JP2013157720A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】封止樹脂が環状の接合材を通過して対向空間へ流れ込むことを抑制できる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１の表面に設けられた基板環状層１８と、圧電基板１９と、圧電基板１９の表面に設けられ、基板環状層１８に対向する素子環状層２６と、基板環状層１８と素子環状層２６との間に介在してこれらを接合する環状はんだ１０と、これら環状の部材の外周を覆う樹脂部９とを有する。そして、基板環状層１８は、その環状の内側と外側とを連通する途切れ部１８ｓを有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の電子素子を含む電子部品に関する。

支持部材と、該支持部材に表面実装された電子素子との間の対向空間を封止樹脂により密閉した電子部品が知られている。特許文献１では、支持部材と電子素子との間に介在するとともにこれらを接合するはんだを対向空間を囲むように環状に設け、その後に環状のはんだの外周に封止樹脂を供給することにより、封止樹脂が対向空間へ流れ込むことを防止している。

特開２００７−２００７３号公報

しかし、特許文献１のような技術においては、環状のはんだによって支持部材と電子素子とを接合するためにリフローを行ったときに、対向空間の気体が膨張して、溶融状態のはんだに穴が形成されるおそれがある。この場合、その後に封止樹脂を供給すると、封止樹脂が上記の穴を介して対向空間に流れ込んでしまう。

本発明の目的は、封止樹脂が環状の接合材を通過して対向空間へ流れ込むことを抑制できる電子部品を提供することにある。

本発明の一態様に係る電子部品は、第１基体と、該第１基体の表面に設けられた第１環状層と、第２基体と、該第２基体の表面に設けられ、前記第１環状層に対向する第２環状層と、前記第１環状層と前記第２環状層との間に介在してこれらを接合する環状の接合材と、前記第１環状層、前記第２環状層及び前記環状の接合材の外周を覆う封止樹脂と、を有し、前記第１環状層は、その環状の内側と外側とを連通する途切れ部を有する。

好適には、前記接合材は、前記途切れ部と重なる位置においても途切れずに延び、前記途切れ部においては、前記接合材と前記第１基体との間に、前記第１環状層の内側と外側とを連通する空隙が存在する。

好適には、前記接合材は、前記第１基体の前記途切れ部から露出する領域の中央側に当接して前記途切れ部の中央側を塞いでいる。

好適には、前記第１環状層及び前記第２環状層は多角形状に形成されており、前記途切れ部は、前記多角形の角部に位置している。

好適には、前記途切れ部は、環状の外側ほど幅が狭くなっている。

好適には、前記封止樹脂は、平均粒径が前記途切れ部における空隙の最大高さ及び最大幅のうち小さい方の半分以上であるフィラーを含む。

好適には、前記封止樹脂は、最大径が前記途切れ部における空隙の最大高さ及び最大幅のうち小さい方よりも大きいフィラーを含む。

好適には、前記第１基体及び前記第２基体の一方は、圧電基板であり、前記圧電基板の、前記第１環状層、前記第２環状層及び前記接合材に囲まれる領域には、励振電極が設けられている。

上記の構成によれば、封止樹脂が環状の接合材を通過して対向空間へ流れ込むことを抑制できる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の実施形態に係る電子部品の外観を示す斜視図。 図１の電子部品の分解斜視図。 図３（ａ）は図２のIIIａ−IIIａ線に対応する電子部品の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図。 図４（ａ）は基板環状層を示す平面図、図４（ｂ）は素子環状層を示す平面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のIVｃ−IVｃ線に対応する断面図。 図５（ａ）〜図５（ｅ）は図１の電子部品の製造方法を説明するIIIａ−IIIａ線に対応する断面図。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は第２の実施形態に係る電子部品を説明する図４（ａ）〜図４（ｃ）に相当する図。 図７（ａ）〜図７（ｄ）は第１〜第４の変形例に係る図４（ｃ）に相当する断面図。 第５の変形例に係る環状層の途切れ部を示す平面図。 第６の変形例に係る環状層の途切れ部を示す平面図。 第７の変形例に係る電子部品を説明する図４のＸ−Ｘ線に対応する断面図。

以下、本発明の実施形態に係る電子部品について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１の外観を示す上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、電子部品１の外観を示す下面１ｂ側から見た斜視図である。

なお、電子部品１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。

電子部品１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。電子部品１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜数ｍｍである。

電子部品１は、不図示の実装基板に対して下面１ｂを対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがはんだバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、電子部品１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。

なお、複数の外部端子３の数、位置及び役割は、電子部品１内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、４つの外部端子３が下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。

図２は、電子部品１の分解斜視図である。図３（ａ）は、図２のIIIａ−IIIａ線に対応する電子部品１の断面図である。図３（ｂ）は、図２（ａ）の領域IIIｂの拡大図である。なお、実際には、電子部品１は、一部の部材の破断無しには図２のように分解することはできない。

電子部品１は、図２に示すように、大きくは３つの部材を含んでいる。すなわち、電子部品１は、支持部材５と、当該支持部材５上に実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子７を封止する樹脂部９とを有している。

また、電子部品１は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、支持部材５とＳＡＷ素子７との間に、これらの電気的接続を行うためのバンプ８と、製造工程において樹脂部９が支持部材５とＳＡＷ素子７との間に流れ込むことを抑制するための環状はんだ１０とを有している。

支持部材５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基板１１と、絶縁基板１１の上面１１ａに形成された上面導電層１３Ａ（図３（ａ））と、絶縁基板１１の内部に上面１１ａに平行に形成された内部導電層１３Ｂ（図３（ａ））と、絶縁基板１１の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１５（図３（ａ））と、絶縁基板１１の下面１１ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、支持部材５は、内部導電層１３Ｂが設けられないものであってもよい。

絶縁基板１１は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁基板１１は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基板１１は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。

上面導電層１３Ａは、バンプ８が接合される基板パッド１７（図３（ａ）、図３（ｂ））と、環状はんだ１０が接合される基板環状層１８（図３（ａ）、図３（ｂ））とを含んでいる。ビア導体１５及び内部導電層１３Ｂは、基板パッド１７と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ及びビア導体１５は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。

上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ、ビア導体１５及び外部端子３は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。基板パッド１７及び基板環状層１８においては、はんだが好適に接合されるように、ＮｉやＡｕ等のめっきがなされてもよい。基板パッド１７や基板環状層１８の厚みは、例えば、７〜８μｍである。

ＳＡＷ素子７は、圧電基板１９と、圧電基板１９の下面１９ａに設けられた素子導電層２０とを有している。

圧電基板１９は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。圧電基板１９の平面視における大きさは、支持部材５の平面視における大きさよりも小さい。圧電基板１９は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。

素子導電層２０は、ＳＡＷを励起するための励振電極２１（図２）と、バンプ８が接合される素子パッド２５と、環状はんだ１０が接合される素子環状層２６とを有している。なお、ＳＡＷ素子７は、この他、励振電極２１を覆う保護層、圧電基板１９の上面１９ｂを覆う電極及び／又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。

励振電極２１は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、図２に示すように、一対の櫛歯電極２３を含んでいる。各櫛歯電極２３は、バスバー２３ａと、バスバー２３ａから延びる複数の電極指２３ｂとを有しており、一対の櫛歯電極２３は、互いに噛み合うように（複数の電極指２３ｂが互いに交差するように）配置されている。なお、図２等は模式図であることから、複数本の電極指２３ｂを有する櫛歯電極２３が１対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指２３ｂを有する複数対の櫛歯電極２３が設けられていてよい。励振電極２１は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器及び／又はデュプレクサを構成している。

一対の櫛歯電極２３の一方に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて下面１９ａを電極指２３ｂに直交する方向（ｘ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて一対の櫛歯電極２３の他方から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。

素子パッド２５は、下面１９ａに形成された不図示の配線を介して励振電極２１に接続されている。一対の櫛歯電極２３の一方は、複数の素子パッド２５のいずれかを介して信号が入力され、一対の櫛歯電極２３の他方は、複数の素子パッド２５のいずれかを介して信号を出力する。

なお、励振電極２１、素子パッド２５及びこれらを接続する不図示の配線並びに素子環状層２６は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の適宜な金属により構成されている。これらは、同一材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。素子パッド２５及び素子環状層２６は、はんだが好適に接合されるように、ＮｉやＡｕ等のめっきがなされてもよい。素子パッド２５や素子環状層２６の厚みは、例えば、２〜３μｍである。

バンプ８は、素子パッド２５と基板パッド１７との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ８は、例えば、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ８は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。

環状はんだ１０は、基板環状層１８と素子環状層２６との間に介在して、これら環状層を接合している。環状はんだ１０を構成するはんだは、バンプ８と同様に、鉛を用いたはんだであってもよいし、鉛フリーのはんだであってもよい。

支持部材５とＳＡＷ素子７との間にバンプ８及び環状はんだ１０が介在していることにより、絶縁基板１１の上面１１ａと、圧電基板１９の下面１９ａとの間には間隙（対向空間Ｓ、図３（ａ）及び図３（ｂ））が形成されている。これにより、下面１９ａにおけるＳＡＷの伝搬が容易化されている。なお、バンプ８及び環状はんだ１０の厚みは、例えば、３０μｍ程度である。

樹脂部９は、例えば、支持部材５上においてＳＡＷ素子７を覆うように設けられている。すなわち、樹脂部９は、ＳＡＷ素子７の上面１９ｂ及び側面１９ｃ、並びに、支持部材５の上面１１ａのＳＡＷ素子７の外周部分に当接している。また、樹脂部９は、ＳＡＷ素子７の下面１９ａと支持部材５の上面１１ａとの間に入り込み、素子環状層２６、基板環状層１８及び環状はんだ１０の外周面に当接している。樹脂部９の各種部材への当接部分は、少なくとも一部、好ましくは、全部が接着されていることが好ましい。

樹脂部９の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、支持部材５の平面形状と同様であり、樹脂部９の側面は支持部材５の側面と面一になっている。樹脂部９のＳＡＷ素子７上の厚みは、ＳＡＷ素子７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。

樹脂部９は、樹脂を含んで構成されている。当該樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。

図４（ａ）は、基板環状層１８を示す平面図である。図４（ｂ）は、素子環状層２６を示す平面図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）のIVｃ−IVｃ線に対応する環状はんだ１０付近の断面図である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）においては、基板パッド１７や素子パッド２５等の図示は省略している。

基板環状層１８は、複数の基板パッド１７が配置される領域を囲む環状に形成されている。例えば、基板環状層１８は、絶縁基板１１の矩形の外周縁部に沿って概ね矩形状に形成されている。基板環状層１８の幅は、例えば、一定である。

素子環状層２６は、複数の素子パッド２５や励振電極２１が配置される領域を囲む環状に形成されている。素子環状層２６は、例えば、圧電基板１９の矩形の外周縁部に沿って概ね矩形状に形成されている。素子環状層２６の幅は、例えば、一定である。

素子環状層２６及び基板環状層１８は、概ね互いに同一の形状及び径に形成されており、図３（ａ）にも示したように、互いに対向する。なお、素子環状層２６及び基板環状層１８の幅は、互いに同一であってもよいし、一方が他方よりも大きくてもよい。

特に図示しないが、環状はんだ１０は、素子環状層２６及び基板環状層１８の全周に亘ってこれらの間に介在し、素子環状層２６及び基板環状層１８と同様に、励振電極２１等を囲む環状に形成されている。環状はんだ１０の幅は、例えば、素子環状層２６及び基板環状層１８の幅が一定であることに対応して一定である。

そして、素子環状層２６、基板環状層１８、環状はんだ１０、圧電基板１９の下面１９ａ及び絶縁基板１１の上面１１ａに囲まれた領域によって対向空間Ｓが構成されている。

樹脂部９は、環状はんだ１０等によって対向空間Ｓへの充填が阻まれている。対向空間Ｓは、上記の環状はんだ１０や樹脂部９等によって密閉されている。対向空間Ｓ内は、真空となっていてもよいし、空気等の気体が封入されていてもよい。気体が封入されている場合、その圧力は、対向空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。

なお、素子環状層２６、基板環状層１８及び環状はんだ１０は、基準電位に接続されていてもよいし、電気的に浮遊状態とされていてもよい。

基板環状層１８には、その環状の内側と外側とを連通する途切れ部１８ｓ（図４（ａ）、図４（ｃ））が形成されている。途切れ部１８ｓの位置、数、幅ｗ等は適宜に設定されてよい。図４（ａ）では、基板環状層１８の矩形の各辺の中央付近に途切れ部１８ｓが設けられている場合を例示している。途切れ部１８ｓの幅ｗは、例えば、１００μｍ未満である。

環状はんだ１０は、図４（ｃ）に示すように、途切れ部１８ｓと重なる領域においても途切れずに延びている。ただし、環状はんだ１０は、途切れ部１８ｓ内に充填されておらず、環状はんだ１０と絶縁基板１１との間には、対向空間Ｓとその外部とを連通する空隙Ｃが形成されている。本実施形態では、環状はんだ１０の下面は絶縁基板１１の上面１１ａと概ね平行であり、空隙Ｃは、途切れ部１８ｓと同等の幅（ｗ：例えば１００μｍ未満）及び高さ（基板環状層１８の厚み：例えば７〜８μｍ）を有している。

図５（ａ）〜図５（ｅ）は、電子部品１の製造方法を説明する、図３（ａ）に対応する断面図である。製造工程は、図５（ａ）から図５（ｅ）へ順に進んでいく。

まず、図５（ａ）に示すように、ＳＡＷ素子７が用意されるとともに、図５（ｂ）に示すように、支持部材５が用意される。

ＳＡＷ素子７は、例えば、分割されることによって圧電基板１９となる母基板を対象に素子導電層２０が形成され、その後、ダイシングが行われることによって作製される。素子導電層２０は、例えば、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成法により、下面１９ａ上に金属層を形成し、次に、金属層に対してフォトリソグラフィー法等によりパターニングを行うことによって形成される。

支持部材５は、例えば、一般的なプリント配線板と同様に作製される。なお、図５（ｂ）〜図５（ｅ）に示す工程において、支持部材５は、分割されることによって支持部材５となる母基板の状態であるが、図５（ｂ）〜図５（ｅ）では、一の電子部品１に対応する部分のみを示している。

支持部材５が用意されると、図５（ｃ）に示すように、バンプ８及び環状はんだ１０が形成される。具体的には、例えば、スクリーン印刷等の適宜な方法により、バンプ８及び環状はんだ１０となるはんだペーストを基板パッド１７及び基板環状層１８上に塗布する。なお、その後、溶剤を蒸発させるとともに形状を整えるための加熱処理など、適宜な処理が行われてもよい。

バンプ８及び環状はんだ１０が形成されると、図５（ｄ）に示すように、ＳＡＷ素子７を支持部材５に実装する。具体的には、ＳＡＷ素子７を支持部材５上に載置し、リフロー炉等によってバンプ８及び環状はんだ１０を溶融し、その後、冷却によって溶融したバンプ８及び環状はんだ１０を固化させる。

ここで、溶融したはんだの基板環状層１８及び素子環状層２６（金属）に対する濡れ性は、溶融したはんだの絶縁基板１１（樹脂若しくはセラミック等）に対する濡れ性よりも高いことから、途切れ部１８ｓにおいて、溶融したはんだは、基板環状層１８及び素子環状層２６に引きつけられ、絶縁基板１１からは離間する。その結果、図４（ｃ）に示した環状はんだ１０と絶縁基板１１との空隙Ｃが形成される。

なお、空隙Ｃは、はんだペーストの塗布若しくはその後に必要に応じて行われる加熱処理等の時点において、ある程度形成されていてもよい。また、そのようにある程度形成された空隙は、リフロー炉等によるはんだの加熱溶融時において、はんだの濡れ性によって拡張されてもよいし、ＳＡＷ素子７と支持部材５との間の圧縮力によって縮小されてもよい。

リフロー炉等によるはんだの加熱溶融時においては、対向空間Ｓの気体が膨張する。しかし、気体は空隙Ｃを介して対向空間Ｓの外部へ放出されることから、対向空間Ｓ内の圧力の上昇は抑制され、対向空間Ｓ内の圧力によって環状はんだ１０に空隙Ｃよりも大きい穴が形成されることが抑制される。

ＳＡＷ素子７が支持部材５に実装されると、図５（ｅ）に示すように、樹脂部９となる液状の樹脂４７が供給される。樹脂４７の供給は、例えば、スクリーン印刷によって行われる。樹脂４７の供給は、大気圧下で行われてもよいし、真空雰囲気下で行われてもよい。

液状の樹脂４７が供給されると、環状はんだ１０、基板環状層１８及び素子環状層２６は、樹脂４７が対向空間Ｓへ流れ込むことを阻止する堰として機能する。基板環状層１８には途切れ部１８ｓ（空隙Ｃ）が形成されているが、樹脂４７はある程度の粘度（例えば１２０Ｐａ・ｓ）を有し、また、途切れ部１８ｓの高さは比較的小さいから、樹脂４７が対向空間Ｓ内へ流れ込むことは抑制される。なお、樹脂４７の粘度は、樹脂４７の組成、効果促進剤の含有量、硬化温度によって調整される。

その後、樹脂４７は、加熱されて硬化する。そして、硬化した樹脂４７及び複数の支持部材５からなる母基板はダイシングされ、個片化された電子部品１が作製される。

以上のとおり、本実施形態では、電子部品１は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１の表面に設けられた基板環状層１８と、圧電基板１９と、圧電基板１９の表面に設けられ、基板環状層１８に対向する素子環状層２６と、基板環状層１８と素子環状層２６との間に介在してこれらを接合する環状はんだ１０と、これら環状の部材の外周を覆う樹脂部９とを有する。そして、基板環状層１８は、その環状の内側と外側とを連通する途切れ部１８ｓを有する。

従って、図５（ｄ）及び図５（ｅ）を参照して説明したように、比較的高さが小さな途切れ部１８ｓから対向空間Ｓ内の気体を対向空間Ｓの外部へ放出することによって、環状はんだ１０に比較的大きな穴が形成されることを抑制し、ひいては、そのような比較的大きな穴から液状の樹脂４７が対向空間Ｓ内へ流れ込むことを抑制することができる。

環状はんだ１０は、途切れ部１８ｓと重なる位置においても途切れずに延び、途切れ部１８ｓにおいては、環状はんだ１０と絶縁基板１１との間に、基板環状層１８の内側と外側とを連通する空隙Ｃが存在する。

従って、後述する第４の変形例（図７（ｄ））に比較して、空隙Ｃの大きさは、途切れ部１８ｓの大きさ（幅ｗ及び基板環状層１８の厚み）に近くなり、空隙Ｃの大きさの調整が容易である。

なお、以上の第１の実施形態において、絶縁基板１１は本発明の第１基体の一例であり、基板環状層１８は本発明の第１環状層の一例であり、圧電基板１９は本発明の第２基体の一例であり、素子環状層２６は本発明の第２環状層の一例であり、環状はんだ１０は本発明の接合材の一例であり、樹脂部９は本発明の封止樹脂の一例である。

（第２の実施形態）
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第２の実施形態に係る図４（ａ）〜図４（ｃ）に対応する図である。なお、図６（ｃ）は、図６（ｂ）のVIｃ−VIｃ線に対応している。

第２の実施形態では、基板環状層２１８に代えて、素子環状層２２６に途切れ部２２６ｓが形成されている。途切れ部２２６ｓの位置、数、幅ｗ等が適宜に設定されてよいことは第１の実施形態の途切れ部１８ｓと同様である。図６（ｂ）では、素子環状層２２６の矩形の１辺の中央付近に途切れ部２２６ｓが設けられている場合を例示している。途切れ部２２６ｓの幅ｗは、例えば、途切れ部１８ｓと同様に、１００μｍ未満である。

途切れ部２２６ｓによって、第１の実施形態と同様に、空隙Ｃ（図６（ｃ））が形成されている。空隙Ｃは、第１の実施形態と同様に、途切れ部２２６ｓと同等の幅（ｗ：例えば１００μｍ未満）及び高さ（素子環状層２２６の厚み：例えば２〜３μｍ）を有している。

第２の実施形態の製造方法は、基板環状層２１８のパターニングにおいて途切れ部を形成せず、素子環状層２２６のパターニングにおいて途切れ部２２６ｓを形成する以外は、第１の実施形態の製造方法と同様でよい。

第２の実施形態のように、途切れ部２２６ｓが素子環状層２２６に設けられた場合においても、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、比較的高さが小さい空隙Ｃから対向空間Ｓ内の気体が対向空間Ｓの外部へ放出されることによって環状はんだ１０に比較的大きな穴が形成されることが抑制され、ひいては、そのような比較的大きな穴から液状の樹脂４７が対向空間Ｓ内へ流れ込むことが抑制される効果が奏される。

なお、第２の実施形態において、圧電基板１９は本発明の第１基体の一例であり、素子環状層２２６は本発明の第１環状層の一例であり、絶縁基板１１は本発明の第２基体の一例であり、基板環状層２１８は本発明の第２環状層の一例であり、環状はんだ１０は本発明の接合材の一例であり、樹脂部９は本発明の封止樹脂の一例である。

（第１の変形例）
図７（ａ）は、第１の変形例に係る図４（ｃ）に対応する断面図である。

第１の変形例では、環状はんだ１０は、その下面が、途切れ部１８ｓにおいて膨らみ、途切れ部１８ｓの中央付近において絶縁基板１１に当接している。そして、途切れ部１８ｓの両側において空隙Ｃが形成されている。

このような環状はんだ１０の膨らみは、例えば、環状はんだ１０の量を実施形態よりも多く及び／又はバンプ８の高さを実施形態よりも低くすることにより実現される。

第１の変形例では、空隙Ｃが実施形態よりも小さくなっている。ここで、対向空間Ｓ内の気体の放出においては少しの隙間が存在すれば十分であり、一方、液状の樹脂４７の対向空間Ｓへの流入を抑制する観点からは隙間は小さいほどよい。従って、第１の変形例では、実施形態と同様の効果がより好適に奏されることが期待される。

（第２の変形例）
図７（ｂ）は、第２の変形例に係る図４（ｃ）に対応する断面図である。

第２の変形例では、第１の変形例とは逆に、環状はんだ１０は、その下面が、途切れ部１８ｓにおいて凹み、空隙Ｃが実施形態よりも大きくなっている。

このような環状はんだ１０の凹みは、例えば、第１の変形例とは逆に、環状はんだ１０の量を実施形態よりも少なく及び／又はバンプ８の高さを実施形態よりも高くすることにより実現される。

（第３の変形例）
図７（ｃ）は、第３の変形例に係る図４（ｃ）に対応する断面図である。第３の変形例は、第１の実施形態と第２の実施形態（図６）との組み合わせであり、基板環状層１８及び素子環状層２２６の双方に途切れ部及び空隙Ｃが形成されている。

第３の変形例では、２つの途切れ部１８ｓ及び２２６ｓによって対向空間Ｓ内の気体の放出がなされるから、第１及び第２の実施形態各々よりも迅速に放出がなされる。一方、途切れ部１８ｓ及び２２６ｓそれぞれの高さは第１及び第２の実施形態と同様であり、第１及び第２の実施形態と同様に、空隙Ｃにおける液状の樹脂４７の流入は抑制される。

（第４の変形例）
図７（ｄ）は、第４の変形例に係る図４（ｃ）に対応する断面図である。

第４の変形例では、第３の変形例と同様に、基板環状層１８及び素子環状層２２６の双方に途切れ部が形成されている。そして、第２の変形例（図７（ｂ））と同様に、環状はんだ１０の量がバンプ８の高さに対して相対的に少なくされることによって、途切れ部２２６ｓ及び１８ｓ各々に起因する空隙が大きくされて繋げられ、一つの空隙Ｃが形成されている。すなわち、環状はんだ１０は途切れ部２２６ｓ及び１８ｓと重なる位置において途切れている。

途切れ部２２６ｓ及び１８ｓの幅ｗが比較的小さくされることによって（例えば環状はんだ１０の厚み未満若しくは半分未満）、空隙Ｃの幅も比較的小さくされている。従って、第４の変形例においても、実施形態と同様の効果が奏される。

（第５の変形例）
図８は、第５の変形例に係る図４（ａ）に対応する平面図である。

第５の変形例では、途切れ部１８ｓは、基板環状層１８の矩形の角部に設けられている。なお、途切れ部１８ｓは、４隅のいずれに設けられていてもよいが、好ましくは、全ての角部に設けられている。途切れ部１８ｓの形状及び大きさは適宜に設定されてよい。

環状はんだ１０となる溶融はんだは、基板環状層１８の角部に集まり易い。従って、溶融はんだの厚みが不均一になる若しくは角部以外において溶融はんだが設計値に対して不足する等の不都合が生じるおそれがある。しかし、角部に途切れ部１８ｓを形成し、角部に溶融はんだを集まり難くすることによって、そのような不都合が生じることを抑制できる。

なお、第５の変形例の途切れ部１８ｓを角部に設ける態様は、基板環状層１８が矩形の場合だけでなく、３角形若しくは５角形以上の多角形の場合に対しても適用されてよい。

（第６の変形例）
図９は、第６の変形例に係る途切れ部１８ｓを示す平面図（図４（ａ）に対応する図の一部拡大図）である。なお、紙面左側は対向空間Ｓ側であり、紙面右側は対向空間Ｓの外側であるものとする。

第６の変形例では、途切れ部１８ｓは、対向空間Ｓの外側ほど幅が狭くなるように形成されている。より具体的には、例えば、途切れ部１８ｓは、対向空間Ｓの外側ほど狭くなるテーパ状に形成されている。特に図示しないが、環状はんだ１０は、例えば、第１の実施形態と同様に絶縁基板１１には接しておらず、空隙Ｃは、途切れ部１８ｓと同様の形状及び大きさである。

従って、対向空間Ｓの気体は、途切れ部１８ｓ（空隙Ｃ）を介して対向空間Ｓの外側へ流れ易く、その一方で、液状の樹脂４７は、途切れ部１８ｓを介して対向空間Ｓの外側から対向空間Ｓへ流れ込み難い。

（第７の変形例）
図１０は、第７の変形例に係る図４のＶ−Ｖ線に対応する環状はんだ１０付近の断面図である。

第７の変形例では、樹脂部９は、フィラー４９を含んでいる。フィラー４９を構成する絶縁性粒子の材料は、既に述べたように、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。

フィラー４９の平均粒径は、好ましくは空隙Ｃの高さ（基板環状層１８の厚み）の半分以上であり、より好ましくは空隙Ｃの高さの２／３以上である。例えば、フィラー４９の平均粒径は、空隙Ｃの高さ７〜８μｍに対して４μｍ程度である。

フィラー４９は、その粒径の２倍未満の高さ（若しくは幅）の隙間には殆ど流れ込まない。従って、上記のような平均粒径であれば、フィラー４９はその多くが途切れ部１８ｓに流れ込まない。そして、途切れ部１８ｓに流れ込まないフィラー４９は、液状の樹脂４７が途切れ部１８ｓに流れ込む抵抗となる。

また、フィラー４９の最大粒径は、空隙Ｃの高さよりも大きいことが好ましい。例えば、フィラー４９の最大粒径は、空隙Ｃの高さ７〜８μｍに対して２０μｍ程度である。

この場合、途切れ部１８ｓに流れ込まないフィラー４９が存在することになる。そして、このようなフィラー４９は、空隙Ｃの少なくとも一部を塞ぎ、液状の樹脂４７が空隙Ｃに流れ込むことを抑制する。

なお、フィラー４９の粒径は、例えば、樹脂部９の研磨面若しくは破断面を電界放出型電子顕微鏡等を用いて撮像することにより、フィラー４９を所定数（例えば数十）含む拡大断面画像を取得し、その画像においてフィラー４９の最大径を測定することにより得られる。

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

上述した実施形態及び変形例は適宜に組み合わされてよい。例えば、図７（ａ）、図７（ｂ）、図８、図９及び図１０に示した変形例は、第１の実施形態だけでなく、第２の実施形態に適用されてもよいし、第１及び第２の実施形態の組み合わせ（図７（ｃ））に適用されてもよい。また、例えば、図７（ａ）〜図７（ｄ）のいずれかの変形例と、図８の変形例と、図９の変形例と、図１０の変形例との少なくとも２つ以上を組み合わせてもよい。

なお、図１０の変形例において説明した好適なフィラーの平均粒径は、図７（ａ）、図７（ｂ）若しくは図７（ｄ）の変形例（空隙の高さが空隙の幅よりも大きい及び／又は空隙の高さ若しくは幅が一定でない場合）においては、例えば、空隙の最大高さ及び最大幅のうち小さい方の半分以上若しくは２／３以上とすればよい。同様に、好適なフィラーの最大径は、空隙の最大高さ及び最大幅のうち小さい方より大きくすればよい。

電子部品は、ＳＡＷ装置に限定されない。換言すれば、電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。電子素子は、弾性波を利用しないものであってもよいし、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。

支持部材（第１基体若しくは第２基体）は、電子素子と実装基板とを仲介するものに限定されない。例えば、支持部材は、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。また、支持部材は、複数の電子素子が実装されるものであってもよい。

接合材は、はんだに限定されず、また、第１基体及び第１環状層に対する濡れ性の相違によって途切れ部において隙間を形成するものに限定されない。例えば、接合材は、熱硬化性樹脂を含んで構成され、第１環状層への塗布時において粘性によって途切れ部への充填が抑制され、空隙（Ｃ）を構成してもよい。この場合、硬化のための加熱において対向空間の気体が空隙を介して放出され、接合材に比較的大きな穴が形成されることが抑制される。

なお、上記から明らかなように、第１基体及び第２基体ははんだの濡れ性が相対的に低い材料からなるものに限定されないし、第１環状層及び第２環状層ははんだの濡れ性が相対的に高い材料からなるものに限定されない。別の観点では、第１基体及び第２基体は、樹脂やセラミック（絶縁性材料）からなるものに限定されないし、第１環状層及び第２環状層は金属（導電性材料）からなるものに限定されない。

対向空間内に位置する配線や機能体（励振電極）は、これらの酸化防止等に寄与する絶縁性の保護層に覆われていてもよい。なお、保護層は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンにより形成されている。

１…電子部品、９…樹脂部（封止樹脂）、１０…環状はんだ（接合材）、１１…絶縁基板（第１基体）、１８…基板環状層（第１環状層）、１８ｓ…途切れ部、１９…圧電基板（第２基体）、２６…素子環状層（第２環状層）。

Claims (9)

1. 第１基体と、
   該第１基体の表面に設けられた第１環状層と、
   第２基体と、
   該第２基体の表面に設けられ、前記第１環状層に対向する第２環状層と、
   前記第１環状層と前記第２環状層との間に介在してこれらを接合する環状の接合材と、
   前記第１環状層、前記第２環状層及び前記環状の接合材の外周を覆う封止樹脂と、
   を有し、
   前記第１環状層は、その環状の内側と外側とを連通する途切れ部を有する
   電子部品。
2. 前記接合材は、前記途切れ部と重なる位置においても途切れずに延び、
   前記途切れ部においては、前記接合材と前記第１基体との間に、前記第１環状層の内側と外側とを連通する空隙が存在する
   請求項１に記載の電子部品。
3. 前記接合材は、前記第１基体の前記途切れ部から露出する領域の中央側に当接して前記途切れ部の中央側を塞いでいる
   請求項２に記載の電子部品。
4. 前記第１環状層及び前記第２環状層は多角形状に形成されており、
   前記途切れ部は、前記多角形の角部に位置している
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
5. 前記途切れ部は、環状の外側ほど幅が狭くなっている
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
6. 前記封止樹脂は、平均粒径が前記途切れ部における空隙の最大高さ及び最大幅のうち小さい方の半分以上であるフィラーを含む
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 前記封止樹脂は、最大径が前記途切れ部における空隙の最大高さ及び最大幅のうち小さい方よりも大きいフィラーを含む
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
8. 前記第１基体及び前記第２基体の一方は、圧電基板であり、
   前記圧電基板の、前記第１環状層、前記第２環状層及び前記接合材に囲まれる領域には、励振電極が設けられている
   請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
9. 前記第１基体及び前記第２基体は樹脂若しくはセラミックからなり、
   前記第１環状層及び前記第２環状層は金属からなり、
   前記接合材ははんだである
   請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品。

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