JP7297329B2 - エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 - Google Patents
エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7297329B2 JP7297329B2 JP2021516364A JP2021516364A JP7297329B2 JP 7297329 B2 JP7297329 B2 JP 7297329B2 JP 2021516364 A JP2021516364 A JP 2021516364A JP 2021516364 A JP2021516364 A JP 2021516364A JP 7297329 B2 JP7297329 B2 JP 7297329B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- carrier
- filter chip
- cavity
- packaging structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 144
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 154
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- VSSAADCISISCOY-UHFFFAOYSA-N 1-(4-furo[3,4-c]pyridin-1-ylphenyl)furo[3,4-c]pyridine Chemical compound C1=CN=CC2=COC(C=3C=CC(=CC=3)C3=C4C=CN=CC4=CO3)=C21 VSSAADCISISCOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229910003811 SiGeC Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0523—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92144—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
キャリア及び半導体チップを提供し、前記キャリア上に接着層を形成するステップであって、前記接着層に第1の接着層開口が形成され、前記半導体チップがアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むステップと、
前記半導体チップを前記接着層上に載置するステップであって、前記半導体チップと前記キャリアとが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記半導体チップの前記アクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられるステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面に対して樹脂封止プロセスを行い、前記半導体チップを前記キャリア上に樹脂封止するステップと、
少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられるように、前記キャリアに前記キャリアを貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に相互接続構造を形成するステップであって、前記相互接続構造が前記貫通孔を貫通して、前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続されるステップとを含むエアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造の製作方法を提供する。
前記キャリア上に前記ドライフィルム層を形成して焼き付けるステップと、
前記キャリア上に開口が形成されるように、前記ドライフィルム層に対して露光、現像を行うステップと、
現像後の前記ドライフィルム層に対してポストベーク処理を行うステップとを含む。
前記相互接続構造に被覆される鈍化層を、前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成するステップと、
前記鈍化層に鈍化層開口を形成するステップと、
前記相互接続構造に電気的に接続されるアンダーバンプ金属層を前記鈍化層開口に形成するステップと、
前記アンダーバンプ金属層上にはんだボールバンプを形成するステップとをさらに含む。
キャリアと、
アクティブ領域及び入力/出力電極領域を含む半導体チップと、
接着層であって、前記接着層は、前記キャリアと前記半導体チップとの間に配置され、第1の接着層開口を有し、前記半導体チップと前記キャリアが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記半導体チップのアクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられる接着層と、
前記接着層と前記キャリアの同一側に位置するとともに、前記半導体チップ及び前記接着層において露出する領域を覆う樹脂封止層と、
前記キャリアを貫通し、前記入力/出力電極領域の一部を少なくとも露出させる少なくとも1つの貫通孔と、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成されるとともに、前記貫通孔を貫通して前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続される相互接続構造とを備えるエアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造を提供する。
前記半導体チップと前記キャリアとが前記第2の接着層開口において第2のキャビティを形成し、
前記第2のキャビティが少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる。
キャリア及び半導体チップを提供し、前記キャリア上に接着層を形成するステップであって、前記接着層に第1の接着層開口が形成され、前記半導体チップがアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むステップS01と
半導体チップを前記接着層上に置くステップであって、前記半導体チップと前記キャリアとが前記第1の接着層開口に第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記半導体チップのアクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられるステップS02と、
前記キャリアの前記半導体チップが固定される面に対して樹脂封止プロセスを行って、前記フィルタチップを前記キャリア上に樹脂封止するステップS03と、
少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる、前記キャリアを貫通する貫通孔を形成するステップS04と、
前記キャリアの、前記接着層が形成される面と異なる面に相互接続構造を形成するステップであって、前記相互接続構造が前記貫通孔を貫通して、前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続されるステップS05とを含む。
キャリア100と、
アクティブ領域201及び入力/出力電極202を含む半導体チップ200と、
接着層101であって、前記接着層101は、前記キャリア100と前記半導体チップ200との間に配置され、第1の接着層開口110´を有し、前記半導体チップ200と前記キャリア100が前記第1の接着層開口110´に第1のキャビティ110を形成し、前記第1のキャビティ110が前記半導体チップのアクティブ領域201の一部に少なくとも位置合わせられる接着層101と、
前記接着層101と前記キャリア100の同一側に位置するとともに、前記半導体チップ200及び前記接着層101から露出される領域に被覆される樹脂封止層102と、
前記キャリア100を貫通し、前記半導体チップ200の入力/出力電極領域202の一部を少なくとも露出させる少なくとも1つの貫通孔103と、
前記キャリア100の、前記接着層101が形成される面と異なる面に形成され、前記貫通孔103を貫通し、前記入力/出力電極領域202の入力/出力電極に電気的に接続される相互接続構造104とを備える、エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造をさらに提供する。
100-キャリア、100a-キャリアの縁領域、101-接着層、110´-第1の接着層開口、120´-第2の接着層開口、110-第1のキャビティ、120-第2のキャビティ、102-樹脂封止層、103-貫通孔、104-相互接続構造、105-鈍化層、106-アンダーバンプ金属層、107-はんだボールバンプ、
200-半導体チップ、200a-半導体チップの機能面、200b-半導体チップの非機能面、201-アクティブ領域、202-入力/出力電極領域、300-いくつかの半導体チップを含むウェハー
Claims (15)
- キャリア及びフィルタチップを提供し、前記キャリア上に接着層を形成するステップであって、前記接着層に第1の接着層開口が形成され、前記フィルタチップの表面に位置する機能面がアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むステップと、
前記フィルタチップを前記接着層上に載置するステップであって、前記フィルタチップと前記キャリアとが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記フィルタチップの前記アクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられるステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面に対して樹脂封止プロセスを行い、前記フィルタチップを前記キャリア上に樹脂封止するステップと、
少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられるように、前記キャリアに前記キャリアを貫通する貫通孔を形成するステップと、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に相互接続構造を形成するステップであって、前記相互接続構造が前記貫通孔を貫通して、前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続されるステップとを含み、
前記第1のキャビティは、前記フィルタチップの共振周波数を特定する共振空間であり、前記共振空間の厚さが前記機能面の前記アクティブ領域においても、前記接着層の厚さと同じであり、
前記キャリアの前記フィルタチップと対向する片側は、平面である、
ことを特徴とするパッケージング構造の製作方法。 - 前記接着層には、さらに第2の接着層開口が形成され、
前記フィルタチップを前記接着層上に載置した後、前記フィルタチップと前記キャリアとが前記第2の接着層開口において第2のキャビティを形成し、前記第2のキャビティが少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記接着層は、パターン化されるドライフィルム層である、
ことを特徴とする請求項2に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記接着層を形成するステップは、
前記キャリア上に前記ドライフィルム層を形成して焼き付けるステップと、
前記キャリア上に開口が形成されるように、前記ドライフィルム層に対して露光、現像を行うステップと、
現像後の前記ドライフィルム層に対してポストベーク処理を行うステップとを含む、
ことを特徴とする請求項3に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記開口は、前記第1の接着層開口及び前記第2の接着層開口を含む、
ことを特徴とする請求項4に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記開口において前記フィルタチップの縁領域をさらに露出させる、
ことを特徴とする請求項4に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記キャリアは、ウェハーである、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 樹脂封止プロセスを行った後、前記貫通孔を形成する前に、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に対して薄型化プロセスを行うステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記相互接続構造を形成した後に、
前記相互接続構造に被覆される不動態層を、前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成するステップと、
前記不動態層に不動態層開口を形成するステップと、
前記相互接続構造に電気的に接続されるアンダーバンプ金属層を前記不動態層開口に形成するステップと、
前記アンダーバンプ金属層上にはんだボールバンプを形成するステップとをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記相互接続構造の材質は、金、銀、銅、鉄、アルミニウム、ニッケル、パラジウムまたは錫を含む、
ことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のパッケージング構造の製作方法。 - 前記樹脂封止プロセスは、ホットプレスプラスチック射出成形プロセスであり、
前記樹脂封止プロセスに用いられる樹脂封止材料は、エポキシ樹脂を含む、
ことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のパッケージング構造の製作方法。 - キャリアと、
表面に位置する機能面がアクティブ領域及び入力/出力電極領域を含むフィルタチップと、
接着層であって、前記接着層は、前記キャリアと前記フィルタチップとの間に配置され、第1の接着層開口を有し、前記フィルタチップと前記キャリアが前記第1の接着層開口において第1のキャビティを形成し、前記第1のキャビティが前記フィルタチップのアクティブ領域の一部と少なくとも位置合わせられる接着層と、
前記接着層と前記キャリアの同一側に位置するとともに、前記フィルタチップ及び前記接着層において露出する領域を覆う樹脂封止層と、
前記キャリアを貫通し、前記入力/出力電極領域の一部を少なくとも露出させる少なくとも1つの貫通孔と、
前記キャリアの前記接着層が形成される面と異なる面に形成されるとともに、前記貫通孔を貫通して前記入力/出力電極領域の入力/出力電極に電気的に接続される相互接続構造とを備え、
前記第1のキャビティは、前記フィルタチップの共振周波数を特定する共振空間であり、前記共振空間の厚さが前記機能面の前記アクティブ領域においても、前記接着層の厚さと同じであり、
前記キャリアの前記フィルタチップと対向する片側は、平面である、
ことを特徴とするパッケージング構造。 - 前記接着層は、第2の接着層開口をさらに有し、
前記フィルタチップと前記キャリアとが前記第2の接着層開口において第2のキャビティを形成し、
前記第2のキャビティが少なくとも前記入力/出力電極領域の一部と位置合わせられる、
ことを特徴とする請求項12に記載のパッケージング構造。 - 前記接着層において前記フィルタチップの縁領域をさらに露出させる、
ことを特徴とする請求項12に記載のパッケージング構造。 - 前記キャリアは、ウェハーである、
ことを特徴とする請求項12に記載のパッケージング構造。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910407140.3 | 2019-05-16 | ||
CN201910407140.3A CN111952199A (zh) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法 |
PCT/CN2019/099557 WO2020228152A1 (zh) | 2019-05-16 | 2019-08-07 | 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022500952A JP2022500952A (ja) | 2022-01-04 |
JP7297329B2 true JP7297329B2 (ja) | 2023-06-26 |
Family
ID=73231575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021516364A Active JP7297329B2 (ja) | 2019-05-16 | 2019-08-07 | エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11695387B2 (ja) |
JP (1) | JP7297329B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7297329B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-06-26 | 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司 | エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261582A (ja) | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
JP2009206253A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Zycube:Kk | 半導体装置 |
JP2009213174A (ja) | 2009-06-22 | 2009-09-17 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置、および実装構造体 |
JP2011159882A (ja) | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Fujikura Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012109925A (ja) | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
CN104335415A (zh) | 2012-04-19 | 2015-02-04 | 高通Mems科技公司 | 用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的各向同性蚀刻空腔 |
JP2018074566A (ja) | 2016-08-25 | 2018-05-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 埋め込みrfフィルタパッケージ構造およびその製造方法 |
WO2018163841A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
JP2019062350A (ja) | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社村田製作所 | 複合素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4180985B2 (ja) | 2003-07-07 | 2008-11-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
CN106301283A (zh) | 2016-11-07 | 2017-01-04 | 无锡吉迈微电子有限公司 | 声表面波滤波器的封装结构及制作方法 |
CN106888002B (zh) | 2017-03-08 | 2020-03-20 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 声波设备及其晶圆级封装方法 |
KR102418744B1 (ko) | 2017-09-25 | 2022-07-08 | (주)와이솔 | 에어갭형 fbar 및 이의 제조방법 |
JP7297329B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-06-26 | 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司 | エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法 |
-
2019
- 2019-08-07 JP JP2021516364A patent/JP7297329B2/ja active Active
- 2019-11-18 US US16/686,452 patent/US11695387B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-19 US US18/199,655 patent/US11979136B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002261582A (ja) | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
JP2009206253A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Zycube:Kk | 半導体装置 |
JP2009213174A (ja) | 2009-06-22 | 2009-09-17 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置、および実装構造体 |
JP2011159882A (ja) | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Fujikura Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012109925A (ja) | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
CN104335415A (zh) | 2012-04-19 | 2015-02-04 | 高通Mems科技公司 | 用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的各向同性蚀刻空腔 |
JP2018074566A (ja) | 2016-08-25 | 2018-05-10 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 埋め込みrfフィルタパッケージ構造およびその製造方法 |
WO2018163841A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-09-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、弾性波装置パッケージ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
JP2019062350A (ja) | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 株式会社村田製作所 | 複合素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11695387B2 (en) | 2023-07-04 |
US20230291379A1 (en) | 2023-09-14 |
US20200366267A1 (en) | 2020-11-19 |
JP2022500952A (ja) | 2022-01-04 |
US11979136B2 (en) | 2024-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4212137B2 (ja) | 保護音響ミラーを含む頂部を有するバルク型音波(baw)フィルタ | |
JP4468436B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
US8749114B2 (en) | Acoustic wave device | |
JP2004080221A (ja) | 弾性波デバイス及びその製造方法 | |
CN112117982B (zh) | 封装结构及其制作方法 | |
JP2007059470A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7457417B2 (ja) | 弾性波デバイスを含むモジュール | |
KR20010081032A (ko) | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조방법 | |
CN113675102A (zh) | 用于芯片封装的方法和芯片颗粒 | |
KR100891418B1 (ko) | 탄성파 디바이스 및 그 제조 방법 | |
US11979136B2 (en) | Air gap type semiconductor device package structure | |
CN111371429B (zh) | 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构 | |
JP2001015553A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN111371424A (zh) | 控制电路与体声波滤波器的集成方法和集成结构 | |
CN113054938A (zh) | 封装结构及其制造方法 | |
WO2020228152A1 (zh) | 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法 | |
JP2004153412A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
CN116527005A (zh) | 一种声学滤波器的晶圆级封装结构及其制造方法 | |
JP5252007B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2003264442A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び多面取りベース基板 | |
WO2020134666A1 (zh) | 控制电路与表面声波滤波器的集成方法和集成结构 | |
CN111326482A (zh) | 表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法 | |
WO2022241623A1 (zh) | 芯片封装结构及芯片封装方法、电子设备 | |
CN117240246A (zh) | 一种声学滤波器封装结构及其制造方法 | |
CN116614103A (zh) | 一种声学滤波器封装结构及其制造方法、电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220426 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7297329 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |