JP7393378B2 - 空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造を製造する方法に関する。
フィルタリングは信号処理における基本的かつ重要な技術であり、フィルタリングはフィルタリング技術を利用して各種信号から必要な信号を供給するとともに、不要な干渉信号をフィルタリングする。フィルターは信号周波数領域分析における重要なデバイスであり、フィルター処理後に必要な信号はさらに強化（増幅）され、不要な信号はフィルター除去され、必要な信号の増幅と不要な信号のフィルター除去に用いられる原理は、信号の媒体での共振（共振）を利用して実現されることである。
弾性表面波フィルターを例にすると、圧電材料の基体に送信側と受信側の２つのトランスデューサがあり、入力信号が送信側のトランスデューサに印加され、基体の圧電効果によって電気信号が基体表面を伝播する音響信号である弾性表面波に変換され、受信側のトランスデューサに音波が伝達された後、音響信号が電気信号に変換されて負荷に出力され、電気－音響－電気変換と音響伝達の過程で、１つの広帯域信号をＮ個の狭帯域信号に変換する、またはその逆の過程のフィルター動作が実現される。
従来の技術で、空気キャビティを形成する方法は、現在、主に例えば図１～図４に示すように、ウエハレベル操作とパネルレベル操作の２種がある。
１、ウエハレベル－１について、図１に示すように、電極２１－誘電体層２３－電極２２構造の下方のシリコンまたはシリカ層１１、１２をエッチングの方法でくりぬいて空気キャビティ３を形成する。このような空気キャビティ構造のくりぬき難さは非常に高いことに加え、電極２１－誘電体層２３－電極２２構造の厚さが薄く（数十ナノメートルから数百ナノメートルオーダー）、工程の強度が高くなく、エッチング中に槽内のエッチング液の重力やエアナイフの圧力によって構造が破壊され、歩留まりが低く、空気キャビティの深さを調節するには難しさが大きい可能性が高い。
２、ウエハレベル－２について、図２に示すように、ウエハ基板３０とキャップ３１にはそれぞれフィルターの２つの電極が形成され、キャップとウエハ基板は高温金属結合の方式によって内部に空気を有する空気キャビティ３２構造が形成されている。このような結合の方式はコストが極めて高く、まだパネルレベル生産に適用できない。
３、ウエハレベル－３について、図３に示すように、シリコンやシリカ、ガラスなどのウエハキャリア５１に、ある深さの溝６１、６２を深さ制御にエッチングした後、犠牲層５２で溝を埋めてから、電極５６－絶縁層５３－電極５７を順次形成し、絶縁層５４で覆った後、犠牲層５２をエッチングの方法で除去する。この方法は空気キャビティの上方の工程の難しさが大きいという問題と深さ制御という問題を解決したが、犠牲層をエッチングする過程で上方が遮られるため、エッチング液やエッチングガスが排出されにくく残留するとともに、出入液口や気孔の存在は、空気キャビティの気密性にリスクを招いてしまう。
４、パネルレベルについて、図４に示すように、ＳＭＴ（表面実装）プロセスでは、チップ７３を半田ボール７４を介して基板７２に実装した後、高粘度、低流動性のモールド材７１でチップ７３をパッケージし、モールド材７１がチップ７３の下方領域に流れ込むことを阻止し、空気キャビティ７５を形成する。このような方法はプロセスの難しさが大きく、しかも空気キャビティは後工程を経る必要があり、ガス漏れが発生しやすく、しかも空気キャビティの深さを調節し難く、歩留まりが低い。
そのため、従来の技術では、パッケージ構造に空気キャビティを形成する方法は、作業装置の要求精度が高く、安定性が厳しく、設計に規制が多く、単位時間当たりの生産率が低く、コストが高く、歩留まりが低いなどの問題があった。
本発明の実施形態はこれらの問題を解決した。
本発明の実施形態はこれらの問題を解決した。
本発明は空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造の製造方法に関するものであり、
（ａ）第１の絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれたチップと、第１の基板のチップの端子面の上の、チップの端子面を露出した開口を有する配線層と、を含む第１の基板を製造するステップと、
（ｂ）第２の絶縁層を含む第２の基板を製造するステップと、
（ｃ）チップの端子面を露出した開口が被覆されないように前記配線層上に部分的に第１の接着層を施し、第２の基板に第２の接着層を施すステップと、
（ｄ）前記第１の基板の第１の接着層と前記第２の基板の第２の接着層とを貼着して硬化させ、チップの端子面に空気共振キャビティが形成された埋め込みパッケージ構造を取得するステップと、を含む。
（ａ）第１の絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれたチップと、第１の基板のチップの端子面の上の、チップの端子面を露出した開口を有する配線層と、を含む第１の基板を製造するステップと、
（ｂ）第２の絶縁層を含む第２の基板を製造するステップと、
（ｃ）チップの端子面を露出した開口が被覆されないように前記配線層上に部分的に第１の接着層を施し、第２の基板に第２の接着層を施すステップと、
（ｄ）前記第１の基板の第１の接着層と前記第２の基板の第２の接着層とを貼着して硬化させ、チップの端子面に空気共振キャビティが形成された埋め込みパッケージ構造を取得するステップと、を含む。
ある実施形態において、ステップ（ａ）は、
（ａ１）フレームを貫通する第１の銅柱およびフレームによって囲まれたチップソケットを有する、ポリマーマトリックスからなるフレームを用意するステップと、
（ａ２）前記フレームの底面にテープを貼着するとともにチップを前記チップソケット内に入れ、チップの端子面がテープに付着されるステップと、
（ａ３）第１の絶縁材料でチップソケットを充填し、チップが埋め込まれた第１の絶縁層を形成するステップと、
（ａ４）前記テープを除去するステップと、
（ａ５）前記フレームの底面に、チップの端子面を露出した開口が形成された配線層を形成するステップと、をさらに含む。
（ａ１）フレームを貫通する第１の銅柱およびフレームによって囲まれたチップソケットを有する、ポリマーマトリックスからなるフレームを用意するステップと、
（ａ２）前記フレームの底面にテープを貼着するとともにチップを前記チップソケット内に入れ、チップの端子面がテープに付着されるステップと、
（ａ３）第１の絶縁材料でチップソケットを充填し、チップが埋め込まれた第１の絶縁層を形成するステップと、
（ａ４）前記テープを除去するステップと、
（ａ５）前記フレームの底面に、チップの端子面を露出した開口が形成された配線層を形成するステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、ステップ（ａ５）は、
（ａ５１）前記フレームの底面に第１のシード層を施すステップと、
（ａ５２）前記第１のシード層に第１のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、
（ａ５３）パターンに銅を電気めっきして配線層を形成するステップと、
（ａ５４）前記第１のフォトレジスト層を除去するステップと、
（ａ５５）露出したシード層を除去して、チップの端子面を露出した開口を形成するステップと、をさらに含む。
（ａ５１）前記フレームの底面に第１のシード層を施すステップと、
（ａ５２）前記第１のシード層に第１のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、
（ａ５３）パターンに銅を電気めっきして配線層を形成するステップと、
（ａ５４）前記第１のフォトレジスト層を除去するステップと、
（ａ５５）露出したシード層を除去して、チップの端子面を露出した開口を形成するステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、ステップ（ａ５）は、
（ａ５０）前記第１の銅柱の端部を露出させるように前記第１の絶縁層を薄くするステップをさらに含む。
（ａ５０）前記第１の銅柱の端部を露出させるように前記第１の絶縁層を薄くするステップをさらに含む。
ある実施形態において、ステップ（ａ）は、犠牲キャリアを用意するステップと、前記犠牲キャリアに第２のフォトレジスト層を配設するステップと、前記第２のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、パターンに銅を電気めっきして第１の銅柱を形成するステップと、第２のフォトレジスト層を剥がすステップと、ポリマーマトリックスで前記第１の銅柱をラミネートするステップと、前記第１の銅柱の端部を露出させるように、前記ポリマーマトリックスを薄くし平坦化するステップと、前記犠牲キャリアを除去するステップと、前記ポリマーマトリックスでチップソケットを機械加工して前記フレームを形成するステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、ステップ（ｂ）は、
（ｂ１）犠牲キャリアに第２の絶縁材料を施し第２の絶縁層を形成するステップと、
（ｂ２）前記第２の絶縁層に第２の特徴層を形成するステップと、
（ｂ３）前記犠牲キャリアを除去し、第２の基板を取得するステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、前記犠牲キャリアは銅箔または少なくとも一方の面に２層銅箔を有する銅張積層板から選択される。
（ｂ１）犠牲キャリアに第２の絶縁材料を施し第２の絶縁層を形成するステップと、
（ｂ２）前記第２の絶縁層に第２の特徴層を形成するステップと、
（ｂ３）前記犠牲キャリアを除去し、第２の基板を取得するステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、前記犠牲キャリアは銅箔または少なくとも一方の面に２層銅箔を有する銅張積層板から選択される。
ある実施形態において、ステップ（ｂ）は、片面に２層銅箔を有する銅張積層板の銅箔面に第２の絶縁材料を施し第２の絶縁層を形成するステップと、前記第２の絶縁層に第１の特徴層を形成するステップと、前記２層銅箔を分離して前記銅張積層板を除去することによって、前記第２の絶縁層の底面に１層の銅箔を保留させるステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、ステップ（ｃ）は、選択性のあるインクジェット、スクリーンコーティングおよび部分的なタッピングペーストの少なくとも１つの方式により第１の接着層を部分的に施すステップをさらに含む。
ある実施形態において、ステップ（ｃ）は、選択性のあるインクジェット、スクリーンコーティングおよび部分的なタッピングペーストの少なくとも１つの方式により第１の接着層を部分的に施すステップをさらに含む。
ある実施形態において、第１の接着層と第２の接着層は熱硬化型樹脂材料を含む。
ある実施形態において、第１の接着層と第２の接着層は同一または異なる材料を含む。
ある実施形態において、
（ｅ）前記第１の絶縁層と第２の絶縁層の外側に外特徴層を形成するステップをさらに含む。
（ｅ）前記第１の絶縁層と第２の絶縁層の外側に外特徴層を形成するステップをさらに含む。
ある実施形態において、前記ステップ（ｅ）は、前記第１の絶縁層に第２のシード層を施すステップと、前記第２のシード層に第２のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、パターンに銅を電気めっきし、第１の外特徴層を形成するステップと、第２のフォトレジスト層を除去し第２のシード層をエッチング除去するステップと、をさらに含む。
ある実施形態において、前記ステップ（ｅ）は、前記配線層を露出させるように、前記第２の絶縁層の底面に非貫通穴を形成するステップと、前記第２の絶縁層の底面および前記非貫通穴内に第２のシード層を施すステップと、前記第２のシード層に第３のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、パターンと非貫通穴に銅を電気めっきし、第２の外特徴層と第２の銅柱を形成するステップと、第３のフォトレジスト層を除去し第２のシード層をエッチング除去するステップと、をさらに含む。
本発明をよく理解し、本発明の実施の形態を示すために、以下、単に例を挙げて図面を参照する。
具体的に図面を参照して、強調しなければならないのは、特定の図面が単なる例示であり、本発明の好ましい実施の形態を模式的に検討する目的であり、かつ、本発明の原理と概念を説明するには、最も役に立つとともに、最も理解しやすい図面と思われるという理由で図面を提供するものである。これについては、本発明の構造の詳細を、本発明の基本的な理解に必要な詳細レベルを超えて図示しようとはしなかった。図面の簡単な説明を参照して、当業者が本発明のいくつかの形態をどのように実際に実施するかを意識する。図面において、
従来の技術における第１の種類に基づいた空気キャビティを有する構造の断面模式図である。
従来の技術における第２の種類に基づいた空気キャビティを有する構造の断面模式図である。
従来の技術における第３の種類に基づいた空気キャビティを有する構造の断面模式図である。
従来の技術における第４の種類に基づいた空気キャビティを有する構造の断面模式図である。
５（ａ）～５（ｑ）：本発明に係る方法により取得した中間構造の断面模式図を示す。
同上
同上
同上
同上
以下の説明では、誘電体マトリックス中の金属スルーホールからなる支持構造に関するものであり、特にポリマーマトリックス中の銅スルーホール柱に関するものであり、前記ポリマーマトリックスは、例えばガラス繊維強化のポリイミド、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミド/トリアジン樹脂）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥまたはＰＰＯ）またはそれらのブレンド物である。
図５（ａ）～５（ｑ）は本発明に係る方法により取得した中間構造の断面模式図を示す。空気共振キャビティを有する埋め込みパッケージ構造の製造方法は以下のステップを含む。ステップ（ａ）：図５（ａ）に示すように、第１の銅柱１０１１およびチップソケット１０１２を有するフレーム１０１を製造する。該ステップは以下のサブステップを含んでもよく、即ち、
通常銅キャリアである犠牲キャリアを用意するステップと、
犠牲キャリアにフォトレジスト層を配設するステップと、
前記フォトレジスト層をパターニング化するステップと、
パターンに銅を電気めっきして第１の銅柱１０１１を形成するステップと、
フォトレジストを剥がすステップと、
ポリマーマトリックスで第１の銅柱１０１１をラミネートするステップと、
第１の銅柱１０１１の端部を露出させるように、ポリマーマトリックスを薄くし平坦化するステップと、
溶解、研削とプラズマエッチングの少なくとも１種を採用することによって犠牲キャリアを除去できるステップと、
フレーム１０１を形成するように、ポリマー誘電体にチップソケット１０１２を機械加工し、機械加工の方法がプレスとＣＮＣの少なくとも１種でもよいステップと、を含んでもよい。
通常銅キャリアである犠牲キャリアを用意するステップと、
犠牲キャリアにフォトレジスト層を配設するステップと、
前記フォトレジスト層をパターニング化するステップと、
パターンに銅を電気めっきして第１の銅柱１０１１を形成するステップと、
フォトレジストを剥がすステップと、
ポリマーマトリックスで第１の銅柱１０１１をラミネートするステップと、
第１の銅柱１０１１の端部を露出させるように、ポリマーマトリックスを薄くし平坦化するステップと、
溶解、研削とプラズマエッチングの少なくとも１種を採用することによって犠牲キャリアを除去できるステップと、
フレーム１０１を形成するように、ポリマー誘電体にチップソケット１０１２を機械加工し、機械加工の方法がプレスとＣＮＣの少なくとも１種でもよいステップと、を含んでもよい。
次に、ステップ（ｂ）：図５（ｂ）に示すように、フレーム１０１の底面にテープ１０２を貼着する。通常、テープは、市販の熱分解可能または紫外線照射下で分解可能な透明膜である。
その後、ステップ（ｃ）：図５（ｃ）に示すように、チップ１０３をチップソケット１０１２内に設けるとともに、チップの端子面１０３１をテープ１０２に貼着する。通常、チップの端子面１０３１を下向きにチップソケット１０１２内に設け、テープ１０２を透過して結像することによってアライメントすることができ、チップの端子面１０３１がテープ１０２に貼着されることで、後工程でチップ１０３が位置ずれることを防止するためにチップ１０３を固定できる。
次に、ステップ（ｄ）：図５（ｄ）に示すように、第１の絶縁材料でチップソケット１０１２を充填し、チップ１０３が埋め込まれた第１の絶縁層１０４を形成する。
第１の絶縁材料は、熱硬化型または光硬化型の樹脂材料でもよく、それぞれ加熱または光照射により硬化することができる。
第１の絶縁材料は、熱硬化型または光硬化型の樹脂材料でもよく、それぞれ加熱または光照射により硬化することができる。
その後、ステップ（ｅ）：図５（ｅ）に示すように、テープ１０２を除去する。通常、フレーム１０１の底部を露出させるようにテープ１０２を除去するには、熱分解と紫外線照射の少なくとも１種の方法でテープ１０２を除去できる。
次に、ステップ（ｆ）：図５（ｆ）に示すように、フレーム１０１の底面に第１のシード層１０５を施す。通常、第１のシード層１０５はスパッタリングの方式で形成することができ、第１のシード層１０５はチタン、ニッケル、バナジゥム、銅、アルミニウム、タングステン、クロム、銀および金から選ばれる少なくとも１種でもよい。
その後、ステップ（ｇ）：図５（ｇ）に示すように、前記第１のシード層１０５に第１のフォトレジスト層１０６を施すとともにパターニング化する。通常、製品ラインの設計に応じて第１のフォトレジスト層１０６をパターニング化することができる。
次に、ステップ（ｈ）：図５（ｈ）に示すように、パターンに銅を電気めっきして配線層１０７を形成する。配線層１０７にチップの端子面１０３１を露出した開口が形成されており、後工程でこの開口で空気共振キャビティを形成しやすくする。また、空気共振キャビティの高さの要求に応じて配線層１０７の厚さを設定できることによって、空気キャビティの高さを調節可能にする。
その後、ステップ（ｉ）：図５（ｉ）に示すように、第１のフォトレジスト層１０６を除去する。通常、剥がしとエッチングの少なくとも１種を採用できる。
次に、ステップ（ｊ）：図５（ｊ）に示すように、第１のシード層１０５を除去する。通常、第１のシード層１０５を除去する方式は、溶解、研削とプラズマエッチングの少なくとも１種を採用できる。
その後、ステップ（ｋ）：図５（ｋ）に示すように、第１の銅柱１０１１の端部を露出させるように第１の絶縁層１０４を薄くすることによって第１の基板１００を取得する。通常、薄くする方式は研磨とプラズマエッチングの少なくとも１種を採用できる。
次に、ステップ（ｌ）：図５（ｌ）に示すように、第２の基板２００を製造する。通常、該ステップは、以下のサブステップを含んでもよく、
犠牲キャリアに第２の絶縁材料を施し第２の絶縁層２０１を形成するステップと、
第２の絶縁層２０１に第２の特徴層２０２を形成するステップと、を含んでもよい。
第２の絶縁層２０１に第２の特徴層２０２を形成するステップと、を含んでもよい。
第２の絶縁層２０１の第２の特徴層２０２に対向する他方の面に例えば、銅箔２０３を犠牲キャリアにする方式で銅箔２０３を有してもよい。少なくとも一方の面に２層銅箔を有する銅張積層板を犠牲キャリアとして、２層銅箔が分層することによって第２の基板２００で銅箔２０３を保留することを採用してもよい。銅箔２０３を保留することで第２の基板２００を後工程で平らに保つことができる。
その後、ステップ（ｍ）：図５（ｍ）に示すように、第１の基板１００の配線層１０７および第２の基板２００の第２の特徴層２０２にそれぞれ接着層３００を塗布する。通常、接着層３００は熱硬化型樹脂材料でもよく、例えば、Ｓｕｍｉｔｏｍｏ ＬＡＺ－７７６１があり、常温での粘度は１Ｐａ.ｓ~１００Ｐａ.ｓとなることができる。第１の基板１００と第２の基板２００上の接着層３００は同一または異なる材料を含んでもよい。
第１の基板１００の配線層１０７に接着層３００を塗布することは、通常、開口が閉塞されないように部分的な塗布を採用し、チップの端子面１０３１に接着層３００を塗布しない。部分的な塗布は、選択性のあるインクジェット、スクリーンコーティングおよび部分的なタッピングペーストの少なくとも１種を採用できる。
次に、ステップ（ｎ）：図５（ｎ）に示すように、第１の基板１００と第２の基板２００との接着層３００を互いにアライメントさせ接着するとともに硬化させる。通常、第１の基板１００上のターゲットと第２の基板２００上のターゲットに基づいてパネルレベルの位置合わせを行い、圧力と温度の協働で接着層３００を硬化させることにより、チップの端子面１０３１の下方に空気キャビティ１０８を形成することができる。
接着層３００の室温での粘度特性により、ほとんどの空気が空気キャビティ１０８内に保留されて真空にならないと同時に、保留された空気は、接着層３００により空気キャビティ１０８を充填することを避けることができる。空気キャビティ１０８の深さは、配線層１０７、第２の特徴層２０２および接着層３００の厚さを調整することにより調整できる。空気キャビティ１０８の深さは通常１０～５０μｍであり、チップ１０３のフィルタ設計パラメータ、例えばインターディジタルの幅、インターディジタル対数などに応じて、対応する空気キャビティ１０８の深さを合わせて形成することによって、異なる共振周波数の目的に達する。
その後、ステップ（ｏ）：図５（ｏ）に示すように、銅箔２０３を除去する。通常、銅箔２０３を除去するには、溶解、研削とプラズマエッチングの少なくとも１種を採用できる。
次に、ステップ（ｐ）：図５（ｐ）に示すように、第２の基板２００を貫通して配線層１０７と導通する第２の銅柱２０４を作製する。機械またはレーザで穴を開けてから、電気めっきして第２の銅柱２０４を形成できる。
最後に、ステップ（ｑ）：図５（ｑ）に示すように、第１の基板１００の上面および第２の基板２００の下面に外特徴層１０９を形成する。
該ステップは、第１の基板１００の上面および第２の基板２００の下面にシード層を施すことと、シード層にフォトレジスト層を施すステップと、露光現像してパターンを形成し、パターンに銅を電気めっきして外特徴層１０９を形成するステップと、フォトレジスト層を除去し露出したシード層をエッチングするステップと、を含んでもよい。
また、さらに続けて、外特徴層１０９に増層工程をして追加層を形成してもよい。
本発明に係る方法は、半パッケージ体を閉塞して空気キャビティを形成することで、空気キャビティを形成した後、高温高圧の後工程を繰り返し経る必要がなくなり、空気キャビティが漏れないようにして、空気キャビティを有するパッケージ基板の歩留まりが著しく向上した。また、本発明に係る方法は、配線層、接着層及び第２の特徴層の厚さによって空気キャビティの深さを容易に調節することができ、従来の技術に存在していた空気キャビティの深さ調節が難しいという技術問題を解決した。
当業者は、本発明が上記の具体的な図示と説明の内容に限らないことを意識する。そして、本発明の範囲は別紙の特許請求の範囲によって限定され、上記の各技術的特徴の組み合わせとサブ組み合わせ、およびその変化と改善を含めて、当業者は上記の説明を読んだ後、このような組み合わせ、変化と改善を予見し得る。
特許請求の範囲において、「含む」という用語および「包含」、「含有」のようなその変体とは、列挙される部材が含まれているが、他の部材を一般的に除外しないことを指す。
100：第１の基板
101：フレーム
1011：第１の銅柱
1012：チップソケット
102：テープ
103：チップ
1031：チップの端子面
1031：チップの端子面
104：第１の絶縁層
105：第１のシード層
106：第１のフォトレジスト層
107：配線層
108：空気キャビティ
109：外特徴層
200：第２の基板
201：第２の絶縁層２０１
202：第２の特徴層
203：銅箔
204：第２の銅柱
300：接着層
101：フレーム
1011：第１の銅柱
1012：チップソケット
102：テープ
103：チップ
1031：チップの端子面
1031：チップの端子面
104：第１の絶縁層
105：第１のシード層
106：第１のフォトレジスト層
107：配線層
108：空気キャビティ
109：外特徴層
200：第２の基板
201：第２の絶縁層２０１
202：第２の特徴層
203：銅箔
204：第２の銅柱
300：接着層
Claims (11)
- 空気共振キャビティ体を有する埋め込みパッケージ構造の製造方法であって、
（ａ）第１の絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれたチップと、第１の基板のチップの端子面の上の、チップの端子面を露出した開口を有する配線層と、を含む第１の基板を製造するステップと、
（ｂ）第２の絶縁層を含む第２の基板を製造するステップであって、
ステップ（ｂ）は、
（ｂ１）片面に２層銅箔を有する銅張積層板の銅箔面に第２の絶縁材料を施し第２の絶縁層を形成するステップと、
（ｂ２）前記第２の絶縁層に第２の特徴層を形成するステップと、
（ｂ３）前記２層銅箔を分離して前記銅張積層板を除去することによって、前記第２の絶縁層の底面に１層の銅箔を保留させるステップであり、第２の基板を取得するステップと、を含み、
（ｃ）チップの端子面を露出した開口が被覆されないように前記配線層上に部分的に第１の接着層を施し、前記第２の基板の前記第２の特徴層上に第２の接着層を施すステップであって、前記第１の接着層及び前記第２の接着層が、粘度範囲が１Ｐａ・ｓ～１００Ｐａ・ｓである熱硬化型樹脂材料である、ステップと、
（ｄ）前記第１の基板の第１の接着層と前記第２の基板の第２の接着層とを貼着して硬化させ、チップの端子面に空気共振キャビティが形成された埋め込みパッケージ構造を取得するステップであって、前記配線層、前記第１の接着層、前記第２の接着層及び前記第２の特徴層の厚みにより前記空気共振キャビティの深さが調整される、ステップと、を含む、空気共振キャビティ体を有する埋め込みパッケージ構造の製造方法。 - ステップ（ａ）は、
（ａ１）フレームを貫通する第１の銅柱およびフレームによって囲まれたチップソケットと、を有する、ポリマーマトリックスからなる前記フレームを用意するステップと、
（ａ２）前記フレームの底面にテープを貼着するとともにチップを前記チップソケット内に入れ、チップの端子面がテープに付着されるステップと、
（ａ３）第１の絶縁材料でチップソケットを充填し、チップが埋め込まれた第１の絶縁層を形成するステップと、
（ａ４）前記テープを除去するステップと、
（ａ５）前記フレームの底面に、チップの端子面を露出した開口が形成された配線層を形成するステップと、をさらに含む
請求項１に記載の方法。 - ステップ（ａ５）は、
（ａ５１）前記フレームの底面に第１のシード層を施すステップと、
（ａ５２）前記第１のシード層に第１のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、
（ａ５３）パターンに銅を電気めっきして配線層を形成するステップと、
（ａ５４）前記第１のフォトレジスト層を除去するステップと、
（ａ５５）露出したシード層を除去して、チップの端子面を露出した開口を形成するステップと、をさらに含む
請求項２に記載の方法。 - ステップ（ａ５）は、
（ａ５０）前記第１の銅柱の端部を露出させるように前記第１の絶縁層を薄くするステップをさらに含む
請求項３に記載の方法。 - ステップ（ａ１）は、
犠牲キャリアを用意するステップと、
前記犠牲キャリアに第２のフォトレジスト層を配設するステップと、
前記第２のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
パターンに銅を電気めっきして第１の銅柱を形成するステップと、
第２のフォトレジスト層を剥がすステップと、
ポリマーマトリックスで前記第１の銅柱をラミネートするステップと、
前記第１の銅柱の端部を露出させるように、前記ポリマーマトリックスを薄くし平坦化するステップと、
前記犠牲キャリアを除去するステップと、
前記ポリマーマトリックスでチップソケットを機械加工して前記フレームを形成するステップと、をさらに含む
請求項２に記載の方法。 - ステップ（ｃ）は、
選択性のあるインクジェット、スクリーンコーティングおよび部分的なタッピングペーストの少なくとも１つの方式により第１の接着層を部分的に施すステップをさらに含む
請求項１に記載の方法。 - 前記第１の接着層と第２の接着層は熱硬化型樹脂材料を含む
請求項１に記載の方法。 - 前記第１の接着層と第２の接着層は同一または異なる材料を含む
請求項７に記載の方法。 - （ｅ）前記第１の絶縁層と第２の絶縁層の外側に外特徴層を形成するステップをさらに含む
請求項１に記載の方法。 - 前記ステップ（ｅ）は、
前記第１の絶縁層に第２のシード層を施すステップと、
前記第２のシード層に第２のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、
パターンに銅を電気めっきし、第１の外特徴層を形成するステップと、
第２のフォトレジスト層を除去し第２のシード層をエッチング除去するステップと、をさらに含む
請求項９に記載の方法。 - 前記ステップ（ｅ）は、
前記配線層を露出させるように、前記第２の絶縁層の底面に非貫通穴を形成するステップと、
前記第２の絶縁層の底面および前記非貫通穴内に第２のシード層を施すステップと、
前記第２のシード層に第３のフォトレジスト層を施すとともにパターニング化するステップと、
パターンと非貫通穴に銅を電気めっきし、第２の外特徴層と第２の銅柱を形成するステップと、
第３のフォトレジスト層を除去し第２のシード層をエッチング除去するステップと、をさらに含む
請求項９に記載の方法。
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