JP2016058857A - 圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品 - Google Patents

圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品 Download PDF

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Abstract

【課題】天井材の厚さを維持して天井材の強度を確保するとともに、圧電デバイスと実装基板との接合を確実にして不良品の発生を抑制する。【解決手段】圧電基板11に形成される表面波素子12と、表面波素子12を囲んで圧電基板11上に接合されるリブ材13と、リブ材13の開口Oを塞ぐようにリブ材13に接合される板状の天井材14と、を有する圧電デバイス10であって、天井材14は、リブ材13と接合する第1面14aの面積S1より、リブ材13と反対側の第2面14bの面積S2が小さく形成される。【選択図】図1

Description

本発明は、圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品に関する。
携帯電話機や携帯端末機などの各種情報・通信機器の一つとして、SAW(弾性表面波:Surface Acoustic Wave)デバイスを搭載した製品が提供されている。SAWデバイスは、圧電基板に形成される表面波素子と、表面波素子を囲んで圧電基板上に接合される外囲壁部(リブ材)と、外囲壁部の開口を塞ぐように外囲壁部に接合される板状の天井部(天井材)と、を有する構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。この圧電デバイスは、天井材を実装基板側に向けた状態で、例えば半田ボールなどの接続部材を介して実装基板に搭載され、かつ電気的に接続される。
特開2011−147098号公報
近年の圧電デバイスの低背化の要請から、上記構成の圧電デバイスにおいては、実装基板との間隔を小さくすることが求められている。これに対応するため、天井材の厚さを薄くすることも考えられるが、この場合、天井材の強度が低下するため、圧電デバイスの実装時において樹脂モールドの圧力などにより、天井材が破損するといった問題がある。一方、圧電デバイスの接続電極を圧電基板側に凹ませて形成することも考えられる。この場合、天井材は、圧電基板の表面から実装基板側に突出するので、実装基板に圧電デバイスを搭載する際、接続部材が拡がって天井材と実装基板との間に入り込むことがある。これにより、接続部材が圧電デバイスを押し上げ、圧電デバイスを実装基板から引き離すことで電気的な接続不良や、圧電デバイスの脱落等が発生するといった問題がある。
以上のような事情に鑑み、本発明は、天井材の厚さを維持して天井材の強度を確保するとともに、圧電デバイスと実装基板との接合を確実にして不良品の発生を抑制し、信頼性が高い圧電デバイス及びその製造方法、並びにこのような圧電デバイスを有する電子部品を提供することを目的とする。
本発明は、圧電基板に形成される表面波素子と、表面波素子を囲んで圧電基板上に接合されるリブ材と、リブ材の開口を塞ぐようにリブ材に接合される板状の天井材と、を有する圧電デバイスであって、天井材は、リブ材と接合する第1面の面積より、リブ材と反対側の第2面の面積が小さく形成される。
また、天井材は、リブ材に接合される第1面を備える第1天井材と、第1面より面積が小さい第2面を備えかつ第1天井材に積層される第2天井材と、を有してもよい。また、表面波素子と電気的に接続されかつ圧電基板のリブ材の外側部分に形成された接続電極を備えてもよい。また、接続電極に接合しかつ実装基板の端子と接続電極とを電気的に接続するための導電性の接続部材を備えてもよい。また、接続部材は、半田ボールであってもよい。
本発明は、上記した圧電デバイスを含む電子部品であって、表面に端子を備えかつ端子を介して圧電デバイスと電気的に接続される実装基板と、少なくとも圧電デバイスと実装基板との間に配置される樹脂部と、を有する。
本発明は、圧電基板の表面に表面波素子を形成する工程と、表面波素子を囲むように圧電基板上にリブ材を形成する工程と、リブ材の開口を塞ぐようにリブ材に板状の天井材を接合する工程と、を有する圧電デバイス製造方法であって、天井材に対して、リブ材と接合する第1面の面積より、リブ材と反対側の第2面の面積を小さくする工程を含む。
また、天井材は、リブ材に接合される第1面を備える第1天井材と、第1面より面積が小さい第2面を備える第2天井材と、を有し、第1天井材をリブ材に接合する工程と、第1天井材に第2天井材を積層する工程と、を含んでもよい。
本発明によれば、天井材は、リブ材と接合する第1面の面積より、リブ材と反対側の第2面の面積が小さいので、天井材を厚くしても、接続部材が天井材と実装基板との間に入り込むことが抑制される。よって、天井材の強度を確保して破損を防止するとともに、実装基板に対する圧電デバイスの電気的な接続不良や圧電デバイスの脱落を防止して不良品の発生を抑制し、信頼性が高い圧電デバイス及びその製造方法、並びにこのような圧電デバイスを有する電子部品を提供することができる。
第1実施形態の圧電デバイスの一例を示し、(a)は底面図、(b)は(a)のA−A線に沿った断面図である。 図1に示す圧電デバイスが実装基板に搭載された状態を示し、(a)は断面図、(b)は(a)の要部を拡大した断面図である。 図1の圧電デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図1の圧電デバイスの製造工程の一例を示す図である。 図4に引き続き、図1の圧電デバイスの製造工程の一例を示す図である。 図5に引き続き、図1の圧電デバイスの製造工程の一例を示す図である。 第2実施形態の圧電デバイスの一例を示し、(a)は底面図、(b)は要部を拡大した断面図である。 第3実施形態の圧電部品の一例を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、図面においては一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。また、図面において、金属膜や接続部材などの導電性部材は、ハッチングを施して表している。なお、圧電基板及び実装基板の断面を示すハッチングは省略している。以下の各図では、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。このXYZ座標系においては、圧電デバイスの表面(上面)に平行な平面をXZ平面とする。このXZ平面において、紙面の左右方向をX方向と表記し、X方向に直交する方向をZ方向と表記する。XZ平面に垂直な方向(圧電デバイスの厚さ方向)はY方向と表記する。X方向、Y方向、及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
<第1実施形態>
第1実施形態について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の圧電デバイス10の一例を示し、(a)は底面図、(b)は(a)のA−A線に沿った断面図である。なお、図1(a)では、接続部材16を透過して表している。図1に示すように、圧電デバイス10は、圧電基板11と、表面波素子12と、リブ材13と、天井材14と、接続電極15と、接続部材16とを有している。圧電デバイス10は、例えばSAWフィルタやSAW共振子などのSAWデバイスである。
圧電基板11は、Y方向から見て矩形状かつ板状の部材である。なお、圧電基板11のY方向から見た形状は、四角形状以外の多角形状や、円形状、長円形状、楕円形状など種々の形状であってよい。圧電基板11は、圧電機能を有する板状の部材である。圧電基板11は、タンタル酸リチウム(LiTaO)や、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、例えばSTカットされた水晶材などである。
表面波素子12は、圧電基板11に形成されており、櫛形電極(IDT:Inter Digital Transducer)を有している。櫛形電極は、圧電基板11の表面(−Y側の面)においてリブ材13に囲まれた領域に形成されている。櫛形電極は、例えば1対が形成される。なお、図1(b)に示す表面波素子12の構成は一例である。櫛形電極は、導電性の金属膜である。この導電性の金属膜としては、例えば、圧電基板11との密着性を高めるための下地層としてクロム(Cr)や、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、あるいはニッケルクロム(NiCr)や、ニッケルチタン(NiTi)、ニッケルタングステン(NiW)合金を成膜し、その上に主電極層として金(Au)や銀(Ag)を成膜した積層構造が採用される。
リブ材13は、圧電基板11に接合されており、圧電基板11の−Y側の表面11aにおいて、表面波素子12を囲んだ領域に形成されている。リブ材13は、板状の部材であり、開口Оを有している。開口Оの形状は、X方向及びZ方向に平行な辺を有する矩形形状であるが、これに限定されず、例えば、四角形以外の多角形状や、円形状、X方向及びZ方向に延びるクロス形状など、種々の形状であってよい。リブ材13としては、感光性ポリイミドが用いられている。なお、リブ材13は、ポリイミド以外の樹脂やセラミックなどであってもよい。
天井材14は、Y方向を厚さ方向とする板状部材である。天井材14は、リブ材13の開口Oを塞ぐようにリブ材13に接合されている。これにより、圧電基板11、リブ材13、及び天井材14に囲まれたキャビティー17が形成される。天井材14は、例えば、圧電デバイス10が樹脂モールドされる際の圧力に対する強度を備える厚さに形成され、例えば50μm程度の厚さに設定される。天井材14は、リブ材13と接合する第1面(+Y側の面)14aとリブ材13と反対側の第2面(−Y側の面)14bとを有している。第2面14bの面積S2は、第1面14aの面積S1より小さくなるように設定されている。天井材14は、Y方向から見た場合に接続電極15に対応する領域を切り欠いた形状となっており、4つの角部に、それぞれ切り欠き部18が形成されている。
切り欠き部18は、X方向及びZ方向に平行な直線部分を有するL字形状に形成されている。なお、切り欠き部18は、上記したL字形状に限定されず、曲線状などであってもよい。また、上記した4つの切り欠き部18の一部または全部は、異なる形状であってもよい。このような切り欠き部18の形状に関する事項は、後述する、第1天井材19の切り欠き部21及び第2天井材22の切り欠き部23、24についても同様である。
また、切り欠き部18は、Y方向から見た場合の矩形形状における角部に形成されることに限定されず、例えば辺部の中央部分などに形成されてもよい。また、切り欠き部18の数についても4つに限定されず、接続電極15の数などに応じて適宜設定が可能である。
天井材14は、第1天井材21と第2天井材22とから構成されている。第1天井材21及び第2天井材22は、それぞれ板状の部材である。第1天井材21及び第2天井材22のそれぞれの厚さ(Y方向の長さ)は、例えば、20μm〜25μmに設定される。第1天井材21と第2天井材22とは、同一の厚さで形成されているが、それぞれ異なる厚さであってもよい。第1天井材21及び第2天井材22は、例えば、感光性ポリイミドが用いられている。なお、第1天井材21及び第2天井材22は、ポリイミドにフィラーを混入させて耐圧性を向上させてもよい。フィラーとしては、例えば、マイカ(雲母)粒子が用いられる。また、第1天井材21及び第2天井材22は、ポリイミド以外の樹脂やセラミックなどであってもよい。また、第1天井材21と第2天井材22とは、異なる材料から形成されてもよい。なお、上記した、天井材14、第1天井材21、及び第2天井材22に関する事項については、切り欠き部18、23、24の構成を除き、後述する第2実施形態に係る天井材214、第1天井材221、及び第2天井材222についても同様に適用が可能である。
第1天井材21は、第2天井材22の+Y側に配置されており、リブ材13に接合される第1面14aを備えている。第1天井材21は、4つの切り欠き部23を有している。第2天井材22は、第1天井材21に積層されている。第2天井材22は、第1天井材21の表面において、Y方向から見てリブ材13の開口Oを含む領域に配置されている。この構成により、キャビティー17の天井部分の厚さが確保される。なお、第1天井材21において第2天井材22が配置される位置は、上記構成に限定されない。第2天井材22は、第2面14bを備えている。また、第2天井材22は、第1天井材21の4つの切り欠き部23のそれぞれに対応する位置に、切り欠き部23より大きな4つの切り欠き部24を有している。これら4つの切り欠き部24のそれぞれは、Y方向から見た形状が対応する第1天井材21の切り欠き部23と同様の形状となっている。
図1(a)に示すように、第2天井材22の4つの切り欠き部24のそれぞれは、対応する第1天井材21の切り欠き部23に対して、Y方向から見て、内側(第2天井材22の中心側)に離間して配置されている。また、図1(b)に示すように、切り欠き部23及び切り欠き部24の側面は、Y方向に平行な面となっている。これにより、天井材14の切り欠き部14は、第1面14aから第2面14bにかけて大きくなるように形成され、側面は階段状に形成されている。
なお、切り欠き部18の側面の一部または全部は、このような階段状に形成されなくてもよい。例えば、第1及び第2天井材21、22の切り欠き部23、24の一方又は双方の側面は、第1面14aから第2面14bにかけて切り欠き形状が除々に大きくなるようにY方向に対して傾斜した傾斜面であってもよい。また、第2天井材22の切り欠き部24の一部は、Y方向から見て、対応する第1天井材21の切り欠き部23に対して重なるように形成されてもよく、この場合、重なった部分の切り欠き部18の側面は、Y方向に対して平行な平面状に形成される。
天井材14は、上記した構成に限定されず、例えば、第1天井材21と第2天井材22とから構成されることに代えて、単一の部材から形成されてもよい。この場合、表面(+Y側の面)に第1面14aが形成され、裏面(−Y側の面)に第2面14bが形成される。また、天井材14は、2枚の第1天井材21及び第2天井材22で構成されることに限定されず、3枚以上が積層されてもよい。この場合、第1面14aの面積S1から順に面積を小さくして第2面14bの面積S2となるように、面積が異なる板状部材を積層した構成であってもよい。なお、上記事項は、後述する第2実施形態に係る天井材214、第1天井材421、及び第2天井材422についても同様に適用が可能である。
上記したリブ材13及び天井材14は、Y方向から見て両者が重なる領域の幅(シールパス)Wの長さが確保されている。すなわち、リブ材13と天井材14との接合面積が確保されているので、互いの密着性が維持されており、キャビティー17の気密性が確保されている。また、天井材14は、面積S1より面積S2が小さい構成となっているが、天井材14の厚さLが維持されるので、天井材14の耐圧性が確保されている。なお、後述する第2実施形態に係るリブ材13と天井材214との構成においても同様である。
接続電極15は、圧電基板11の表面(−Y側の面)11aに形成されている。接続電極15は、圧電基板11のリブ材13の外側部分であって、第1及び第2天井材21、22の切り欠き部23、24に対応する領域に形成されている。接続電極15は、不図示の配線を介して、表面波素子12の櫛形電極と電気的に接続されている。接続電極15は、例えば、UBM(Under Bump Metal)であり、金や銀などの金属から形成されている。接続電極15は、例えばめっきにより形成されている。
接続部材16は、後述する実装基板30の端子31と接続電極15とを電気的に接続するための導電性の部材である。接続部材16としては、例えば、半田ボールである。なお、接続部材16は、半田ボールに限定されず、他の導電ボールなどであってもよい。接続部材16は、接続電極15に接合されて保持されている。なお、圧電デバイス10において、接続部材16を保持させるか否かは任意である。
次に、実装基板30に搭載される際の圧電デバイス10について、図面を用いて説明する。図2は、実装基板30に搭載された圧電デバイス10を示し、(a)は断面図、(b)は(a)の要部を拡大した断面図である。実装基板30は、例えば圧電デバイス10が搭載される通信機器などにおける内部の配線基板である。端子31は、例えば実装基板30の表面に形成されたランドパターンの構成となっている。圧電デバイス10は、位置合わせされて実装基板30上に載置される。次いで、リフロー工程を経て、図2に示すように、実装基板30に圧電デバイス10が接合される。
接続部材16は、リフロー工程において加熱されることにより、一部が溶融する。そして、接続部材16は、Y方向に潰れるように変形し、端子31の表面に沿って拡がり固着する。その際、天井材14が、第1面14aから第2面14bにかけて小さくなるように形成されているので、接続部材16が変形しても、天井材14の下面(−Y側の面)に入り込むことが抑制される。
次に、圧電デバイス10の製造方法の一例について、図面を用いて説明する。図3は、圧電デバイス10の製造方法の一例を示すフローチャートである。図4〜図6は、圧電デバイス10の製造方法の製造工程の一例を示す図である。なお、図4〜図6において圧電ウェハAWは、主として1個の圧電デバイス10が形成される領域を示し、他の領域については省略している。本製造方法は、図3に示すフローチャートに沿って説明する。以下に説明する圧電デバイス10の製造方法は、表面波素子12やリブ材13の形成などの工程をウェハ上で一括して行い、最後にウェハを切断して個別化するウェハレベルパッケージングの手法が採用される。なお、圧電デバイス10の製造方法は、このようなウェハレベルパッケージングの手法を用いるか否かは任意であり、先に表面波素子12が形成された圧電基板11を個別化し、その後、リブ材13の形成などの工程を行ってもよい。
図3に示すように、先ず、圧電基板11を多面取りする圧電ウェハAWが用意される(ステップS01)。圧電ウェハAWは、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、あるいは水晶の単結晶から所定の厚さで切り出される。次いで、図4(a)に示すように、圧電ウェハAWは、必要な厚さに調整され、さらに表面が洗浄される。
次に、図4(b)に示すように、圧電ウェハAW(圧電基板11)に表面波素子12が形成される(ステップS02)。本工程では、メタルマスクを介したスパッタリングや真空蒸着などの成膜手法を用いて、圧電ウェハAWの表面(−Y側の面)に、櫛形電極を構成する導電性の金属膜がパターニングされる。これにより、圧電ウェハAW(圧電基板11)に表面波素子12が形成される。なお、表面波素子12の櫛形電極は、フォトリソグラフィー及びエッチングなどの手法により形成されてもよい。また、櫛形電極と接続する配線等も櫛形電極と同時または個別に形成される。
続いて、図4(c)に示すように、リブ材13及び接続電極15が形成される(ステップS03)。本工程では、先ず、圧電ウェハAWの−Y側の面に、感光性ポリイミドのフィルムを配置する。次いで、この感光性ポリイミドのフィルムに対して、リブ材13の形成領域を備えるフォトマスクを介して露光する。これにより、感光性ポリイミドの露光部分が硬化して圧電ウェハAWに接合し、表面波素子12を囲むように圧電ウェハAW(圧電基板11)上にリブ材13が形成される。また、圧電ウェハAWの表面(−Y側の面)に、例えば、金や銀などがめっきされることにより接続電極15が形成される。
続いて、第1天井材21が接合される(ステップS04)。本工程では、先ず、図4(d)に示すように、圧電ウェハAWの−Y側に、第1天井材21を形成する所定の厚さの感光性ポリイミドのフィルムR1が配置される。次いで、図4(e)に示すように、フィルムR1に対して、第1天井材21の形成領域を備えるフォトマスクM1を介して露光する。これにより、図4(f)に示すように、開口Oを塞ぐようにリブ材13に接合された第1天井材21が形成される。
続いて、第2天井材22が積層される(ステップS05)。本工程では、先ず、図4(g)に示すように、圧電ウェハAWの−Y側に、第2天井材22を形成する所定の厚さの感光性ポリイミドのフィルムR2が配置される。次いで、図4(h)に示すように、第2天井材22形成領域を備えるフォトマスクM2を介して露光する。これにより、図4(i)に示すように、第1天井材21に積層された第2天井材22が形成される。
続いて、接続部材16が接合される(ステップS06)。図4(j)に示すように、圧電ウェハAWの接続電極15上には、それぞれ接続部材16が配置される。次いで、接続部材16は接続電極15に溶着される。
続いて、圧電ウェハAWに対して、予め設定されたスクライブラインSLに沿ってダイシングソー等により切断加工される(ステップS07)。これにより、個々の圧電デバイス10に切り分けられ、圧電デバイス10が完成する。
このように、第1実施形態によれば、接続部材16が変形しても、天井材14の下面(−Y側の面)に入り込むことが抑制されるので、天井材14を厚く形成して破損を防止するとともに、圧電デバイス10と実装基板30との接合を確実にして、実装基板30に対する圧電デバイス10の電気的な接続不良や圧電デバイス10の脱落を防止して不良品の発生を抑制し、信頼性が高い圧電デバイス10を提供することができる。
<第2実施形態>
続いて、第2実施形態について、図7を用いて説明する。図7は、第2実施形態に係る圧電デバイス210の一例を示し、(a)は底面図、(b)は要部を拡大した断面図である。なお、図7(a)においては、接続部材16を透過して表している。以下の説明において第1実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。圧電デバイス210は、図7に示すように、天井材214を有している。
天井材214は、リブ材13と接合する第1面(+Y側の面)214aとリブ材13と反対側の第2面(−Y側の面)214bとを有している。第1実施形態と同様に、第2面214bの面積は、第1面214aの面積より小さくなるように設定されている。天井材214は、第1天井材221と第2天井材222とから構成されている。
天井材214、第1天井材221、及び第2天井材222のそれぞれは、切り欠き部18、23、24の構成に代えて後述する貫通孔218、223、224が設けられている点を除き、それぞれ第1実施形態に係る天井材14、第1天井材21、及び第2天井材22と同様の構成となっている。第1天井材221は、リブ材13に接合されており、第1面214aを有している。第2天井材222は、第1天井材221の−Y側に配置されかつ第1天井材221に積層されている。第2天井材222は、第2面214bを有している。
天井材214は、4つの貫通孔218を有している。これら4つの貫通孔218は、接続電極15とY方向から見て重なるように配置されている。貫通孔218には、接続部材16が配置されている。貫通孔218は、第1天井材221の貫通孔223と、第2天井材222の貫通孔224と、から構成されている。貫通孔218、223、224は、XZ平面に沿った断面が円形状となるように形成されている。ただし、貫通孔218等の断面は、多角形状などであってもよい。貫通孔218は、第1面214aから第2面214bにかけて大きくなるように形成され、貫通孔218の側面は階段状に形成されている。
なお、貫通孔218の側面の一部または全部は、階段状に形成されなくてもよい。例えば、第1及び第2天井材221、222の貫通孔223、224の一方又は双方の側面は、Y方向に平行な面に代えて、貫通孔223、224の断面形状が第1面214aから第2面214bにかけて除々に大きくなるように形成され、かつY方向に対して傾斜した傾斜面であってもよい。また、第1天井材221の貫通孔223と、第2天井材222の貫通孔224とが、Y方向から見て側面の一部が重なるように形成されてもよい。この場合、貫通孔218の側面は、Y方向に平行な部分を有する構成となる。
以上説明した本実施形態に係る圧電デバイス210は、第1実施形態と同様の効果を有する。なお、圧電デバイス210の製造方法については、上記した圧電デバイス10の製造方法とほぼ同様である。
<第3実施形態>
続いて、第3実施形態について、図8を用いて説明する。図8は、第3実施形態に係る圧電部品100の一例を示す断面図である。以下の説明において上記した実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。図8に示すように、電子部品100は、圧電デバイス10と、実装基板30と、樹脂部40とを有している。圧電デバイス10と実装基板30とは、互いに接合されかつ電気的に接続されている。
実装基板30の−Y側の面には、外部端子32が設けられている。外部端子32は、圧電部品100が配線基板に対して搭載される際の端子である。外部端子32は、実装基板30において、例えば4つが形成されている。これら4つの外部端子32のそれぞれは、Y方向から見て、例えば端子31に対応する領域に形成されている。外部端子32は、不図示の配線を介して端子31と電気的に接続されている。
樹脂部40は、圧電デバイス10と実装基板30との間に配置されている。樹脂部40は、例えば、エポキシ樹脂である。なお、樹脂部40の樹脂としては、ポリイミドなどが用いられてもよい。なお、樹脂部40は、圧電デバイス10と実装基板30との間において隙間なく全体的に充填されているが、空隙部分を形成するように配置されてもよい。
次に、電子部品100の製造方法の一例について説明する。先ず、実装基板30を多面取りする基板が用意される。次いで、基板上に圧電デバイス10を載置した状態でリフロー工程を行い、実装基板30に圧電デバイス10が接合される。続いて、圧電デバイス10と基板との間に樹脂を充填し、樹脂部40が形成される。なお、樹脂部40は、例えば、トランスファー成形により形成される。ただし、樹脂部40は、コンプレッション成形やインジェクション成形などにより形成されてもよい。続いて、基板が切断されて個々の電子部品100が取り出される。以上の工程により電子部品100が完成する。
このような第3実施形態によれば、電子部品100の製造工程において、圧電デバイス10と実装基板30との接合の際に、天井材14と実装基板30との間に接続部材16が入り込むことが抑制されるので、実装基板30に対する圧電デバイス10の接合や電気的な接続の不良を防止して不良品の発生を抑制することができるとともに、天井材14の強度が確保されるので、樹脂部40が形成される際の天井材14の破損を防止することができる。よって、高品質でありかつ信頼性の高い電子部品100を提供することができる。また、電子部品100によれば、実装基板30に圧電デバイス10が搭載されかつ樹脂部40を有する構成となっているので、圧電デバイスとしての耐久性を向上させることができる。
以上、実施形態について説明したが、本発明は、上記した説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、上記した実施形態の一部の構成を他の実施形態の構成と置き換えてもよく、上記した実施形態の構成を組み合わせてもよい。
O…開口
S1…第1面の面積
S2…第2面の面積
10、210…圧電デバイス
11…圧電基板
12…表面波素子
13…リブ材
14、214…天井材
14a、214a…第1面
14b、214b…第2面
15…接続電極
16…接続部材
21、222…第1天井材
22、221…第2天井材
30…実装基板
31…端子
40…樹脂部
100…電子部品

Claims (8)

  1. 圧電基板に形成される表面波素子と、前記表面波素子を囲んで前記圧電基板上に接合されるリブ材と、前記リブ材の開口を塞ぐように前記リブ材に接合される板状の天井材と、を有する圧電デバイスであって、
    前記天井材は、前記リブ材と接合する第1面の面積より、前記リブ材と反対側の第2面の面積が小さく形成される圧電デバイス。
  2. 前記天井材は、前記リブ材に接合される前記第1面を備える第1天井材と、前記第1面より面積が小さい前記第2面を備えかつ前記第1天井材に積層される第2天井材と、を有する請求項1記載の圧電デバイス。
  3. 前記表面波素子と電気的に接続されかつ前記圧電基板の前記リブ材の外側部分に形成された接続電極を備える請求項1または請求項2記載の圧電デバイス。
  4. 前記接続電極に接合しかつ実装基板の端子と前記接続電極とを電気的に接続するための導電性の接続部材を備える請求項3記載の圧電デバイス。
  5. 前記接続部材は、半田ボールである請求項4記載の圧電デバイス。
  6. 圧電基板の表面に表面波素子を形成する工程と、前記表面波素子を囲むように前記圧電基板上にリブ材を形成する工程と、前記リブ材の開口を塞ぐように前記リブ材に板状の天井材を接合する工程と、を有する圧電デバイス製造方法であって、
    前記天井材に対して、前記リブ材と接合する第1面の面積より、前記リブ材と反対側の第2面の面積を小さくする工程を含む圧電デバイス製造方法。
  7. 前記天井材は、前記リブ材に接合される前記第1面を備える第1天井材と、前記第1面より面積が小さい前記第2面を備える第2天井材と、を有し、
    前記第1天井材を前記リブ材に接合する工程と、
    前記第1天井材に前記第2天井材を積層する工程と、を含む請求項6記載の圧電デバイス製造方法。
  8. 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の圧電デバイスと、表面に端子を備えかつ前記端子を介して前記圧電デバイスと電気的に接続される実装基板と、少なくとも前記圧電デバイスと前記実装基板との間に配置される樹脂部と、を有する電子部品。
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