JPH10215142A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH10215142A JPH10215142A JP1644597A JP1644597A JPH10215142A JP H10215142 A JPH10215142 A JP H10215142A JP 1644597 A JP1644597 A JP 1644597A JP 1644597 A JP1644597 A JP 1644597A JP H10215142 A JPH10215142 A JP H10215142A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＡＷの振動空間への絶縁性樹脂等の入り込み
を完全に阻止でき、ワイヤ接続を不要として特性劣化が
なく、また薄型化及び小型軽量化されるようにする。 【解決手段】絶縁性基板７の一主面に凹部領域１１及び
その周縁の枠領域９を形成し、凹部領域１１内に導電パ
ターン４及びそれに連なって外部に延出したリードパタ
ーン８を設け、圧電基板の一主面に少なくとも一対のＩ
ＤＴ電極５を設け、圧電基板のＩＤＴ電極５を絶縁性基
板７の凹部領域１１側に対面させて、圧電基板を凹部領
域１１内に設置し又は圧電基板の周辺部を枠領域９上面
に当接若しくは接着することにより、圧電基板を絶縁性
基板７に取付けるとともに、ＩＤＴ電極５の入出力電極
と導電パターン４を接続体３を介して電気的に導通し
た。
を完全に阻止でき、ワイヤ接続を不要として特性劣化が
なく、また薄型化及び小型軽量化されるようにする。 【解決手段】絶縁性基板７の一主面に凹部領域１１及び
その周縁の枠領域９を形成し、凹部領域１１内に導電パ
ターン４及びそれに連なって外部に延出したリードパタ
ーン８を設け、圧電基板の一主面に少なくとも一対のＩ
ＤＴ電極５を設け、圧電基板のＩＤＴ電極５を絶縁性基
板７の凹部領域１１側に対面させて、圧電基板を凹部領
域１１内に設置し又は圧電基板の周辺部を枠領域９上面
に当接若しくは接着することにより、圧電基板を絶縁性
基板７に取付けるとともに、ＩＤＴ電極５の入出力電極
と導電パターン４を接続体３を介して電気的に導通し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される共振器及び周
波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される共振器及び周
波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave 、以下ＳＡＷと略す）装置Ｓ1 ，Ｓ2 の断面図を図
１１，図１２に示す。図１１において、２１はＳＡＷ素
子、２２は入出力電極のパッド、２３はパッケージ表面
に形成され外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接
続される導電パターンのパッド、２４はＳＡＷ素子２１
用の圧電基板上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inte
r Digital Transducer）電極、２５〜２７はセラミッ
ク，樹脂等の絶縁性材料からなるパッケージ、２８はセ
ラミック，金属（Ａｌ，Ｃｕ）等からなる蓋体である。
２９はパッド２２，２３を接続するワイヤである。同図
の構成では、パッケージ２５〜２７の内部にＳＡＷ素子
２１を接着剤により載置固定し、パッド２２，２３をＡ
ｌ，Ａｕ等のワイヤ２９により電気的に接続し、さらに
蓋体２８をはんだ，接着剤等によりパッケージ２７上か
ら接着して気密を保持していた。
ave 、以下ＳＡＷと略す）装置Ｓ1 ，Ｓ2 の断面図を図
１１，図１２に示す。図１１において、２１はＳＡＷ素
子、２２は入出力電極のパッド、２３はパッケージ表面
に形成され外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接
続される導電パターンのパッド、２４はＳＡＷ素子２１
用の圧電基板上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inte
r Digital Transducer）電極、２５〜２７はセラミッ
ク，樹脂等の絶縁性材料からなるパッケージ、２８はセ
ラミック，金属（Ａｌ，Ｃｕ）等からなる蓋体である。
２９はパッド２２，２３を接続するワイヤである。同図
の構成では、パッケージ２５〜２７の内部にＳＡＷ素子
２１を接着剤により載置固定し、パッド２２，２３をＡ
ｌ，Ａｕ等のワイヤ２９により電気的に接続し、さらに
蓋体２８をはんだ，接着剤等によりパッケージ２７上か
ら接着して気密を保持していた。
【０００３】図１２において、３１はＳＡＷ素子、３２
は入出力電極のパッド、３３はパッド３２とパッド３４
を電気的に接続するバンプ（略半球状、略半楕円球状あ
るいは略円柱状等の凸部）等の接続体、３４は基板３７
表面に形成され外部の駆動回路、共振回路、接地回路等
に接続される導電パターンのパッド、３５はＳＡＷ素子
用の圧電基板上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ電極、
３６はＳＡＷ装置Ｓ2全体にモールドされ保護膜として
の絶縁性樹脂、３７はセラミック，樹脂等の絶縁性材料
からなる基板である。同図の構成は、ＩＤＴ電極３５が
設けられた機能面が基板３７に対面したフェースダウン
構成であり、機能面が存在するＳＡＷの振動空間にまで
絶縁性樹脂３６が入り込んでくる。
は入出力電極のパッド、３３はパッド３２とパッド３４
を電気的に接続するバンプ（略半球状、略半楕円球状あ
るいは略円柱状等の凸部）等の接続体、３４は基板３７
表面に形成され外部の駆動回路、共振回路、接地回路等
に接続される導電パターンのパッド、３５はＳＡＷ素子
用の圧電基板上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ電極、
３６はＳＡＷ装置Ｓ2全体にモールドされ保護膜として
の絶縁性樹脂、３７はセラミック，樹脂等の絶縁性材料
からなる基板である。同図の構成は、ＩＤＴ電極３５が
設けられた機能面が基板３７に対面したフェースダウン
構成であり、機能面が存在するＳＡＷの振動空間にまで
絶縁性樹脂３６が入り込んでくる。
【０００４】図１２の接続体３３は、Ａｕ，Ａｌ等の金
属のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなる
よう形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、パッド３２上に形成して得られる。そして、
接続体３３を設けた圧電基板を、接続体３３とパッド３
４とを位置合わせして、導電性接着剤の塗布やはんだの
リフロー溶融法により接続し、基板３７上に固定する。
属のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなる
よう形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、パッド３２上に形成して得られる。そして、
接続体３３を設けた圧電基板を、接続体３３とパッド３
４とを位置合わせして、導電性接着剤の塗布やはんだの
リフロー溶融法により接続し、基板３７上に固定する。
【０００５】また、他の従来例として、図１２と同様の
構成で、絶縁性樹脂が振動空間（ＩＤＴ電極が存在する
空間）に入り込まないように、ＳＡＷ素子用の圧電基板
又は絶縁性基板の接続体の振動空間側に、ダムを設けた
ものが知られている（特開平５−５５３０３号参照）。
さらに、他の従来例として、パッケージの内部底面に、
圧電素子の励振電極の電極パッド上に形成したバンプと
高さがほぼ同じ台座を、その端部が圧電素子の外周部と
重なるように配設し、バンプをパッケージ内部底面に設
けた導電部にフリップチッップ法により接続したものが
提案されている（特開平７−２１２１８１号参照）。
構成で、絶縁性樹脂が振動空間（ＩＤＴ電極が存在する
空間）に入り込まないように、ＳＡＷ素子用の圧電基板
又は絶縁性基板の接続体の振動空間側に、ダムを設けた
ものが知られている（特開平５−５５３０３号参照）。
さらに、他の従来例として、パッケージの内部底面に、
圧電素子の励振電極の電極パッド上に形成したバンプと
高さがほぼ同じ台座を、その端部が圧電素子の外周部と
重なるように配設し、バンプをパッケージ内部底面に設
けた導電部にフリップチッップ法により接続したものが
提案されている（特開平７−２１２１８１号参照）。
【０００６】さらに、他の従来例として、一方の主面に
櫛歯状電極と、それに導通しかつ該主面をパッケージ基
板の対向面に接触させない程度の高さを有するバンプと
が形成されたＳＡＷ素子の他方の面を、接着剤により封
止部材に接着するとともに、封止部材を、バンプとパッ
ケージ基板のパッケージ端子とが当接し、かつ、封止部
材とパッケージ基板とから形成される空間が封止される
ようにパッケージ基板に取付け、ＳＡＷ素子をパッケー
ジ内に封止したものが知られている（特開平６−６１７
７８号参照）。
櫛歯状電極と、それに導通しかつ該主面をパッケージ基
板の対向面に接触させない程度の高さを有するバンプと
が形成されたＳＡＷ素子の他方の面を、接着剤により封
止部材に接着するとともに、封止部材を、バンプとパッ
ケージ基板のパッケージ端子とが当接し、かつ、封止部
材とパッケージ基板とから形成される空間が封止される
ようにパッケージ基板に取付け、ＳＡＷ素子をパッケー
ジ内に封止したものが知られている（特開平６−６１７
７８号参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
１１の従来例においては、ワイヤ２９を使用しているた
め、ワイヤ２９が存在する横方向と高さ方向の距離の分
だけＳＡＷ装置Ｓ1 の体積が大きくなり、小型軽量化、
薄型化に不利である。また、ワイヤボンディング装置に
よりワイヤを１本ずつ接続しているので、製造工程が煩
雑になり、製造コストも大きくなる。更に、ワイヤ２９
が存在することにより、不要なインダクタンス成分を付
加することになり、ＳＡＷ装置Ｓ1 の周波数特性が変化
し、設計上それを考慮する手間が生じるという問題点が
あった。
１１の従来例においては、ワイヤ２９を使用しているた
め、ワイヤ２９が存在する横方向と高さ方向の距離の分
だけＳＡＷ装置Ｓ1 の体積が大きくなり、小型軽量化、
薄型化に不利である。また、ワイヤボンディング装置に
よりワイヤを１本ずつ接続しているので、製造工程が煩
雑になり、製造コストも大きくなる。更に、ワイヤ２９
が存在することにより、不要なインダクタンス成分を付
加することになり、ＳＡＷ装置Ｓ1 の周波数特性が変化
し、設計上それを考慮する手間が生じるという問題点が
あった。
【０００８】上記図１２の従来例では、絶縁性樹脂３６
が振動空間（ＩＤＴ電極２５が存在する空間）に入り込
み、ＩＤＴ電極３５が形成されている機能面に接してい
るため、ＳＡＷの伝搬を阻害しており、ＳＡＷ装置Ｓ2
としての所望の特性を得るのが困難である。また、絶縁
性樹脂３６が振動空間に入り込まないように、ダムを設
けたり、ＳＡＷ伝搬路を囲むように機能面にシリコーン
樹脂等からなる環状部材を設ける方法もあるが、絶縁性
樹脂３６の入り込みを完全に阻止するには不十分であっ
た。また、前記環状部材を設ける場合には、振動空間を
均一な高さ、幅で正確に形成するのが困難であった。
が振動空間（ＩＤＴ電極２５が存在する空間）に入り込
み、ＩＤＴ電極３５が形成されている機能面に接してい
るため、ＳＡＷの伝搬を阻害しており、ＳＡＷ装置Ｓ2
としての所望の特性を得るのが困難である。また、絶縁
性樹脂３６が振動空間に入り込まないように、ダムを設
けたり、ＳＡＷ伝搬路を囲むように機能面にシリコーン
樹脂等からなる環状部材を設ける方法もあるが、絶縁性
樹脂３６の入り込みを完全に阻止するには不十分であっ
た。また、前記環状部材を設ける場合には、振動空間を
均一な高さ、幅で正確に形成するのが困難であった。
【０００９】また、上記従来例のように、パッケージの
内部底面に、圧電素子に形成したバンプと高さがほぼ同
じ台座を、その端部が圧電素子の外周部と重なるように
配設し、バンプをパッケージ内部底面に設けた導電部に
フリップチッップ法により接続するものの場合、蓋体に
より封止する構造であるため、圧電素子と蓋体との空間
が生じて高くなり、更に蓋体の分だけ高くなるという問
題点があった。
内部底面に、圧電素子に形成したバンプと高さがほぼ同
じ台座を、その端部が圧電素子の外周部と重なるように
配設し、バンプをパッケージ内部底面に設けた導電部に
フリップチッップ法により接続するものの場合、蓋体に
より封止する構造であるため、圧電素子と蓋体との空間
が生じて高くなり、更に蓋体の分だけ高くなるという問
題点があった。
【００１０】更には、上記他の従来例のように、一方の
主面に櫛歯状電極と、該主面をパッケージ基板の対向面
に接触させない程度の高さのバンプとが形成されたＳＡ
Ｗ素子の他方の面を、接着剤により封止部材に接着し、
バンプとパッケージ端子とが当接し封止部材とパッケー
ジ基板とで形成される空間が封止されるように封止部材
をパッケージ基板に取付けたものの場合、封止部材が蓋
体となる構造であり、蓋体の分だけ高くなるという問題
点があった。
主面に櫛歯状電極と、該主面をパッケージ基板の対向面
に接触させない程度の高さのバンプとが形成されたＳＡ
Ｗ素子の他方の面を、接着剤により封止部材に接着し、
バンプとパッケージ端子とが当接し封止部材とパッケー
ジ基板とで形成される空間が封止されるように封止部材
をパッケージ基板に取付けたものの場合、封止部材が蓋
体となる構造であり、蓋体の分だけ高くなるという問題
点があった。
【００１１】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的はＳＡＷの振動空間への絶縁
性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、振動空間を均一な
高さ、幅で正確に形成し、その結果、ＳＡＷ装置の特性
劣化がなく、また別個の蓋体をまったく使用しないので
きわめて薄型化及び小型軽量化され、更には低コストで
製造可能なものとすることにある。
れたものであり、その目的はＳＡＷの振動空間への絶縁
性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、振動空間を均一な
高さ、幅で正確に形成し、その結果、ＳＡＷ装置の特性
劣化がなく、また別個の蓋体をまったく使用しないので
きわめて薄型化及び小型軽量化され、更には低コストで
製造可能なものとすることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、絶縁性基板の一主面に凹部領域及びその周縁に枠領
域を形成し、前記凹部領域内に導電パターン及びそれに
連なって外部に延出したリードパターンを設け、圧電基
板の一主面に少なくとも一対の櫛歯状電極を設け、前記
圧電基板の櫛歯状電極側を絶縁性基板の凹部領域側に対
向させて、該圧電基板を前記枠領域の上面若しくは内側
に固定するとともに、前記櫛歯状電極の入出力電極と前
記導電パターンを接続体を介して電気的に導通したこと
を特徴とする。
は、絶縁性基板の一主面に凹部領域及びその周縁に枠領
域を形成し、前記凹部領域内に導電パターン及びそれに
連なって外部に延出したリードパターンを設け、圧電基
板の一主面に少なくとも一対の櫛歯状電極を設け、前記
圧電基板の櫛歯状電極側を絶縁性基板の凹部領域側に対
向させて、該圧電基板を前記枠領域の上面若しくは内側
に固定するとともに、前記櫛歯状電極の入出力電極と前
記導電パターンを接続体を介して電気的に導通したこと
を特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図１０により説明
する。図１〜図１０はＳＡＷ装置Ｓの各実施形態の断面
図である。
する。図１〜図１０はＳＡＷ装置Ｓの各実施形態の断面
図である。
【００１４】図１〜図１０において、１はＳＡＷ素子、
２は入出力電極のパッド、３はバンプ等の電気的な接続
体、４は絶縁性基板７の凹部領域１１内に設けられ外部
に導通され、前記接続体３に接続される導電パターン、
５はＩＤＴ電極、６は接着剤及び保護膜としての絶縁性
樹脂、７はセラミック，樹脂等からなる絶縁性基板、８
は外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続され、
絶縁性基板７に設けられたリードパターンである。ま
た、９は凹部領域１１の周縁に形成された突出部として
の枠領域、１０はＳＡＷ素子１用の圧電基板の機能面
（ＩＤＴ電極５が形成されている面）の周辺部で、枠領
域９上面と当接している当接部、１１は凹部領域であ
る。尚、図１〜図１０で、同じ部分には同一の符号を付
している。
２は入出力電極のパッド、３はバンプ等の電気的な接続
体、４は絶縁性基板７の凹部領域１１内に設けられ外部
に導通され、前記接続体３に接続される導電パターン、
５はＩＤＴ電極、６は接着剤及び保護膜としての絶縁性
樹脂、７はセラミック，樹脂等からなる絶縁性基板、８
は外部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続され、
絶縁性基板７に設けられたリードパターンである。ま
た、９は凹部領域１１の周縁に形成された突出部として
の枠領域、１０はＳＡＷ素子１用の圧電基板の機能面
（ＩＤＴ電極５が形成されている面）の周辺部で、枠領
域９上面と当接している当接部、１１は凹部領域であ
る。尚、図１〜図１０で、同じ部分には同一の符号を付
している。
【００１５】前記ＳＡＷ素子１は、互いに噛み合うよう
に形成された少なくとも一対の櫛歯状電極のＩＤＴ電極
５を設けることにより作製する。前記ＩＤＴ電極５は、
所望の特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を、直列
接続、並列接続、従続接続等の方式で接続して構成して
もよい。
に形成された少なくとも一対の櫛歯状電極のＩＤＴ電極
５を設けることにより作製する。前記ＩＤＴ電極５は、
所望の特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を、直列
接続、並列接続、従続接続等の方式で接続して構成して
もよい。
【００１６】上記凹部領域１１は、例えばセラミック基
板と枠状セラミック基板とを積層することにより作製す
るか、又は樹脂，ガラス等の基板の一主面を、エッチン
グ法、フォトリソグラフィ法とエッチング法、機械的研
削法又はレーザ加工法等により加工して、容易に形成で
きる。ＩＤＴ電極５は蒸着法、スパッタリング法又はＣ
ＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。凹部領域１１の
深さは、１０〜２００μｍとするのが、前記深さを接続
体３の高さＬB にほぼ合致するよう容易に調整できる点
で好適である。また、接続体３は、Ａｕ，Ａｌ等の金属
のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよ
う形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、入出力電極のパッド２上に形成することによ
って得られる。
板と枠状セラミック基板とを積層することにより作製す
るか、又は樹脂，ガラス等の基板の一主面を、エッチン
グ法、フォトリソグラフィ法とエッチング法、機械的研
削法又はレーザ加工法等により加工して、容易に形成で
きる。ＩＤＴ電極５は蒸着法、スパッタリング法又はＣ
ＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。凹部領域１１の
深さは、１０〜２００μｍとするのが、前記深さを接続
体３の高さＬB にほぼ合致するよう容易に調整できる点
で好適である。また、接続体３は、Ａｕ，Ａｌ等の金属
のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよ
う形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法、印刷法、転写法、無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、入出力電極のパッド２上に形成することによ
って得られる。
【００１７】そして、ＳＡＷ素子１のＩＤＴ電極５が設
けられた主面（機能面）側が凹部領域１１側に対向する
フェースダウン構成として、接続体３を導電パターン４
に導電性接着剤、はんだ等により電気的に導通させて接
続し、ＳＡＷ素子１を絶縁性基板７上に載置するか、更
に接着剤等により接着して固定する。このとき、接続体
３を導電パターン４に当接させただけの状態で、絶縁性
樹脂６により固定するようにしても構わない。
けられた主面（機能面）側が凹部領域１１側に対向する
フェースダウン構成として、接続体３を導電パターン４
に導電性接着剤、はんだ等により電気的に導通させて接
続し、ＳＡＷ素子１を絶縁性基板７上に載置するか、更
に接着剤等により接着して固定する。このとき、接続体
３を導電パターン４に当接させただけの状態で、絶縁性
樹脂６により固定するようにしても構わない。
【００１８】その後、ＳＡＷ素子１の固定とＩＤＴ電極
５が存在する振動空間の気密を確実にするために、絶縁
性樹脂６をＳＡＷ素子１の外周面の少なくとも一部及び
／又はＳＡＷ素子１の上面を覆うように、塗布モールド
し硬化させ、ＳＡＷ装置Ｓを完成する。このとき、必ず
しも絶縁性樹脂６をモールドする必要はないが、ＳＡＷ
素子１の固定と振動空間の気密を確実にし、また、圧電
基板を保護し、損傷、汚れの付着によるＳＡＷ特性劣化
を防止するうえで、モールドする方が好ましい。
５が存在する振動空間の気密を確実にするために、絶縁
性樹脂６をＳＡＷ素子１の外周面の少なくとも一部及び
／又はＳＡＷ素子１の上面を覆うように、塗布モールド
し硬化させ、ＳＡＷ装置Ｓを完成する。このとき、必ず
しも絶縁性樹脂６をモールドする必要はないが、ＳＡＷ
素子１の固定と振動空間の気密を確実にし、また、圧電
基板を保護し、損傷、汚れの付着によるＳＡＷ特性劣化
を防止するうえで、モールドする方が好ましい。
【００１９】また、絶縁性樹脂６の材料としては、熱硬
化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、低融点ガラス（ガラスフリット）
及び熱可塑性ポリフェニレンサルファイド等が好適であ
るが、接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強度、耐
薬品性、耐熱性等の点でエポキシ樹脂がより好ましい。
化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、低融点ガラス（ガラスフリット）
及び熱可塑性ポリフェニレンサルファイド等が好適であ
るが、接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強度、耐
薬品性、耐熱性等の点でエポキシ樹脂がより好ましい。
【００２０】図１〜図１０の絶縁性基板７の裏面（下
面）に設けられ、ビアホールの導電性材料を介して導電
パターン４に連なったリードパターン８は、絶縁性基板
７の裏面に延出して設けられており、ＳＡＷ装置Ｓを他
の回路基板上に表面実装することができるが、必ずしも
そのように構成せずともよく、リードパターン８を絶縁
性基板７の上面に設けてもよい。
面）に設けられ、ビアホールの導電性材料を介して導電
パターン４に連なったリードパターン８は、絶縁性基板
７の裏面に延出して設けられており、ＳＡＷ装置Ｓを他
の回路基板上に表面実装することができるが、必ずしも
そのように構成せずともよく、リードパターン８を絶縁
性基板７の上面に設けてもよい。
【００２１】以下、各図の構成について説明する。図１
〜１０はいずれもセラミックの絶縁性基板７に枠状のセ
ラミック基板を１層又は２層積層して、凹部領域１１の
周縁に枠領域９を形成したものである。図１〜図６は、
ＳＡＷ素子Ｓ用の圧電基板の機能面（ＩＤＴ電極５が形
成されている面）の周辺部が、枠領域９と当接している
当接部１０が存在する構成であり、図１はその最も基本
的なものである。同図において、ｈは凹部領域１１に対
する枠領域９の高さ、換言すれば凹部領域１１の深さで
あり、ＬS は圧電基板の厚み、ＬB は接続体３の高さで
ｈにほぼ等しいかｈよりわずかに短い。同図の場合、ｈ
はＬB にほぼ等しく、ＳＡＷ素子１を絶縁性基板７上に
載置するだけで接続体３が導電パターン４に当接し導電
接続可能とされている。そして、絶縁性樹脂６をＳＡＷ
素子１の全外周面及び上面を覆うように、モールドす
る。
〜１０はいずれもセラミックの絶縁性基板７に枠状のセ
ラミック基板を１層又は２層積層して、凹部領域１１の
周縁に枠領域９を形成したものである。図１〜図６は、
ＳＡＷ素子Ｓ用の圧電基板の機能面（ＩＤＴ電極５が形
成されている面）の周辺部が、枠領域９と当接している
当接部１０が存在する構成であり、図１はその最も基本
的なものである。同図において、ｈは凹部領域１１に対
する枠領域９の高さ、換言すれば凹部領域１１の深さで
あり、ＬS は圧電基板の厚み、ＬB は接続体３の高さで
ｈにほぼ等しいかｈよりわずかに短い。同図の場合、ｈ
はＬB にほぼ等しく、ＳＡＷ素子１を絶縁性基板７上に
載置するだけで接続体３が導電パターン４に当接し導電
接続可能とされている。そして、絶縁性樹脂６をＳＡＷ
素子１の全外周面及び上面を覆うように、モールドす
る。
【００２２】図２は、絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１の外
周面にのみモールドしたものであり、他の構成は図１と
同様である。この場合、ＳＡＷ装置Ｓ全体がさらに薄型
化され、小型軽量なものとなる。
周面にのみモールドしたものであり、他の構成は図１と
同様である。この場合、ＳＡＷ装置Ｓ全体がさらに薄型
化され、小型軽量なものとなる。
【００２３】図３は、枠領域９を２段構成にしたもの
で、上側の２段目にＳＡＷ素子１が丁度嵌まり込むよう
に構成したもので、１段目の高さをｈ1 ，２段目の高さ
をｈ2とすると、ｈ1 ≒ＬB ，ｈ2 ＜ＬS である。絶縁
性樹脂６はＳＡＷ素子１の全外周面及び上面を覆うよう
にモールドした。この場合、ＳＡＷ素子１を凹部領域１
１に嵌め込むだけで位置合わせされ、セルフアライメン
トできるうえ、絶縁性樹脂６及びほこり等が振動空間内
に入り込まず、より確実な気密構造となる。
で、上側の２段目にＳＡＷ素子１が丁度嵌まり込むよう
に構成したもので、１段目の高さをｈ1 ，２段目の高さ
をｈ2とすると、ｈ1 ≒ＬB ，ｈ2 ＜ＬS である。絶縁
性樹脂６はＳＡＷ素子１の全外周面及び上面を覆うよう
にモールドした。この場合、ＳＡＷ素子１を凹部領域１
１に嵌め込むだけで位置合わせされ、セルフアライメン
トできるうえ、絶縁性樹脂６及びほこり等が振動空間内
に入り込まず、より確実な気密構造となる。
【００２４】図４〜図６は図３の応用例であり、図４
は、絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１の外周面にのみモール
ドして薄型化したものである。図５は、ｈ2 ≒ＬS とし
て絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１及び枠領域９の上面にモ
ールドしたもので、図６は、ｈ2 ＞ＬS として絶縁性樹
脂６をＳＡＷ素子１及び枠領域９の上面にモールドした
ものである。いずれも、絶縁性樹脂６及びほこり等が振
動空間内にまったく入り込むことがなく、更に確実な気
密構造となる。
は、絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１の外周面にのみモール
ドして薄型化したものである。図５は、ｈ2 ≒ＬS とし
て絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１及び枠領域９の上面にモ
ールドしたもので、図６は、ｈ2 ＞ＬS として絶縁性樹
脂６をＳＡＷ素子１及び枠領域９の上面にモールドした
ものである。いずれも、絶縁性樹脂６及びほこり等が振
動空間内にまったく入り込むことがなく、更に確実な気
密構造となる。
【００２５】尚、図１〜図６において、当接部１０を接
着剤により接着し、気密をより確実にしてもよい。その
とき、前記接着剤は絶縁性樹脂６と同様のものか、又は
より速乾性のものでもよい。また、当接部１０におい
て、圧電基板に凸部又は凹部を形成し、絶縁性基板７の
前記凸部又は凹部に対応する位置にそれに嵌合する凹部
又は凸部を形成して、嵌合させることによりアライメン
ト及び気密を確実にしてもよい。
着剤により接着し、気密をより確実にしてもよい。その
とき、前記接着剤は絶縁性樹脂６と同様のものか、又は
より速乾性のものでもよい。また、当接部１０におい
て、圧電基板に凸部又は凹部を形成し、絶縁性基板７の
前記凸部又は凹部に対応する位置にそれに嵌合する凹部
又は凸部を形成して、嵌合させることによりアライメン
ト及び気密を確実にしてもよい。
【００２６】図７〜図１０は、当接部１０がなく、ＳＡ
Ｗ素子１が１段の枠領域９の内側にに丁度嵌まり込んで
固定されるように構成したものである。図７はｈ≒ＬB
＋ＬS として絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１及び枠領域９
の上面にモールドしたもの、図８はＬB ＜ｈ＜ＬB ＋Ｌ
S として絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１の外周面にのみモ
ールドしたもの、図９は図８と同様の構成で絶縁性樹脂
６をＳＡＷ素子１の外周面及び上面にモールドしたも
の、図１０はＬB ＋ＬS ＜ｈとして絶縁性樹脂６をＳＡ
Ｗ素子１及び枠領域９の上面にモールドしたものであ
る。いずれも、ＳＡＷ素子１を凹部領域１１に落とし込
み嵌め込むだけでセルフアライメントでき、絶縁性樹脂
６及びほこり等の侵入を防止する気密構造となる。
Ｗ素子１が１段の枠領域９の内側にに丁度嵌まり込んで
固定されるように構成したものである。図７はｈ≒ＬB
＋ＬS として絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１及び枠領域９
の上面にモールドしたもの、図８はＬB ＜ｈ＜ＬB ＋Ｌ
S として絶縁性樹脂６をＳＡＷ素子１の外周面にのみモ
ールドしたもの、図９は図８と同様の構成で絶縁性樹脂
６をＳＡＷ素子１の外周面及び上面にモールドしたも
の、図１０はＬB ＋ＬS ＜ｈとして絶縁性樹脂６をＳＡ
Ｗ素子１及び枠領域９の上面にモールドしたものであ
る。いずれも、ＳＡＷ素子１を凹部領域１１に落とし込
み嵌め込むだけでセルフアライメントでき、絶縁性樹脂
６及びほこり等の侵入を防止する気密構造となる。
【００２７】本発明において、振動空間内に低湿度（室
温（２０〜３０℃）で相対湿度５０％以下）の空気を封
入し密閉することにより、ＩＤＴ電極５の酸化による劣
化を抑制でき好ましい。また、低湿度の空気の代わり
に、窒素ガス，アルゴンガス等の不活性ガス等を封入し
密閉しても、同様の効果が得られる。
温（２０〜３０℃）で相対湿度５０％以下）の空気を封
入し密閉することにより、ＩＤＴ電極５の酸化による劣
化を抑制でき好ましい。また、低湿度の空気の代わり
に、窒素ガス，アルゴンガス等の不活性ガス等を封入し
密閉しても、同様の効果が得られる。
【００２８】本発明において、ＩＤＴ電極５はＡｌある
いはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが低いため
好ましい。また、ＩＤＴ電極５の形状は、互いに噛み合
うように形成された櫛歯状であるが、複数の電極指を平
行に配列した反射器のようなスリット型のものにも適用
でき、それらを併用したタイプであってもよい。
いはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが低いため
好ましい。また、ＩＤＴ電極５の形状は、互いに噛み合
うように形成された櫛歯状であるが、複数の電極指を平
行に配列した反射器のようなスリット型のものにも適用
でき、それらを併用したタイプであってもよい。
【００２９】そして、ＩＤＴ電極５の対数は５０〜２０
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅
は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極５の厚みは０．２〜
０．４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタ
としての所期の特性を得るうえで好適である。また、Ｉ
ＤＴ電極５のＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反射し
効率よく共振させるための反射器を設けてもよく、更に
は、電極指間にＺｎＯ，ＡｌＯ等の圧電材料を成膜すれ
ば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
０程度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極
指の間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅
は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極５の厚みは０．２〜
０．４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタ
としての所期の特性を得るうえで好適である。また、Ｉ
ＤＴ電極５のＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反射し
効率よく共振させるための反射器を設けてもよく、更に
は、電極指間にＺｎＯ，ＡｌＯ等の圧電材料を成膜すれ
ば、ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
【００３０】ＳＡＷ素子１用の圧電基板としては、３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3結晶、６４°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝
搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶等が、電気機械結合係数が大きく
且つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基
板の厚みは０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ
未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コ
ストが大きくなる。
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3結晶、６４°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝
搬のＬｉＢ4 Ｏ7 結晶等が、電気機械結合係数が大きく
且つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基
板の厚みは０．３〜０．５ｍｍ程度がよく、０．３ｍｍ
未満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コ
ストが大きくなる。
【００３１】かくして、本発明は、ＳＡＷの振動空間へ
の絶縁性樹脂及び外部のほこり等の入り込みを完全に阻
止でき、振動空間を均一な高さ、幅で正確に形成し、そ
の結果、ＳＡＷ装置の特性劣化がなく、また薄型化及び
小型軽量化され、更には低コストで製造可能となるとい
う作用効果を有する。
の絶縁性樹脂及び外部のほこり等の入り込みを完全に阻
止でき、振動空間を均一な高さ、幅で正確に形成し、そ
の結果、ＳＡＷ装置の特性劣化がなく、また薄型化及び
小型軽量化され、更には低コストで製造可能となるとい
う作用効果を有する。
【００３２】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【００３３】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。ＳＡＷ素
子１用の圧電基板として３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉ
ＴａＯ3 結晶を用い、そのチップサイズを１．１ｍｍ×
１．５ｍｍ，厚さ約４００μｍとし、実装基板の絶縁性
基板７として３．０ｍｍ×３．０ｍｍ，厚さ約５００μ
ｍのアルミナ基板を用い、図１のＳＡＷ装置Ｓを作製し
た。アルミナ基板には、導電パターン４及びリードパタ
ーン８用のＡｕ膜を、電解メッキ法により約１μｍの厚
みで形成した。接続体３は、Ａｕのワイヤーをボールボ
ンディング法により、バンプとなるよう形成し、バンプ
径は９０μｍ、高さは５０μｍであった。
子１用の圧電基板として３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉ
ＴａＯ3 結晶を用い、そのチップサイズを１．１ｍｍ×
１．５ｍｍ，厚さ約４００μｍとし、実装基板の絶縁性
基板７として３．０ｍｍ×３．０ｍｍ，厚さ約５００μ
ｍのアルミナ基板を用い、図１のＳＡＷ装置Ｓを作製し
た。アルミナ基板には、導電パターン４及びリードパタ
ーン８用のＡｕ膜を、電解メッキ法により約１μｍの厚
みで形成した。接続体３は、Ａｕのワイヤーをボールボ
ンディング法により、バンプとなるよう形成し、バンプ
径は９０μｍ、高さは５０μｍであった。
【００３４】バンプと導電パターン４との接続は、Ａｇ
−Ｐｄ合金を含む熱硬化性エポキシ系導電性接着剤をバ
ンプに転写塗布し、ＳＡＷ素子１をアルミナ基板にフェ
ースダウン構成でアライメントした後、約１００℃で加
熱接着した。その後、ＳＡＷ素子１の固定とＩＤＴ電極
５が存在する振動空間の気密を確実にするために、絶縁
性樹脂６としての熱硬化性エポキシ系接着剤をＳＡＷ素
子１の外周面及び上面に塗布モールドし、約１３０℃で
加熱硬化した。
−Ｐｄ合金を含む熱硬化性エポキシ系導電性接着剤をバ
ンプに転写塗布し、ＳＡＷ素子１をアルミナ基板にフェ
ースダウン構成でアライメントした後、約１００℃で加
熱接着した。その後、ＳＡＷ素子１の固定とＩＤＴ電極
５が存在する振動空間の気密を確実にするために、絶縁
性樹脂６としての熱硬化性エポキシ系接着剤をＳＡＷ素
子１の外周面及び上面に塗布モールドし、約１３０℃で
加熱硬化した。
【００３５】このようにして作製したＳＡＷ装置Ｓの高
さは約１．０ｍｍであり、高さ１．０ｍｍ以下のものが
容易に作製可能となった。例えば、図２，図４，図８の
ものの場合、確実に高さ１．０ｍｍ未満とでき、薄型化
及び小型軽量化することができる。また、製造に際して
ワイヤーボンディング工程が不要となり、製造工程が簡
略化され低コストのＳＡＷ装置Ｓとなった。
さは約１．０ｍｍであり、高さ１．０ｍｍ以下のものが
容易に作製可能となった。例えば、図２，図４，図８の
ものの場合、確実に高さ１．０ｍｍ未満とでき、薄型化
及び小型軽量化することができる。また、製造に際して
ワイヤーボンディング工程が不要となり、製造工程が簡
略化され低コストのＳＡＷ装置Ｓとなった。
【００３６】また、ＲＦ−ＳＡＷフィルター用のＳＡＷ
素子１を従来のセラミックパッケージに実装すると、パ
ッケージ及びワイヤーのインダクタンス成分の影響で、
ベアチップ素子に比較して高周波側の減衰量が著しく劣
化し、また、通過帯域内の低周波側の減衰特性が仕様に
よっては劣化することがあったが、本発明のようなフリ
ップチップ実装を適用することにより、ベアチップ素子
に近い良好な周波数特性が得られた。
素子１を従来のセラミックパッケージに実装すると、パ
ッケージ及びワイヤーのインダクタンス成分の影響で、
ベアチップ素子に比較して高周波側の減衰量が著しく劣
化し、また、通過帯域内の低周波側の減衰特性が仕様に
よっては劣化することがあったが、本発明のようなフリ
ップチップ実装を適用することにより、ベアチップ素子
に近い良好な周波数特性が得られた。
【００３７】
【発明の効果】本発明は、絶縁性基板の一主面に凹部領
域及びその周縁の枠領域を形成し、圧電基板の櫛歯状電
極を絶縁性基板の凹部領域側に対面させて、圧電基板を
凹部領域内に設置し又は圧電基板の周辺部を枠領域上面
に当接若しくは接着することにより、圧電基板を絶縁性
基板に取付け、櫛歯状電極の入出力電極と凹部領域内の
導電パターンを接続体を介して導通することにより、Ｓ
ＡＷの振動空間の気密を確実にし、振動空間を均一な高
さ、幅で正確に形成するので、振動空間への絶縁性樹
脂、ほこり等の入り込みを完全に阻止し、また、ワイヤ
による駆動信号の入出力を不要としたので、ワイヤのイ
ンダクタンス成分によるＳＡＷ装置の特性劣化を防止で
きる。また、ＳＡＷ素子自体がＳＡＷ装置の蓋体として
機能するため、さらなる薄型化及び小型軽量化が達成さ
れ、また構成が簡略化されるので低コストで製造可能と
なるという作用効果を有する。
域及びその周縁の枠領域を形成し、圧電基板の櫛歯状電
極を絶縁性基板の凹部領域側に対面させて、圧電基板を
凹部領域内に設置し又は圧電基板の周辺部を枠領域上面
に当接若しくは接着することにより、圧電基板を絶縁性
基板に取付け、櫛歯状電極の入出力電極と凹部領域内の
導電パターンを接続体を介して導通することにより、Ｓ
ＡＷの振動空間の気密を確実にし、振動空間を均一な高
さ、幅で正確に形成するので、振動空間への絶縁性樹
脂、ほこり等の入り込みを完全に阻止し、また、ワイヤ
による駆動信号の入出力を不要としたので、ワイヤのイ
ンダクタンス成分によるＳＡＷ装置の特性劣化を防止で
きる。また、ＳＡＷ素子自体がＳＡＷ装置の蓋体として
機能するため、さらなる薄型化及び小型軽量化が達成さ
れ、また構成が簡略化されるので低コストで製造可能と
なるという作用効果を有する。
【図１】本発明によるＳＡＷ装置Ｓの一実施形態の断面
図である。
図である。
【図２】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図３】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図４】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図５】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図６】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図７】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図８】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図９】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図である。
【図１０】ＳＡＷ装置Ｓの他の実施形態の断面図であ
る。
る。
【図１１】従来のＳＡＷ装置Ｓ1 の断面図である。
【図１２】従来の他のＳＡＷ装置Ｓ2 の断面図である。
１：ＳＡＷ素子 ２：入出力電極のパッド ３：接続体 ４：導電パターン ５：ＩＤＴ電極 ６：絶縁性樹脂 ７：絶縁性基板 ８：リードパターン ９：枠領域 １０：当接部 １１：凹部領域
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板の一主面に凹部領域及びその周
縁に枠領域を形成し、前記凹部領域内に導電パターン及
びそれに連なって外部に延出したリードパターンを設
け、圧電基板の一主面に少なくとも一対の櫛歯状電極を
設け、前記圧電基板の櫛歯状電極側を絶縁性基板の凹部
領域側に対向させて、該圧電基板を前記枠領域の上面若
しくは内側に固定するとともに、前記櫛歯状電極の入出
力電極と前記導電パターンを接続体を介して電気的に導
通したことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1644597A JPH10215142A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1644597A JPH10215142A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10215142A true JPH10215142A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11916447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1644597A Pending JPH10215142A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10215142A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004208326A (ja) * | 2000-03-17 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気素子内蔵モジュール及びその製造方法 |
| WO2004109912A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
| JP2007533475A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-22 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | カプセル封入された電気構成素子およびその製造方法 |
| JP2013225749A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Kyocera Corp | 圧電デバイス及びモジュール部品 |
| JP2016006445A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 船井電機株式会社 | 振動ミラーパッケージおよびプロジェクタ |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1644597A patent/JPH10215142A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004208326A (ja) * | 2000-03-17 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気素子内蔵モジュール及びその製造方法 |
| JP4567986B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2010-10-27 | パナソニック株式会社 | 電気素子内蔵モジュール及びその製造方法 |
| WO2004109912A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
| US7183125B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-02-27 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
| JP2007533475A (ja) * | 2004-04-22 | 2007-11-22 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | カプセル封入された電気構成素子およびその製造方法 |
| JP2013225749A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Kyocera Corp | 圧電デバイス及びモジュール部品 |
| JP2016006445A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 船井電機株式会社 | 振動ミラーパッケージおよびプロジェクタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040802 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040819 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041014 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051227 |