JP2016058857A - 圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】天井材の厚さを維持して天井材の強度を確保するとともに、圧電デバイスと実装基板との接合を確実にして不良品の発生を抑制する。【解決手段】圧電基板１１に形成される表面波素子１２と、表面波素子１２を囲んで圧電基板１１上に接合されるリブ材１３と、リブ材１３の開口Ｏを塞ぐようにリブ材１３に接合される板状の天井材１４と、を有する圧電デバイス１０であって、天井材１４は、リブ材１３と接合する第１面１４ａの面積Ｓ１より、リブ材１３と反対側の第２面１４ｂの面積Ｓ２が小さく形成される。【選択図】図１

Description

本発明は、圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品に関する。

携帯電話機や携帯端末機などの各種情報・通信機器の一つとして、ＳＡＷ（弾性表面波：Surface Acoustic Wave）デバイスを搭載した製品が提供されている。ＳＡＷデバイスは、圧電基板に形成される表面波素子と、表面波素子を囲んで圧電基板上に接合される外囲壁部（リブ材）と、外囲壁部の開口を塞ぐように外囲壁部に接合される板状の天井部（天井材）と、を有する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。この圧電デバイスは、天井材を実装基板側に向けた状態で、例えば半田ボールなどの接続部材を介して実装基板に搭載され、かつ電気的に接続される。

特開２０１１−１４７０９８号公報

近年の圧電デバイスの低背化の要請から、上記構成の圧電デバイスにおいては、実装基板との間隔を小さくすることが求められている。これに対応するため、天井材の厚さを薄くすることも考えられるが、この場合、天井材の強度が低下するため、圧電デバイスの実装時において樹脂モールドの圧力などにより、天井材が破損するといった問題がある。一方、圧電デバイスの接続電極を圧電基板側に凹ませて形成することも考えられる。この場合、天井材は、圧電基板の表面から実装基板側に突出するので、実装基板に圧電デバイスを搭載する際、接続部材が拡がって天井材と実装基板との間に入り込むことがある。これにより、接続部材が圧電デバイスを押し上げ、圧電デバイスを実装基板から引き離すことで電気的な接続不良や、圧電デバイスの脱落等が発生するといった問題がある。

以上のような事情に鑑み、本発明は、天井材の厚さを維持して天井材の強度を確保するとともに、圧電デバイスと実装基板との接合を確実にして不良品の発生を抑制し、信頼性が高い圧電デバイス及びその製造方法、並びにこのような圧電デバイスを有する電子部品を提供することを目的とする。

本発明は、圧電基板に形成される表面波素子と、表面波素子を囲んで圧電基板上に接合されるリブ材と、リブ材の開口を塞ぐようにリブ材に接合される板状の天井材と、を有する圧電デバイスであって、天井材は、リブ材と接合する第１面の面積より、リブ材と反対側の第２面の面積が小さく形成される。

また、天井材は、リブ材に接合される第１面を備える第１天井材と、第１面より面積が小さい第２面を備えかつ第１天井材に積層される第２天井材と、を有してもよい。また、表面波素子と電気的に接続されかつ圧電基板のリブ材の外側部分に形成された接続電極を備えてもよい。また、接続電極に接合しかつ実装基板の端子と接続電極とを電気的に接続するための導電性の接続部材を備えてもよい。また、接続部材は、半田ボールであってもよい。

本発明は、上記した圧電デバイスを含む電子部品であって、表面に端子を備えかつ端子を介して圧電デバイスと電気的に接続される実装基板と、少なくとも圧電デバイスと実装基板との間に配置される樹脂部と、を有する。

本発明は、圧電基板の表面に表面波素子を形成する工程と、表面波素子を囲むように圧電基板上にリブ材を形成する工程と、リブ材の開口を塞ぐようにリブ材に板状の天井材を接合する工程と、を有する圧電デバイス製造方法であって、天井材に対して、リブ材と接合する第１面の面積より、リブ材と反対側の第２面の面積を小さくする工程を含む。

また、天井材は、リブ材に接合される第１面を備える第１天井材と、第１面より面積が小さい第２面を備える第２天井材と、を有し、第１天井材をリブ材に接合する工程と、第１天井材に第２天井材を積層する工程と、を含んでもよい。

本発明によれば、天井材は、リブ材と接合する第１面の面積より、リブ材と反対側の第２面の面積が小さいので、天井材を厚くしても、接続部材が天井材と実装基板との間に入り込むことが抑制される。よって、天井材の強度を確保して破損を防止するとともに、実装基板に対する圧電デバイスの電気的な接続不良や圧電デバイスの脱落を防止して不良品の発生を抑制し、信頼性が高い圧電デバイス及びその製造方法、並びにこのような圧電デバイスを有する電子部品を提供することができる。

第１実施形態の圧電デバイスの一例を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１に示す圧電デバイスが実装基板に搭載された状態を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の要部を拡大した断面図である。 図１の圧電デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図１の圧電デバイスの製造工程の一例を示す図である。 図４に引き続き、図１の圧電デバイスの製造工程の一例を示す図である。 図５に引き続き、図１の圧電デバイスの製造工程の一例を示す図である。 第２実施形態の圧電デバイスの一例を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は要部を拡大した断面図である。 第３実施形態の圧電部品の一例を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。また、図面においては一部分を大きくまたは強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。また、図面において、金属膜や接続部材などの導電性部材は、ハッチングを施して表している。なお、圧電基板及び実装基板の断面を示すハッチングは省略している。以下の各図では、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系においては、圧電デバイスの表面（上面）に平行な平面をＸＺ平面とする。このＸＺ平面において、紙面の左右方向をＸ方向と表記し、Ｘ方向に直交する方向をＺ方向と表記する。ＸＺ平面に垂直な方向（圧電デバイスの厚さ方向）はＹ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の圧電デバイス１０の一例を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、図１（ａ）では、接続部材１６を透過して表している。図１に示すように、圧電デバイス１０は、圧電基板１１と、表面波素子１２と、リブ材１３と、天井材１４と、接続電極１５と、接続部材１６とを有している。圧電デバイス１０は、例えばＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振子などのＳＡＷデバイスである。

圧電基板１１は、Ｙ方向から見て矩形状かつ板状の部材である。なお、圧電基板１１のＹ方向から見た形状は、四角形状以外の多角形状や、円形状、長円形状、楕円形状など種々の形状であってよい。圧電基板１１は、圧電機能を有する板状の部材である。圧電基板１１は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）や、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）、例えばＳＴカットされた水晶材などである。

表面波素子１２は、圧電基板１１に形成されており、櫛形電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）を有している。櫛形電極は、圧電基板１１の表面（−Ｙ側の面）においてリブ材１３に囲まれた領域に形成されている。櫛形電極は、例えば１対が形成される。なお、図１（ｂ）に示す表面波素子１２の構成は一例である。櫛形電極は、導電性の金属膜である。この導電性の金属膜としては、例えば、圧電基板１１との密着性を高めるための下地層としてクロム（Ｃｒ）や、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、あるいはニッケルクロム（ＮｉＣｒ）や、ニッケルチタン（ＮｉＴｉ）、ニッケルタングステン（ＮｉＷ）合金を成膜し、その上に主電極層として金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）を成膜した積層構造が採用される。

リブ材１３は、圧電基板１１に接合されており、圧電基板１１の−Ｙ側の表面１１ａにおいて、表面波素子１２を囲んだ領域に形成されている。リブ材１３は、板状の部材であり、開口Оを有している。開口Оの形状は、Ｘ方向及びＺ方向に平行な辺を有する矩形形状であるが、これに限定されず、例えば、四角形以外の多角形状や、円形状、Ｘ方向及びＺ方向に延びるクロス形状など、種々の形状であってよい。リブ材１３としては、感光性ポリイミドが用いられている。なお、リブ材１３は、ポリイミド以外の樹脂やセラミックなどであってもよい。

天井材１４は、Ｙ方向を厚さ方向とする板状部材である。天井材１４は、リブ材１３の開口Ｏを塞ぐようにリブ材１３に接合されている。これにより、圧電基板１１、リブ材１３、及び天井材１４に囲まれたキャビティー１７が形成される。天井材１４は、例えば、圧電デバイス１０が樹脂モールドされる際の圧力に対する強度を備える厚さに形成され、例えば５０μｍ程度の厚さに設定される。天井材１４は、リブ材１３と接合する第１面（＋Ｙ側の面）１４ａとリブ材１３と反対側の第２面（−Ｙ側の面）１４ｂとを有している。第２面１４ｂの面積Ｓ２は、第１面１４ａの面積Ｓ１より小さくなるように設定されている。天井材１４は、Ｙ方向から見た場合に接続電極１５に対応する領域を切り欠いた形状となっており、４つの角部に、それぞれ切り欠き部１８が形成されている。

切り欠き部１８は、Ｘ方向及びＺ方向に平行な直線部分を有するＬ字形状に形成されている。なお、切り欠き部１８は、上記したＬ字形状に限定されず、曲線状などであってもよい。また、上記した４つの切り欠き部１８の一部または全部は、異なる形状であってもよい。このような切り欠き部１８の形状に関する事項は、後述する、第１天井材１９の切り欠き部２１及び第２天井材２２の切り欠き部２３、２４についても同様である。

また、切り欠き部１８は、Ｙ方向から見た場合の矩形形状における角部に形成されることに限定されず、例えば辺部の中央部分などに形成されてもよい。また、切り欠き部１８の数についても４つに限定されず、接続電極１５の数などに応じて適宜設定が可能である。

天井材１４は、第１天井材２１と第２天井材２２とから構成されている。第１天井材２１及び第２天井材２２は、それぞれ板状の部材である。第１天井材２１及び第２天井材２２のそれぞれの厚さ（Ｙ方向の長さ）は、例えば、２０μｍ〜２５μｍに設定される。第１天井材２１と第２天井材２２とは、同一の厚さで形成されているが、それぞれ異なる厚さであってもよい。第１天井材２１及び第２天井材２２は、例えば、感光性ポリイミドが用いられている。なお、第１天井材２１及び第２天井材２２は、ポリイミドにフィラーを混入させて耐圧性を向上させてもよい。フィラーとしては、例えば、マイカ（雲母）粒子が用いられる。また、第１天井材２１及び第２天井材２２は、ポリイミド以外の樹脂やセラミックなどであってもよい。また、第１天井材２１と第２天井材２２とは、異なる材料から形成されてもよい。なお、上記した、天井材１４、第１天井材２１、及び第２天井材２２に関する事項については、切り欠き部１８、２３、２４の構成を除き、後述する第２実施形態に係る天井材２１４、第１天井材２２１、及び第２天井材２２２についても同様に適用が可能である。

第１天井材２１は、第２天井材２２の＋Ｙ側に配置されており、リブ材１３に接合される第１面１４ａを備えている。第１天井材２１は、４つの切り欠き部２３を有している。第２天井材２２は、第１天井材２１に積層されている。第２天井材２２は、第１天井材２１の表面において、Ｙ方向から見てリブ材１３の開口Ｏを含む領域に配置されている。この構成により、キャビティー１７の天井部分の厚さが確保される。なお、第１天井材２１において第２天井材２２が配置される位置は、上記構成に限定されない。第２天井材２２は、第２面１４ｂを備えている。また、第２天井材２２は、第１天井材２１の４つの切り欠き部２３のそれぞれに対応する位置に、切り欠き部２３より大きな４つの切り欠き部２４を有している。これら４つの切り欠き部２４のそれぞれは、Ｙ方向から見た形状が対応する第１天井材２１の切り欠き部２３と同様の形状となっている。

図１（ａ）に示すように、第２天井材２２の４つの切り欠き部２４のそれぞれは、対応する第１天井材２１の切り欠き部２３に対して、Ｙ方向から見て、内側（第２天井材２２の中心側）に離間して配置されている。また、図１（ｂ）に示すように、切り欠き部２３及び切り欠き部２４の側面は、Ｙ方向に平行な面となっている。これにより、天井材１４の切り欠き部１４は、第１面１４ａから第２面１４ｂにかけて大きくなるように形成され、側面は階段状に形成されている。

なお、切り欠き部１８の側面の一部または全部は、このような階段状に形成されなくてもよい。例えば、第１及び第２天井材２１、２２の切り欠き部２３、２４の一方又は双方の側面は、第１面１４ａから第２面１４ｂにかけて切り欠き形状が除々に大きくなるようにＹ方向に対して傾斜した傾斜面であってもよい。また、第２天井材２２の切り欠き部２４の一部は、Ｙ方向から見て、対応する第１天井材２１の切り欠き部２３に対して重なるように形成されてもよく、この場合、重なった部分の切り欠き部１８の側面は、Ｙ方向に対して平行な平面状に形成される。

天井材１４は、上記した構成に限定されず、例えば、第１天井材２１と第２天井材２２とから構成されることに代えて、単一の部材から形成されてもよい。この場合、表面（＋Ｙ側の面）に第１面１４ａが形成され、裏面（−Ｙ側の面）に第２面１４ｂが形成される。また、天井材１４は、２枚の第１天井材２１及び第２天井材２２で構成されることに限定されず、３枚以上が積層されてもよい。この場合、第１面１４ａの面積Ｓ１から順に面積を小さくして第２面１４ｂの面積Ｓ２となるように、面積が異なる板状部材を積層した構成であってもよい。なお、上記事項は、後述する第２実施形態に係る天井材２１４、第１天井材４２１、及び第２天井材４２２についても同様に適用が可能である。

上記したリブ材１３及び天井材１４は、Ｙ方向から見て両者が重なる領域の幅（シールパス）Ｗの長さが確保されている。すなわち、リブ材１３と天井材１４との接合面積が確保されているので、互いの密着性が維持されており、キャビティー１７の気密性が確保されている。また、天井材１４は、面積Ｓ１より面積Ｓ２が小さい構成となっているが、天井材１４の厚さＬが維持されるので、天井材１４の耐圧性が確保されている。なお、後述する第２実施形態に係るリブ材１３と天井材２１４との構成においても同様である。

接続電極１５は、圧電基板１１の表面（−Ｙ側の面）１１ａに形成されている。接続電極１５は、圧電基板１１のリブ材１３の外側部分であって、第１及び第２天井材２１、２２の切り欠き部２３、２４に対応する領域に形成されている。接続電極１５は、不図示の配線を介して、表面波素子１２の櫛形電極と電気的に接続されている。接続電極１５は、例えば、ＵＢＭ（Under Bump Metal）であり、金や銀などの金属から形成されている。接続電極１５は、例えばめっきにより形成されている。

接続部材１６は、後述する実装基板３０の端子３１と接続電極１５とを電気的に接続するための導電性の部材である。接続部材１６としては、例えば、半田ボールである。なお、接続部材１６は、半田ボールに限定されず、他の導電ボールなどであってもよい。接続部材１６は、接続電極１５に接合されて保持されている。なお、圧電デバイス１０において、接続部材１６を保持させるか否かは任意である。

次に、実装基板３０に搭載される際の圧電デバイス１０について、図面を用いて説明する。図２は、実装基板３０に搭載された圧電デバイス１０を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の要部を拡大した断面図である。実装基板３０は、例えば圧電デバイス１０が搭載される通信機器などにおける内部の配線基板である。端子３１は、例えば実装基板３０の表面に形成されたランドパターンの構成となっている。圧電デバイス１０は、位置合わせされて実装基板３０上に載置される。次いで、リフロー工程を経て、図２に示すように、実装基板３０に圧電デバイス１０が接合される。

接続部材１６は、リフロー工程において加熱されることにより、一部が溶融する。そして、接続部材１６は、Ｙ方向に潰れるように変形し、端子３１の表面に沿って拡がり固着する。その際、天井材１４が、第１面１４ａから第２面１４ｂにかけて小さくなるように形成されているので、接続部材１６が変形しても、天井材１４の下面（−Ｙ側の面）に入り込むことが抑制される。

次に、圧電デバイス１０の製造方法の一例について、図面を用いて説明する。図３は、圧電デバイス１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。図４〜図６は、圧電デバイス１０の製造方法の製造工程の一例を示す図である。なお、図４〜図６において圧電ウェハＡＷは、主として１個の圧電デバイス１０が形成される領域を示し、他の領域については省略している。本製造方法は、図３に示すフローチャートに沿って説明する。以下に説明する圧電デバイス１０の製造方法は、表面波素子１２やリブ材１３の形成などの工程をウェハ上で一括して行い、最後にウェハを切断して個別化するウェハレベルパッケージングの手法が採用される。なお、圧電デバイス１０の製造方法は、このようなウェハレベルパッケージングの手法を用いるか否かは任意であり、先に表面波素子１２が形成された圧電基板１１を個別化し、その後、リブ材１３の形成などの工程を行ってもよい。

図３に示すように、先ず、圧電基板１１を多面取りする圧電ウェハＡＷが用意される（ステップＳ０１）。圧電ウェハＡＷは、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、あるいは水晶の単結晶から所定の厚さで切り出される。次いで、図４（ａ）に示すように、圧電ウェハＡＷは、必要な厚さに調整され、さらに表面が洗浄される。

次に、図４（ｂ）に示すように、圧電ウェハＡＷ（圧電基板１１）に表面波素子１２が形成される（ステップＳ０２）。本工程では、メタルマスクを介したスパッタリングや真空蒸着などの成膜手法を用いて、圧電ウェハＡＷの表面（−Ｙ側の面）に、櫛形電極を構成する導電性の金属膜がパターニングされる。これにより、圧電ウェハＡＷ（圧電基板１１）に表面波素子１２が形成される。なお、表面波素子１２の櫛形電極は、フォトリソグラフィー及びエッチングなどの手法により形成されてもよい。また、櫛形電極と接続する配線等も櫛形電極と同時または個別に形成される。

続いて、図４（ｃ）に示すように、リブ材１３及び接続電極１５が形成される（ステップＳ０３）。本工程では、先ず、圧電ウェハＡＷの−Ｙ側の面に、感光性ポリイミドのフィルムを配置する。次いで、この感光性ポリイミドのフィルムに対して、リブ材１３の形成領域を備えるフォトマスクを介して露光する。これにより、感光性ポリイミドの露光部分が硬化して圧電ウェハＡＷに接合し、表面波素子１２を囲むように圧電ウェハＡＷ（圧電基板１１）上にリブ材１３が形成される。また、圧電ウェハＡＷの表面（−Ｙ側の面）に、例えば、金や銀などがめっきされることにより接続電極１５が形成される。

続いて、第１天井材２１が接合される（ステップＳ０４）。本工程では、先ず、図４（ｄ）に示すように、圧電ウェハＡＷの−Ｙ側に、第１天井材２１を形成する所定の厚さの感光性ポリイミドのフィルムＲ１が配置される。次いで、図４（ｅ）に示すように、フィルムＲ１に対して、第１天井材２１の形成領域を備えるフォトマスクＭ１を介して露光する。これにより、図４（ｆ）に示すように、開口Ｏを塞ぐようにリブ材１３に接合された第１天井材２１が形成される。

続いて、第２天井材２２が積層される（ステップＳ０５）。本工程では、先ず、図４（ｇ）に示すように、圧電ウェハＡＷの−Ｙ側に、第２天井材２２を形成する所定の厚さの感光性ポリイミドのフィルムＲ２が配置される。次いで、図４（ｈ）に示すように、第２天井材２２形成領域を備えるフォトマスクＭ２を介して露光する。これにより、図４（ｉ）に示すように、第１天井材２１に積層された第２天井材２２が形成される。

続いて、接続部材１６が接合される（ステップＳ０６）。図４（ｊ）に示すように、圧電ウェハＡＷの接続電極１５上には、それぞれ接続部材１６が配置される。次いで、接続部材１６は接続電極１５に溶着される。

続いて、圧電ウェハＡＷに対して、予め設定されたスクライブラインＳＬに沿ってダイシングソー等により切断加工される（ステップＳ０７）。これにより、個々の圧電デバイス１０に切り分けられ、圧電デバイス１０が完成する。

このように、第１実施形態によれば、接続部材１６が変形しても、天井材１４の下面（−Ｙ側の面）に入り込むことが抑制されるので、天井材１４を厚く形成して破損を防止するとともに、圧電デバイス１０と実装基板３０との接合を確実にして、実装基板３０に対する圧電デバイス１０の電気的な接続不良や圧電デバイス１０の脱落を防止して不良品の発生を抑制し、信頼性が高い圧電デバイス１０を提供することができる。

＜第２実施形態＞
続いて、第２実施形態について、図７を用いて説明する。図７は、第２実施形態に係る圧電デバイス２１０の一例を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は要部を拡大した断面図である。なお、図７（ａ）においては、接続部材１６を透過して表している。以下の説明において第１実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。圧電デバイス２１０は、図７に示すように、天井材２１４を有している。

天井材２１４は、リブ材１３と接合する第１面（＋Ｙ側の面）２１４ａとリブ材１３と反対側の第２面（−Ｙ側の面）２１４ｂとを有している。第１実施形態と同様に、第２面２１４ｂの面積は、第１面２１４ａの面積より小さくなるように設定されている。天井材２１４は、第１天井材２２１と第２天井材２２２とから構成されている。

天井材２１４、第１天井材２２１、及び第２天井材２２２のそれぞれは、切り欠き部１８、２３、２４の構成に代えて後述する貫通孔２１８、２２３、２２４が設けられている点を除き、それぞれ第１実施形態に係る天井材１４、第１天井材２１、及び第２天井材２２と同様の構成となっている。第１天井材２２１は、リブ材１３に接合されており、第１面２１４ａを有している。第２天井材２２２は、第１天井材２２１の−Ｙ側に配置されかつ第１天井材２２１に積層されている。第２天井材２２２は、第２面２１４ｂを有している。

天井材２１４は、４つの貫通孔２１８を有している。これら４つの貫通孔２１８は、接続電極１５とＹ方向から見て重なるように配置されている。貫通孔２１８には、接続部材１６が配置されている。貫通孔２１８は、第１天井材２２１の貫通孔２２３と、第２天井材２２２の貫通孔２２４と、から構成されている。貫通孔２１８、２２３、２２４は、ＸＺ平面に沿った断面が円形状となるように形成されている。ただし、貫通孔２１８等の断面は、多角形状などであってもよい。貫通孔２１８は、第１面２１４ａから第２面２１４ｂにかけて大きくなるように形成され、貫通孔２１８の側面は階段状に形成されている。

なお、貫通孔２１８の側面の一部または全部は、階段状に形成されなくてもよい。例えば、第１及び第２天井材２２１、２２２の貫通孔２２３、２２４の一方又は双方の側面は、Ｙ方向に平行な面に代えて、貫通孔２２３、２２４の断面形状が第１面２１４ａから第２面２１４ｂにかけて除々に大きくなるように形成され、かつＹ方向に対して傾斜した傾斜面であってもよい。また、第１天井材２２１の貫通孔２２３と、第２天井材２２２の貫通孔２２４とが、Ｙ方向から見て側面の一部が重なるように形成されてもよい。この場合、貫通孔２１８の側面は、Ｙ方向に平行な部分を有する構成となる。

以上説明した本実施形態に係る圧電デバイス２１０は、第１実施形態と同様の効果を有する。なお、圧電デバイス２１０の製造方法については、上記した圧電デバイス１０の製造方法とほぼ同様である。

＜第３実施形態＞
続いて、第３実施形態について、図８を用いて説明する。図８は、第３実施形態に係る圧電部品１００の一例を示す断面図である。以下の説明において上記した実施形態と同一または同等の構成部分については同一符号を付けて説明を省略または簡略化する。図８に示すように、電子部品１００は、圧電デバイス１０と、実装基板３０と、樹脂部４０とを有している。圧電デバイス１０と実装基板３０とは、互いに接合されかつ電気的に接続されている。

実装基板３０の−Ｙ側の面には、外部端子３２が設けられている。外部端子３２は、圧電部品１００が配線基板に対して搭載される際の端子である。外部端子３２は、実装基板３０において、例えば４つが形成されている。これら４つの外部端子３２のそれぞれは、Ｙ方向から見て、例えば端子３１に対応する領域に形成されている。外部端子３２は、不図示の配線を介して端子３１と電気的に接続されている。

樹脂部４０は、圧電デバイス１０と実装基板３０との間に配置されている。樹脂部４０は、例えば、エポキシ樹脂である。なお、樹脂部４０の樹脂としては、ポリイミドなどが用いられてもよい。なお、樹脂部４０は、圧電デバイス１０と実装基板３０との間において隙間なく全体的に充填されているが、空隙部分を形成するように配置されてもよい。

次に、電子部品１００の製造方法の一例について説明する。先ず、実装基板３０を多面取りする基板が用意される。次いで、基板上に圧電デバイス１０を載置した状態でリフロー工程を行い、実装基板３０に圧電デバイス１０が接合される。続いて、圧電デバイス１０と基板との間に樹脂を充填し、樹脂部４０が形成される。なお、樹脂部４０は、例えば、トランスファー成形により形成される。ただし、樹脂部４０は、コンプレッション成形やインジェクション成形などにより形成されてもよい。続いて、基板が切断されて個々の電子部品１００が取り出される。以上の工程により電子部品１００が完成する。

このような第３実施形態によれば、電子部品１００の製造工程において、圧電デバイス１０と実装基板３０との接合の際に、天井材１４と実装基板３０との間に接続部材１６が入り込むことが抑制されるので、実装基板３０に対する圧電デバイス１０の接合や電気的な接続の不良を防止して不良品の発生を抑制することができるとともに、天井材１４の強度が確保されるので、樹脂部４０が形成される際の天井材１４の破損を防止することができる。よって、高品質でありかつ信頼性の高い電子部品１００を提供することができる。また、電子部品１００によれば、実装基板３０に圧電デバイス１０が搭載されかつ樹脂部４０を有する構成となっているので、圧電デバイスとしての耐久性を向上させることができる。

以上、実施形態について説明したが、本発明は、上記した説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、上記した実施形態の一部の構成を他の実施形態の構成と置き換えてもよく、上記した実施形態の構成を組み合わせてもよい。

Ｏ…開口
Ｓ１…第１面の面積
Ｓ２…第２面の面積
１０、２１０…圧電デバイス
１１…圧電基板
１２…表面波素子
１３…リブ材
１４、２１４…天井材
１４ａ、２１４ａ…第１面
１４ｂ、２１４ｂ…第２面
１５…接続電極
１６…接続部材
２１、２２２…第１天井材
２２、２２１…第２天井材
３０…実装基板
３１…端子
４０…樹脂部
１００…電子部品

Claims (8)

1. 圧電基板に形成される表面波素子と、前記表面波素子を囲んで前記圧電基板上に接合されるリブ材と、前記リブ材の開口を塞ぐように前記リブ材に接合される板状の天井材と、を有する圧電デバイスであって、
   前記天井材は、前記リブ材と接合する第１面の面積より、前記リブ材と反対側の第２面の面積が小さく形成される圧電デバイス。
2. 前記天井材は、前記リブ材に接合される前記第１面を備える第１天井材と、前記第１面より面積が小さい前記第２面を備えかつ前記第１天井材に積層される第２天井材と、を有する請求項１記載の圧電デバイス。
3. 前記表面波素子と電気的に接続されかつ前記圧電基板の前記リブ材の外側部分に形成された接続電極を備える請求項１または請求項２記載の圧電デバイス。
4. 前記接続電極に接合しかつ実装基板の端子と前記接続電極とを電気的に接続するための導電性の接続部材を備える請求項３記載の圧電デバイス。
5. 前記接続部材は、半田ボールである請求項４記載の圧電デバイス。
6. 圧電基板の表面に表面波素子を形成する工程と、前記表面波素子を囲むように前記圧電基板上にリブ材を形成する工程と、前記リブ材の開口を塞ぐように前記リブ材に板状の天井材を接合する工程と、を有する圧電デバイス製造方法であって、
   前記天井材に対して、前記リブ材と接合する第１面の面積より、前記リブ材と反対側の第２面の面積を小さくする工程を含む圧電デバイス製造方法。
7. 前記天井材は、前記リブ材に接合される前記第１面を備える第１天井材と、前記第１面より面積が小さい前記第２面を備える第２天井材と、を有し、
   前記第１天井材を前記リブ材に接合する工程と、
   前記第１天井材に前記第２天井材を積層する工程と、を含む請求項６記載の圧電デバイス製造方法。
8. 請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の圧電デバイスと、表面に端子を備えかつ前記端子を介して前記圧電デバイスと電気的に接続される実装基板と、少なくとも前記圧電デバイスと前記実装基板との間に配置される樹脂部と、を有する電子部品。

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