JP5732360B2

JP5732360B2 - 圧電デバイス

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Publication number: JP5732360B2
Application number: JP2011199472A
Authority: JP
Inventors: 将高竹内
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2011-09-13
Filing date: 2011-09-13
Publication date: 2015-06-10
Anticipated expiration: 2031-09-13
Also published as: JP2013062661A

Description

本発明は、圧電素子を含む圧電デバイスに関する。圧電素子は、圧電体を利用した素子であり、例えば、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振器、弾性境界波素子（広義のＳＡＷ素子に含まれる）である。

特許文献１では、支持部材（ベース基板）と、該支持部材の上面にフェースダウン実装された圧電素子（圧電体基板及びＩＤＴ（InterDigital transducer））と、該圧電素子に被せられるシートと、該シートの上から圧電素子を覆う封止材とを有する圧電デバイスが開示されている。

当該圧電デバイスにおいて、支持部材の上面に対向する圧電素子の下面は弾性表面波（ＳＡＷ；Surface Acoustic Wave）が伝搬する機能面となっている。また、当該機能面と支持部材の上面との間にはバンプが介在することにより間隙が形成されている。シートは、圧電素子の上面及び側面から支持部材の上面に亘っており、当該間隙を塞いでいる。また、封止材は、シートによって圧電素子の機能面と支持部材の上面との間隙に流れこむことが防止されつつ、間隙の外周、圧電素子の側面及び上面を覆っている。このように、シート及び封止材によって圧電素子の機能面は密閉されて保護されている。

特開２０００−４１３９号公報

特許文献１の技術では、封止材が圧電素子の側面を覆っている。換言すれば、封止材が圧電素子の周囲において支持部材の上面に設けられている。従って、支持部材の上面に封止材を配置するスペースが必要であり、例えば、圧電デバイスの小型化が困難になっていた。

本発明の目的は、支持部材の上面における省スペース化を図ることが可能な圧電デバイスを提供することにある。

本発明の一態様に係る圧電デバイスは、支持部材と、前記支持部材上に実装され、下面に機能部を有する圧電素子と、前記支持部材及び前記圧電素子間に、前記機能部を囲むように位置して前記支持部材及び前記圧電素子を接続する複数のバンプと、前記複数のバンプの少なくとも一部についてバンプ同士を結びつつ前記機能部を囲むように前記支持部材の上面と前記圧電素子の下面との間に設けられる壁部と、を備える。

好適には、前記壁部によって結ばれるバンプは、基準電位が付与されるバンプと、前記基準電位に対して変動する電位が付与されるバンプとを含み、前記壁部は絶縁性を有している。

好適には、前記壁部によって結ばれるバンプは、基準電位が付与されるバンプと、前記基準電位に対して変動する電位が付与されるバンプとを含み、前記壁部は、前記バンプ間を絶縁する異方性の導電性を有する。

好適には、前記壁部によって結ばれるバンプは、基準電位が付与されるバンプを含み、前記基準電位に対して変動する電位が付与されるバンプは含まず、前記壁部は導電性を有する。

好適には、前記複数のバンプは、前記機能部を囲むように混在して配列された前記基準電位が付与されるバンプ及び前記変動する電位が付与されるバンプを含み、前記壁部は、前記複数のバンプの配列の経路をショートカットする経路で前記変動する電位が付与されるバンプを飛ばしてバンプ同士を結び、前記変動する電位が付与されるバンプを当該壁部の外側に位置させている。

好適には、前記壁部によって結ばれるバンプの少なくとも一部は、前記壁部及び当該壁部によって結ばれるバンプの前記機能部を囲むラインに沿って長く形成されている。

上記の構成によれば、支持部材の上面における省スペース化を図ることができる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電デバイスの外観を示す上面側及び下面側から見た斜視図。図１の圧電デバイスを分解するとともに一部を破断して示す斜視図。図３（ａ）は、図１（ａ）のIIIａ−IIIａ線における断面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のIIIｂ−IIIｂ線における断面図。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、図１の圧電デバイスの製造方法を説明する断面図。本発明の第２の実施形態に係る圧電デバイスを示す断面図。本発明の第３の実施形態に係る圧電デバイスを示す断面図。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第４の実施形態に係る圧電デバイスを示す断面図。

以下、本発明の実施形態に係る圧電デバイスについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る圧電デバイス１の外観を示す上面側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、圧電デバイス１の外観を示す下面側から見た斜視図である。

なお、圧電デバイス１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。

圧電デバイス１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面には、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。圧電デバイス１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜数ｍｍである。

圧電デバイス１は、不図示の実装基板に対して下面を対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがはんだバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、圧電デバイス１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。

図２は、圧電デバイス１を分解するとともに一部を破断して示す斜視図である。図３（ａ）は、図１（ａ）のIIIａ−IIIａ線における断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のIIIｂ−IIIｂ線における断面図である。

圧電デバイス１は、ベース基板５と、当該ベース基板５上に実装された圧電素子７と、これらの間に介在する複数のバンプ９及び壁部１０とを有している。

ベース基板５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体１１と、絶縁基体１１の上面１１ａに形成された上面導電層１３Ａ（図３（ａ））と、絶縁基体１１の内部に上面１１ａに平行に形成された内部導電層１３Ｂ（図３（ａ））と、絶縁基体１１の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１５（図３（ａ））と、絶縁基体１１の下面１１ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、ベース基板５は、内部導電層１３Ｂが設けられないものであってもよい。

絶縁基体１１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、上面１１ａ、下面１１ｂ及び４つの側面１１ｃを有している。また、絶縁基体１１は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体１１は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。

上面導電層１３Ａは、圧電素子７をベース基板５に実装するための基板パッド１７（図３（ａ））を含んでいる。ビア導体１５及び内部導電層１３Ｂは、基板パッド１７と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ及びビア導体１５は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ、ビア導体１５及び外部端子３は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。

圧電素子７は、例えば、ＳＡＷ素子であり、圧電基板１９と、圧電基板１９の機能面１９ａに設けられた励振電極２１と、機能面１９ａに設けられ、ベース基板５に接続される素子パッド２５（図３（ａ））とを有している。なお、圧電素子７は、この他、励振電極２１を覆う保護層、裏面１９ｂを覆う電極等の適宜な部材を有していてよい。

圧電基板１９は、例えば、概ね直方体状に形成されており、機能面１９ａ、その背面となる裏面１９ｂ及び４つの側面１９ｃを有している。圧電基板１９の平面視における形状及び大きさは、例えば、ベース基板５の平面視における形状及び大きさと同様である。そして、圧電基板１９の側面１９ｃとベース基板５の側面１１ｃとは面一になっている。また、圧電基板１９は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。

励振電極２１は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、一対の櫛歯電極２３を含んでいる。各櫛歯電極２３は、バスバー２３ａと、バスバー２３ａから延びる複数の電極指２３ｂとを有しており、一対の櫛歯電極２３は、互いに噛み合うように（複数の電極指２３ｂが互いに交差するように）配置されている。なお、図２等は模式図であることから、複数本の電極指２３ｂを有する櫛歯電極２３が１対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指２３ｂを有する複数対の櫛歯電極２３が設けられていてよい。励振電極２１は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器及び／又はデュプレクサ等を構成している。

励振電極２１に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて機能面１９ａを電極指２３ｂに直交する方向（ｘ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて励振電極２１から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。

なお、機能面１９ａのうち励振電極２１が配置される領域及び励振電極２１は、圧電素子７の機能部７ａを構成している。

素子パッド２５は、機能面１９ａに形成された不図示の配線を介して励振電極２１に接続されている。励振電極２１は、素子パッド２５を介して信号が入力され、素子パッド２５を介して信号を出力する。

なお、励振電極２１、素子パッド２５及びこれらを接続する不図示の配線は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の適宜な金属により構成されている。これらは、同一材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。

バンプ９は、素子パッド２５と基板パッド１７との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ９は、はんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ９は、導電性接着剤によって形成されていてもよい。

素子パッド２５と基板パッド１７との間にバンプ９が介在していることにより、絶縁基体１１の上面１１ａと、圧電基板１９の機能面１９ａとの間には間隙（振動空間Ｓ）が形成されている。これにより、機能面１９ａの振動（ＳＡＷの伝搬）が容易化されている。

複数のバンプ９（素子パッド２５、基板パッド１７）には、基準電位が付与されるバンプ９（以下、「ＧＮＤバンプ９Ｇ」ということがある。）と、基準電位に対して変動する電位が付与されるバンプ９（以下、「信号バンプ９Ｓ」ということがある。）とが含まれている。ＧＮＤバンプ９Ｇ及び信号バンプ９Ｓの数は、機能部７ａの構成等に応じて適宜に設定されている。

なお、複数のバンプ９には、基準電位及び変動電位のいずれも付与されず、電気的に浮遊状態となっているバンプ９が含まれていてもよい。当該浮遊状態のバンプ９は、対応する素子パッド２５及び／又は基板パッド１７が設けられていなくてもよい。

また、複数のバンプ９は、機能面１９ａの平面視において機能部７ａ（励振電極２１）を囲むように配列されている。その配列によって構成される形状は適宜に設定されてよい。本実施形態では、複数のバンプ９は、矩形のベース基板５及び圧電素子７の外周に沿って配列されることによって、矩形を形成している。なお、配列のピッチは一定であってもよいし、変化してもよい。また、本実施形態においては、ＧＮＤバンプ９Ｇ及び信号バンプ９Ｓは、配列中のいずれの位置に配置されてもよい。

壁部１０は、複数のバンプ９を結びつつ機能部７ａを囲むように設けられている。より具体的には、壁部１０は、全てのバンプ９について、隣接するバンプ９同士を結ぶことにより、全てのバンプ９の配列と同様の形状に延びている。また、壁部１０は、バンプ９と同様に、ベース基板５の上面１１ａと圧電素子７の機能面１９ａとの間に介在するとともにこれらに接合されている。従って、機能部７ａ（振動空間Ｓ）は、壁部１０及びバンプ９によって密閉されている。

壁部１０の外側面１０ｃは、例えば、ベース基板５の側面１１ｃ及び圧電素子７の側面１９ｃと面一となっている。また、壁部１０の内側面１０ｄは、例えば、概ね、バンプ９の位置において内側に膨らむように波打っている。

壁部１０は、例えば、絶縁材料により形成されている。絶縁材料は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂である。当該樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトである。

又は、壁部１０は、異方性の導電性材料により形成されている。例えば、壁部１０は、金属等により形成された導電性フィラーを含む絶縁性の樹脂によって構成されており、上下方向においては導電性フィラーが素子パッド２５及び基板パッド１７に当接することによって導電性を示し、バンプ９間の方向においては、導電性フィラー同士が離間していることによって絶縁性を示す。若しくは、壁部１０は、導電性高分子によって構成され、上下方向においては導電性を示し、バンプ９間の方向においては絶縁性を示してもよい。

なお、圧電デバイス１の上面は圧電素子７の裏面１９ｂによって構成され、圧電デバイス１の下面はベース基板５の下面１１ｂによって構成され、圧電デバイス１の側面は、圧電素子７の側面１９ｃ、ベース基板５の側面１１ｃ及び壁部１０の外側面１０ｃによって構成されている。

図４（ａ）〜図４（ｄ）は、圧電デバイス１の製造方法を説明する、図３（ａ）に相当する断面図である。

まず、図４（ａ）に示すように、ベース基板５を用意する。ベース基板５は、一般的な多層基板と同様に作製されてよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、ベース基板５の基板パッド１７上にバンプ９を形成する。バンプ９の形成も、一般的なバンプと同様に形成されてよく、例えば、蒸着法、めっき法若しくは印刷法により行われる。

次に、図４（ｃ）に示すように、壁部１０となる液状の材料３１（例えば未硬化の樹脂材料）をバンプ９間に供給する。材料３１の供給は、例えば、印刷法若しくはディスペンサー法により行われる。なお、材料３１は、ある程度の粘性を有していることが好ましい。

ここで、材料３１は、表面張力（毛細管力）によって、バンプ９間への流れ込みが促進されるとともにバンプ９間に保持される。従って、好適にバンプ９間の隙間が塞がれるとともに、複数のバンプ９によって囲まれる領域（機能部７ａと重なる領域）への材料３１の浸入は抑制される。また、材料３１がバンプ９を濡らそうとする力によって壁部１０の内側面１０ｄは波打つような形状となる。

次に、図４（ｄ）に示すように、ベース基板５の上面１１ａに対して圧電素子７の機能面１９ａを対向させて配置する。そして、これらをリフロー炉に通すことなどによりバンプ９を溶融させ、基板パッド１７と素子パッド２５とを接合する。この際、例えば、材料３１が熱硬化性樹脂であれば、熱によって硬化し、壁部１０となる。

なお、これらの工程は、図示したように個片化されたベース基板５及び圧電素子７において行われてもよいし、ベース基板５及び圧電素子７の少なくとも一方が母基板（個片が多数個取りされる母基板）の状態において行われてもよい。バンプ９及び材料３１は、ベース基板５に代えて、圧電素子７に形成されてもよい。壁部１０の外側面１０ｃは、例えば、ベース基板５等の母基板のダイシングおいてベース基板５等と面一とされたり、適宜な処理によって面一とされてよい。

以上のとおり、本実施形態では、圧電デバイス１は、ベース基板５と、ベース基板５上に実装され、下面（機能面１９ａ）に機能部７ａを有する圧電素子７と、ベース基板５及び圧電素子７間に、機能部７ａを囲むように位置してベース基板５及び圧電素子７を接続する複数のバンプ９と、複数のバンプ９の少なくとも一部（本実施形態では全部）についてバンプ９同士を結びつつ機能部７ａを囲むようにベース基板５の上面１１ａと圧電素子７の下面との間に設けられる壁部１０と、を備える。

従って、ベース基板５と圧電素子７との間に介在する壁部１０によって機能部７ａが封止されることなり、ベース基板５の上面１１ａに封止材を配置するためのスペースは不要である。さらに、壁部１０は、バンプ９同士を結ぶように延びていることから、バンプ９が機能部７ａの封止に兼用され、圧電デバイス１の小型化が図られる。例えば、複数のバンプ９とは離間して、複数のバンプ９の内側若しくは外側に、機能部７ａを囲むはんだリングを形成した場合に比較して、圧電デバイス１の小型化が図られる。また、製造方法に着目すると、バンプ９間の毛細管力を利用して液状の材料３１を壁部１０が形成されるべき位置に保持することができるから、生産設備に要求される加工精度を緩やかにしたり、歩留まりが向上したりすることが期待される。

また、圧電デバイス１では、壁部１０によって結ばれるバンプ９は、基準電位が付与されるＧＮＤバンプ９Ｇと、基準電位に対して変動する電位が付与される信号バンプ９Ｓとを含み、壁部１０は絶縁性を有している。

従って、壁部１０は、ＧＮＤバンプ９Ｇと信号バンプ９Ｓとの間の絶縁性を向上させることにも寄与する。また、壁部１０は、機能部７ａを囲む全てのバンプ９を結ぶことが可能であるから、後述する実施形態に比較して、壁部１０の配置位置と複数のバンプ９の配置位置とを最大限重複させて、圧電デバイス１の小型化を図ることができる。

又は、圧電デバイス１では、壁部１０によって結ばれるバンプ９は、基準電位が付与されるＧＮＤバンプ９Ｇと、基準電位に対して変動する電位が付与される信号バンプ９Ｓとを含み、壁部１０は、バンプ９間を絶縁する異方性の導電性を有する。

この場合、上述した壁部１０が絶縁性を有している場合の効果に加えて、壁部１０を電磁シールドとして機能させることができる。その結果、圧電デバイス１の電気特性が向上する。

なお、以上の実施形態において、ベース基板５又は絶縁基体１１は、本発明の支持部材の一例である。

（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係る圧電デバイス２０１を示す、図３（ｂ）に相当する断面図である。

圧電デバイス２０１は、ＧＮＤバンプ９Ｇ及び信号バンプ９Ｓの配置及び壁部２１０の材料及び位置が第１の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。

複数のバンプ９は、第１の実施形態と同様に、矩形の圧電デバイス１の外周に沿って配列されて矩形を構成している。ただし、信号バンプ９Ｓは、その４隅の少なくともいずれか（本実施形態では４隅全て）に配置されており、残りのバンプ９はＧＮＤバンプ９Ｇとなっている。

そして、壁部２１０は、信号バンプ９Ｓを避けるようにしてＧＮＤバンプ９Ｇのみを結ぶように延びている。具体的には、壁部２１０は、複数のバンプ９の配列の経路をショートカットする経路で信号バンプ９Ｓを飛ばしてＧＮＤバンプ９Ｇ同士を結び、信号バンプ９Ｓを当該壁部２１０の外側に位置させている。

壁部２１０の材料は、例えば、導電性を有する材料とされている。例えば、導電性フィラーが種々の方向において互いに当接する程度に十分に含まれた樹脂材料若しくは金属材料とされている。

本実施形態においても、圧電デバイス２０１は、第１の実施形態と同様に、複数のバンプ９の少なくとも一部（本実施形態では一部）についてバンプ９同士を結びつつ機能部７ａを囲むようにベース基板５の上面１１ａと圧電素子７の下面（機能面１９ａ）との間に設けられる壁部２１０を備えることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、ベース基板５の上面１１ａの省スペース化等の効果が奏される。

また、壁部２１０は、導電性を有していることから、電磁シールドとして機能する。その結果、圧電デバイス１の電気特性が向上する。さらに、複数のバンプ９は、機能部７ａを囲むように配列されており、壁部２１０が複数のバンプ９の配列の経路をショートカットする経路で信号バンプ９Ｓを飛ばしてＧＮＤバンプ９Ｇ同士を結ぶことによって、信号バンプ９Ｓを当該壁部２１０の外側に位置させていることから、複数のバンプ９の内側若しくは外側にはんだリングを形成する場合に比較して小型化が図られる。

（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態に係る圧電デバイス３０１を示す、図３（ｂ）に相当する断面図である。

圧電デバイス３０１は、ＧＮＤバンプ３０９Ｇの形状が第２の実施形態と相違する。具体的には、以下のとおりである。

信号バンプ９Ｓの配置位置は、第２の実施形態と同様であり、また、信号バンプ９Ｓ及びＧＮＤバンプ３０９は、第２の実施形態と同様に、機能部７ａを囲むように配列されている。

ただし、ＧＮＤバンプ３０９Ｇは、第２の実施形態の２又は３つのＧＮＤバンプ９Ｇを繋げたような形状となっている。すなわち、ＧＮＤバンプ３０９は、壁部３１０及び当該壁部３１０によって結ばれるバンプの機能部７ａを囲むラインに沿って長く形成されている。

壁部３１０は、第２の実施形態と同様に、複数の信号バンプ９Ｓ及びＧＮＤバンプ３０９の配列の経路をショートカットする経路で信号バンプ９Ｓを飛ばしてＧＮＤバンプ９Ｇ同士を結び、信号バンプ９Ｓを当該壁部２１０の外側に位置させている。ただし、ＧＮＤバンプ３０９の形状が第２の実施形態と異なることから、壁部３１０の具体的な形状は第２の実施形態と異なっている。

本実施形態においても、圧電デバイス３０１は、第１の実施形態と同様に、複数のバンプの少なくとも一部（本実施形態では一部）についてバンプ同士を結びつつ機能部７ａを囲むようにベース基板５の上面１１ａと圧電素子７の下面（機能面１９ａ）との間に設けられる壁部２１０を備えることから、第１の実施形態と同様の効果が奏される。すなわち、ベース基板５の上面の省スペース化等の効果が奏される。また、第２の実施形態と同様に、壁部３１０による電磁シールド効果やはんだリングを設ける場合に比較した小型化の効果が奏される。

（第４の実施形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第４の実施形態に係る圧電デバイス４０１を示す、図３図３（ａ）及び図３（ｂ）に相当する断面図である。

圧電デバイス４０１の圧電素子４０７は、一の圧電基板１９において２つの機能部７ａを有している。また、２つの機能部７ａに対応して壁部４１０によって形成される振動空間Ｓも２つ設けられている。なお、２つの振動空間Ｓの間においては、各振動空間Ｓを囲む壁部４１０及び当該壁部４１０と接合されるＧＮＤバンプ３０９Ｇが共通化されている。

このように、圧電デバイスにおいては、適宜な数の機能部７ａが設けられてよく、これに対応して壁部４１０が設けられてもよい。なお、一の壁部によって２つの機能部７ａを囲むことも可能である。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

上述の実施形態の種々の特徴は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第３の実施形態のＧＮＤバンプ３０９Ｇの形状は、第１の実施形態に適用されてもよいし、信号バンプに適用されてもよい。また、第４の実施形態のような複数の機能部７ａを設ける特徴は、第１又は第２の実施形態に適用されてもよい。

圧電素子は、ＳＡＷ素子に限定されず、圧電薄膜共振器や弾性境界波素子であってもよい。

１…圧電デバイス、５…ベース基板（支持部材）、７…圧電素子、７ａ…機能部、９…バンプ、１０…壁部。

Claims

支持部材と、
前記支持部材上に実装され、下面に機能部を有する圧電素子と、
前記支持部材及び前記圧電素子間に、前記機能部を囲むように位置して前記支持部材及び前記圧電素子を接続する複数のバンプと、
前記複数のバンプの少なくとも一部についてバンプ同士を結びつつ前記機能部を囲むように前記支持部材の上面と前記圧電素子の下面との間に設けられる壁部と、
を備えており、
前記壁部によって結ばれるバンプは、基準電位が付与されるバンプを含み、前記基準電位に対して変動する電位が付与されるバンプは含まず、
前記壁部は導電性を有する
圧電デバイス。
前記複数のバンプは、前記機能部を囲むように混在して配列された前記基準電位が付与されるバンプ及び前記変動する電位が付与されるバンプを含み、
前記壁部は、前記複数のバンプの配列の経路をショートカットする経路で前記変動する電位が付与されるバンプを飛ばしてバンプ同士を結び、前記変動する電位が付与されるバンプを当該壁部の外側に位置させている
請求項１に記載の圧電デバイス。
前記壁部によって結ばれるバンプの少なくとも一部は、前記壁部及び当該壁部によって結ばれるバンプの前記機能部を囲むラインに沿って長く形成されている
請求項１または請求項２に記載の圧電デバイス。