JP2000223989A

JP2000223989A - 弾性表面波装置

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Publication number: JP2000223989A
Application number: JP11023242A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Otsuka; 一弘大塚; Ikuo Ohara; 郁夫尾原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 1999-01-29
Publication date: 2000-08-11
Anticipated expiration: 2019-01-29
Also published as: JP3716123B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電気接続方法及び筐体内への載置収容を簡便
にし、また、直接に外部回路基板上に実装することが可
能な弾性表面波装置を提供すること。【解決手段】入出力信号用の導体パターン３，４が形
成された基体Ｋ上に、圧電基板１の下面に励振電極１２
を形成した弾性表面波素子Ｆ１を配設して成る弾性表面
波装置Ｓ１であって、導体パターン３，４と励振電極１
２とが誘電体層２を介して容量結合していることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車電話
及び携帯電話等の移動体無線機器などに内蔵される共振
器及び周波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、電波を利用し通信を行なう電子機
器用の帯域通過フィルタ等の周波数フィルタ（以下、フ
ィルタという），遅延線，発信器等の電子部品として、
多くのＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタが用いられてい
る。特に、移動体通信分野において、携帯電話等の携帯
端末装置のRF（Radio Frequency ：無線周波数あるいは
高周波）ブロック及びIF（Intermediate Frequency：中
間周波数）ブロックのフィルタとして多用されている。
そして今後、自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機
器を使用した通信システム上、部品の軽量化や薄肉化ま
たは小型化が望まれている。

【０００３】従来の弾性表面波（Surface Acoustic Wav
e で、以下、ＳＡＷと略す）装置の基本構成は、圧電基
板上に一対の櫛歯状電極（Inter Digital Transducer
で、以下、ＩＤＴ電極と略す）を複数載置し、ＩＤＴ電
極から励起されるのＳＡＷの伝搬路上に、ＳＡＷを効率
良く共振させるための反射器が配置される構造となって
いる。

【０００４】図１６に従来のＳＡＷ装置Ｊの一例を示
す。ＩＤＴ電極１２は、例えば３６°ＹカットＸ伝搬タ
ンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電基板１上に、蒸
着法，スパッタ法等によりアルミニウムやアルミニウム
−銅合金等の導電物がフォトリソグラフィ法で微細な電
極となるようパターン形成されたものである。

【０００５】また、このように構成された弾性表面波素
子Ｍをセラミックで作製した筐体（パッケージ基体２０
とその上に設けた封止材２２，筐体キャップ２１から成
る）内に収容し、入出力電極３，４または接地電極５を
それぞれの引き出し電極１８，１９にワイヤー２５で接
続するか、はんだバンプを用いたフリップチップ法によ
り接続するなどしていた。

【０００６】また、保護膜２が無い状態では、耐候性を
高めるため気密性保持可能な構造を成す素子保持基板と
キャップがシーム溶接されるか、半田及び樹脂で封止さ
れる筐体中に収容させる必要があった。

【０００７】移動体通信用の弾性表面波フィルタは、激
化する携帯電話端末を小型化するために、極限にまで低
実装面積，低重量且つ低背位であることが要求されてい
る。従来より、主に低実装面積及び低背位を実現させる
方法としてフリップチップ実装法が知られている。

【０００８】しかしながら、フリップチップ実装法を行
った弾性表面波素子は、圧電基板に形成した励振電極の
振動表面の自由度、及び素子表面部における気密性を維
持する必要性があるので、素子を収納するパッケージは
素子に対するダイアタッチ部のクリアランスとシール部
の気密性を両立しなければならない。

【０００９】例えば、セラミックパッケージの場合、上
記機能を満足させるためにパッケージが大型化し、パッ
ケージ寸法は素子寸法よりも１辺当たり約１．５〜１．
８ｍｍ程度大型化し、底面積では約５倍以上にもなり低
面積化の妨げとなっていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置は、外部回路基板上に実装する際、上述
の如く筐体に収容し、ワイヤボンドやバンプを形成する
か保護膜を取り除いて電気接続する必要があり、製造工
程が非常に煩雑となるといった問題がある。

【００１１】また、上記弾性表面波装置では実装状態で
大型となる上に、保護膜が無い状態では耐候性に乏し
く、載置収容の簡便な筐体や外部回路基板への直接接続
が困難であった。

【００１２】そこで本発明は、電気接続方法を簡略化
し、筐体内への載置や収容を簡便にし、また、直接に外
部回路基板上に実装することができる弾性表面波装置を
提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波装置は、入出力信号用の導体パ
ターンが形成された基体上に、圧電基板の下面に励振電
極を形成した弾性表面波素子を配設して成る弾性表面波
装置であって、前記導体パターンと前記励振電極とが誘
電体層を介して容量結合していることを特徴とする。ま
た、誘電体層が前記励振電極を被覆していることを特徴
とする。

【００１４】また、入出力信号用の導体パターンが形成
された基体上に、圧電基板の下面に励振電極を形成した
弾性表面波素子を配設して成る弾性表面波装置であっ
て、前記圧電基板の下面と前記基体との間に、誘電体中
に５０体積％以下（より好適には、１０〜３０体積％）
の導電性粒子が分散された枠状の接着材を介在させ、前
記励振電極と前記導体パターンとを導通させたことを特
徴とする。

【００１５】また、基体の表面と前記励振電極の表面と
の間が前記弾性表面波の波長以上の距離に設定されてい
ることを特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る弾性表面波装
置の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。

【００１７】〔実施形態１〕外部回路基板Ｋまたはパッ
ケージ基体上に載置された弾性表面波装置Ｓ１の様子を
模式的に示す平面図を図１に、そのＡ−Ａ線端面図を図
２に示す。

【００１８】圧電基板１の下面には、ＳＡＷを励振する
励振電極である櫛歯状のＩＤＴ電極１２と、入出力導体
パターンである引き出し電極３，４，接地電極５がフォ
トリソ工程で形成されている。また、電極３，４，５，
１２の下方には、例えばＳｉＯ₂からなる誘電体層であ
る保護膜２が形成され、ごみや湿気などに対して耐候性
を持たせている。また、この下方には外部回路基板Ｋの
引き出し配線の形成領域にマスク蒸着で形成したＡｕか
ら成る電極層６，７，８が形成されており、電極層６，
７，８と外部回路基板Ｋの引き出し配線部９，１０，１
１と導電性樹脂層１３により導電接着されている。な
お、接続部材として図３に示す弾性表面波装置Ｓ２のご
とくにバンプ１４，１４等を使用しても構わない。

【００１９】このように、弾性表面波装置Ｓ１，Ｓ２
は、入出力信号用の導体パターンである引き出し配線部
９，１０，１１が形成された基体（パッケージ基体や外
部回路基板）上に、圧電基板１の下面に励振電極１２を
形成した弾性表面波素子Ｆ１を配設して成るものであ
り、導体パターンと励振電極１２とが誘電体層を介して
容量結合しており、電気信号の入出力を行っている。な
お、上記誘電体層は励振電極１２を被覆しているが、こ
の誘電体層が枠状に形成され、気密性が確保できる場合
には励振電極１２を保護しなくともよい。なお、上記誘
電体とは、比抵抗値で１×１０⁵Ωcm以上の物質をさす
ものとする。

【００２０】また、外部回路基板Ｋもしくは基体の表面
と励振電極１２の表面との間、すなわち、励振電極１２
の振動空間１６における距離ｈが、伝搬させる弾性表面
波の波長以上の距離に設定されているものとする。

【００２１】また、外部回路基板Ｋには入力信号線９と
接地信号線１１との間、または出力信号線１０と接地信
号線１１との間に、チップインダクタが載置できるよう
にしているか、またはジグザク状あるいは蛇行状の配線
パターンが形成されている。すなわち、図４に示す外部
基板回路Ｋ上に又はその内部に蛇行状の配線３０を形成
するようにしてもよい。また、図５に示すように、パッ
ケージ基体２０の上又はその内部に蛇行状の配線３１を
形成して、このようなインダクタでもって不要な容量性
をキャンセルすることも可能である。なお、図５におけ
る１７，１８，１９はそれぞれ、引出し入力電極，引出
し出力電極，接地電極である。

【００２２】次に、弾性表面波装置Ｓ１における等価回
路を図６に示す。この図に示すように、弾性表面波素子
Ｆ１の接続部に直列に接続されたキャパシタンスＣ１〜
Ｃ３と外部回路基板Ｋに並列に接続されたインダクタン
スＤ１，Ｄ２が共振状態になり、上記回路における伝送
量は、図７に示すように、共振周波数を弾性表面波素子
Ｆ１の通過帯域とほぼ一致させることで、良好な弾性表
面波装置Ｓ１の電気特性が得られる。勿論、図８や図９
に示すようにパッケージ基体２０に弾性表面波素子Ｆ１
を載置する構造としても構わない。すなわち、図８に示
す弾性表面波装置Ｓ３のように、入出力導体パターンで
ある配線１８，１９等が施された基体２０に、蓋体２１
が接合されたパッケージ内に弾性表面波素子Ｆ１を収容
したり、図９に示す弾性表面波装置Ｓ４のように、入出
力導体パターンである配線１８，１９等が施された基体
２０上に、弾性表面波素子Ｆ１を載置することにより、
導体パターンと励振電極１２とを誘電体層である保護膜
２を介して容量結合させてもよい。

【００２３】なお、圧電基板１はタンタル酸リチウム単
結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水晶、四ホウ酸リチウ
ム単結晶、ランガサイト型構造を有する単結晶、ニオブ
酸カリウム単結晶、ガリウム砒素単結晶が主に適用可能
である。

【００２４】また、ＩＤＴ電極１２の材料はアルミニウ
ム，アルミニウム・銅合金，アルミニウム・チタン合
金，アルミニウム・珪素合金，金，銀，銀・パラジウム
合金が主に適用可能である。また、引き出し電極の材料
には、アルミニウム，アルミニウム・銅合金、アルミニ
ウム・チタン合金、アルミニウム・珪素合金，金，銀，
銀・パラジウム合金が主に適用でき、電極の密着度向上
や電気抵抗の削減のため下地材が必要な場合には、クロ
ム，チタン，銅が主に適用可能である。

【００２５】また、保護膜２の材料としては、酸化珪
素，窒化珪素，珪素，ＤＬＣ（Diamond Like Carbon
），酸化亜鉛，ポリイミド樹脂，フッ素系樹脂，オレ
フィン系樹脂，またウエハプロセスに使用されるポジ型
レジストのような感光性硬化樹脂等が主に適用可能であ
る。

【００２６】また、図１０に示すように、ＩＤＴ電極１
２，入出力電極３，４、接地電極５の部材をアルミニウ
ムまたはアルミニウムを主成分とする合金を用い、陽極
酸化法により電極表面を酸化させ、アルミナを誘電体層
の保護膜１５とした弾性表面波素子Ｆ２を外部回路基板
Ｋ上に載置した弾性表面波装置Ｓ５とすることもでき
る。

【００２７】また、図１１，１２に示すように、励振電
極１２に保護膜を被覆しない弾性表面波素子Ｆ３とし、
その周囲に耐候性向上等のために枠状のガラス材２４を
外部回路基板やパッケージ基体２０上に配設し気密封止
した弾性表面波装置Ｓ６とすることもできる。この場合
においても、励振電極１２の振動空間１６を確保するた
めに、基体２０の表面と励振電極１２の表面との間ｈが
弾性表面波の波長以上の距離に設定されている。ここ
で、ガラス材２４は弾性表面波素子の入出力及び接地電
極４，５等を含むように弾性表面波素子の下面またはそ
の外周部に枠状に塗布し、素子を筐体接続基板に載置す
る。そして、例えば空隙部１６を調整しながら加圧し、
３２０℃に加熱しガラス硬化を行い封止する。

【００２８】なお、図１では弾性表面波素子を共振器梯
子型フィルタとして示したが、共振器格子型フィルタや
２重モード共振器型フィルタ，マルチＩＤＴ電極型フィ
ルタまたはこれらの複合された構成で行っても構わな
い。また、上記の実施形態に限定されるものでなく、Ｓ
ＡＷフィルタだけでなく、ＳＡＷデュプレクサにも本発
明が適用でき、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
変更は何等差し支えない。

【００２９】〔実施形態２〕図１３に弾性表面波装置Ｓ
７を上からみた模式的な平面図を示す。また、図１４に
そのＢ−Ｂ線端面図を示す。なお、図において実施形態
１と同様な部材には同一符号を付し説明を省略する。

【００３０】図１３に示すように、弾性表面波装置Ｓ７
は、入出力信号用の導体パターンである電極１８，１９
が形成された基体２０上に、圧電基板１の下面に励振電
極１２を形成した弾性表面波素子Ｆ４を配設して成るも
のであって、圧電基板１の下面と基体２０との間に、誘
電体中に５０体積％以下（より好適には、１０〜３０体
積％）の導電性粒子４２が分散された枠状の接着材４１
を介在させ、励振電極１２と電極１８，１９とを導通さ
せたものである。なお、４４はパッケージ蓋体４４であ
り、この下面と圧電基板１との間に外部の電磁波の影響
を防止する導電性接着材４３が介在している。

【００３１】具体的には、圧電基板１の下面に少なくと
も一対の櫛歯状電極指を連接して成る励振電極を複数個
配置した弾性表面波素子Ｆ４を、セラミック等を用いて
作製したパッケージ基体２０上にフェイスダウンにて実
装したものである。

【００３２】また、セラミック基体２０と弾性表面波素
子Ｆ４を接合する誘電体（比抵抗値で１×１０⁵Ωcm以
上の物質で、例えば、ガラス、エポキシ樹脂，シリコー
ン樹脂，ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性硬
化樹脂等）に、大きさをほぼ均一にコントロールした導
電性粒子（例えば、比抵抗値が１．０×１０^-5Ωcm以下
のもの、例えば、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金等の
はんだボールや、銅，金，銀，や銅のまわりに各種半田
をめっきしたもの等のフィラー）６を一定量混合し、こ
のようにして得た接着材を弾性表面波素子Ｆ４の電極形
成面にＩＤＴ電極部に触れないように印刷し、フェイス
ダウンでパッケージに実装することにより、弾性表面波
の励振に必要な空間１６の確保と弾性表面波素子電極と
パッケージ基体の電極の電気的接合を効果的に同時に行
うことが可能である。なお、フェイスダウン実装時の雰
囲気は不活性なＡｒガスまたはＮ₂ガスが望ましい。

【００３３】これにより、究極まで低面積，低背位の弾
性表面波装置構造を得ることができる。この際、絶縁性
樹脂に混合する導電性粒子の直径は、弾性表面波の励振
を妨げない範囲で、且つ弾性表面波素子電極とグランド
間が持つ大地容量の影響を考慮し、しかもはんだの電気
的機械的な性能により決定される。通常、容量性結合に
より電極の接続を省略する場合を除けば、容量成分は可
能な限り低減することが望ましい。以上の理由を鑑み、
帯域が９００ＭＨｚの場合では、導電性粒子の直径は３
０〜８０μｍ程度が好適な範囲といえる。３０μｍ以下
では大地容量の過増大になり、８０μｍ以上でははんだ
の機械強度上に問題が発生する。また、導電性粒子は基
板実装時の加熱温度を考慮して高温はんだを使用するこ
とが好ましい。

【００３４】導電性粒子は素子電極とそれ以外の場所に
均一に存在するため、素子電極２やパッケージ電極を設
計する際には、電極間の短絡を防止する。好ましくはパ
ッケージ側でグランド電極を配置し、側面部からの外部
雑音を遮断できる。また、導電性粒子の混合率は体積率
で５０％以下であれば隣接する導電性粒子は接触しない
が、製造上の安定性を考慮すると１０％〜３０％が好適
な範囲といえる。

【００３５】次に、パッケージ蓋体４４の下面に導電性
接着材４３を印刷塗布し、パッケージ底部上に搭載した
弾性表面波素子Ｆ４上に実装する。

【００３６】次に、絶縁性接着材４１を加熱硬化させ
る。この際、導電性粒子６が弾性表面波素子電極２ｂと
パッケージ電極７の両方に接触するように、素子上面か
ら分銅などの荷重を負荷しておく。更に、導電性粒子が
はんだボールであれば、これを溶融し、素子共通電極２
ｂとパッケージ電極７を電気的に接合することができ
る。このとき、例えばはんだボールははんだくわれの少
ないＡｕ−ＳｎまたはＡｇ−Ｓｎを成分とする高温はん
だが好ましい。はんだボールの接合には加熱炉を用い
る。なお、例えば高温はんだのピーク温度を考慮して加
熱炉の温度は２６０℃〜２８０℃をピーク温度として溶
接するのが好ましい。

【００３７】

【実施例】〔実施例１〕図１に示す弾性表面波装置を作
製した実施例について説明する。まず、４２°Ｙカット
Ｘ伝搬タンタル酸リチウム単結晶から成る圧電基板上
に、ＩＤＴ電極１２の周期長が１．９９μｍ、対数が１
１０対、交差幅が３９．８μｍの梯子型直列腕共振子を
３個、周期長が２．１μｍ、対数が７５対、交差幅が４
２．０μｍの梯子型並列腕共振子を２個、また、各々の
共振子の両端に反射器（本数が２０本）を設けた。ま
た、各々の電極はＡｌ−Ｃｕ合金をスパッタ法にて膜厚
２０００Åで膜付けを行い、ウエハプロセスで通常行わ
れているフォトリソ工程によりパターニングした。保護
膜２は素子全面に材料ＳｉＯ₂をスパッタ法にて膜厚５
００Åで膜付けを行った。この後、５００μｍ×５００
μｍの面積の各接続電極６，７，８を形成するため金属
マスクを用いて材料Ａｕを蒸着法で２μｍ膜付けした。

【００３８】一方、外部回路基板上には引き出し線９，
１０，１１を本発明に係る装置形状に合わせ、銅泊のガ
ラスエポキシ樹脂基板０．５ｍｍ厚みをパターニングし
て、かつ、入出力線と接地線間に１ｎＦのチップインダ
クタを半田付けし載置した。

【００３９】次に、上記弾性表面波装置の接続電極６，
７，８に主材料Ａｇと接着材がエポキシ系樹脂の導電性
樹脂を１０μｍの厚みで転写法により塗布し外部回路基
板上に載置した。

【００４０】図１５に本発明に係る弾性表面波装置の電
気特性評価を示す。評価方法は、上述の如く組み立てた
外部回路基板の入出力端子に３．５ｍｍ径のＳＭＡコネ
クタを接続し、ネットワークアナライザで測定した。図
１５の結果より、伝送量が最小挿入損失が２ｄＢ、通過
帯域内の最大定在波比（ＶＳＷＲ）が１．７と良好な値
であることが判った。

【００４１】〔実施例２〕次に、図１３，１４に示した
弾性表面波装置の実施例について説明する。４２°Ｙカ
ットＸ伝搬のリチウム・タンタレート単結晶からなる圧
電基板上に、リフトオフ工程を用いて励振電極であるＩ
ＤＴ電極を作製してラダー型回路を成す弾性表面波フィ
ルタを作製した。この弾性表面波フィルタは、９００Ｍ
Ｈｚ帯で比帯域幅２．６％の送信用とし、櫛歯状を成す
ＩＤＴ電極の電極幅および電極スペースはそれぞれ約１
μｍとした。

【００４２】フィルタの構成は、弾性表面波共振子を５
個使用したπ型のラダー型回路とし、それぞれの弾性表
面波共振子の電極は、低損失と高帯域外減衰量を得るた
め直列側と並列側の容量比を最大限大きくとってある。

【００４３】弾性表面波共振子の構成は、ＩＤＴ電極の
電極指の対数が約６０対から１３０対、交差幅１５λか
ら３０λ（但し、λ：弾性表面波の波長）、電極の材質
はEB蒸着によって成膜した厚み４１００Åのアルミニウ
ムを使用した。

【００４４】また、弾性表面波素子とパッケージ基体と
の間の接合は高温はんだにて行うため、アルミニウムの
単層膜では腐食が発生する。このため、接合部分には下
地にニッケルメッキ膜（厚さ約０．５μｍ）をスパッタ
にて成膜し、はんだ濡れ性を確保するためこの上に金メ
ッキ膜（厚さ約０．１μｍ）を同じくＤＣスパッタにて
成膜した。

【００４５】弾性表面波素子を作製したリチウム・タン
タレート圧電基板は０．３５ｍｍ厚のものを使用した。
これは、圧電基板の厚みがこれ以上厚くなると、装置の
総厚みに影響を与え低背位化の妨げになり、これ以下の
厚みになると電極加工時にウエハが破損しやすくなり、
歩留まりが著しく低下するためである。また、総厚みを
１ｍｍ以下とするため、パッケージ底部のセラミックス
厚みを単板の０．３５ｍｍ、蓋体の厚みを０．１５ｍｍ
として作製した。

【００４６】ウエハの分割はダイシングソーを用い、ダ
イヤモンド砥粒＃６００を用いて約１ｍｍ角のピッチで
切断した。

【００４７】ダイボンディング用パターンの形成は、ダ
イシング後のウエハを平坦な基板上に吸着し厚膜印刷用
のスクリーンマスクを作製し印刷加工した。この際使用
した接着材は絶縁性の一液性エポキシ接着材で、低チキ
ソ性且つ低溶剤の熱硬化型のものを選択した。

【００４８】電気的接合を得るためのはんだボールは、
直径約５０μｍのものを使用し、前述の接着材に対して
体積比２０％で混合した。

【００４９】また、接着材硬化時は脱溶剤時の接着材の
膨張により、はんだボールと弾性表面波素子電極および
パッケージ電極が分離することがないように、若干はん
だボールが変形する領域を狙って荷重を付加した。加熱
温度は約１５０℃、時間は１時間で所望の硬化を得た。
この後、荷重付加状態でピーク温度が約３２０℃度まで
加熱し、はんだボールにより弾性表面波素子電極とパッ
ケージ電極を接合した。蓋体については、下面に導電性
エポキシ接着材を塗布し、弾性表面波素子上に載置し
た。

【００５０】特性の測定にはネットワークアナライザを
使用し、９００ＭＨｚにおいて良好な特性を確認でき
た。

【００５１】本発明では、ラダー型弾性表面波装置をあ
げたが、トランスバーサルおよび共振器型等の弾性表面
波装置にも適用可能なことは言うまでもない。また、電
気的な接合を得るために使用したはんだボールの他に、
はんだボールに対して若干直径を小さくした金属製のボ
ールをはんだボールに混合することで弾性表面波素子と
パッケージの間のマイクロギャップをコントロールする
方法や、はんだボールの代替えとしてはんだめっきを施
した銅ボールを使用する方法等があげられる。

【００５２】

【発明の効果】本発明の弾性表面波装置によれば、基体
（パッケージ基板または外部回路基板）に形成した導体
パターンと励振電極とが誘電体層を介して容量結合して
いるので、弾性表面波素子の作製工程が簡便になり、筐
体及び接続基板または外部回路基板中に補正回路を設け
ることで、安定した電気特性を持つ弾性表面波装置を供
給でき、外部回路中にインダクタ素子やキャパシタ素子
の実装が不要となる。

【００５３】また、弾性表面波素子を外部回路基板の接
続電極と直接電気接続することで弾性表面波装置を小型
にすることができる上、誘電体層により励振電極を極力
保護することができ安定した電気特性を実現させること
ができる。

【００５４】また、誘電体中に適当量の導電性粒子を分
散させた接着材を用いる事により、弾性表面波素子とパ
ッケージの電気的且つ機械的接合を同時に得ることがで
きるため、従来のワイヤボンダやバンプボンダなどの高
額の設備および材料が不要とすることができ、高スルー
プットな加熱炉による処理が行え、製造を簡便迅速化す
ることができる。

【００５５】また、弾性表面波素子とパッケージ電極の
間に必要な、弾性表面波用の自由振動空間（マイクロギ
ャップ）を、例えばはんだボールの粒径で容易にコント
ロールできるため、弾性表面波フィルタとグランド電極
間に発生する大地容量を精度よく制御可能になり、設計
時の特性の再現性が向上する上に、弾性表面波装置の低
背位化を可能にすることができる。

【００５６】また、従来のようにパッケージにより気密
性を得る必要性がないため、パッケージにキャビティ構
造を持たせる必要がなくなり、弾性表面波装置大幅な低
面積化（従来比約１／４以下）が可能になり、ひいては
携帯電話の小型化、軽量化、低コスト化に貢献すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る弾性表面波素子の実装構造（弾性
表面波装置）を模式的に説明する図であり、弾性表面波
装置を基体上に実装する様子を模式的に示す一部破断平
面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ線端面図である。

【図３】本発明に係る他の弾性表面波装置を模式的に説
明する断面図である。

【図４】外部回路基板に形成した補正回路を説明する平
面的な模式図である。

【図５】パッケージ基体に形成した補正回路を説明する
平面的な模式図である。

【図６】本発明に係る弾性表面波装置の等価回路図であ
る。

【図７】本発明に係る弾性表面波装置の伝送量を示す線
図である。

【図８】本発明に係る他の弾性表面波装置を模式的に説
明する断面図である。

【図９】本発明に係る他の弾性表面波装置を模式的に説
明する断面図である。

【図１０】本発明に係る他の弾性表面波装置を模式的に
説明する断面図である。

【図１１】本発明に係る他の弾性表面波装置を模式的に
説明する断面図である。

【図１２】図１１の弾性表面波装置を模式的に示す平面
図である。

【図１３】本発明に係る他の弾性表面波素子の実装構造
（弾性表面波装置）を模式的に説明する図であり、弾性
表面波素子を基体上に実装する様子を模式的に示す平面
図である。

【図１４】図１３におけるＢ−Ｂ線端面図である。

【図１５】本発明に係る弾性表面波装置の電気特性評価
の結果である。

【図１６】従来の弾性表面波装置を模式的に説明する断
面図である。

【符号の説明】

１：圧電基板２：保護膜３：圧電基板上の入力電極４：圧電基板上の出力電極５：圧電基板上の接地電極６：引出し入力電極７：引出し出力電極８：接地電極７' ：下地電極８' ：下地電極９：外部回路基板の入力電極１０：外部回路基板の出力電極１１：外部回路基板の接地電極１２：ＩＤＴ電極１３：導電性樹脂１４：バンプ１５：陽極酸化膜１６：間隙１７：筐体側引出し入力電極１８：筐体側引出し出力電極１９：筐体側接地電極２０：筐体接続基板２１：筐体キャップ２２：封止材３０，３１：蛇行状インダクタ配線２４：ガラス封止材２５：ワイヤーＦ１〜Ｆ４：弾性表面波素子Ｓ１〜Ｓ７：弾性表面波装置Ｋ：外部回路基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】入出力信号用の導体パターンが形成され
た基体上に、圧電基板の下面に励振電極を形成した弾性
表面波素子を配設して成る弾性表面波装置であって、前
記導体パターンと前記励振電極とが誘電体層を介して容
量結合していることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】前記誘電体層が前記励振電極を被覆して
いることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装
置。
【請求項３】入出力信号用の導体パターンが形成され
た基体上に、圧電基板の下面に励振電極を形成した弾性
表面波素子を配設して成る弾性表面波装置であって、前
記圧電基板の下面と前記基体との間に、誘電体中に５０
体積％以下の導電性粒子が分散された枠状の接着材を介
在させ、前記励振電極と前記導体パターンとを導通させ
たことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】前記基体の表面と前記励振電極の表面と
の間が前記弾性表面波の波長以上の距離に設定されてい
ることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の弾性
表面波装置。