JP2006246538A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 IDT13とこれに配線パターン15を介して接続された電極パッド14とが主面上に形成された圧電基板11Aと、電極パッド14と接続される電極パッド5が主面上に形成されたベース基板2Aとを貼り合わせて構成されたSAWデバイス1において、圧電基板11Aの主面上にIDT13を取り囲む金属膜16と、ベース基板2Aの主面上に金属膜16と位置合わせされた金属膜4とを有する。圧電基板11Aとベース基板2Aとの接合は、この金属膜16,4を直接接合することで実現される。これにより、IDT13が金属膜16,4,圧電基板11A及びベース基板2Aで形成されるキャビティ9内にハーメチックシールされる。この際、金属膜16,4表面に活性化処理を施した後、両基板を接合する。
【選択図】 図4
Description
先ず、本発明の第1の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図6から図8は、本実施形態によるSAWデバイス21の構成を示す図である。尚、図6(a)はSAWデバイス21におけるSAW素子20の構成を示す上面図であり、(b)は(a)のB−B断面図である。また、図7(a)はSAWデバイス21におけるベース基板22の構成を示す上面図であり、(b)は(a)のC−C断面図であり、(c)はベース基板22の構成を示す裏面図である。更に、図8はSAWデバイス21の断面図(但し、B−B断面及びC−C断面に相当)である。
次に、本発明の第2の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図13は、本実施形態によるSAWデバイスにおけるベース基板32の構成を示す図である。尚、図13(a)はベース基板32の上面図を示し、(b)は(a)のD−D断面図を示し、(c)はベース基板32の裏面図を示す。尚、本実施形態におけるSAW素子は第1の実施形態で例示したSAW素子20と同様な構成とすることが可能である。
次に、本発明の第3の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図15は、本実施形態によるSAWデバイスにおけるSAW素子40の構成を示す図である。尚、図15(a)はSAW素子40の上面図を示し、(b)は(a)のE−E断面図を示す。
次に、本発明の第4の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。上述した各実施形態におけるSAW素子(20)及びベース基板(22,32)は、例えば図17に示すように、多面取り構造の基板(50A,52A)として一度に複数作成することも可能である。尚、図17では、例として第1の実施形態で述べたSAW素子20又はベース基板22が2次元配列された多面取り構造の基板(50A,52A)を示している。
更に、上述した第4の実施形態に限らず、例えば第3の実施形態のように、圧電基板に支持基板が接合されたSAW素子を作成する際も、図18に示すような多面取り構造の基板60Aとすることが可能である。尚、図18では、例として第3の実施形態で述べたSAW素子40が2次元配列された多面取り構造の基板60Aを示している。また、ベース基板に関しては、第4の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
次に、本発明の第6の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本実施形態は、上述したようなベース基板(22,42)を低温焼成セラミックス(LTCC)やプリント基板等に直に形成した場合の例である。図19に、本実施形態におけるベース基板(以下の説明では第1の実施形態で述べたベース基板22を例に挙げる)が形成されたLTCC72Aの構成を示す上面図である。
また、上述した各実施形態では、SAW素子に1つのフィルタが形成された場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば図20(a)に示すような送信用フィルタ90aと受信用フィルタ90bとを有するデュプレクサ90として形成したSAW素子に対しても同様に適用することが可能である。
以上、説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
2、41B,41b シリコン基板
2A、22、32 ベース基板
4、4’、16 金属膜
4A、13A、13B 電極膜
5、5’、14 電極パッド
6、7 ビア配線
6a、7a ビア
9 キャビティ
10、20、40 SAW素子
11、41A、41a LT基板
11A 圧電基板
13 IDT
14A 金属膜
15、17 配線パターン
25、27、29、35、35’、36、36’ マスク
26、28 絶縁膜
41 接合基板
50A,52A、60A 基板
72A LTCC
72 ベース基板
81 送信用回路チップ
82 受信用回路チップ
83 RF回路
90 デュプレクサ
90a 送信用フィルタ
90b 受信用フィルタ
L1、L2 インダクタ
C1,C2,C3 コンデンサ
X1、X2、X11、X12 不純物
Claims (16)
- 櫛形電極と該櫛形電極に電気的に接続された第1の電極パッドとが第1の主面上に形成された圧電基板と、前記第1の電極パッドと接続される第2の電極パッドが第2の主面上に形成されたベース基板とを有する弾性表面波デバイスであって、
前記櫛形電極を取り囲むように前記第1の主面上に形成された第1の膜と、
前記第1及び第2の電極パッドを貼り合わせた際に前記第1の膜と対応する前記第2の主面上の領域に形成された第2の膜とを有し、
前記第1及び第2の膜の表面に活性化処理が施されており、
前記第1及び第2の膜の前記活性化処理が施された面を接合することで前記櫛形電極が封止されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 前記第1及び/又は第2の膜は金属を主成分として形成されていることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
- 前記第1及び第2の膜の接合面が金を含んでなることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
- 前記ベース基板が半導体基板又は絶縁体基板で形成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記ベース基板がシリコン基板で形成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記第2の主面上に形成された電子素子を有することを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記電子素子は前記櫛形電極及び前記第1の電極パッドを含んで構成された弾性表面波素子への入力インピーダンスを変換するインピーダンス変換回路であることを特徴とする請求項6記載の弾性表面波デバイス。
- 前記櫛形電極及び前記第1の電極パッドを複数有することで、送信用フィルタと受信用フィルタとが形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の弾性表面波デバイス。
- 前記送信用フィルタと前記受信用フィルタとに共通な入力端子を前記第2の主面上に有し、
前記入力端子と前記送信用フィルタ及び/又は前記受信用フィルタとの間に入力インピーダンスを変換するインピーダンス変換回路を前記第1及び/又は第2の主面上に有することを特徴とする請求項8記載の弾性表面波デバイス。 - 前記ベース基板を貫通するビア配線を有し、
前記ビア配線を介して前記第2の電極パッドが前記ベース基板の前記第2の主面と反対側の第3の主面に電気的に引き出されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の弾性表面波デバイス。 - 前記圧電基板の前記第1の主面と反対側の第4の主面に接合されたシリコン基板又はサファイア基板を有し、
前記圧電基板と前記シリコン基板又は前記サファイア基板との接合面に活性化処理が施されていることを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の弾性表面波デバイス。 - 櫛形電極と該櫛形電極に電気的に接続された第1の電極パッドとが第1の主面上に形成された圧電基板と、前記第1の電極パッドと接続される第2の電極パッドが第2の主面上に形成されたベース基板とを有する弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記第1の主面上に前記櫛形電極を取り囲む第1の膜を形成する第1の工程と、
前記第1及び第2の電極パッドを貼り合わせた際に前記第1の膜と対応する前記第2の主面上の領域に第2の膜を形成する第2の工程と、
前記第1及び第2の膜の表面に活性化処理を施す第3の工程と、
前記第1及び第2の膜の前記活性化処理が施された面を接合する第4の工程と
を有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 前記第1及び/又は第2の工程は、前記第1及び/又は第2の膜を金属を主成分として形成することを特徴とする請求項12記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記第2の主面上に所定の電子素子を形成する第5の工程を有することを特徴とする請求項12又は13記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記第2の電極パッドを前記ベース基板の前記第2の主面と反対側の第3の主面に電気的に引き出すためのビア配線を形成する第6の工程を有することを特徴とする請求項12から14の何れか1項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
- 前記圧電基板の前記第1の主面と反対側の第4の主面にシリコン基板又はサファイア基板を接合する第7の工程を有し、
前記第7の工程は、前記圧電基板と前記シリコン基板又は前記サファイア基板との接合面に活性化処理を施した後、該圧電基板と該シリコン基板又は該サファイア基板とを接合することを特徴とする請求項12から15の何れか1項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
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JP2009049335A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Sony Corp | インダクタおよびインダクタの製造方法 |
JP2010259002A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
US7999632B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter and method for manufacturing the same |
RU2494499C1 (ru) * | 2012-02-09 | 2013-09-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах |
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2006
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