface 9b that faces the mounting surface 53a and is farther away from the mounting surface 53a than the first top surface 9a.
  • the content of the filler 63 is higher between the second top surface 9b and the mounting surface 53a (region AR2) than between the first top surface 9a and the mounting surface 53a (region AR1).
  • the stress difference in the xy plane direction between the sealing portion 59 and the first top surface 9a is alleviated.
  • the thermal expansion coefficient of the sealing portion 59 is reduced, and the sealing portion 59 is mounted. Separation from the surface 53a can be suppressed.
  • the cover 9 includes a frame portion 17 that surrounds the excitation electrode 5 in a plan view of the first main surface 3a, and a lid portion 19 that is superimposed on the frame portion 17 so as to close the opening of the frame portion 17.
  • the first top surface 9 a is constituted by the top surface of the lid portion 19
  • the second top surface 9 b is constituted by a portion of the top surface of the frame portion 17 that is exposed from the lid portion 19.
  • the thermal expansion in the z direction of the cover 9 generates a force that presses the first main surface 3a by the frame portion 17.
  • the amount of thermal expansion in the z direction of the cover 9 is such that the portion where the frame portion 17 and the lid portion 19 overlap (the portion surrounding the vibration space 21 in plan view) is the portion where only the lid portion 19 is present (the portion on the vibration space 21). Larger than). Accordingly, the first main surface 3a is pressed on the outer peripheral side of the functional surface (the surface on which the elastic wave vibrates), and the functional surface is deformed. The deformation affects the SAW frequency and the like.
  • the first top surface 9 a and the second top surface 9 b can be simply configured using the frame portion 17 and the lid portion 19.
  • the second top surface 9 b is configured by a portion of the top surface of the frame portion 17 that is exposed from the outer peripheral side of the lid portion 19.
  • the moment causing the bending deformation of the functional surface increases as the pressing force on the outer peripheral side increases. Therefore, it is possible to effectively suppress the deformation of the functional surface by reducing the coefficient of thermal expansion at the outer periphery of the lid. If attention is paid to the manufacturing process, since the second top surface 9 b is formed on the outer peripheral side, a method of filtering the resin 61 and adjusting the content of the filler 63 can be used.
  • the filler 63M having a particle size (D M ) larger than the maximum particle size (D S ) of the filler 63S distributed between the first top surface 9a and the mounting surface 53a (region AR1) is the first. 2 distributed between the top surface 9b and the mounting surface 53a (region AR2).
  • the manufacturing method of the embodiment can be used when the particle size of the filler 63 is larger than the area AR1. . That is, the content of the filler 63 can be adjusted by filtering the resin 61.
  • the electronic component 51 of the present embodiment includes a mounting substrate 53 having a mounting surface 53a, a SAW device 1 mounted on the mounting surface 53a, the SAW device 1 and the SAW device 1 and the mounting surface 53a. And a sealing portion 59 filled in between.
  • the SAW device 1 includes an element substrate 3, an excitation electrode 5 provided on the first main surface 3 a of the element substrate 3, and a cover 9 that covers the excitation electrode 5.
  • the SAW device 1 is mounted on the mounting surface 53a with the top surface (9a, 9b) of the cover 9 facing the mounting surface 53a.
  • the sealing portion 59 includes a resin 61 and an insulating filler 63 having a thermal expansion coefficient lower than that of the resin 61.
  • the filler 63 having a particle size larger than the particle size of the filler 63 distributed in a region (for example, the region AR1) including at least a part of the region between the cover 9 and the mounting surface 53a is another region (for example, the region AR3).
  • the pinning effect can be effectively exhibited on the outer peripheral side of the cover 9 where cracks are likely to occur. If attention is paid to the manufacturing process, the content of the filler 63 can be controlled by filtering the resin 61.
  • the present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various modes.
  • the elastic wave device is not limited to a SAW device.
  • the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator or a boundary acoustic wave device (however, included in a broad sense SAW device).
  • the boundary acoustic wave device no gap (vibration space) is required on the excitation electrode.
  • the cover does not need to have a frame part and a cover part, and may be formed only from one layer.
  • the protective layer and the cover may be combined.
  • the protective layer and the back surface portion are not essential requirements and may be omitted.
  • the elastic wave device has a conductive layer positioned between the frame portion and the lid portion, a metallic reinforcing layer superimposed on the top surface of the cover (but may be regarded as a part of the cover), etc. Appropriate layers may be added.
  • the pad on the element substrate and the pad on the mounting substrate are not connected by bumps, but a columnar terminal penetrating the cover is provided on the pad on the element substrate, and the columnar terminal and the pad on the mounting substrate are provided. May be connected by a bump.
  • the relative relationship between the outer edges of the element substrate, the frame portion, and the lid portion may be set as appropriate, and regions where the filler contents or particle sizes are different from each other may be set as appropriate. An example is shown in FIGS.
  • the first main surface 3 a of the element substrate 3 is not exposed from the cover 9, and the cover 9 has only the first top surface 9 a constituted by the lid portion 19, and the second top surface 9 b The case where it does not have is illustrated.
  • the filler 63S In the area AR1 between the first top surface 9a and the mounting surface 53a, only the filler 63S is distributed, and in the outer area AR4, the filler 63S is distributed and the fillers 63L and / or 63M (63L in FIG. 7). Only shown) is distributed. Moreover, the content rate of the filler 63 is higher in the area AR4 than in the area AR1.
  • the first main surface 3a of the element substrate 3 is exposed from the cover 9, but the cover 9 has only the first top surface 9a constituted by the lid portion 19. And the case where it does not have the 2nd top surface 9b is illustrated.
  • FIG. 8A only the filler 63S is distributed in the area AR1 between the first top surface 9a and the mounting surface 53a, and the filler 63S is distributed and the filler 63M and / or the filler 63S in the outer area AR5.
  • 63L (only 63L is illustrated in FIG. 8A) is distributed.
  • the content rate of the filler 63 is higher in the area AR5 than in the area AR1.
  • FIG. 8B only the filler 63S is distributed in the region AR1 between the first top surface 9a and the mounting surface 53a, and in the region AR6 between the first main surface 3a and the mounting surface 53a, The filler 63S is distributed and the fillers 63M and / or 63L (only 63L is shown in FIG. 8A) is distributed.
  • the filler 63S and the fillers 63M and / or 63L (FIG. 8 ( In a), only 63L is shown) and filler 63LL is distributed.
  • the content of the filler 63 is higher in the area AR6 than in the area AR1, and higher in the area AR7 than in the area AR6.
  • the filler 63LL has a particle size D LL that satisfies D LL > D L.
  • Particle size D LL, to the extent not causing contradiction to the conditions of D LL> D L, not less than half of the distance S 3, is preferably the distance S 3 2/3 or more, or preferably the distance S 3 That's it.
  • particle size D LL is at least 39 .mu.m (particle size D L is less than 39 .mu.m), is preferably 52 .mu.m or more (grain size D L is less than 52 .mu.m), or, preferably 78 ⁇ m or more.
  • the upper limit value of the filler 63LL is, for example, about half of the total thickness of the SAW device 1, and is 300 ⁇ m as an example.
  • only the fillers 63S and 63LL may be mixed in the resin 61, only the filler 63S may be distributed in the areas AR1 and AR6, and the fillers 63S and 63LL may be distributed in the area AR7. .
  • FIG. 9 (a) and 9 (b) differ from the embodiment only in the particle size of the filler 63 contained in the resin 61.
  • FIG. 9 (a) and 9 (b) differ from the embodiment only in the particle size of the filler 63 contained in the resin 61.
  • FIG. 9A only the filler 63S is distributed in the area AR1 between the first top surface 9a and the mounting surface 53a, and the filler 63S is distributed and the filler 63M is distributed in the outer area AR8. is doing. That is, the filler 63L is not distributed, and the distribution of the filler 63 is different in the region between the first main surface 3a and the mounting surface 53a and the region between the second top surface 9b and the mounting surface 53a. There is no. In addition, the content rate of the filler 63 is higher in the area AR8 than in the area AR1.
  • FIG. 9B only the filler 63S is distributed in the area AR1 between the first top surface 9a and the mounting surface 53a, and the fillers 63S and 63M are distributed in the outer area AR9.
  • the outer area AR7 fillers 63S, 63M, and 63LL are distributed. That is, there is no difference in the distribution of the filler 63 in the region between the first main surface 3a and the mounting surface 53a and the region between the second top surface 9b and the mounting surface 53a, but these regions (AR9 ) And the outer area AR7, the distribution of the filler 63 is different.
  • the content rate of the filler 63 is higher in the area AR9 than in the area AR1, and higher in the area AR7 than in the area AR9.
  • only the fillers 63S and 63LL may be mixed in the resin 61, only the filler 63S may be distributed in the areas AR1 and AR9, and the fillers 63S and 63LL may be distributed in the area AR7. . 9A and 9B, only the fillers 63S and 63L are mixed into the resin 61, and the filler 63 is the same as that in FIG. 8A regardless of the presence of the second top surface 9b. It may be a distribution. Further, only the fillers 63S, 63L, and 63LL may be mixed in the resin 61, and the distribution of the filler 63 similar to that in FIG. 8B may be obtained regardless of the presence of the second top surface 9b.
  • planar shape of the outer edge of the frame portion and the planar shape of the lid portion are similar shapes, but these may not be similar shapes. Examples of covers whose plane shapes are not similar are shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b).
  • the frame portion 117 has an outer edge formed in a rectangular shape, and an opening 117h for exposing the pad 7 is formed.
  • an opening (not shown) that is closed by the lid portion 119 is formed to form the vibration space 21, as in the frame portion 17 of FIG. 2.
  • the planar shape of the lid portion 119 is a shape in which a notch 119h that exposes the opening 117h is formed in the same rectangle as the outer edge of the frame portion 117.
  • the first top surface 109a is configured by the top surface of the lid portion 119, and the second top surface 109b is configured by a portion exposed from the notch 119h in the top surface of the frame portion 117.
  • the frame portion 117 is the same as that shown in FIG. 10 (a).
  • the lid portion 219 is provided so as to be similar to the vibration space 21 for each vibration space 21 (not shown) covered with the lid portion 219.
  • One cover 209 is configured by one frame portion 117 and two lid portions 219. Note that the two lid portions 219 may be regarded as one lid portion, and conversely, the frame portion 117 is regarded as being divided by an appropriate virtual line, and the cover is regarded as being provided for each vibration space 21. Also good.
  • the first top surface 209 a is configured by the top surface of the lid portion 219, and the second top surface 209 b is configured by the portion exposed from the lid portion 219 of the top surface of the frame portion 117.
  • the region where the filler content is high coincides with the region where the filler having a large particle size is included, but these may not be the same.
  • region with high content rate of a filler does not need to correspond with the area
  • the adjustment of the filler content or particle size is not limited to the filtration of the resin containing the filler using the change in the size of the gap. For example, by sequentially supplying a resin having a different filler content or a resin having a different filler particle size around the acoustic wave device, the content or particle size can be changed at an appropriate position.
  • the manufacturing method of the elastic wave device is not limited to the one exemplified in the embodiment.
  • the SAW device may be mounted on a mother board on which a large number of mounting boards are taken.
  • the SAW device may be mounted on the mother board of the mounting board after being cut out from a mother board on which a large number of SAW devices are taken, or before being cut out. May be implemented.
  • the bumps may be formed on the mounting substrate instead of the SAW device.
  • the bump may be formed before the mounting substrate is cut from the mother substrate of the mounting substrate as long as the SAW device is not mounted on the mounting substrate. However, it may be formed after being cut out.
  • the material (resin and filler) that becomes the sealing portion may be supplied after the mother board of the mounting board is cut. And may be supplied before being cut.
  • the material to be the sealing portion is supplied after the mother board of the mounting substrate is cut together with the mother board of the SAW device. Alternatively, it may be supplied after only the mother board of the SAW device is cut (before the mother board of the mounting board is cut).
  • a cover that does not require a vibration space it is not necessary to form the frame portion and the lid portion separately, and the entire cover may be integrally formed by a single photolithography or the like.
  • a sacrificial layer is formed in a region that becomes the vibration space, and then a resin layer that serves as a cover is formed on the sacrificial layer, and the sacrificial layer is dissolved and discharged from the resin layer. May be formed.
  • SYMBOLS 1 SAW apparatus (elastic wave apparatus), 3 ... Element board

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Abstract

　電子部品５１は、実装面５３ａを有する実装基板５３と、実装面５３ａに実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を覆うとともにＳＡＷ装置１と実装面５３ａとの間に充填された封止部５９と、を有する。ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａに設けられた励振電極５と、励振電極５を覆うカバー９と、を有する。また、ＳＡＷ装置１は、カバー９の天面（９ａ、９ｂ）を実装面５３ａに対向させて実装面５３ａに実装されている。封止部５９は、樹脂６１と、樹脂６１よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラー６３と、を含む。フィラー６３の含有率は、カバー９と実装面５３ａとの間の領域の少なくとも一部を含む領域（例えば領域ＡＲ１）と、他の領域（例えばＡＲ２及びＡＲ３）とにおいて異なっている。

Description

弾性波装置を有する電子部品
　本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置等の弾性波装置を有する電子部品に関する。
　いわゆるウェハレベルパッケージの弾性波装置が知られている（例えば特許文献１）。特許文献１の弾性波装置は、圧電体からなる素子基板と、素子基板の主面に設けられた励振電極と、励振電極を覆うカバーと、励振電極に接続されるとともにカバーの上面から露出する端子とを有している。弾性波装置は、カバーの天面を実装基板の実装面に対向させて配置され、端子と、実装面のパッドとが半田により接続される。そして、弾性波装置は、封止樹脂によって覆われて封止される。
国際公開第２００９／０５７６９９号
　弾性波装置は、弾性波（機械的振動）を利用することから、電気信号のみを扱う装置にない特徴を有している。例えば、素子基板の変形は素子基板を伝搬する弾性波の周波数に影響を及ぼし、ひいては、弾性波装置の信頼性低下を著しく招く。また、特許文献１のカバーは、励振電極上に空間を形成しており、換言すれば、厚みが変化しており、熱膨張量が局部的に異なる。従って、封止樹脂についても、そのような事情を考慮可能な好適なものとされることが好ましい。すなわち、弾性波装置が好適に封止された電子部品が提供されることが望ましい。
　本発明の一態様に係る弾性波素子は、実装面を有する実装基板と、前記実装面に実装された弾性波装置と、前記弾性波装置を覆うとともに前記弾性波装置と前記実装面との間に充填された封止部と、を有し、前記弾性波装置は、素子基板と、前記素子基板の主面に設けられた励振電極と、前記励振電極を覆うカバーと、を有し、前記カバーの天面を前記実装面に対向させて前記実装面に実装され、前記封止部は、樹脂と、前記樹脂よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラーと、を含み、前記フィラーの含有率は、前記カバーと前記実装面との間の領域の少なくとも一部を含む領域と、他の領域とにおいて異なっている。
　本発明の他の態様に係る電子部品は、実装面を有する実装基板と、前記実装面に実装された弾性波装置と、前記弾性波装置を覆うとともに前記弾性波装置と前記実装面との間に充填された封止部と、を有し、前記弾性波装置は、素子基板と、前記素子基板の主面に設けられた励振電極と、前記励振電極を覆うカバーと、を有し、前記カバーの天面を前記実装面に対向させて前記実装面に実装され、前記封止部は、樹脂と、前記樹脂よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラーと、を含み、前記カバーと前記実装面との間の領域の少なくとも一部を含む領域に分布するフィラーの粒径よりも大きい粒径のフィラーが他の領域において分布している。
　上記の構成によれば、弾性波装置を好適に封止できる。
図１は本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置の斜視図。 図１のＳＡＷ装置の一部を破断して示す斜視図。 図１のIII－III線における断面図。 図３の領域IVの拡大図。 図５（ａ）～図５（ｄ）は図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図。 図６（ａ）～図６（ｃ）は図５（ｄ）の続きを示す断面図。 ＳＡＷ装置の変形例を示す拡大断面図。 図８（ａ）及び図８（ｂ）はＳＡＷ装置の変形例を示す拡大断面図。 図９（ａ）及び図９（ｂ）はＳＡＷ装置の変形例を示す拡大断面図。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はＳＡＷ装置の変形例を示す斜視図。
　以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
（ＳＡＷ装置等の構成）
　図１は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。また、図２は、ＳＡＷ装置１の一部を破断して示す斜視図である。
　なお、ＳＡＷ装置１は、いずれの方向が上方又は下方とされてもよいものであるが、以下の実施形態では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側（図１の紙面上方側）を上方として、カバー９等について上面、下面等の語を用いることがあるものとする。
　ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置により構成されている。ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａ上に設けられた励振電極５（図２）と、第１主面３ａ上に設けられ、励振電極５と接続されたパッド７と、励振電極５を覆うとともにパッド７を露出させるカバー９（図１）と、素子基板３の第２主面３ｂに設けられた裏面部１１とを有している。
　ＳＡＷ装置１は、複数のパッド７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極５等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数のパッド７のいずれかを介して出力する。各部材の具体的構成は以下のとおりである。
　素子基板３は、圧電基板により構成されている。具体的には、例えば、素子基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。素子基板３は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な第１主面３ａ及び第２主面３ｂを有している。素子基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（ｚ方向）は０．２ｍｍ～０．５ｍｍであり、１辺の長さ（ｘ方向又はｙ方向）は０．５ｍｍ～２ｍｍである。
　励振電極５は、第１主面３ａ上に層状（平板状）に形成されている。励振電極５は、いわゆるＩＤＴ（Interdigital Transducer）であり、一対の櫛歯状電極１３を有している。各櫛歯状電極１３は、素子基板３における弾性表面波の伝搬方向（本実施形態ではｘ方向）に延びるバスバー１３ａと、バスバー１３ａから上記伝搬方向に直交する方向（本実施形態ではｙ方向）に伸びる複数の電極指１３ｂとを有している。２つの櫛歯状電極１３同士は、それぞれの電極指１３ｂが互いに噛み合う（交差する）ように設けられている。
　なお、図２は模式図であることから、数本の電極指１３ｂを有する２対の櫛歯状電極１３を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極１３が設けられてよい。また、複数の励振電極５が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型ＳＡＷフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極５がｘ方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタが構成されてもよい。
　パッド７は、第１主面３ａ上に層状に形成されている。パッド７の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、円形である。パッド７の数及び配置位置は、励振電極５によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つのパッド７が第１主面３ａの外周に沿って配列されている場合を例示している。
　第１主面３ａ上には、励振電極５及びパッド７の他に、励振電極５同士の接続、励振電極５とパッド７との接続若しくはパッド７同士の接続のための配線１５（図２）が設けられている。配線１５は、第１主面３ａ上に層状に形成されている。なお、配線１５は、第１主面３ａ上に形成された部分だけでなく、当該部分に対して絶縁体を介在させた状態で立体交差する部分を有していてもよい。
　励振電極５、パッド７及び配線１５（の第１主面３ａ上に形成された部分）は、例えば、互いに同一の導電材料によって構成されている。導電材料は、例えばＡｌ－Ｃｕ合金等のＡｌ合金である。また、励振電極５、パッド７及び配線１５は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、１００～３００ｎｍである。
　なお、パッド７は、励振電極５と同一の材料及び厚さの層に加えて、バンプ（図３参照）との接続性を高める等の目的で接続強化層を有していてもよい。例えば、パッド７は、Ａｌ－Ｃｕ合金の層に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とを有していてもよい。
　カバー９は、第１主面３ａ上に設けられ、第１主面３ａの平面視において励振電極５を囲む枠部１７（第１層、図１及び図２）と、枠部１７に重ねられ、枠部１７の開口を塞ぐ蓋部１９（第２層、図１）とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部１７及び蓋部１９により囲まれた空間により、励振電極５の振動を容易化する振動空間２１（図２）が形成されている。
　枠部１７は、概ね一定の厚さの層に振動空間２１となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることにより構成されている。枠部１７の厚さ（振動空間２１の高さ）は、例えば、数μｍ～３０μｍである。蓋部１９は、概ね一定の厚さの層により構成されている。蓋部１９の厚さは、例えば、数μｍ～３０μｍである。
　枠部１７の内縁及び外縁の平面形状及び蓋部１９の平面形状は適宜に設定されてよい。本実施形態では、振動空間２１の４隅側に位置するパッド７を避けつつ振動空間２１の面積を広く確保できるように、枠部１７（の外縁）及び蓋部１９は、概ね矩形において、パッド７の位置に切り欠きが形成された形状とされている。
　蓋部１９の外縁は、少なくとも一部（本実施形態では全体）において枠部１７の外縁よりも内側に位置している。すなわち、蓋部１９の平面形状は、枠部１７の外縁の平面形状よりも小さく形成されている。従って、枠部１７の上面は外周側が蓋部１９から露出している。換言すれば、カバー９は、第１天面９ａ（図１）と、第１天面９ａの外周に位置し、第１天面９ａよりも第１主面３ａからの高さが低い第２天面９ｂ（図１）とを有している。なお、枠部１７の外縁と蓋部１９とは相似形とされ、第２天面９ｂは、一定の幅でカバー９の全周に亘って設けられていることが好ましい。
　枠部１７及び蓋部１９は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、断面図（図３等）においても枠部１７と蓋部１９との境界線を明示するが、現実の製品においては、枠部１７と蓋部１９とは、同一材料により一体的に形成されていてもよい。
　カバー９（枠部１７及び蓋部１９）は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。
　裏面部１１は、特に図示しないが、例えば、素子基板３の第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等により素子基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、素子基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部１１は、図示や説明が省略されることがある。
　この他、図１及び図２では図示を省略しているが、素子基板３の第１主面３ａ上には、励振電極５等を覆う保護層２５（図６（ｃ）参照）が設けられている。保護層２５は、励振電極５の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、又は、シリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０～３０ｎｍ）、又は励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ～７００ｎｍである。
　図３は、ＳＡＷ装置１が実装された電子部品５１の一部を示す断面図であり、図１のIII－III線に対応している。
　電子部品５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面５３ａ上に設けられたパッド５５と、パッド５５上に配置されたバンプ５７と、バンプ５７を介して実装面５３ａに実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を封止する封止部５９とを有している。
　なお、電子部品５１は、例えば、この他に、実装面５３ａに実装されて実装基板５３を介してＳＡＷ装置１と接続され、封止部５９によってＳＡＷ装置１とともに封止されたＩＣ等の電子素子を有し、モジュールを構成している。ただし、実装面５３ａには、ＳＡＷ装置１以外の電子素子が実装されなくてもよい。例えば、実装基板５３は、単にＳＡＷ装置１と他の回路基板とを仲介するものであってもよく、また、実装面５３ａの広さは、ＳＡＷ装置１と同等であってもよい。
　実装基板５３は、例えば、パッド５５とともに、若しくはパッド５５及びバンプ５７とともに、プリント配線板により構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、１層板であってもよいし、２層板であってもよいし、多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料、及び導電材料は適宜な材料から選択されてよい。
　バンプ５７は、加熱によって溶融してパッド７に接着される金属によって形成されている。バンプ５７は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ－Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ－Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ－Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ－Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ－Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ５７は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。
　ＳＡＷ装置１は、カバー９の天面側を実装面５３ａに対向させて配置される。そして、バンプ５７がパッド７に接着されることにより、実装面５３ａに実装される。パッド５５、バンプ５７及びパッド７の合計の厚みは、カバー９の厚みよりも大きく、カバー９の天面（第１天面９ａ）と実装面５３ａとの間には隙間が形成されている。当該隙間の大きさは、例えば１０～２０μｍである。
　封止部５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材及びフィラーを主成分としている。封止部５９は、ＳＡＷ装置１を裏面部１１側及び側方から覆うとともに、ＳＡＷ装置１と実装基板５３との間に充填されている。
　図４は図３の領域IVの拡大図である。
　封止部５９は、樹脂６１と、樹脂６１に混入されたフィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌ（以下、Ｓ、Ｍ及びＬを省略することがある。）とを有している。
　樹脂６１は、例えば、エポキシ樹脂である。フィラー６３は、樹脂６１よりも熱膨張率が低い絶縁性粒子により構成されている。絶縁性粒子の材料としては、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイト等を挙げることができる。好適には、無機材料（例えばシリカ）が用いられる。フィラー６３は、表面が曲面状であることが好ましく、より好ましくは、フィラー６３は球状である。
　フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌは、互いの大きさのみが相違する。具体的には、フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌの粒径をそれぞれＤＳ、ＤＭ及びＤＬとすると、ＤＳ＜ＤＭ＜ＤＬである。
　フィラー６３の粒径は、例えば、封止部５９の研磨面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡等を用いて撮像することにより、フィラー６３を所定数（例えば数十）含む拡大断面画像を取得し、その画像においてフィラー６３の最大径を測定することにより得られる。
　なお、フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌの大きさは、粒径に代えて、断面積若しくは体積によって比較されてもよい。
　また、図４では、フィラー６３の粒径が、段階的（離散的）に変化している場合、換言すれば、粒径ＤＳ、ＤＭ及びＤＬそれぞれが、概ね一定となっている場合を例示しているが、フィラー６３の粒径は連続的に変化していてもよい。
　粒径ＤＳは、第１天面９ａと実装面５３ａとの距離をＳ１とすると、ＤＳ＜Ｓ１であり、好ましくは距離Ｓ１の２／３未満であり、又は、好ましくは距離Ｓ１の半分未満である。例えば、距離Ｓ１が１８μｍであれば、粒径ＤＳは、１８μｍ未満であり、好ましくは１２μｍ未満であり、又は、好ましくは９μｍ未満である。なお、粒径ＤＳの下限値は、例えば、０．５μｍである。
　粒径ＤＭは、第２天面９ｂと実装面５３ａとの距離をＳ２とすると、ＤＭ＜Ｓ２である。また、粒径ＤＭは、ＤＳ＜ＤＭの条件に矛盾を生じない範囲において、好ましくは距離Ｓ２の２／３未満であり、又は、好ましくは距離Ｓ２の半分未満である。例えば、距離Ｓ２が４８μｍであれば、粒径ＤＳは、４８μｍ未満であり、好ましくは３２μｍ未満であり、又は、好ましくは２４μｍ未満である。
　また、粒径ＤＭは、上記の上限に係る条件及びＤＳ＜ＤＭ＜ＤＬの条件に矛盾を生じない範囲において、距離Ｓ１の半分以上であり、好ましくは距離Ｓ１の２／３以上であり、又は、好ましくは距離Ｓ１以上である。例えば、距離Ｓ１が１８μｍであれば、粒径ＤＭは９μｍ以上であり（粒径ＤＳは９μｍ未満）、好ましくは１２μｍ以上であり（粒径ＤＳは１２μｍ未満）、又は、好ましくは１８μｍ以上である。
　粒径ＤＬは、例えば、素子基板３の第１主面３ａ（厳密には保護層２５の表面）と実装面５３ａとの距離をＳ３とすると、ＤＬ＜Ｓ３である。また、粒径ＤＬは、ＤＭ＜ＤＬの条件に矛盾を生じない範囲において、好ましくは距離Ｓ３の２／３未満であり、又は、好ましくは距離Ｓ３の半分未満である。例えば、距離Ｓ３が７８μｍであれば、粒径ＤＬは、７８μｍ未満であり、好ましくは５２μｍ未満であり、又は、好ましくは３９μｍ未満（粒径ＤＭは例えば２４μｍ未満）である。
　また、粒径ＤＬは、上記の上限に係る条件及びＤＭ＜ＤＬの条件に矛盾を生じない範囲において、距離Ｓ２の半分以上であり、好ましくは距離Ｓ２の２／３以上であり、又は、好ましくは距離Ｓ２以上である。例えば、距離Ｓ２が４８μｍであれば、粒径ＤＬは２４μｍ以上であり（粒径ＤＭは２４μｍ未満）、好ましくは３２μｍ以上であり（粒径ＤＭは３２μｍ未満）、又は、好ましくは４８μｍ以上である。
　第１天面９ａと実装基板５３の実装面５３ａとの間の領域ＡＲ１（隙間の大きさが距離Ｓ１の領域）においては、フィラー６３Ｓのみが分布している。第２天面９ｂと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ２（隙間の大きさが距離Ｓ２の領域）においては、フィラー６３Ｓ及び６３Ｍが分布している。素子基板３の第１主面３ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ３（隙間の大きさが距離Ｓ３の領域）及び素子基板３の側方及び第２主面３ｂ側の領域においては、フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌが分布している。
　また、領域ＡＲ１におけるフィラー６３（６３Ｓ）の含有率（体積率）、領域ＡＲ２におけるフィラー６３（６３Ｓ及び６３Ｍ）の含有率、及び、領域ＡＲ３におけるフィラー６３（６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌ）の含有率をそれぞれ、Ｐ１、Ｐ２及びＰ３とすると、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３となっている。Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３を満たすことを前提として、例えば、含有率Ｐ１は１０～５０％、含有率Ｐ２は３０～７０％、含有率Ｐ３は５０～９０％である。
　なお、フィラー６３の含有率は、例えば、封止部５９の研磨面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡等を用いて撮像し、その断面画像からフィラー６３の面積比率を測定し、その面積比率を複数断面に関して平均することによって得られる。
（ＳＡＷ装置等の製造方法）
　図５（ａ）～図６（ｃ）は、ＳＡＷ装置１及び電子部品５１の製造方法を説明する断面図（図１のIII－III線に対応）である。製造工程は、図５（ａ）から図６（ｃ）まで順に進んでいく。
　ＳＡＷ装置１の製造方法に対応する図５（ａ）～図６（ａ）の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）～図６（ａ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。
　図５（ａ）に示すように、まず、素子基板３の第１主面３ａ上には、励振電極５、パッド７及び配線１５（図５（ａ）では不図示）が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。パターニングにより、励振電極５、配線１５及びパッド７が形成される。
　励振電極５等が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法若しくはＣＶＤである。次に、パッド７が露出するように、フォトリソグラフィー法等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。
　保護層２５が形成されると、図５（ｃ）に示すように、枠部１７となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、フィルムが貼り付けられることによって形成される。フィルムは、例えば、ベースフィルム３１と、ベースフィルム３１に重ねられ、枠部１７となる樹脂層とを有しており、樹脂層を保護層２５に密着させた後、矢印ｙ１によって示すように、ベースフィルム３１が剥がされる。なお、枠部１７となる薄膜は、保護層２５と同様の薄膜形成法によって形成されてもよい。
　枠部１７となる薄膜が形成されると、図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間２１を構成する開口、及び、パッド７を露出させる切り欠きが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部１７が形成される。なお、枠部１７となる薄膜がフィルムの貼り付けによって形成される場合において、ベースフィルム３１を剥がす工程は、フォトリソグラフィーの後に行われてもよい。
　枠部１７が形成されると、図６（ａ）に示すように、蓋部１９が形成される。蓋部１９の形成方法は、概ね枠部１７の形成方法と同様である。具体的には、まず、蓋部１９となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、枠部１７と同様にフィルムの貼り付けによって形成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、外周部分が除去されてパターニングされる。
　蓋部１９が形成されると、図６（ｂ）以降に示すように、ＳＡＷ装置１は、ウェハから切り出され、実装基板５３に実装される。図６（ｂ）に示すように、ＳＡＷ装置１の実装前において、ＳＡＷ素子１のパッド７上にはバンプ５７が設けられ、実装基板５３の実装面５３ａには、パッド５５が設けられている。バンプ５７は、例えば、蒸着法、めっき法若しくは印刷法によって形成され、表面張力の影響等によって概ね球状若しくは半球状に形成されている。なお、バンプ５７は、ＳＡＷ装置１を切り出す前に形成されてもよいし、切り出した後に形成されてもよい。
　そして、ＳＡＷ装置１は、カバー９の天面（第１天面９ａ及び第２天面９ｂ）を実装面５３ａに対向させて配置される。バンプ５７は、パッド５５に当接してＳＡＷ装置１を支持する。その後、ＳＡＷ装置１及び実装基板５３は、リフロー炉に通されることなどによって一時的に加熱され、バンプ５７の溶融及び凝固によってバンプ５７とパッド５５とは固定される。
　その後、図６（ｃ）に示すように、ＳＡＷ装置１は、封止部５９となる材料（フィラー６３を含む溶融状態の樹脂６１）によって覆われる。封止部５９となる材料は、例えばトランスファーモールド法若しくは印刷法によってＳＡＷ装置１の周囲に供給される。ＳＡＷ装置１の周囲に供給された封止部５９は、付与された圧力によって、矢印ｙ３によって示すように、ＳＡＷ装置１と実装面５３ａとの間に流れ込む。そして、樹脂６１が凝固すると、図３に示すように、電子部品５１が製造される。
　溶融状態の樹脂６１がＳＡＷ装置１と実装面５３ａとの間に流れ込む過程において、フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌも、領域ＡＲ３に流れ込んでいく。しかし、領域ＡＲ２には、フィラー６３Ｓ及び６３Ｍのみが流れ込み、さらに、領域ＡＲ１にはフィラー６３Ｓのみが流れ込む。すなわち、樹脂６１は、順に狭くなる領域ＡＲ３、ＡＲ２及びＡＲ１に流れ込む際に、あたかも濾過されているかのような状態となり、図４を参照して説明した、フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３Ｌの分布が実現される。
　なお、例えば、フィラー６３Ｓのみが領域ＡＲ１に流れ込む絶対的な条件は、ＤＳ＜Ｓ１＜ＤＭ（＜ＤＳ）であるが、実際には、概ね、距離Ｓ１の２／３未満若しくは半分未満の粒径のフィラー６３のみが領域ＡＲ１に流れ込む。これは、隙間が狭くなることに伴う樹脂６１の流体抵抗の増加が影響していると考えられる。
　樹脂６１が濾過されつつ領域ＡＲ３、ＡＲ２及びＡＲ１に順に流れ込んでいくと、徐々にフィラー６３の数が減じられ、且つ、減じられるフィラー６３は体積が大きいものであるから、フィラー６３の含有率Ｐ１、Ｐ２及びＰ３は、上述したように、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３となる。
　以上の実施形態では、電子部品５１は、実装面５３ａを有する実装基板５３と、実装面５３ａに実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を覆うとともにＳＡＷ装置１と実装面５３ａとの間に充填された封止部５９と、を有する。ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａに設けられた励振電極５と、励振電極５を覆うカバー９と、を有する。また、ＳＡＷ装置１は、カバー９の天面（９ａ、９ｂ）を実装面５３ａに対向させて実装面５３ａに実装されている。封止部５９は、樹脂６１と、樹脂６１よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラー６３と、を含む。フィラー６３の含有率は、カバー９と実装面５３ａとの間の領域の少なくとも一部を含む領域（例えば領域ＡＲ１）と、他の領域（例えばＡＲ２及びＡＲ３）とにおいて異なっている。
　従って、封止部５９の熱膨張率をＳＡＷ装置１の位置に応じて制御することができる。その結果、例えば、カバー９の形状や熱膨張率を考慮して、封止部５９の熱膨張率を局部的に調整し、全体としてＳＡＷ装置１の変形を抑制することができる。
　また、本実施形態では、素子基板３の第１主面３ａは、カバー９の外周において露出しており、フィラー６３の含有率は、カバー９と実装面５３ａとの間（領域ＡＲ１及びＡＲ２）よりも第１主面３ａと実装面５３ａとの間（領域ＡＲ３）において高くなっている。
　従って、例えば、封止部５９は、その熱膨張率が、カバー９と重なる領域においてはカバー９の熱膨張率（一般に相対的に高い）に近づき、カバー９と重ならない領域においては素子基板３や実装基板５３の熱膨張率（一般に相対的に低い）に近づく。その結果、例えば、カバー９と封止部５９との間のｘｙ平面方向における熱応力の緩和（密着強度向上）と素子基板３等と封止部５９と間のｘｙ平面方向における熱応力の緩和（密着強度向上）との両立が図られる。また、ｘｙ平面方向における熱応力に起因するカバー９のクラックが抑制される。
　また、本実施形態では、カバー９と実装面５３ａとの間に分布するフィラー６３の最大粒径（ＤＭ）よりも大きい粒径（ＤＬ）のフィラー６３Ｌが第１主面３ａと実装面５３ａとの間において分布している。
　従って、相対的に粒径の大きいフィラー６３Ｌのピン止め効果によって領域ＡＲ３におけるクラックが効果的に抑制される。クラックは、応力集中が生じやすい端部から生じるから、カバー９の外周においてクラックの進展が抑制されることにより、カバー９の保護が効果的に図られる。また、カバー９の外周側且つフィラー６３の含有率が高い領域ＡＲ３において、フィラー６３の粒径が大きい場合、実施形態の製造方法を利用することができる。すなわち、樹脂６１を濾過してフィラー６３の含有率を調整することができる。
　また、本実施形態では、カバー９は、実装面５３ａに対向する第１天面９ａと、第１天面９ａよりも実装面５３ａから離間して実装面５３ａに対向する第２天面９ｂと、を有する。フィラー６３の含有率は、第１天面９ａと実装面５３ａとの間（領域ＡＲ１）よりも第２天面９ｂと実装面５３ａとの間（領域ＡＲ２）において高くなっている。
　従って、例えば、封止部５９とカバー９（第１天面９ａ）とが密着しただけの領域ＡＲ１においては封止部５９と第１天面９ａとのｘｙ平面方向における応力差を緩和して密着強度を向上させ、その一方で、封止部５９とカバー９とがｘｙ平面方向において係合している領域ＡＲ２においては封止部５９の熱膨張率を低下させ、封止部５９の実装面５３ａからの剥離を抑制できる。
　また、本実施形態では、カバー９は、第１主面３ａの平面視において励振電極５を囲む枠部１７と、枠部１７の開口を塞ぐように枠部１７に重ねられた蓋部１９と、を有する。第１天面９ａは蓋部１９の天面により構成され、第２天面９ｂは枠部１７の天面のうち蓋部１９から露出する部分により構成されている。
　ここで、カバー９のｚ方向の熱膨張は、枠部１７により第１主面３ａを押圧する力を生じる。また、カバー９のｚ方向の熱膨張量は、枠部１７及び蓋部１９が重なっている部分（平面視において振動空間２１を囲む部分）が蓋部１９のみの部分（振動空間２１上の部分）よりも大きい。従って、第１主面３ａは、機能表面（弾性波が振動する表面）の外周側において押圧され、機能表面の撓み変形が生じる。当該変形は、ＳＡＷの周波数等に影響を及ぼす。しかし、蓋部１９の一部（第２天面９ｂ上の部分）が除去され、更に、封止部５９の第２天面９ｂに重なる部分の熱膨張率が低くされることにより、機能表面の変形が効果的に抑制される。また、製造工程に着目すれば、枠部１７及び蓋部１９を利用して簡便に第１天面９ａ及び第２天面９ｂを構成できる。
　また、本実施形態では、第２天面９ｂは、枠部１７の天面のうち蓋部１９の外周側から露出する部分によって構成されている。
　ここで、機能表面（第１主面３ａ）の撓み変形を招くモーメントは、外周側における押圧力が大きくなるほど大きくなる。従って、蓋部の外周において熱膨張率を低下させることにより、効果的に機能表面の撓み変形を抑制することができる。また、製造工程に着目すれば、外周側に第２天面９ｂが形成されていることにより、樹脂６１を濾過してフィラー６３の含有率を調整する方法を利用することができる。
　また、本実施形態では、第１天面９ａと実装面５３ａとの間（領域ＡＲ１）に分布するフィラー６３Ｓの最大粒径（ＤＳ）よりも大きい粒径（ＤＭ）のフィラー６３Ｍが第２天面９ｂと実装面５３ａとの間（領域ＡＲ２）において分布している。
　従って、相対的に粒径の大きいフィラー６３Ｍのピン止め効果によって領域ＡＲ２におけるクラックが効果的に抑制される。そして、クラックが領域ＡＲ２から領域ＡＲ１側へ進展することが抑制されることにより、カバー９の保護が効果的に図られる。また、第１天面９ａの外周側且つフィラー６３の含有率が領域ＡＲ１よりも高い領域ＡＲ２において、フィラー６３の粒径が領域ＡＲ１よりも大きい場合、実施形態の製造方法を利用することができる。すなわち、樹脂６１を濾過してフィラー６３の含有率を調整することができる。
　別の観点では、本実施形態の電子部品５１は、実装面５３ａを有する実装基板５３と、実装面５３ａに実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を覆うとともにＳＡＷ装置１と実装面５３ａとの間に充填された封止部５９と、を有する。ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａに設けられた励振電極５と、励振電極５を覆うカバー９と、を有する。また、ＳＡＷ装置１は、カバー９の天面（９ａ、９ｂ）を実装面５３ａに対向させて実装面５３ａに実装されている。封止部５９は、樹脂６１と、樹脂６１よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラー６３と、を含む。そして、カバー９と実装面５３ａとの間の領域の少なくとも一部を含む領域（例えば領域ＡＲ１）に分布するフィラー６３の粒径よりも大きい粒径のフィラー６３が他の領域（例えば領域ＡＲ３）において分布している。
　従って、例えば、クラックが生じやすいカバー９の外周側においてピン止め効果を効果的に発揮させることができる。また、製造工程に着目すれば、樹脂６１の濾過によってフィラー６３の含有率を制御することもできる。
　本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
　弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置においては、励振電極上に空隙（振動空間）は不要である。換言すれば、カバーは、枠部と蓋部とを有する必要はなく、１層からのみ形成されてよい。また、弾性境界波装置において、保護層とカバーとは兼用されてよい。
　また、弾性波装置において、保護層及び裏面部は必須の要件ではなく、省略されてもよい。逆に、弾性波装置は、枠部と蓋部との間に位置する導電層、カバーの天面に重ねられた金属性の補強層（ただし、カバーの一部と捉えられてもよい）など、適宜な層が追加されてもよい。また、素子基板上のパッドと実装基板上のパッドとをバンプにより接続するのではなく、素子基板上のパッド上にカバーを貫通する柱状の端子を設け、その柱状の端子と実装基板上のパッドとをバンプにより接続してもよい。
　素子基板、枠部及び蓋部の外縁の相対関係は適宜に設定されてよいし、フィラーの含有率若しくは粒径が互いに相違する領域も適宜に設定されてよい。図７～図９（ｂ）に例を示す。
　図７では、素子基板３の第１主面３ａがカバー９から露出しておらず、また、カバー９が蓋部１９により構成される第１天面９ａのみを有し、第２天面９ｂを有していない場合を例示している。
　第１天面９ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ１においては、フィラー６３Ｓのみが分布し、その外側の領域ＡＲ４においては、フィラー６３Ｓが分布するとともにフィラー６３Ｌ及び／又は６３Ｍ（図７では６３Ｌのみ図示）が分布している。また、フィラー６３の含有率は、領域ＡＲ１よりも領域ＡＲ４において高くなっている。
　図８（ａ）及び図８（ｂ）では、素子基板３の第１主面３ａがカバー９から露出しているが、カバー９は蓋部１９により構成される第１天面９ａのみを有し、第２天面９ｂを有していない場合を例示している。
　図８（ａ）では、第１天面９ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ１においては、フィラー６３Ｓのみが分布し、その外側の領域ＡＲ５においては、フィラー６３Ｓが分布するとともにフィラー６３Ｍ及び／又は６３Ｌ（図８（ａ）では６３Ｌのみ図示）が分布している。また、フィラー６３の含有率は、領域ＡＲ１よりも領域ＡＲ５において高くなっている。
　図８（ｂ）では、第１天面９ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ１においては、フィラー６３Ｓのみが分布し、第１主面３ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ６においては、フィラー６３Ｓが分布するとともにフィラー６３Ｍ及び／又は６３Ｌ（図８（ａ）では６３Ｌのみ図示）が分布し、その外側の領域ＡＲ７においては、フィラー６３Ｓ、並びに、フィラー６３Ｍ及び／又は６３Ｌ（図８（ａ）では６３Ｌのみ図示）が分布するとともに、フィラー６３ＬＬが分布している。また、フィラー６３の含有率は、領域ＡＲ１よりも領域ＡＲ６において高くなり、領域ＡＲ６よりも領域ＡＲ７において高くなっている。
　フィラー６３ＬＬは、その粒径ＤＬＬがＤＬＬ＞ＤＬを満たすものである。粒径ＤＬＬは、ＤＬＬ＞ＤＬの条件に矛盾を生じない範囲において、距離Ｓ３の半分以上であり、好ましくは距離Ｓ３の２／３以上であり、又は、好ましくは距離Ｓ３以上である。例えば、距離Ｓ３が７８μｍであれば、粒径ＤＬＬは３９μｍ以上であり（粒径ＤＬは３９μｍ未満）、好ましくは５２μｍ以上であり（粒径ＤＬは５２μｍ未満）、又は、好ましくは７８μｍ以上である。フィラー６３ＬＬの上限値は、例えば、ＳＡＷ装置１の総厚みの半分程度であり、一例として３００μｍである。
　なお、図８（ｂ）の例において、フィラー６３Ｓ及び６３ＬＬのみが樹脂６１に混入され、領域ＡＲ１及びＡＲ６においてフィラー６３Ｓのみが分布し、領域ＡＲ７においてフィラー６３Ｓ及び６３ＬＬが分布するようにしてもよい。
　図９（ａ）及び図９（ｂ）は、樹脂６１に含まれるフィラー６３の粒径のみが実施形態と相違する。
　図９（ａ）では、第１天面９ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ１においては、フィラー６３Ｓのみが分布し、その外側の領域ＡＲ８においては、フィラー６３Ｓが分布するとともにフィラー６３Ｍが分布している。すなわち、フィラー６３Ｌは分布しておらず、第１主面３ａと実装面５３ａとの間の領域と、第２天面９ｂと実装面５３ａとの間の領域とにおいて、フィラー６３の分布に相違はない。なお、フィラー６３の含有率は、領域ＡＲ１よりも領域ＡＲ８において高くなっている。
　図９（ｂ）では、第１天面９ａと実装面５３ａとの間の領域ＡＲ１においては、フィラー６３Ｓのみが分布し、その外側の領域ＡＲ９においては、フィラー６３Ｓ及び６３Ｍが分布し、更にその外側の領域ＡＲ７においては、フィラー６３Ｓ、６３Ｍ及び６３ＬＬが分布している。すなわち、第１主面３ａと実装面５３ａとの間の領域と、第２天面９ｂと実装面５３ａとの間の領域とにおいて、フィラー６３の分布に相違はないが、これらの領域（ＡＲ９）と、その外側の領域ＡＲ７との間では、フィラー６３の分布が相違する。なお、フィラー６３の含有率は、領域ＡＲ１よりも領域ＡＲ９において高く、領域ＡＲ９よりも領域ＡＲ７において高くなっている。
　なお、図９（ｂ）の例において、フィラー６３Ｓ及び６３ＬＬのみが樹脂６１に混入され、領域ＡＲ１及びＡＲ９においてフィラー６３Ｓのみが分布し、領域ＡＲ７においてフィラー６３Ｓ及び６３ＬＬが分布するようにしてもよい。また、図９（ａ）及び図９（ｂ）の例において、フィラー６３Ｓ及び６３Ｌのみが樹脂６１に混入され、第２天面９ｂの存在に関わらず図８（ａ）と同様のフィラー６３の分布とされてもよい。また、フィラー６３Ｓ、６３Ｌ及び６３ＬＬのみが樹脂６１に混入され、第２天面９ｂの存在に関わらず図８（ｂ）と同様のフィラー６３の分布とされてもよい。
　実施形態では、枠部の外縁の平面形状と蓋部の平面形状とを相似形としたが、これらは相似形とされなくてもよい。これら平面形状が相似形とされないカバーの例を図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す。
　図１０（ａ）のＳＡＷ装置１０１では、枠部１１７は、外縁が矩形に形成されるとともに、パッド７を露出させる開口１１７ｈが形成されている。なお、枠部１１７には、図２の枠部１７と同様に、振動空間２１を構成する開口（蓋部１１９によって塞がれて不図示）が形成されている。また、蓋部１１９の平面形状は、枠部１１７の外縁と同一の矩形において、開口１１７ｈを露出させる切り欠き１１９ｈが形成された形状とされている。そして、蓋部１１９の天面により第１天面１０９ａが構成されるとともに、枠部１１７の天面のうち切り欠き１１９ｈから露出した部分により第２天面１０９ｂが構成されている。
　図１０（ｂ）のＳＡＷ装置２０１では、枠部１１７は、図１０（ａ）に示したものと同様とされている。蓋部２１９は、振動空間２１（蓋部２１９によって塞がれて不図示）毎に、振動空間２１と相似形に形成されて設けられている。そして、１つの枠部１１７と２つの蓋部２１９により、１つのカバー２０９が構成されている。なお、２つの蓋部２１９を一つの蓋部と捉えてもよいし、逆に、枠部１１７を適宜な仮想線により分割して捉え、カバーが振動空間２１毎に設けられていると捉えてもよい。そして、蓋部２１９の天面により第１天面２０９ａが構成されるとともに、枠部１１７の天面のうち蓋部２１９から露出した部分により第２天面２０９ｂが構成されている。
　実施形態では、フィラーの含有率が高い領域と、粒径が大きいフィラーが含まれている領域とが一致したが、これらは一致していなくてもよい。同様に、フィラーの含有率が高い領域と、封止部が充填される隙間が大きい領域とは一致していなくてもよい。換言すれば、フィラーの含有率若しくは粒径の調整は、隙間の大きさの変化を利用してフィラーが含まれた樹脂を濾過することによるものに限定されない。例えば、フィラーの含有率が異なる樹脂若しくはフィラーの粒径が異なる樹脂を順次弾性波装置の周囲に供給することによって、適宜な位置において含有率若しくは粒径を変化させることができる。
　弾性波装置の製造方法は、実施形態において例示したものに限定されない。
　例えば、ＳＡＷ装置は、実装基板が多数個取りされる母基板に対して実装されてもよい。また、この場合において、ＳＡＷ装置は、ＳＡＷ装置が多数個取りされる母基板から切り出された後に、実装基板の母基板に対して実装されてもよいし、切り出される前に実装基板の母基板に対して実装されてもよい。
　また、バンプは、ＳＡＷ装置ではなく、実装基板に形成されてもよい。この場合において、ＳＡＷ装置に形成される場合と同様に、ＳＡＷ装置が実装基板に実装される前である限り、バンプは、実装基板が実装基板の母基板から切り出される前に形成されてもよいし、切り出された後に形成されてもよい。
　また、上記の切り出されたＳＡＷ装置が実装基板の母基板に実装される場合において、封止部となる材料（樹脂及びフィラー）は、実装基板の母基板が切断された後に供給されてもよいし、切断される前に供給されてもよい。また、上記の切り出される前のＳＡＷ装置が実装基板の母基板に実装される場合において、封止部となる材料は、実装基板の母基板がＳＡＷ装置の母基板と共に切断された後に供給されてもよいし、ＳＡＷ装置の母基板のみが切断された後（実装基板の母基板の切断前）に供給されてもよい。
　また、例えば、振動空間が不要なカバーは、枠部と蓋部とを別個に形成する必要はなく、カバー全体が一回のフォトリソグラフィー等により一体的に形成されてよい。また、例えば、振動空間を要するカバーは、振動空間となる領域に犠牲層を形成して、その後、犠牲層上にカバーとなる樹脂層を形成し、樹脂層内から犠牲層を溶解、流出させることにより形成されてもよい。
　１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…素子基板、３ａ…第１主面、５…励振電極、９…カバー、５３…実装基板、５３ａ…実装面、５９…封止部、６１…樹脂、６３…フィラー。

Claims (8)

  1. 　実装面を有する実装基板と、
    　前記実装面に実装された弾性波装置と、
    　前記弾性波装置を覆うとともに前記弾性波装置と前記実装面との間に充填された封止部と、
    　を有し、
    　前記弾性波装置は、
    　　素子基板と、
    　　前記素子基板の主面に設けられた励振電極と、
    　　前記励振電極を覆うカバーと、
    　　を有し、
    　　前記カバーの天面を前記実装面に対向させて前記実装面に実装され、
    　前記封止部は、
    　　樹脂と、
    　　前記樹脂よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラーと、
    　　を含み、
    　前記フィラーの含有率は、前記カバーと前記実装面との間の領域の少なくとも一部を含む領域と、他の領域とにおいて異なっている
    　電子部品。
  2. 　前記素子基板の前記主面は、前記カバーの外周において露出しており、
    　前記フィラーの含有率は、前記カバーと前記実装面との間よりも前記主面と前記実装面との間において高くなっている
    　請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記カバーと前記実装面との間に分布するフィラーの最大粒径よりも大きい粒径のフィラーが前記主面と前記実装面との間において分布している
    　請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記カバーは、
    　　前記実装面に対向する第１天面と、
    　　前記第１天面よりも前記実装面から離間して前記実装面に対向する第２天面と、
    　　を有し、
    　前記フィラーの含有率は、前記第１天面と前記実装面との間よりも前記第２天面と前記実装面との間において高くなっている
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の電子部品。
  5. 　前記カバーは、
    　　前記素子基板の前記主面の平面視において前記励振電極を囲む枠部と、
    　　前記枠部の開口を塞ぐように前記枠部に重ねられた蓋部と、
    　　を有し、
    　前記第１天面は前記蓋部の天面により構成され、前記第２天面は前記枠部の天面のうち前記蓋部から露出する部分により構成されている
    　請求項４に記載の電子部品。
  6. 　前記第２天面は、前記枠部の天面のうち前記蓋部の外周側から露出する部分によって構成されている
    　請求項５に記載の電子部品。
  7. 　前記第１天面と前記実装面との間に分布するフィラーの最大粒径よりも大きい粒径のフィラーが前記第２天面と前記実装面との間において分布している
    　請求項４～６のいずれか１項に記載の電子部品。
  8. 　実装面を有する実装基板と、
    　前記実装面に実装された弾性波装置と、
    　前記弾性波装置を覆うとともに前記弾性波装置と前記実装面との間に充填された封止部と、
    　を有し、
    　前記弾性波装置は、
    　　素子基板と、
    　　前記素子基板の主面に設けられた励振電極と、
    　　前記励振電極を覆うカバーと、
    　　を有し、
    　　前記カバーの天面を前記実装面に対向させて前記実装面に実装され、
    　前記封止部は、
    　　樹脂と、
    　　前記樹脂よりも熱膨張率が低い絶縁性のフィラーと、
    　　を含み、
    　前記カバーと前記実装面との間の領域の少なくとも一部を含む領域に分布するフィラーの粒径よりも大きい粒径のフィラーが他の領域において分布している
    　電子部品。
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