JP2018074566A - 埋め込みｒｆフィルタパッケージ構造およびその製造方法 - Google Patents

埋め込みｒｆフィルタパッケージ構造およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018074566A
JP2018074566A JP2017156311A JP2017156311A JP2018074566A JP 2018074566 A JP2018074566 A JP 2018074566A JP 2017156311 A JP2017156311 A JP 2017156311A JP 2017156311 A JP2017156311 A JP 2017156311A JP 2018074566 A JP2018074566 A JP 2018074566A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
filter device
wave filter
dielectric layer
adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017156311A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6867914B2 (ja
JP2018074566A5 (ja
Inventor
カブスタブフ・ラビンドラ・ナガルカル
Ravindra Nagarkar Kaustubh
ヨンジェ・リー
Lee Yonghe
クリストファー・ジェームズ・カプスタ
Christopher James Kapusta
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2018074566A publication Critical patent/JP2018074566A/ja
Publication of JP2018074566A5 publication Critical patent/JP2018074566A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6867914B2 publication Critical patent/JP6867914B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/0585—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1042—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a housing formed by a cavity in a resin
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

【課題】小型で製造コストを低減する埋め込みＲＦフィルタデバイスパッケージ構造の提供。
【解決手段】フィルタデバイスパッケージ１０は、弾性波フィルタデバイス１４が取り付けられた第１の誘電体層１８、誘電体封止材２０からなる絶縁基板１６内に埋め込まれる。弾性波フィルタデバイスは、アクティブ領域３４およびＩ／Ｏパッド３０を含む。フィルタデバイスパッケージは、第１の誘電体層と弾性波フィルタデバイスとの間に配置され、その層を弾性波フィルタデバイスに固定する接着剤２４と、第１の誘電体層および接着剤を貫通して弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに形成されたビア２６と、ビア内に形成され、Ｉ／Ｏパッドに機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部２８と、を含む。アクティブ領域３４に隣接する位置において、弾性波フィルタデバイスと第１の誘電体層との間の接着剤内にエアキャビティが形成される。
【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、一般的には、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ、およびＳＡＷ共振器などのＲＦフィルタをパッケージングするための構造および方法に関し、より詳細には、１つまたは複数のＳＡＷフィルタ、ＢＡＷフィルタおよび／またはそれに一体化されたＳＡＷ共振器に関する。
ＲＦ干渉は、常に通信の阻害要因となっており、設計者は、無線通信を使用するデバイスを設計する際に、このような干渉を考慮する必要がある。ＲＦ干渉の問題に対処するにあたり、今日の無線機器は、各機器の内部に詰め込まれたバンドの数が増えるにつれて、他のサービスからの信号を拒絶するだけでなく、それ自体からの信号も拒絶しなければならない。ハイエンドのスマートフォンまたはタブレットは、例えば、Ｗｉ−Ｆｉ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＧＰＳ受信機の受信経路だけでなく、最大１５バンドの２Ｇ、３Ｇ、４Ｇ無線アクセス方式の送受信経路をフィルタリングする必要がある。
フィルタリング処理の一部として、受信経路内の信号は互いに分離されなければならず、その他の無関係な信号もまた拒絶されなければならない。適切なフィルタリングを提供するために、無線デバイスは、消費者移動通信に許容される各周波数帯域に対して１つまたは複数のＲＦフィルタを使用しなければならない。通信のために利用される周波数帯域が６を超えるので、無線デバイスが数十のフィルタの使用を要求することが一般的であり、その結果、実装密度の問題が生じる。これらのフィルタは、通常、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ、またはＳＡＷ共振器の形態である。図１に示すような基本的なＳＡＷフィルタ１００では、電気入力信号が電気ポート（すなわちＩ／Ｏパッド）１０２を介してＳＡＷフィルタに供給され、石英、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）などの圧電基板１０６上に形成された交互配置された金属インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）１０４によって、電気入力信号が弾性波に変換される。ＳＡＷフィルタは、低い挿入損失と良好な除去率とを併せ持ち、２Ｇ受信機フロントエンドおよびデュプレクサおよび受信フィルタでよく使用されるように、約１．５ＧＨｚまでよく適するＳＡＷフィルタを用いて広帯域を達成することができる。図２に示すような基本的なＢＡＷフィルタ１１０では、金属パッチ１１２、１１４が水晶基板１１６の上面および底面に形成／提供され、電気ポート１１８を介してそれに供給される電気入力信号に応答する弾性波を励起して、弾性波が上から下に向かって跳ね返って（すなわち、垂直に伝搬して）、定在弾性波を形成する。共振が起こる周波数は、基板１１６の厚さおよび電極１１２、１１４の質量によって決定され、ＢＡＷフィルタは高周波用途によく適しており、３Ｇおよび４Ｇ用途でよく使用される。
既存の無線デバイスでは、デバイスに含まれる各ＲＦフィルタ（すなわち、各ＳＡＷ／ＢＡＷフィルタ／ＳＡＷ共振器）は、それ自体のセラミックの金属封止パッケージに別々に組み立てられるが、このようなパッケージが必要とされるのは、ＳＡＷフィルタ内の弾性波がしばしば表面に沿って、または表面に非常に近接して伝搬するので、ＳＡＷフィルタが一般に表面状態に対して非常に敏感であり、保護を必要とするからである。図３Ａ〜図３Ｅは、ＳＡＷフィルタチップパッケージの段階的な従来の製造技術を示す。図３Ａを参照して、複数のＳＡＷフィルタチップを有するウエハ（図示せず）を個々のＳＡＷフィルタチップ１２０に分割し、ＳＡＷフィルタチップ１２０に対応する複数の実装部分を有する基板１２２が提供される。ＳＡＷフィルタチップ１２０の下側には、ＳＡＷフィルタ１２０の表面を保護するためのエアギャップを形成するためのプロテクタ１２４が取り付けられ、基板１２２の上側には、フリップチップボンディング用のバンプ１２６が取り付けられている。
図３Ｂを参照すると、基板１２２の実装部分に各ＳＡＷフィルタチップ１２０が実装され、フリップチップボンディングにより基板１２２の配線部分にＳＡＷフィルタチップが電気的かつ機械的に接続される。代替的な実施形態では、ＳＡＷフィルタチップ１２０を基板１２２上の接続部にワイヤボンディングすることもできることが認識される。次に、図３Ｃに示すように、基板とＳＡＷフィルタチップとの間の空間にアンダーフィル１２８を充填する。基板１２２とＳＡＷフィルタチップ１２０との間にアンダーフィル１２８が充填されると、ＳＡＷフィルタチップ１２０の下側表面に位置するアクティブ領域は、プロテクタ１２４によって形成されるエアギャップによって保護される。
図３Ｄを参照すると、ＳＡＷフィルタチップの側面のステップカバレッジを改善するために、フィレット１３０が形成されている。フィレット１３０は、絶縁材料で構成されており、段差のあるピラミッド状の形態を有するＳＡＷフィルタチップ１２０の側面を緩やかに傾斜させることにより、ＳＡＷフィルタチップ上に金属層を容易に形成することができる。フィレット１３０が形成された後、図３Ｅに示すように、ＳＡＷフィルタチップ１２０の外壁に金属シールド層１３２が形成される。ＳＡＷフィルタチップ１２０の信頼性を確保するために、外部電気的影響を遮断する内部金属層がチップの上側に形成され、次に、内部金属層が大気に曝されることにより内部金属層が酸化されることを防止するための外部金属層が内部金属層上にさらに形成される。
上述したように、従来のＳＡＷフィルタチップパッケージの製造方法では、ＳＡＷフィルタチップは個々のチップユニットとしてパッケージングされる。すなわち、ウエハ上の複数のチップを個々のチップに分割した後、それぞれのチップをパッケージ基板上に搭載し、フリップチップまたはワイヤボンディングにより電気的に接続し、各ＳＡＷフィルタチップとパッケージ基板との間の空間にアンダーフィル材が提供され、フィレットまたは金属シールド層を形成する工程が個々のチップユニットについて行われる。したがって、ＳＡＷフィルタチップパッケージを製造する方法は非常に複雑であり、パッケージの接続部にワイヤをボンディングするためにある程度のスペースクリアランスを必要とする場合がある。さらに、多くの場合、多くのフィルタパッケージが、個別部品も含むマルチチップモジュールに組み立てられるので、得られるモジュールは、サイズが大きくて高価になる可能性がある。
したがって、複雑さおよび製造コストを低減するフィルタパッケージを形成する方法を提供することが望ましい。このような方法では、同じパッケージ内の周辺受動部品、遅延線、アンテナおよびスイッチングマトリクスも含む全体的な埋め込みフィルタモジュールの一部としてのフィルタパッケージの形成を可能にすることがさらに望ましく、１つの構造内のすべての部品のそのような同時パッケージングが、より低コストのプラスチックパッケージング、より低いフォームファクタ、およびより高い集積化と実装密度を提供する。
米国特許第８９００９３１号明細書
本発明の実施形態は、同じパッケージ内の周辺受動部品、遅延線、アンテナおよびスイッチングマトリクスも含む全体的な埋め込みフィルタモジュールの一部としてのフィルタパッケージの形成を可能にするフィルタパッケージおよびその製造方法に関する。１つの構造内のすべての部品の同時パッケージングは、より低コストのプラスチックパッケージング、より低いフォームファクタ、およびより高い集積化と実装密度を提供する。
本発明の一態様によれば、フィルタデバイスパッケージは、第１の誘電体層と、第１の誘電体層に取り付けられた弾性波フィルタデバイスと、を含み、弾性波フィルタデバイスは、アクティブ領域および入出力（Ｉ／Ｏ）パッドを含む。フィルタデバイスパッケージはまた、第１の誘電体層と弾性波フィルタデバイスとの間に配置され、第１の誘電体層を弾性波フィルタデバイスに固定する接着剤と、第１の誘電体層および接着剤を貫通して弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに形成された複数のビアと、複数のビア内に形成され、弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部と、を含み、弾性波フィルタデバイスのアクティブ領域に隣接する位置において、弾性波フィルタデバイスと第１の誘電体層との間の接着剤にエアキャビティが形成される。
本発明の別の態様によれば、埋め込みフィルタデバイスパッケージを製造する方法は、一方の表面上に接着層を有する初期誘電体層を提供するステップを含み、接着層は、接着材料を含まないキャビティを内部に有する。本方法はまた、弾性波フィルタデバイスを初期誘電体層に固定するために、弾性波フィルタデバイスを接着層上に配置するステップを含み、弾性波フィルタデバイスのアクティブ領域が接着層内のキャビティに隣接して位置合わせされるように、弾性波フィルタデバイスが接着層上に配置される。本方法は、弾性波フィルタデバイスの入出力（Ｉ／Ｏ）パッドと位置合わせされた位置に、初期誘電体層および接着層を貫通する複数のビアを形成するステップと、弾性波フィルタデバイスに電気的相互接続を形成するために、複数のビア内に、弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドまで金属相互接続部を形成するステップと、をさらに含む。
本発明のさらに別の態様によれば、マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージは、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスを含み、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの各々は、第１の誘電体層と、第１の誘電体層に取り付けられた弾性波フィルタデバイスと、をさらに含み、弾性波フィルタデバイスは、アクティブ領域および入出力（Ｉ／Ｏ）パッドを含む。個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの各々はまた、第１の誘電体層と弾性波フィルタデバイスとの間に配置され、第１の誘電体層を弾性波フィルタデバイスに固定する接着剤と、第１の誘電体層および接着剤を貫通して弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに形成された複数のビアと、複数のビア内に形成され、弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部と、第１の誘電体層の外方に向いた表面上の金属相互接続部上に形成された入出力（Ｉ／Ｏ）接続部と、を含み、弾性波フィルタデバイスのアクティブ領域に隣接する位置において、弾性波フィルタデバイスと第１の誘電体層との間の接着剤にエアキャビティが形成される。マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージはまた、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの各々が実装された回路基板を含み、回路基板は、Ｉ／Ｏ接続部を介して複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスに電気的に接続される。マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージは、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスを内部に埋め込むために、回路基板上に、および複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの周りに付着された絶縁基板をさらに含む。
これらのおよび他の利点および特徴は、添付図面に関連して提供される本発明の好適な実施形態の以下の詳細な説明からより容易に理解されるであろう。
図面は、本発明を実施するために現在考えられる実施形態を示す。
図面の説明は以下の通りである。
当該技術分野で公知のＳＡＷフィルタの概略図である。 当該技術分野で公知のＢＡＷフィルタの概略図である。 当該技術分野で公知のＳＡＷフィルタチップパッケージの段階的な従来の製造を例示する概略断面図である。 当該技術分野で公知のＳＡＷフィルタチップパッケージの段階的な従来の製造を例示する概略断面図である。 当該技術分野で公知のＳＡＷフィルタチップパッケージの段階的な従来の製造を例示する概略断面図である。 当該技術分野で公知のＳＡＷフィルタチップパッケージの段階的な従来の製造を例示する概略断面図である。 当該技術分野で公知のＳＡＷフィルタチップパッケージの段階的な従来の製造を例示する概略断面図である。 本発明の一実施形態による単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の別の実施形態による単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの一段階における単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの一段階における単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの一段階における単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの一段階における単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの一段階における単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の実施形態による製造／ビルドアッププロセスの一段階における単一の個別ＳＡＷフィルタパッケージの概略断面側面図である。 本発明の一実施形態によるマルチチップパッケージの概略断面側面図である。 本発明の一実施形態によるモノリシックマルチチップパッケージの概略断面側面図である。
図４および図５を参照すると、本発明の実施形態による個別埋め込みフィルタパッケージ１０、１２が示されている。図４および図５に示すように、単一の弾性波フィルタデバイス１４（すなわち、ＲＦフィルタ）は、パッケージ１０、１２内に含まれ、パッケージ１０、１２の絶縁基板１６に設けられ、フィルタデバイス１４は絶縁基板１６内に埋め込まれている。本発明の実施形態によれば、パッケージ内のフィルタデバイス１４は、ＳＡＷフィルタまたはＢＡＷフィルタ（図１および図２に示すような）の形態であってもよい。したがって、以後、フィルタデバイス１４をＳＡＷフィルタと呼ぶが、パッケージ１０、１２内のフィルタデバイスは代わりにＢＡＷフィルタの形態であってもよいことが認識される。
図４の実施形態では、絶縁基板１６は、自己支持性の「フィルム」、「パネル」、または「シート」形態で設けられた初期または第１の誘電体層１８と、誘電体封止材２０と、から形成される。誘電体層１８は、使用およびフレーム処理中にビアに対して機械的および温度安定性を提供し、ならびにビア形成およびパワーオーバーレイ（ＰＯＬ）処理に適した誘電特性および電圧破壊強度および加工性を提供するように選択された材料で形成される。したがって、誘電体層１８は、本発明の実施形態による、Ｕｌｔｅｍ（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、Ｕｐｉｌｅｘ（登録商標）、ポリスルホン材料（例えば、Ｕｄｅｌ（登録商標）、Ｒａｄｅｌ（登録商標））、または液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド材料などの別のポリマーフィルムなどの、複数の誘電体材料のうちの１つから形成することができる。誘電体封止材２０は、例えば、ＳＡＷフィルタ１４を取り囲むように付着／形成することができるポリマー封止材またはエポキシから形成することができ、ＳＡＷフィルタ１４を保護して、パッケージングされたモジュール１０にさらなる構造的完全性を提供することができる。
図５の実施形態では、絶縁基板１６は、「フィルム」または「パネル」または「シート」形態で設けられた複数の追加誘電体層２２から形成され、複数の誘電体層２２を所望の高さ／厚さに互いに積層することができ、そのような積層を提供するために必要に応じて追加の層の間に接着剤（図示せず）が設けられる。誘電体層１８は、初期または第１の誘電体層として設けられ、その上にＳＡＷフィルタ１４が付着され、さらに追加の数の誘電体層２２も付着される。図４の実施形態と同様に、追加誘電体層２２は、誘使用およびフレーム処理中にビアに対して機械的および温度安定性を提供し、ならびにビア形成およびパワーオーバーレイ（ＰＯＬ）処理に適した誘電特性および電圧破壊強度および加工性を提供するように選択された材料で形成される。したがって、誘電体層２２は、本発明の実施形態による、Ｕｌｔｅｍ（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、Ｕｐｉｌｅｘ（登録商標）、ポリスルホン材料（例えば、Ｕｄｅｌ（登録商標）、Ｒａｄｅｌ（登録商標））、または液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド材料などの別のポリマーフィルムなどの、複数の誘電体材料のうちの１つから形成することができる。
図４および図５の各実施形態では、誘電体層１８上にＳＡＷフィルタ１４を固定するために、誘電体層１８上に接着材料２４（すなわち「取り付け接着剤」）が含まれ、ＳＡＷフィルタ１４は、接着剤２４の上に下向きに取り付けられる（ＳＡＷフィルタ１４のＩＤＴまたは「アクティブ領域」が接着剤２４の上に下向きに取り付けられる）。図４および図５に示すように、複数のビア２６が誘電体層１８および接着剤２４を貫通してＳＡＷフィルタ１４まで形成される。その後、金属相互接続部２８がパッケージ１０、１２内に形成／パターニングされて電気的接続が形成され、相互接続部２８がビア２６内でＳＡＷフィルタ１４の前面のＩ／Ｏパッド３０まで形成され、誘電体層１８の表面上に出る。本発明の実施形態によれば、金属相互接続部２８は、パッケージ１０、１２内に直接的な電気接続を形成する強固な電気めっき銅相互接続として形成される「ＰＯＬ相互接続部」を含む。デバイス上のメタライゼーションに応じて、いくつかの実施形態では、スパッタされた接着層（チタン、クロムなど）が、スパッタされた銅シード層と共に提供され、その上に銅をめっきすることができる。金属相互接続部２８は、ＳＡＷフィルタ１４への電気的接続を提供するように、所望の形状にパターニングされエッチングされる。
図４および図５に示すように、ＳＡＷフィルタ１４の前面に隣接する接着層２４にエアキャビティまたはエアギャップ３２が設けられる。エアキャビティ３２は、ＳＡＷフィルタ１４のＩＤＴおよび圧電基板（図１）による適切な振動および付随する弾性波生成を可能にするので、パッケージ１０、１２内のＳＡＷフィルタ１４の最適な動作のために必要である。一実施形態によれば、エアキャビティ３２を形成するために、接着材料２４の連続層の付着と、それに続いて、符号３４で一般的に示すＳＡＷフィルタ１４のアクティブ領域（すなわち、ＩＤＴ）に隣接する領域における接着剤のレーザアブレーションと、によってエアキャビティ３２が形成される。別の実施形態によれば、エアキャビティ３２は、誘電体層１８上に接着材料２４を選択的に付着させることによって形成され、それは例えば、エアキャビティ３２を形成するために、ＳＡＷフィルタ１４のアクティブ領域３４に隣接する領域に接着剤が付着しないように、誘電体層１８上に接着剤をインクジェット方式で付着させることによって行うことができる。
一実施形態では、図５に示すように、アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、および／またはシールド層などの追加の特徴３６をパッケージ１２内に形成することができる。このような特徴３６は、追加誘電体層２２の１つまたは複数の上／間で実行されるメタライゼーション（例えば、スパッタリング）によって形成することができる。追加のビア２６および金属相互接続部２８が誘電体層２０および誘電体層２２に形成されて、特徴３６への電気的接続を提供し（必要に応じて）、このようなビア２６および相互接続部２８は、ＳＡＷフィルタ１４に対して形成されたものと同様に形成される。図５に具体的に示すように、パッケージ１２をシールドするために、シールド層３６が最外部の誘電体層２２の表面上に形成され、他の特徴３６が追加誘電体層２２内に埋め込まれている。
図４および図５にさらに示すように、入出力（Ｉ／Ｏ）接続部３８は、誘電体層１８の外側に面する表面上の金属相互接続部２８上に設けられる。このようなＩ／Ｏ接続部３８は、例えば、プリント回路基板（図示せず）などの外部デバイスにパッケージ１０、１２を接続するためのはんだボールの形態であってもよい。
したがって、図４および図５に示す実施形態によれば、より短い経路長、より良好な接地、および冗長な相互接続を可能にするＳＡＷフィルタパッケージ１０、１２が提供され、従来技術のＳＡＷフィルタパッケージと比較して、すべて優れたＲＦ性能（すなわち、挿入損失は低いが高いアイソレーション）をもたらす。
次に図１０および図１１Ａおよび図１１Ｂを参照すると、本発明の実施形態による、ＳＡＷフィルタパッケージを製造する技術のプロセスステップの詳細図が示されている。図６〜図１１に示す技術は、ＳＡＷフィルタを内部にパッケージングするために図示し説明しているが、説明するプロセスはＢＡＷフィルタを埋め込むパッケージの製造にも適用可能であると認識される。
図６を参照すると、パッケージのビルドアッププロセスは、積層またはフィルムの形態の初期誘電体層１８の提供から始まる。本発明の実施形態によれば誘電体層１８は、Ｕｌｔｅｍ（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、Ｕｐｉｌｅｘ（登録商標）、ポリスルホン材料（例えば、Ｕｄｅｌ（登録商標）、Ｒａｄｅｌ（登録商標））、または液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリイミド材料などの別のポリマーフィルムなどの、複数の誘電体材料のうちの１つから形成することができる。
図７に示すように、次に、誘電体層１８にＳＡＷフィルタを固定する接着材料２４が誘電体層１８上に付着される。パッケージ内のＳＡＷフィルタの適切な収容および動作を提供するために、ＳＡＷフィルタのアクティブ領域に隣接して配置されるキャビティ３２を提供するように接着材料２４が付着または処理される。一実施形態によれば、接着材料２４の連続層の付着と、それに続いて、ＳＡＷフィルタのアクティブ領域が配置されるところに隣接する領域における接着剤のレーザアブレーションと、によってキャビティ３２が形成される。別の実施形態によれば、キャビティ３２は、誘電体層１８上に接着材料２４をインクジェット方式で選択的に付着させることによって形成され、それは例えば、ＳＡＷフィルタのアクティブ領域が配置されるところに隣接する領域に接着剤が付着しないように、誘電体層１８上に接着剤をインクジェット方式で付着させることによって行うことができる。
ビルドアッププロセスの次のステップにおいて、図８に示すように、ＳＡＷフィルタ１４は、フィルタを誘電体層１８上に固定するために、下向きに（すなわち、アクティブな面を下にして）接着剤２４上に配置され取り付けられる。ＳＡＷフィルタ１４のＩＤＴまたは「アクティブ領域」３４がエアキャビティ３２に隣接し、ＳＡＷフィルタ１４のＩ／Ｏパッド３０がエアキャビティ３２によって覆われた領域の外側にあるように、ＳＡＷフィルタ１４が配置される。次に、接着剤２４を硬化させ、ＳＡＷフィルタ１４を接着剤２４および誘電体層１８に固定するために、硬化ステップが実行される。
ここで図９を参照すると、ＳＡＷフィルタ１４を接着剤２４および誘電体層１８に固定すると、誘電体層１８および接着層２４を貫通してＳＡＷフィルタ１４のＩ／Ｏパッド３０に至る複数のビア２６が形成される。ビア２６は、ＳＡＷフィルタ１４を見るためにアライメントドリリングを使用するなどして、電気的接続を形成するためにＳＡＷフィルタ１４のＩ／Ｏパッド３０に形成されるブラインドビアである。本発明の実施形態によれば、ビア２６は、レーザアブレーションもしくはレーザドリリングプロセス、プラズマエッチング、光解像、または機械的ドリリングプロセスによって形成することができる。ビア２６がＳＡＷフィルタ１４のＩ／Ｏパッド３０まで形成され、ビア２６のクリーニングが完了すると（例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）デスートプロセスなどにより）、金属相互接続部２８が図１０に示すように形成される。一実施形態によれば、金属相互接続部２８は、スパッタリングと電気めっきの組み合わせによって形成することができるが、他の金属堆積方法（例えば、無電解または電解めっき）も使用できると認識される。例えば、チタンまたはパラジウム接着層および銅シード層を、スパッタリングまたは無電解めっきプロセスによってビア２６内に最初に付着させ、続いて電気めっきプロセスによって、ビア２６を充填して銅の厚さを所望のレベルまで増加させる（すなわち、「プレーティングアップする」）。一実施形態では、次に、付着した銅に対してパターニングおよびエッチングが実行され、所望の形状を有する相互接続部２８を形成する。連続的な銅層の付着、およびそれに続く連続的な銅層のパターニングおよびエッチングが相互接続部２８を形成するために本明細書で説明されているが、相互接続部２８を形成するために、半付加的めっきプロセスによる相互接続部２８のパターニングおよびめっきを代わりに用いることができることが認識される。
ビルドアッププロセスの次のステップでは、ＳＡＷフィルタ１４をパッケージ１０、１２内に埋め込むために、追加のプロセスステップが実行される。一実施形態では、図１１Ａに示すように、ポリマー封止材またはエポキシなどの誘電体封止材２０が、ＳＡＷフィルタ１４を取り囲むように付着される。その後、例えばパッケージの裏面にシールド（図示せず）を設けることを可能にする、パッケージされたモジュール１０のための平坦な裏面を提供するために、誘電体封止材２０が形成される。別の実施形態では、図１１Ｂに示すように、追加誘電体層２２が、初期誘電体層１８上に、ＳＡＷフィルタ１４を埋め込む高さ／厚さまで積層される。図１１Ｂに示す例では、３つの追加誘電体層２２が設けられ、ＳＡＷフィルタ１４が誘電体層によって埋め込まれるように配置される。本発明の一実施形態によれば、追加誘電体層２２の１つまたは複数は、ＳＡＷフィルタ１４を受け入れ、その周囲に層２２の位置を調整するために形成された開口／切り欠き４０を含む。あるいは、誘電体シート２２のセグメントが、ＳＡＷフィルタ１４の封入に対応するように、ＳＡＷフィルタ１４の周りに配置され得ることが認識される。理想的には、追加層２２は、積層されると、ＳＡＷフィルタ１４の高さ／厚さと等しく、パッケージ１０、１２の裏側に次の層２２を積層するために平坦な表面が提供される。
さらに図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、ビルドアッププロセスはまた、プリント回路（ＰＣＢ）（図示せず）などの外部回路または基板へのパッケージの表面実装を可能にするために、パッケージ１０、１２上にＩ／Ｏ接続部３８を形成するステップを含む。一実施形態によれば、Ｉ／Ｏ接続部３８は、パッケージ１０、１２をＰＣＢに電気的に接続するために、ＰＣＢに取り付け／固定されるように構成されたはんだバンプ（例えばランドグリッドアレイ（ＬＧＡ）またはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）はんだバンプ）として設けられる。
一実施形態によれば、図１１Ｂに示すように、追加誘電体層２２の適用の一部として、アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、および／またはシールド層などの追加の特徴３６をパッケージ１２内に形成することができる。このような特徴３６は、追加誘電体層２２の１つまたは複数の上／間で実行されるメタライゼーション（例えば、スパッタリング）によって形成することができる。追加のビア２６および金属相互接続部２８が誘電体層２０および誘電体層２２に形成されて、特徴３６への電気的接続を提供し（必要に応じて）、このようなビア２６および相互接続部２８は、ＳＡＷフィルタ１４に対して形成されたものと同様に形成される。
図６〜図１０および図１１Ａおよび図１１Ｂに示すＳＡＷフィルタパッケージを製造する技術は、ＰＯＬビルドアッププロセスにより有益に行うことができ、それはパッケージング構造内にＳＡＷフィルタを埋め込むこと、および強固な銅めっきされた相互接続部を使用してＳＡＷフィルタへの電気的接続を形成することを提供する。ＰＯＬプロセスは、ＳＡＷフィルタの適切な動作を可能にするＳＡＷフィルタに隣接するエアキャビティの形成を可能にし（サイズ、コスト、または性能において大きなトレードオフなしに）、より短い経路長、良好な接地および冗長な相互接続を提供して、すべて優れたＲＦ性能をもたらす。
図４〜図１０、図１１Ａおよび図１１Ｂは、個別の単一ＳＡＷフィルタパッケージ（およびその製造方法）を示しているが、本発明の追加の実施形態は、複数のＳＡＷフィルタを異なるマルチチップモジュールに統合することに関するものであり、それは、単一の全体的なマルチチップパッケージに統合された複数の個別ＳＡＷフィルタパッケージ、および単一のモノリシック・マルチチップ・モジュール・パッケージにパッケージングされた複数のＳＡＷフィルタを含む。このようなマルチチップモジュールは、抵抗器、キャパシタ、ＭＥＭスイッチ、または他のスイッチタイプなどの他の部品も含むことができる。
図１２を参照すると、一実施形態による、複数の個別ＳＡＷフィルタパッケージ４４を組み込んだマルチチップパッケージ４２を示している。図１２に示すように、マルチチップパッケージ４２には３つのＳＡＷフィルタパッケージ４４が含まれているが、より多くのまたはより少ない個数のＳＡＷフィルタパッケージ４４をマルチチップパッケージに含めることができると認識される。ＳＡＷフィルタパッケージ４４の各々は、先に図４および図５で示し説明したＳＡＷフィルタパッケージ構造のうちの１つと同一の構造を有することができる。複数のＳＡＷフィルタパッケージ４４を単一のマルチチップパッケージ４２内に一緒にパッケージングする際に、ＳＡＷフィルタパッケージ４４は、それぞれ、各ＳＡＷフィルタパッケージ４４上に設けられたＩ／Ｏ接続部３８を介して、ＰＣＢなどの外部回路または基板４６に最初に別個に取り付けられてもよい。ＳＡＷフィルタパッケージ４４をＰＣＢ４６上に実装すると、個別ＳＡＷフィルタパッケージ４４を包囲して単一のマルチチップパッケージにパッケージングするために、カプセル化プロセスおよびアンダーフィルプロセスを実行することができる。封止材４８は、ＳＡＷフィルタパッケージ４４を取り囲むように付着／形成することができる誘電体材料（例えば、ポリマー封止材またはエポキシ）から形成され、マルチチップパッケージ４２を保護し、さらなる構造的完全性を提供する。
ここで図１３を参照すると、一実施形態による、共通の誘電体基板１８上に形成された複数のＳＡＷフィルタ１４を集積するモノリシックマルチチップパッケージ５０が示されている。図１３に示すように、モノリシックマルチチップパッケージ５０は３つのＳＡＷフィルタ１４を含むが、より多くのまたはより少ない個数のＳＡＷフィルタ１４をパッケージに含めることができると認識される。ＳＡＷフィルタ１４はすべて接着剤２４を介して初期誘電体層１８上に固定され、接着剤２４はエアキャビティ３２を提供するように付着／パターニングされる。すなわち、先に説明したように、各ＳＡＷフィルタ１４の前面に隣接する接着層２４にエアキャビティまたはエアギャップ３２が設けられる。一実施形態によれば、エアキャビティ３２は、接着材料２４の連続層の付着と、それに続く、それぞれのＳＡＷフィルタ１４のアクティブ領域３４に隣接する領域における接着剤のレーザアブレーションと、によって形成される。別の実施形態によれば、エアキャビティ３２は、誘電体層１８上に接着材料２４を選択的に付着させることによって形成され、それは例えば、誘電体層１８上に接着剤２４をインクジェット方式で付着させることによって行うことができるが、エアキャビティ３２を形成するために、それぞれのＳＡＷフィルタ１４のアクティブ領域３４に隣接する領域には接着剤が付着しないように、接着剤が付着される。
図１３に示すように、複数のビア２６が誘電体層１８および接着剤２４を貫通してＳＡＷフィルタ１４まで形成される。その後、金属相互接続部２８がパッケージ５０内に形成／パターニングされて電気的接続が形成され、金属相互接続部２８がビア２６内でそれぞれのＳＡＷフィルタ１４上のＩ／Ｏパッド３０まで形成され、誘電体層１８の表面上に出る。ビア２６および金属相互接続部２８は、ＰＯＬ製造プロセスの一部として形成することができるが、ＳＡＷフィルタ１４の各々へのビア２６は共通の製造ステップの一部として形成することができ、また、ＳＡＷフィルタ１４の各々への金属相互接続部２８は共通の製造ステップの一部として形成することができるので、パッケージ５０内のＳＡＷフィルタ１４への接続を形成する際の時間とコストを最小にすることができる。
図１３の実施形態では、パッケージ内にＳＡＷフィルタ１４を埋め込むために、追加誘電体層２２がパッケージ５０に含まれ、初期誘電体層１８上およびＳＡＷフィルタ１４の周り／上に付着されることが分かる。追加誘電体層２２が示されているが、パッケージ５０の代替的な実施形態は、複数の追加誘電体層ではなく、ＳＡＷフィルタ１４を埋め込むために封止材を利用することができると認識される。図１３に示すように、アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、および／またはシールド層などの追加の特徴３６をパッケージ５０内に形成することができる。このような特徴は、追加誘電体層の１つまたは複数の上／間で実行されるメタライゼーション（例えば、スパッタリング）によって形成することができる。ビア２６および金属相互接続部２８が誘電体層１８および誘電体層２２に形成されて、特徴３６への電気的接続を提供し（必要に応じて）、このようなビアおよび相互接続部は、ＳＡＷフィルタ１４に対して形成されたものと同様に形成される。図１３には示していないが、追加の受動デバイスまたは電力半導体デバイスも、抵抗器、キャパシタ、ＭＥＭスイッチまたは他のスイッチタイプを含むモノリシックマルチチップパッケージ５０に組み込むことができ、利用されるＰＯＬ製造プロセスは、そのような部品の封入およびそれへの電気的接続の形成を、時間およびコスト効率の良い方法で可能にする。
有益なことに、本発明の実施形態は、より低いコスト／複雑さのパッケージング、より低いフォームファクタ、およびより高い集積度を提供する埋め込みフィルタデバイスパッケージおよびその製造方法を提供する。フィルタパッケージは、同じパッケージ内の周辺受動部品、遅延線、アンテナおよびスイッチングマトリクスも含む全体的な埋め込みフィルタモジュールの一部としてのフィルタパッケージの形成を可能にする。同一モジュール内の複数の周波数帯域のカバレッジを低コストで小さなフォームファクタで提供するために、標準的なＰＯＬパッケージングプロセスにより、複数のフィルタデバイスを全体的なマルチチップ／マルチフィルタパッケージに組み込むことができる。
したがって、本発明の一実施形態によれば、フィルタデバイスパッケージは、第１の誘電体層と、第１の誘電体層に取り付けられた弾性波フィルタデバイスと、を含み、弾性波フィルタデバイスは、アクティブ領域および入出力（Ｉ／Ｏ）パッドを含む。フィルタデバイスパッケージはまた、第１の誘電体層と弾性波フィルタデバイスとの間に配置され、第１の誘電体層を弾性波フィルタデバイスに固定する接着剤と、第１の誘電体層および接着剤を貫通して弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに形成された複数のビアと、複数のビア内に形成され、弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部と、を含み、弾性波フィルタデバイスのアクティブ領域に隣接する位置において、弾性波フィルタデバイスと第１の誘電体層との間の接着剤にエアキャビティが形成される。
本発明の別の実施形態によれば、埋め込みフィルタデバイスパッケージを製造する方法は、一方の表面上に接着層を有する初期誘電体層を提供するステップを含み、接着層は、接着材料を含まないキャビティを内部に有する。本方法はまた、弾性波フィルタデバイスを初期誘電体層に固定するために、弾性波フィルタデバイスを接着層上に配置するステップを含み、弾性波フィルタデバイスのアクティブ領域が接着層内のキャビティに隣接して位置合わせされるように、弾性波フィルタデバイスが接着層上に配置される。本方法は、弾性波フィルタデバイスの入出力（Ｉ／Ｏ）パッドと位置合わせされた位置に、初期誘電体層および接着層を貫通する複数のビアを形成するステップと、弾性波フィルタデバイスに電気的相互接続を形成するために、複数のビア内に、弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドまで金属相互接続部を形成するステップと、をさらに含む。
本発明のさらに別の実施形態によれば、マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージは、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスを含み、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの各々は、第１の誘電体層と、第１の誘電体層に取り付けられた弾性波フィルタデバイスと、をさらに含み、弾性波フィルタデバイスは、アクティブ領域および入出力（Ｉ／Ｏ）パッドを含む。個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの各々はまた、第１の誘電体層と弾性波フィルタデバイスとの間に配置され、第１の誘電体層を弾性波フィルタデバイスに固定する接着剤と、第１の誘電体層および接着剤を貫通して弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに形成された複数のビアと、複数のビア内に形成され、弾性波フィルタデバイスのＩ／Ｏパッドに機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部と、第１の誘電体層の外方に向いた表面上の金属相互接続部上に形成された入出力（Ｉ／Ｏ）接続部と、を含み、弾性波フィルタデバイスのアクティブ領域に隣接する位置において、弾性波フィルタデバイスと第１の誘電体層との間の接着剤にエアキャビティが形成される。マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージはまた、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの各々が実装された回路基板を含み、回路基板は、Ｉ／Ｏ接続部を介して複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスに電気的に接続される。マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージは、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスを内部に埋め込むために、回路基板上に、および複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイスの周りに付着された絶縁基板をさらに含む。
本発明は、限られた数の実施形態に関して詳細に説明してきたが、本発明は、このような開示された実施形態に限定されないことは容易に理解されよう。むしろ、本発明は、これまでに説明していないが、本発明の精神および範囲に相応する、任意の数の変形、変更、置換または等価な構成を組み込むように修正されてもよい。また、本発明の様々な実施形態を説明したが、本発明の態様は、説明した実施形態のうちの一部のみを含んでもよいことが理解されよう。したがって、本発明は、前述の説明によって限定されるとみなされるべきではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
［実施態様１］
フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）であって、
第１の誘電体層（１８）と、
前記第１の誘電体層（１８）に取り付けられ、アクティブ領域（３４）および入出力（Ｉ／Ｏ）パッド（３０）を含む弾性波フィルタデバイス（１４）と、
前記第１の誘電体層（１８）と前記弾性波フィルタデバイス（１４）との間に配置され、前記第１の誘電体層（１８）を前記弾性波フィルタデバイス（１４）に固定する接着剤（２４）と、
前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）を貫通して前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に形成された複数のビア（２６）と、
前記複数のビア（２６）内に形成され、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）と、を含み、
前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接する位置において、前記弾性波フィルタデバイス（１４）と前記第１の誘電体層（１８）との間の前記接着剤（２４）にエアキャビティ（３２）が形成される、フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様２］
前記弾性波フィルタデバイス（１４）を前記フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）内に埋め込むために、前記接着層（２４）上に、かつ前記弾性波フィルタデバイス（１４）の背面および側面の上に付着される誘電体封止材（２０）をさらに含む、実施態様１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様３］
前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）の上に積層された複数の追加誘電体層（２２）をさらに含み、前記複数の追加誘電体層（２２）は、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の背面および側面をカバーして、前記フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）内に前記弾性波フィルタデバイス（１４）を埋め込むように積層される、実施態様１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様４］
アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、および／または前記複数の追加誘電体層（２２）の上もしくは間に金属化されたシールド層（３６）のうちの少なくとも１つをさらに含む、実施態様３に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様５］
前記接着剤（２４）を介して前記第１の誘電体層（１８）に取り付けられた１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）をさらに含み、それぞれの追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接する位置で、前記追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々と前記第１の誘電体層（１８）との間の前記接着剤（２４）にエアキャビティ（３２）が形成される、実施態様１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様６］
前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）を貫通して前記追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々のＩ／Ｏパッド（３０）に形成された複数のビア（２６）と、
前記複数のビア（２６）内に形成され、前記追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）と、を含む、実施態様５に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様７］
前記第１の誘電体層（１８）は、誘電体材料のフィルム、パネル、またはシートを含む、実施態様１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様８］
前記金属相互接続部（２８）は、前記弾性波フィルタデバイス（１４）への電気的接続を提供するめっき銅パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）相互接続部を含む、実施態様１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様９］
前記弾性波フィルタデバイス（１４）は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタおよびバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタのうちの一方を含む、実施態様１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
［実施態様１０］
埋め込みフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）を製造する方法であって、
一方の表面上に接着層（２４）を有する初期誘電体層（１８）を提供するステップであって、前記接着層（２４）は、接着材料（２４）を含まないキャビティ（３２）を内部に有する、ステップと、
弾性波フィルタデバイス（１４）を前記初期誘電体層（１８）に固定するために、前記弾性波フィルタデバイス（１４）を前記接着層（２４）上に配置するステップであって、前記弾性波フィルタデバイス（１４）のアクティブ領域（３４）が前記接着層（２４）内の前記キャビティ（３２）に隣接して位置合わせされるように、前記弾性波フィルタデバイス（１４）が前記接着層（２４）上に配置される、ステップと、
前記弾性波フィルタデバイス（１４）の入出力（Ｉ／Ｏ）パッド（３０）と位置合わせされた位置に、前記初期誘電体層（１８）および前記接着層（２４）を貫通する複数のビア（２６）を形成するステップと、
前記弾性波フィルタデバイス（１４）に電気的相互接続を形成するために、前記複数のビア（２６）内に、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）まで金属相互接続部（２８）を形成するステップと、を含む方法。
［実施態様１１］
前記弾性波フィルタデバイス（１４）を埋め込むために、前記弾性波フィルタデバイス（１４）を誘電体封止材料でオーバーモールドするステップをさらに含む、実施態様１０に記載の方法。
［実施態様１２］
前記初期誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）の上に、複数の追加誘電体層（２２）を積層して配置するステップをさらに含み、前記複数の追加誘電体層（２２）は、前記弾性波フィルタデバイス（１４）を埋め込むように積層される、実施態様１０に記載の方法。
［実施態様１３］
アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、およびシールド層（３６）のうちの少なくとも１つを形成するために、前記複数の追加誘電体層（２２）のうちの１つまたは複数に金属材料を選択的に付着させてパターニングするステップをさらに含む、実施態様１２に記載の方法。
［実施態様１４］
前記１つまたは複数の弾性波フィルタデバイス（１４）を前記初期誘電体層（１８）に固定するために、前記１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）を前記接着層（２４）上に配置するステップをさらに含み、前記１つまたは複数の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々のアクティブ領域（３４）が、接着材料（２４）を含まない前記接着層（２４）内に形成された追加のキャビティ（３２）に隣接して位置合わせされるように、前記１つまたは複数の弾性波フィルタデバイス（１４）が前記接着層（２４）上に配置される、実施態様１３に記載の方法。
［実施態様１５］
前記初期誘電体層（１８）および前記接着層（２４）を貫通して前記１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々のＩ／Ｏパッド（３０）に複数のビア（２６）を形成するステップと、
前記複数のビア（２６）内に形成され、前記１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）を形成するステップと、をさらに含む、実施態様１４に記載の方法。
［実施態様１６］
前記初期誘電体層（１８）の一方の表面上に前記接着層（２４）を設ける際に、前記方法は、
前記初期誘電体層（１８）の上に前記接着層（２４）を接着材料（２４）の連続層として付着させるステップと、
前記キャビティ（３２）を形成するために、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接して位置合わせされる領域の前記接着層（２４）から接着材料（２４）を除去するステップと、をさらに含む、実施態様１０に記載の方法。
［実施態様１７］
前記初期誘電体層（１８）の一方の表面上に前記接着層（２４）を設ける際に、前記方法は、前記キャビティ（３２）を形成するために、前記接着層（２４）を前記初期誘電体層（１８）上にパターン化した形態で選択的に付着させるステップをさらに含み、前記接着層（２４）内の前記キャビティ（３２）が、前記接着層（２４）に付着される前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接して位置合わせされる、実施態様１０に記載の方法。
［実施態様１８］
前記金属相互接続部（２８）は、スパッタリングおよびパターニングおよびエッチングプロセスによって形成されためっき銅パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）相互接続部を含む、実施態様１１に記載の方法。
［実施態様１９］
マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージであって、
複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）であって、前記複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）の各々は、
第１の誘電体層（１８）と、
前記第１の誘電体層（１８）に取り付けられ、アクティブ領域（３４）および入出力（Ｉ／Ｏ）パッド（３０）を含む弾性波フィルタデバイス（１４）と、
前記第１の誘電体層（１８）と前記弾性波フィルタデバイス（１４）との間に配置され、前記第１の誘電体層（１８）を前記弾性波フィルタデバイス（１４）に固定する接着剤（２４）と、
前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）を貫通して前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に形成された複数のビア（２６）と、
前記複数のビア（２６）内に形成され、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）と、
前記第１の誘電体層（１８）の外方に向いた表面上の前記金属相互接続部（２８）上に形成された入出力（Ｉ／Ｏ）接続部と、を含み、
前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接する位置において、前記弾性波フィルタデバイス（１４）と前記第１の誘電体層（１８）との間の前記接着剤（２４）にエアキャビティ（３２）が形成される、複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）と、
前記複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）の各々が実装された回路基板であって、前記Ｉ／Ｏ接続部を介して前記複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）に電気的に接続された回路基板と、
前記複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）を内部に埋め込むために、前記回路基板上に、および前記複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）の周りに付着された絶縁基板（１６）と、を含むマルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージ。
［実施態様２０］
前記絶縁基板（１６）は、前記複数の個別パッケージングされた弾性波フィルタデバイス（１４）を取り囲んでアンダーフィルする誘電体封入物を含み、前記マルチチップ・フィルタ・デバイス・モジュール・パッケージに電気的絶縁および構造的完全性を提供する、実施態様１９に記載のパッケージングされた電子モジュール。
１０ 個別埋め込みフィルタパッケージ、モジュール
１２ 個別埋め込みフィルタパッケージ
１４ 単一の弾性波フィルタデバイス、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ
１６ 絶縁基板
１８ 初期または第１の誘電体層、誘電体基板
２０ 誘電体封止材、誘電体層
２２ 複数の追加誘電体層、誘電体シート
２４ 接着材料、接着剤、接着層
２６ 複数のビア
２８ 金属相互接続部
３０ Ｉ／Ｏパッド
３２ エアキャビティまたはエアギャップ
３４ 金属インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）またはアクティブ領域
３６ 追加の特徴（アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、および／またはシールド層）
３８ 入出力（Ｉ／Ｏ）接続部
４０ 開口／切り欠き
４２ マルチチップパッケージ
４４ ＳＡＷフィルタパッケージ
４６ 外部回路または基板
４８ 封止材
５０ モノリシックマルチチップパッケージ
１００ ＳＡＷフィルタ
１０６ 圧電基板
１１０ ＢＡＷフィルタ
１１２ 金属パッチ、電極
１１４ 金属パッチ、電極
１１６ 水晶基板
１１８ 電気ポート
１２０ ＳＡＷフィルタチップ
１２２ 基板
１２４ プロテクタ
１２６ バンプ
１２８ アンダーフィル
１３０ フィレット
１３２ 金属シールド層

Claims (15)

  1. フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）であって、
    第１の誘電体層（１８）と、
    前記第１の誘電体層（１８）に取り付けられ、アクティブ領域（３４）および入出力（Ｉ／Ｏ）パッド（３０）を含む弾性波フィルタデバイス（１４）と、
    前記第１の誘電体層（１８）と前記弾性波フィルタデバイス（１４）との間に配置され、前記第１の誘電体層（１８）を前記弾性波フィルタデバイス（１４）に固定する接着剤（２４）と、
    前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）を貫通して前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に形成された複数のビア（２６）と、
    前記複数のビア（２６）内に形成され、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）と、を含み、
    前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接する位置において、前記弾性波フィルタデバイス（１４）と前記第１の誘電体層（１８）との間の前記接着剤（２４）にエアキャビティ（３２）が形成される、フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  2. 前記弾性波フィルタデバイス（１４）を前記フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）内に埋め込むために、前記接着層（２４）上に、かつ前記弾性波フィルタデバイス（１４）の背面および側面の上に付着される誘電体封止材（２０）をさらに含む、請求項１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  3. 前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）の上に積層された複数の追加誘電体層（２２）をさらに含み、前記複数の追加誘電体層（２２）は、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の背面および側面をカバーして、前記フィルタデバイスパッケージ（１０、１２）内に前記弾性波フィルタデバイス（１４）を埋め込むように積層される、請求項１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  4. アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、および／または前記複数の追加誘電体層（２２）の上もしくは間に金属化されたシールド層（３６）のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項３に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  5. 前記接着剤（２４）を介して前記第１の誘電体層（１８）に取り付けられた１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）をさらに含み、それぞれの追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接する位置で、前記追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々と前記第１の誘電体層（１８）との間の前記接着剤（２４）にエアキャビティ（３２）が形成される、請求項１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  6. 前記第１の誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）を貫通して前記追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々のＩ／Ｏパッド（３０）に形成された複数のビア（２６）と、
    前記複数のビア（２６）内に形成され、前記追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）と、を含む、請求項５に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  7. 前記第１の誘電体層（１８）は、誘電体材料のフィルム、パネル、またはシートを含む、請求項１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  8. 前記金属相互接続部（２８）は、前記弾性波フィルタデバイス（１４）への電気的接続を提供するめっき銅パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）相互接続部を含む、請求項１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  9. 前記弾性波フィルタデバイス（１４）は、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタおよびバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタのうちの一方を含む、請求項１に記載のフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）。
  10. 埋め込みフィルタデバイスパッケージ（１０、１２）を製造する方法であって、
    一方の表面上に接着層（２４）を有する初期誘電体層（１８）を提供するステップであって、前記接着層（２４）は、接着材料（２４）を含まないキャビティ（３２）を内部に有する、ステップと、
    弾性波フィルタデバイス（１４）を前記初期誘電体層（１８）に固定するために、前記弾性波フィルタデバイス（１４）を前記接着層（２４）上に配置するステップであって、前記弾性波フィルタデバイス（１４）のアクティブ領域（３４）が前記接着層（２４）内の前記キャビティ（３２）に隣接して位置合わせされるように、前記弾性波フィルタデバイス（１４）が前記接着層（２４）上に配置される、ステップと、
    前記弾性波フィルタデバイス（１４）の入出力（Ｉ／Ｏ）パッド（３０）と位置合わせされた位置に、前記初期誘電体層（１８）および前記接着層（２４）を貫通する複数のビア（２６）を形成するステップと、
    前記弾性波フィルタデバイス（１４）に電気的相互接続を形成するために、前記複数のビア（２６）内に、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）まで金属相互接続部（２８）を形成するステップと、を含む方法。
  11. 前記弾性波フィルタデバイス（１４）を埋め込むために、前記弾性波フィルタデバイス（１４）を誘電体封止材料でオーバーモールドするステップ、または
    前記初期誘電体層（１８）および前記接着剤（２４）の上に、複数の追加誘電体層（２２）を積層して配置するステップであって、前記複数の追加誘電体層（２２）は、前記弾性波フィルタデバイス（１４）を埋め込むように積層されるステップ
    のうちの一方をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記複数の追加誘電体層（２２）を付着させる際に、前記方法は、アンテナ、遅延線、スイッチングマトリクス、およびシールド層（３６）のうちの少なくとも１つを形成するために、前記複数の追加誘電体層（２２）のうちの１つまたは複数に金属材料を選択的に付着させてパターニングするステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記１つまたは複数の弾性波フィルタデバイス（１４）を前記初期誘電体層（１８）に固定するために、１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）を前記接着層（２４）上に配置するステップをさらに含み、前記１つまたは複数の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々のアクティブ領域（３４）が、接着材料を含まない前記接着層（２４）内に形成された追加のキャビティ（３２）に隣接して位置合わせされるように、前記１つまたは複数の弾性波フィルタデバイス（１４）が前記接着層（２４）上に配置される、請求項１０に記載の方法。
  14. 前記初期誘電体層（１８）および前記接着層（２４）を貫通して前記１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々のＩ／Ｏパッド（３０）に複数のビア（２６）を形成するステップと、
    前記複数のビア（２６）内に形成され、前記１つまたは複数の追加の弾性波フィルタデバイス（１４）の各々の前記Ｉ／Ｏパッド（３０）に機械的かつ電気的に結合されて、電気的相互接続を形成する金属相互接続部（２８）を形成するステップと、をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記初期誘電体層（１８）の一方の表面上に前記接着層（２４）を設ける際の方法であって、前記方法は、
    前記初期誘電体層（１８）の上に前記接着層（２４）を接着材料（２４）の連続層として付着させ、その後、前記キャビティ（３２）を形成するために、前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接して位置合わせされる領域の前記接着層（２４）から接着材料（２４）を除去するステップ、または
    前記キャビティ（３２）を形成するために、前記接着層（２４）を前記初期誘電体層（１８）上にパターン化した形態で選択的に付着させるステップであって、前記接着層（２４）内の前記キャビティ（３２）が、前記接着層（２４）に付着される前記弾性波フィルタデバイス（１４）の前記アクティブ領域（３４）に隣接して位置合わせされるステップ
    のうちの一方をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
JP2017156311A 2016-08-25 2017-08-14 埋め込みｒｆフィルタパッケージ構造およびその製造方法 Active JP6867914B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/246,671 US10333493B2 (en) 2016-08-25 2016-08-25 Embedded RF filter package structure and method of manufacturing thereof
US15/246,671 2016-08-25

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018074566A true JP2018074566A (ja) 2018-05-10
JP2018074566A5 JP2018074566A5 (ja) 2020-09-24
JP6867914B2 JP6867914B2 (ja) 2021-05-12

Family

ID=59699480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017156311A Active JP6867914B2 (ja) 2016-08-25 2017-08-14 埋め込みｒｆフィルタパッケージ構造およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10333493B2 (ja)
EP (1) EP3288184B1 (ja)
JP (1) JP6867914B2 (ja)
KR (1) KR102436686B1 (ja)
CN (1) CN107786183B (ja)
TW (1) TWI720239B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022500952A (ja) * 2019-05-16 2022-01-04 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司Ningbo Semiconductor International Corporation(Shanghai Branch) エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法
JP2022002296A (ja) * 2020-06-19 2022-01-06 ズハイ アクセス セミコンダクター シーオー., エルティーディーZhuhai Access Semiconductor Co., Ltd 空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造の製造方法
JP2022507089A (ja) * 2018-12-26 2022-01-18 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 制御回路と表面弾性波フィルタの集積方法及び集積構造
JP2022507090A (ja) * 2018-12-26 2022-01-18 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 制御回路とバルク弾性波フィルタの集積方法及び集積構造
WO2022220289A1 (ja) * 2021-04-15 2022-10-20 積水化学工業株式会社 インクジェット用及びエアキャビティ形成用硬化性組成物、電子部品、及び電子部品の製造方法
WO2024080335A1 (ja) * 2022-10-13 2024-04-18 積水化学工業株式会社 電子部品の製造方法、及び電子部品

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10483248B2 (en) * 2017-03-23 2019-11-19 Skyworks Solutions, Inc. Wafer level chip scale filter packaging using semiconductor wafers with through wafer vias
US11502067B2 (en) * 2018-07-26 2022-11-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure and method for manufacturing the same
CN108711570B (zh) * 2018-08-10 2024-03-29 浙江熔城半导体有限公司 集成芯片封装结构的多芯片封装结构及其制作方法
CN109390127B (zh) * 2018-11-12 2024-01-30 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 可支撑式封装器件和封装组件
CN109217841B (zh) * 2018-11-27 2024-03-01 杭州左蓝微电子技术有限公司 一种基于声表面波和空腔型薄膜体声波组合谐振器
CN111371429B (zh) * 2018-12-26 2022-07-12 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构
CN109802031B (zh) * 2018-12-29 2022-07-08 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种声表面波器件的封装方法及结构
JP2022525465A (ja) * 2019-04-05 2022-05-16 レゾナント インコーポレイテッド 横方向に励起されたフィルムバルク音響共振器パッケージ及び方法
CN111952199A (zh) * 2019-05-16 2020-11-17 中芯集成电路（宁波）有限公司 空气隙型半导体器件封装结构及其制作方法
KR20200138529A (ko) 2019-05-30 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11323097B2 (en) 2019-07-24 2022-05-03 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave filters on shared die
US11646760B2 (en) 2019-09-23 2023-05-09 Ticona Llc RF filter for use at 5G frequencies
CN111130489A (zh) * 2019-12-04 2020-05-08 天津大学 芯片封装模块及封装方法及具有该模块的电子装置
WO2021114140A1 (zh) * 2019-12-11 2021-06-17 广东省半导体产业技术研究院 滤波芯片封装方法及封装结构
US20220069797A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 Qualcomm Incorporated Substrate comprising acoustic resonators configured as at least one acoustic filter
CN113938109B (zh) * 2021-12-16 2022-04-01 深圳新声半导体有限公司 一种声表面滤波器封装结构
CN114823651B (zh) * 2022-04-06 2023-04-07 杭州道铭微电子有限公司 一种带有滤波器的射频系统模块封装结构及方法
US20230337353A1 (en) * 2022-04-14 2023-10-19 Hamilton Sundstrand Corporation Devices and methods to improve thermal conduction from smt and chip on board components to chassis heat sinking

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031651A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Sony Corp 素子実装基板及びその製造方法
WO2006106831A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
WO2006134928A1 (ja) * 2005-06-16 2006-12-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電デバイス及びその製造方法
JP2007005948A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Alps Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2012049758A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ及びデュープレクサ
JP2014155132A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Murata Mfg Co Ltd 回路基板およびその製造方法
JP2014160494A (ja) * 2012-02-01 2014-09-04 Murata Mfg Co Ltd 通信端末装置
WO2015015863A1 (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 株式会社村田製作所 アンテナ一体型無線モジュールおよびこのモジュールの製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0794616B1 (en) 1996-03-08 2003-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. An electronic part and a method of production thereof
US6969945B2 (en) * 2001-02-06 2005-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, method for manufacturing, and electronic circuit device
US6773962B2 (en) 2001-03-15 2004-08-10 General Electric Company Microelectromechanical system device packaging method
US7307331B2 (en) 2004-03-31 2007-12-11 Intel Corporation Integrated radio front-end module with embedded circuit elements
US7307369B2 (en) * 2004-08-26 2007-12-11 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment
US20080217708A1 (en) 2007-03-09 2008-09-11 Skyworks Solutions, Inc. Integrated passive cap in a system-in-package
US8900931B2 (en) 2007-12-26 2014-12-02 Skyworks Solutions, Inc. In-situ cavity integrated circuit package
US7952187B2 (en) 2008-03-31 2011-05-31 General Electric Company System and method of forming a wafer scale package
US8358000B2 (en) 2009-03-13 2013-01-22 General Electric Company Double side cooled power module with power overlay
US8114712B1 (en) 2010-12-22 2012-02-14 General Electric Company Method for fabricating a semiconductor device package
JP2012248916A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Taiyo Yuden Co Ltd 弾性波デバイスの製造方法
US8653635B2 (en) 2011-08-16 2014-02-18 General Electric Company Power overlay structure with leadframe connections
US8872328B2 (en) 2012-12-19 2014-10-28 General Electric Company Integrated power module package
WO2014192614A1 (ja) 2013-05-27 2014-12-04 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
WO2015098792A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 株式会社村田製作所 弾性波フィルタデバイス
CN105811917A (zh) * 2016-04-01 2016-07-27 江苏长电科技股份有限公司 金属圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031651A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Sony Corp 素子実装基板及びその製造方法
WO2006106831A1 (ja) * 2005-04-01 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
WO2006134928A1 (ja) * 2005-06-16 2006-12-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電デバイス及びその製造方法
JP2007005948A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Alps Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2012049758A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ及びデュープレクサ
JP2014160494A (ja) * 2012-02-01 2014-09-04 Murata Mfg Co Ltd 通信端末装置
JP2014155132A (ja) * 2013-02-13 2014-08-25 Murata Mfg Co Ltd 回路基板およびその製造方法
WO2015015863A1 (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 株式会社村田製作所 アンテナ一体型無線モジュールおよびこのモジュールの製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022507089A (ja) * 2018-12-26 2022-01-18 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 制御回路と表面弾性波フィルタの集積方法及び集積構造
JP2022507090A (ja) * 2018-12-26 2022-01-18 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 制御回路とバルク弾性波フィルタの集積方法及び集積構造
JP2022500952A (ja) * 2019-05-16 2022-01-04 中芯集成電路(寧波)有限公司上海分公司Ningbo Semiconductor International Corporation(Shanghai Branch) エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法
JP7297329B2 (ja) 2019-05-16 2023-06-26 中芯集成電路（寧波）有限公司上海分公司 エアギャップ型半導体デバイスのパッケージング構造及びその製作方法
US11695387B2 (en) 2019-05-16 2023-07-04 Ningbo Semiconductor International Corporation (Shanghai Branch) Air gap type semiconductor device package structure and fabrication method thereof
US11979136B2 (en) 2019-05-16 2024-05-07 Ningbo Semiconductor International Corporation Air gap type semiconductor device package structure
JP2022002296A (ja) * 2020-06-19 2022-01-06 ズハイ アクセス セミコンダクター シーオー., エルティーディーZhuhai Access Semiconductor Co., Ltd 空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造の製造方法
JP7393378B2 (ja) 2020-06-19 2023-12-06 ズハイ アクセス セミコンダクター シーオー．，エルティーディー 空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造の製造方法
WO2022220289A1 (ja) * 2021-04-15 2022-10-20 積水化学工業株式会社 インクジェット用及びエアキャビティ形成用硬化性組成物、電子部品、及び電子部品の製造方法
WO2024080335A1 (ja) * 2022-10-13 2024-04-18 積水化学工業株式会社 電子部品の製造方法、及び電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
JP6867914B2 (ja) 2021-05-12
US20180062618A1 (en) 2018-03-01
TW201824746A (zh) 2018-07-01
KR20180023828A (ko) 2018-03-07
TWI720239B (zh) 2021-03-01
EP3288184A1 (en) 2018-02-28
CN107786183B (zh) 2021-07-06
EP3288184B1 (en) 2021-04-07
KR102436686B1 (ko) 2022-08-25
US10333493B2 (en) 2019-06-25
CN107786183A (zh) 2018-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6867914B2 (ja) 埋め込みｒｆフィルタパッケージ構造およびその製造方法
JP3982876B2 (ja) 弾性表面波装置
CN106533384B (zh) 声波装置及其制造方法
JP6311724B2 (ja) 電子部品モジュール
JP4712632B2 (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
US7289008B2 (en) High-frequency module and communication apparatus
US9197192B2 (en) Electronic component including a surface acoustic wave element and a pillar member
CN108878380B (zh) 扇出型电子器件封装件
JP6106404B2 (ja) 電子部品モジュール
US20160301386A1 (en) Elastic wave filter device
KR20060095092A (ko) 고주파 모듈 부품 및 그 제조 방법
JP2007258776A (ja) 高周波モジュール
JP2005073265A (ja) 埋め込みｐｃｂ基板を用いたデュプレクサおよびその製造方法
JP2004095633A (ja) 表面実装型電子部品モジュールおよびその製造方法
KR102611168B1 (ko) 음향파 디바이스 및 그 제조방법
KR20060116894A (ko) 표면 탄성파 디바이스 패키지 및 그 제조 방법
JP4858985B2 (ja) 弾性表面波フィルタパッケージ
JP2013115664A (ja) 弾性波デバイス及び多層基板
JP2004153412A (ja) 弾性表面波装置及びその製造方法
CN114698259B (zh) 射频前端模组板级系统封装结构及其封装方法
KR102295454B1 (ko) 전자 부품 및 그것을 구비하는 모듈
GB2476692A (en) A compact duplexer comprising a pair of stacked flip-chip bonded acoustic wave filters
JP2013539253A (ja) モジュール及びその製造方法
JP5716875B2 (ja) 電子部品及び電子モジュール
WO2008078898A1 (en) High frequency module and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200811

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200811

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200811

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200814

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210317

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210409

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6867914

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250