CN106533384B - 声波装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种声波装置及其制造方法，所述声波装置包括：基板，具有一个表面，在所述一个表面上包括声波产生器和至少一个接地垫；支撑组件，由绝缘材料形成，沿着声波产生器的外周设置在基板上；屏蔽构件，电连接到接地垫并且在声波产生器处阻挡电磁波的接收或发射。

Description

声波装置及其制造方法
本申请要求分别于2015年9月14日和2016年3月16日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0129835号和第10-2016-0031352号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种声波装置及其制造方法。
背景技术
带通滤波器是通信装置的仅使各种频率中的特定频带中的信号通过以发送或接收选择的信号的核心组件。
带通滤波器的典型示例包括表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器等。
通常，在声波装置中，通过在硅晶圆(半导体基板)上沉积压电介电材料并且使用压电介电材料的压电特性来产生共振的薄膜型装置被实现为滤波器。
声波装置已经用在移动通信装置、化学和生物设备中包括的小和轻量的滤波器、振荡器、谐振元件、声共振质量传感器等中。
发明内容
提供该发明内容以简化形式来介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述该构思。本发明内容无意限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征，也无意用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
根据本公开的一方面，一种声波装置可包括：基板，具有一个表面，在所述表面上包括声波产生器和至少一个接地垫；支撑组件，由绝缘材料形成，沿着声波产生器的外周设置在基板上；屏蔽构件，电连接到接地垫并且在声波产生器处阻挡电磁波的接收或发射。
根据本公开的另一方面，一种制造声波装置的方法可包括：制备具有一个表面的基板，在所述一个表面上包括声波产生器和至少一个接地垫；形成包围基板上的声波产生器的屏蔽构件。
附图说明
通过下面结合附图对实施例进行的描述，这些和/或其它方面将会变得清楚且更加易于理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的声波装置的平面图；
图2是沿图1的I-I'线截取的剖视图；
图3是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图；
图4是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图；
图5是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图；
图6是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的平面图；
图7是沿图6的II-II'线截取的剖视图；
图8是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图；
图9和图10分别是示出根据本公开的其它示例性实施例的声波装置封装件的示意性截面图；
图11至图13分别是示出根据本公开的其它示例性实施例的声波装置的示意性截面图；
图14是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性截面图；
图15至图17是示出制造图2中示出的声波装置的方法的示图；
图18A和图18B是示出制造图14中示出的声波装置的方法的示图；
图19是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的透视图；
图20是图19中示出的声波装置的分解透视图；
在整个附图和具体实施方式中，除非另外地描述或提供，否则相同的附图标号将被理解为指示相同的元件、特征和结构。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的系统、设备和/或方法的各种改变、变型以及等同物对于本领域的普通技术人员来说将是明显的。所描述的处理步骤和/或操作的进程是示例；然而，除了必须以特定顺序进行的步骤和/或操作之外，步骤和/或操作的顺序不限于在此阐述的顺序，并且可如本领域所公知的那样进行改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域的普通技术人员公知的功能和结构的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此所描述的示例。更确切地说，提供在此描述的示例，以使本公开将是彻底的和完整的，并将本公开的全部范围传达给本领域的普通技术人员。
在下文中，现在将参照附图来详细描述示例，其中，同样的标号始终指的是同样的元件。
可对示例做出各种改变和修改。这里，示例不应被解释为限于本公开，而是应被理解为包括在本公开的概念和技术范围之内的全部改变、等同物和替代物。
在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或晶圆(基板)的元件被称作“在”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件时，所述元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的其它元件。相比之下，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的元件或层。同样的标号始终表示同样的元件。如在此用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的列举的项中的任何以及全部组合。
将明显的是，虽然可在此使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，以下论述的第一构件、组件、区域、层或部分在不脱离示例性实施例的教导的情况下可被称作第二构件、组件、区域、层或部分。
为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(例如，“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，除了附图中示出的方位之外，与空间相关的术语意于包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”另一元件或特征“之上”或“上方”的元件可被定向为“在”另一元件或特征“之下”或“下方”。因此，基于附图的特定方向，术语“在……之上”可包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的空间关系描述符进行相应地解释。
在此使用的术语仅为了描述各种实施例，并且不意在限制任何或全部实施例。除非上下文另外明确地指明，否则如在此使用的单数形式也意于包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，指示存在上述的特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组合。
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施例的声波装置的平面图，图2是沿图1的I-I'线截取的剖视图。
参照图1和图2，根据示例性实施例的声波装置10a包括基板100、支撑组件200、保护构件300和密封组件400。在该示例中，声波装置10a可包括使在允许的频带内的波通过的滤波元件，诸如表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器、双工器等。
在使用SAW滤波器来实现声波装置10a的示例中，压电基板可被用作基板100。在使用BAW滤波器来实现声波装置10a的示例中，Si基板可被用作基板100。
例如，基板100可由诸如LiTaO3、LiNbO3、Li2B4O7、SiO2、硅等的单晶形成。此外，可使用锆钛酸铅(PZT)基多晶基板或ZnO薄膜。
然而，声波装置10a中使用的基板100不限于此，而是可被本领域中通常使用的各种基板所替代。
如图2所示，声波产生器110设置在基板100的一个表面上。
当声波装置10a被设置为体声波(BAW)滤波器时，声波产生器110可作为独立的结构而形成。例如，声波产生器110可包括将电信号转换成机械信号或将机械信号转换成电信号的压电薄膜谐振器。
在这种情况下，在声波产生器110中，第一电极116、压电层114和第二电极112可从声波产生器110的下部开始顺序地堆叠，以形成谐振组件，如图2所示。
同时，在声波装置10a被用作表面声波(SAW)滤波器的示例中，声波产生器110可由金属电极形成，如图14所示。声波产生器110可由铝或铜形成，并且可包括其中多个电极按照梳子图案的形状彼此交替地交叉的叉指换能器(IDT)电极。
在这种情况下，可通过在基板100上形成金属层并且使用光刻法按照预定的电极形式对所述金属层进行处理来设置声波产生器110。
支撑组件200可设置在基板100的一个表面上。支撑组件200可形成为覆盖连接到声波产生器110的电极118。然而，支撑组件200不限于此，而是可被设置为使得电极118暴露。
支撑组件200可连续地形成，以包围声波产生器110的外周。
支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，支撑组件200的材料不限于此，在支撑组件200与声波产生器110完全分开或者支撑组件200与声波产生器110彼此绝缘的示例中，支撑组件200可由金属材料形成。
此外，支撑组件200可从基板100的一个表面突出突起高度。在该示例中，支撑组件200的突起高度可比声波产生器110的厚度大。因此，间隙可形成在放置在支撑组件200上的保护构件300与声波产生器110之间。
同时，根据本示例性实施例的支撑组件200的结构不限于上述结构，即使在间隙可形成在保护构件300与声波产生器110之间的条件下，也可对支撑组件200的结构进行不同地改变。
保护构件300可设置在支撑组件200上。由于声波产生器110在谐振的同时会变形。因此，支撑组件200被构造为使得声波产生器110和保护构件300彼此分开，以使声波产生器110在谐振的同时不与保护构件300接触或者与保护构件300分开。
因此，在一个示例中，空间部分d形成在声波产生器110、支撑组件200和保护构件300之间。空间部分d被用作在驱动声波装置10a时声波产生器110的变形空间。
保护构件300可完全覆盖声波产生器110的上部。
可提供保护构件300以抑制将在下面描述的密封组件400通过外力朝向空间部分d变形并且接触声波产生器110。根据示例性实施例，保护构件300可具有平板形状，并且可由导电金属板(例如，铜板)形成，以提供刚度。然而，保护构件300的材料不限于此，而是保护构件300可由其它材料形成，只要所述材料可提供与将在下面描述的示例性实施例中的金属的刚度相同的刚度即可。
保护构件300可放置在支撑组件200上，同时完全地或部分地接触支撑组件200的上表面。在保护构件300部分地接触支撑组件200的上表面的示例中，可在保护构件300的端部以及保护构件300的外部与支撑组件200之间形成台阶部。
在形成了台阶部的示例中，支撑组件200与将在下面描述的密封组件400的接触面积增大。因此，台阶部可有利地密封空间部分d以与外部空气隔离。
密封组件400可密封保护构件300和支撑组件200的外部。
密封组件400可密封保护构件300和支撑组件200的外部，以至少防止湿气或异物渗透到保护构件300与支撑组件200之间的空间部分d中。
密封组件400可设置在保护构件300、支撑组件200和基板100的外表面上。然而，密封组件400不限于此。根据需要，密封组件400可部分地形成。例如，密封组件400可仅形成在保护构件300和支撑组件200的外表面上。
密封组件400可由包括从由氮化硅(SixNy)、二氧化硅(SiO2)、硅氮氧化物(SiOxNy)和碳化硅(SiC)组成的组中选择的至少一种成分的薄膜形成。
然而，密封组件400的材料不限于此。密封组件400还可由诸如Au、Ni、Pt、Cu、Al等金属材料形成。
密封组件400可通过气相沉积方法形成。例如，密封组件400可通过物理气相沉积(PVD)方法或化学气相沉积(CVD)方法形成。
更详细地讲，密封组件400可使用溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法、激光分子束外延(L-MBE)法、脉冲激光沉积(PLD)法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、氢化物气相外延(HVPE)法和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法中的任何一种方法形成。然而，形成密封组件400的方法不限于此。
连接端子500可设置在基板100的另一表面上并且通过导电过孔600电连接到声波产生器110。
连接端子500可将声波装置10a安装在其上的主板(或封装件板)电连接到或物理连接到声波装置10a。连接端子500可形成为焊料球、焊料凸点或其它形状，但不限于此。
连接端子500可通过电极垫120结合到基板100。
多个电极垫120可设置在基板100的一个表面上或基板100的另一表面上，电极垫120中的每个可包括至少一个接地垫120a。
连接端子500可结合到电极垫120中的每个。此外，将在下面描述的连接导体220可连接到接地垫120a并且电连接到基板100的地端。此外，在连接端子中，电连接到接地垫120a的连接端子500可用作接地端子。
电极垫120可通过穿透基板100的导电过孔600电连接到声波产生器110。
导电过孔600可在连接端子500与声波产生器110之间形成电连接并且穿过基板100。
可通过使用导电材料填充形成为穿透基板100的孔或者在所述孔的内表面上涂敷导电材料来形成导电过孔600。形成导电过孔600的导电材料可以是Cu、Ag、Au、Ni、Pt、Pd或它们的合金。
此外，根据本示例性实施例的声波装置10a可包括形成在支撑组件200中的至少一个连接导体220。
连接导体220可具有导电性并且可穿透支撑组件200，以将保护构件300和基板100的接地垫120a彼此电连接。因此，在根据本示例性实施例的声波装置10a中，保护构件300和连接导体220可用作屏蔽构件。
同时，根据本公开的声波装置不限于上面描述的示例性实施例，而是可不同地修改。
图3是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图。
参照图3，在根据本示例性实施例的声波装置10b中，密封组件400可由导电材料形成，而不是由绝缘材料形成。因此，密封组件400和保护构件300可用作阻挡电磁波的屏蔽构件。
此外，在根据本示例性实施例的声波装置10b中，连接导体220可穿透保护构件300和支撑组件200，以连接到密封组件400。
为此，根据示例性实施例，在形成密封组件400之前，可形成穿过保护构件300和支撑组件200的孔。此外，在将形成密封组件400的导电材料涂敷到保护构件300等的表面上时，也可将所述导电材料填充在所述孔中，以同时形成密封组件400和连接导体220。
在根据如上所述的本示例性实施例的声波装置10b中，由于整个密封组件400和保护构件300可用作屏蔽构件，因此可通过更宽的区域来阻挡电磁波。此外，存在可容易地制造声波装置10b的优点。
图4是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图。
参照图4，在根据本示例性实施例的声波装置10c中，保护构件300可由绝缘材料形成，而不是由金属材料形成。例如，保护构件300可由晶圆、聚合物或树脂材料形成。
此外，密封组件400可由与上面描述的示例性实施例相似的导电材料形成。
根据本示例性实施例，由于保护构件300由绝缘材料形成，因此，保护构件300不阻挡电磁波。然而，导电的密封组件400可阻挡电磁波。换句话说，根据本示例性实施例的保护构件300可仅用于强化刚度，并且仅密封组件400和连接导体220可用作屏蔽构件。
此外，在根据本示例性实施例的声波装置10c中，至少一个接地垫120a可设置在支撑组件200的外部。此外，密封组件400可直接连接到接地垫120a。
密封组件400与接地垫120a之间的直接连接可通过将接地垫120a暴露到外部并且在基板100的外表面上形成密封组件400来实现。
因此，即使在根据本示例性实施例的声波装置10c中省略连接电极220，作为屏蔽构件的密封组件400也可直接连接到基板100的接地垫120a。
图5是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图。
参照图5，在根据本示例性实施例的声波装置10d中，连接端子500可设置在基板100的其上设置有声波产生器110的一个表面上。
连接端子500可设置在支撑组件200的外部，并且通过形成在基板100的表面上或在基板100中的布线图案119或119a电连接到声波产生器110或接地垫120a。
连接端子500可通过电极垫120结合到基板100。可提供连接端子500，以将封装件板2(在图10中)和声波装置10d彼此电连接。
此外，根据需要，在没有布线图案119a或连接导体220的情况下，支撑组件200的外部的接地垫120b可直接连接到导电的密封组件400。
此外，从基板100的一个表面到连接端子500的末端的垂直距离可比从基板100的所述一个表面到密封组件400的垂直长度长，使得当声波装置10d安装在如图10所示的封装件板2上时，密封组件400与封装件板2分开。
图6是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的平面图，图7是沿图6的II-II'线截取的剖视图。
参照图6和图7，在根据本示例性实施例的声波装置10e中，连接端子500可设置在支撑组件200上，保护构件300可由导电材料形成。
在连接端子500直接形成在导电的保护构件300上的示例中，在保护构件300与连接端子500之间会出现短路。因此，根据本示例性实施例的保护构件300在与连接端子500的位置或方位对应的位置处可包括多个穿透组件301。由绝缘材料形成的支撑组件200可设置在穿透组件301中。
此外，连接端子500可设置在由绝缘材料形成的支撑组件200的表面上，而不是由导电材料形成的保护构件300上。
此外，连接导体220可分别设置在位于穿透组件301中的支撑组件200中。连接导体220可将连接端子500和声波产生器110彼此电连接，或者将连接端子500和基板100的接地垫120a彼此电连接。因此，连接端子500中的至少一个可用作接地端子。
此外，导电膜302可围绕保护构件300而形成。此外，由绝缘材料形成的密封组件400可形成在导电膜302、保护构件300和基板100的表面上。
导电膜302可接触保护构件300的侧表面或外周部，并且形成在支撑构件200和基板100的表面上，从而连接到基板100的接地垫120b。
因此，保护构件300可通过导电膜302电连接到接地垫120b。然而，根据需要，声波装置10e的构造可被不同地修改。例如，可省略导电膜302，保护构件300可直接电连接到接地端子。
同时，垫式结合组件550可介于通过穿透组件301暴露的支撑组件200与连接端子500之间，以使连接端子500可稳固地结合在支撑组件200上。
图8是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的截面图。
参照图8，在根据本示例性实施例的声波装置10f中，连接端子500可设置在支撑组件200上，保护构件300可由绝缘材料形成。
由于保护构件300由绝缘材料形成，因此包括电极垫式结合组件450和屏蔽膜460的第一密封组件450和460可设置在根据本示例性实施例的声波装置10f的保护构件300上。
连接端子500可结合到结合组件450。因此，结合组件450可执行与上面描述的电极垫的功能相似的功能，但是结合组件450可设置在保护构件300上，而不是基板100上。此外，下阻挡金属(UBM)层560可介于结合组件450与连接端子500之间，使得连接端子500稳固地结合到结合组件450。
屏蔽膜460可设置在保护构件300的表面的其上未形成有结合组件450的部分上。屏蔽膜460还可设置在支撑组件200或基板100的表面上，以阻挡电磁波。此外，屏蔽膜460可在覆盖形成在基板100的表面上的基板100的接地垫120b的同时电连接到接地垫120b。
独立的空间s可形成在结合组件450与屏蔽膜460之间。独立的空间s可防止结合组件450和屏蔽膜460彼此电连接，并且可形成为沿着结合组件450的圆周呈环形的槽。
结合组件450和屏蔽膜460可由一种导电膜形成。例如，在形成覆盖保护构件300、支撑组件200和基板100的整个表面的导电膜之后，结合组件450和屏蔽膜460可通过部分地去除导电膜而彼此电分离，以形成独立的空间s。
同时，虽然独立的空间s在本示例性实施例中形成为空的空间，但可对独立的空间s进行不同地修改。例如，可在独立的空间s中填充单独的绝缘构件。
多个连接导体220可设置在支撑组件200和保护构件300中。连接导体220可被设置为穿透支撑组件200和保护构件300，以将连接端子和声波产生器110彼此电连接或者将连接端子500和接地垫120a彼此电连接。
此外，具有绝缘性质的第二密封组件400可形成在导电的第一密封组件450和460的表面上。第二密封组件400可在全部覆盖第一密封组件450和460的同时使第一密封组件450和460与外部绝缘。
图9和图10分别是示出根据本公开的其它示例性实施例的声波装置封装件的示意性截面图。
参照图9和图10，声波装置封装件可包括封装件板2、安装在封装件板2上的多个电子元件1以及包封组件3。
可使用任何电子组件作为电子元件1，只要所述电子组件可安装在封装件板2上即可。例如，电子元件1可以是诸如电池、产生器或运算放大器的有源元件，或者是诸如电阻器、电容器或电感器的无源元件(如图9和图10中的标号11)。
此外，根据本示例性实施例的电子元件1可包括至少一个声波装置。图9中示出了使用图2中示出的声波装置10a的示例，图10中示出了使用图5中示出的声波装置10d的示例。
可使用各种类型的板(例如，陶瓷板、印刷电路板、玻璃板、柔性板等)作为封装件板2，至少一个电子元件1可安装在封装件板2的至少一个表面上。此外，多个外部连接端子2a可设置在封装件板2的另一表面上。
包封组件3可包封安装在封装件板2上的电子元件1。此外，包封组件3可被填充在安装在封装件板2上的电子元件1之间，以防止在电子元件1之间发生短路，并且在围住电子元件1的外部的同时将电子元件1固定在封装件板2上。结果，可安全地保护电子元件1免受外部冲击。
包封组件3可通过注塑成型方法或成型方法来形成。例如，环氧树脂模塑料(EMC)可用作包封组件3的材料。然而，形成包封组件3的方法不限于此。如果有必要形成包封组件3，则可使用诸如对半固化树脂进行压制的方法等的各种方法。
参照图9，根据本示例性实施例的声波装置封装件可包括：金属板300，被设置为与封装件板2平行并且分开；声波产生器110，设置在金属板300与封装件板2之间；声波装置基板100。这里，金属板300可以是保护构件的特定示例。因此，金属板300可由与所述保护构件的标号相同的标号来表示。
金属板300可通过穿透支撑构件200的连接导体220以及穿透声波装置基板100的导电过孔600连接到封装件板2的接地垫2b。
此外，声波产生器110可设置在金属板300与声波装置基板100之间。
参照图10，根据本示例性实施例的声波装置封装件可包括：声波装置基板100和封装件板2，被设置为彼此平行；金属板300，设置在声波装置基板100与封装件板2之间并且连接到声波装置基板100的接地垫120b。
在这种情况下，金属板300可通过导电的密封组件400或连接导体220电连接接地垫120b和接地端子500。此外，声波装置10d可通过结合到接地垫120b的接地端子500电连接到封装件板2的接地垫2b。
此外，声波产生器110可设置在金属板300与声波装置基板100之间。此外，虽然未示出，但绝缘膜(未示出)可形成在金属板300的面对声波产生器110的一个表面上。
这里，绝缘膜可由氧化膜形成。然而，根据需要，绝缘膜可由包括从由氮化硅(SixNy)、二氧化硅(SiO2)、硅氮氧化物(SiOxNy)和碳化硅(SiC)组成的组中选择的至少一种成分的薄膜形成。
在根据如上所述的本示例性实施例的声波装置封装件中，声波装置本身可包括屏蔽构件。因此，由于不需要在包封组件3的外表面上全部形成屏蔽层，因此可容易地制造封装件。此外，由于可省略屏蔽层，因此封装件的整体体积可减小。
图11至图13分别是示出根据本公开的其它示例性实施例的声波装置的示意性截面图。
首先，参照图11，根据本示例性实施例的声波装置可被构造为与图2中示出的用作双工器的声波装置相似。
为此，根据本示例性实施例的声波装置还可包括至少一个天线190。
天线190可按照布线图案的形式设置在基板100上，并且电连接到声波产生器110。
根据本示例性实施例的天线190可被设置为与声波产生器110分开预定距离，并且与声波产生器110一起设置在空间部分d中。
然而，如图12所示，天线190不限于此，而是可被设置在密封组件400的外部，而不是用作屏蔽构件的密封组件400的内部。
此外，如图13所示，天线190还可置于基板100与支撑组件200之间。在该示例中，可通过在基板100上形成天线190，然后在天线190上形成支撑组件200来制造声波装置。
同时，虽然在本示例性实施例中通过示例的方式来描述图2中示出的声波装置被用作双工器的情况，但声波装置不限于此。也就是说，根据上面描述的示例性实施例的声波装置也可通过为声波装置增加天线而用作双工器。
图14是示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的示意性截面图。
参照图14，根据本示例性实施例的声波装置可用作表面声波(SAW)滤波器。因此，声波产生器110可由金属电极形成。
在声波产生器110由叉指电极形成的情况下，所述电极可由铝或铜材料形成，并且具有多个电极按照梳子图案的形状彼此交替地交叉的结构。
在这种情况下，可通过在基板100上形成金属层并且使用光刻法按照预定的电极的形式对所述金属层进行处理来形成声波产生器110。
根据本示例性实施例，保护构件300和密封组件400都可以由金属材料形成。然而，保护构件300和密封组件400的材料不限于此。然而，保护构件300可由如图8中示出的示例性实施例中的绝缘材料形成，或者密封组件400可由如图7中示出的示例性实施例中的绝缘材料形成。
密封组件400可穿过形成在支撑组件200中的通孔电连接到形成在基板100上的接地垫129。
因此，可容易地阻挡在声波产生器110处接收的电磁波或从声波产生器110中发射的电磁波。
绝缘膜300a可形成在密封组件400的表面上。绝缘膜300a可由氧化膜形成。然而，根据需要，绝缘膜300a可由包括从由氮化硅(SixNy)、二氧化硅(SiO2)、硅氮氧化物(SiOxNy)和碳化硅(SiC)组成的组中选择的至少一种成分的薄膜形成。
绝缘膜300a可防止由于由导电材料形成的密封组件400与连接端子500之间的接触而导致发生的短路。因此，在密封组件400由绝缘材料形成的示例中，可省略绝缘膜300a。
接下来，将描述制造根据本示例性实施例的声波装置的方法。
图15至图17是描述制造图2中示出的声波装置的方法的示图。
参照图15至图17，在制造根据本示例性实施例的声波装置的方法中，可分开地制造保护构件300和声波产生器110然后使其彼此结合。
首先，将描述制造保护构件300的方法。
可在基础基底310的一个表面上形成粘合层320(S1)。
可使用晶圆作为基础基底310。此外，粘合层320可由胶带形成。例如，可使用可热释放(thermally releasable)双面胶带作为根据本示例性实施例的粘合层320。
接下来，可在粘合层320上形成金属层350(S2)。
位于粘合层320的整个上表面上的金属层350可由铜(Cu)材料形成。
然后，可在金属层350上形成掩膜层330，然后可使用掩膜层330使金属层350图案化(S3)。
这里，掩膜层330可使用干膜抗蚀剂(DFR)形成，但不限于此。
当完成金属层350的图案化时，可去除掩膜层330(S4)。因此，剩余的金属层350可用作保护构件300。
接下来，可在声波装置中使用的基板100上形成声波产生器110(S5)。
可使用Si基板或压电基板作为基板100。在使用SAW滤波器来实现声波装置的示例中，可使用压电基板作为基板100，在使用BAW滤波器来实现声波装置的示例中，可使用Si基板作为基板100。
然而，声波装置中使用的基板100不限于此，可使用本领域中通常使用的各种基板来替代基板100。
在本示例性实施例中，将描述用作BAW滤波器的声波装置。因此，声波产生器110可包括压电薄膜谐振器并且作为独立的结构设置在基板100的一个表面上，在声波产生器110中，第一电极、压电层和第二电极顺序地堆叠。
然而，声波产生器110不限于此。也就是说，声波装置可用作SAW滤波器，声波产生器110可由铝或铜形成，并且可具有叉指换能器(IDT)电极结构，在所述叉指换能器电极结构中，多个电极以梳子图案的形状彼此交替地交叉。
在这种情况下，可通过在基板100上形成导体层并且使用光刻法按照预定的电极的形式对所述导体层进行处理来设置声波产生器110。
如上所述，可根据声波装置的种类来改变制造声波产生器110的结构和方法。
在形成声波产生器110之后，可在基板100的一个表面上形成电连接到声波产生器110的布线图案(未示出)和接地垫120a。
接下来，可沿着声波产生器110的外周形成支撑组件200(S6)。
支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，根据需要，支撑组件200可由金属材料形成。支撑组件200可使用光刻法形成。然而形成支撑组件200的方法不限于此。
然后，可在支撑组件200中形成连接导体220(S7)。这里，连接导体220可被设置为电连接到基板100的接地垫120a。
在S7中，可在支撑组件200中形成通孔205，使得接地垫120a暴露，可在通孔205中设置导电材料。这里，可通过镀覆方法或丝网印刷方法在通孔205中设置导电材料。
同时，虽然在本示例性实施例中通过示例的方式描述了在基板100上形成支撑组件200的方法，但根据本公开的制造方法不限于此。例如，在S4中制造的保护构件300上形成支撑组件200并且在支撑组件200中形成连接导体220之后，可将支撑组件200倒转地结合在基板100上。
然后，可将保护构件300转移至支撑组件200(S8)。此时，可将保护构件300放置在支撑组件200上，同时与声波产生器110分开预定距离。
保护构件300可被设置为完全覆盖声波产生器110的上部。
这里，保护构件300可部分地接触支撑组件200的上表面，台阶部可形成在保护构件300的端部以及保护构件300的外部与支撑组件200之间。
此外，保护构件300可电连接到连接导体220。因此，保护构件300可通过连接导体220电连接到接地垫120a。
当保护构件300被转移至支撑组件200时，可去除通过粘合层320附着到保护构件300的基础基底310(S9)。如上所述，可使用可热拆除胶带作为粘合层320。因此，通过对粘合层320加热，可使基础基底310与保护构件分开。同时，在粘合层320由UV胶带形成的情况下，通过将UV光照射到粘合层320，可使基础基底310与保护构件300分开。
接下来，可形成密封保护构件300和支撑组件200的密封组件400(S10)。
密封组件400可由导电材料或绝缘材料形成。密封组件400可通过物理气相沉积(PVD)方法、化学气相沉积(CVD)方法或镀覆方法形成。
更详细地讲，密封组件400可使用溅射法、电子束蒸发法、热蒸发法、激光分子束外延(L-MBE)法、脉冲激光沉积(PLD)法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、氢化物气相外延(HVPE)法和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法中的任何一种方法形成。
然后，顺序地，可在基板100的下表面上形成掩膜层130(S11)，可使用掩膜层130在基板100中形成通孔150(S12)，然后，通过在通孔150中涂敷或设置导电材料来形成导电过孔600(S13)。
可通过镀覆方法在通孔150中形成导电过孔600。此外，在形成导电过孔600的同时，还可在基板100的下表面上镀层122。
导电过孔600和镀层122可由铜(Cu)材料形成，但导电过孔600和镀层122的材料不限于此。
至少一个导电过孔600可通过接地垫120a电连接到保护构件300。
然后，可在基板100的下表面上形成电极垫120。
为了形成电极垫120，首先，可按照电极垫120的形式使镀层122图案化(S14)。
在S14中，在镀层122上形成掩膜(未示出)之后，可通过光刻法去除除了电极垫120将要形成在其上的区域之外的不必要的区域，掩膜可使用光敏膜形成。
然后，对去除掩膜之后，可在剩余的镀层122上形成导电电极层123，以完成电极垫120(S15)。
可通过镀覆方法形成电极层123。此外，可形成多个金属层。例如，可通过使用电镀法或化学镀方法顺序地堆叠镍(Ni)层和金(Au)层来形成电极层123。
然后，可通过在电极垫120上形成连接端子500来完成图2中示出的声波装置10。
然而，连接端子500的位置不限于基板100的下表面，并且可如上面描述的示例性实施例一样进行不同地改变。
同时，在根据本示例性实施例的制造方法中，在将连接导体220形成在支撑组件200中之后，可在支撑组件200上设置保护构件300。然而，工艺顺序不限于此。
例如，在将保护构件300设置在下面将要描述的支撑组件200上之后，在使用导电材料形成密封组件400时，还可通过在保护构件300和支撑组件200中设置导电材料来形成连接导体220。在这种情况下，可制造图3或图4中示出的声波装置。
同时，制造根据本示例性实施例的声波装置的方法不限于此，并且可进行不同地修改。
图18A和图18B是描述制造图14中示出的声波装置的方法的示图。
参照图18A和图18B，在制造根据本示例性实施例的声波装置的方法中，首先，可在基板100上形成声波产生器110(S1)。
可通过在基板100上形成导体层并且使用光刻法按照预定的电极形式对所述导体层进行处理来设置如上所述的声波产生器110。
此外，电连接到声波产生器110的布线图案(未示出)可通过围绕声波产生器110与声波产生器110一起形成。
可在声波产生器110和布线图案的表面上形成诸如SiO2膜的绝缘保护膜(未示出)。作为布线图案的一部分的布线层121可暴露到绝缘保护膜的外部。暴露的布线层121和128随后将形成为接地垫129和电极垫120。
同时，虽然在本示例性实施例中通过示例的方式描述了制造按照金属电极形式形成声波产生器110的SAW滤波器的示例，但声波产生器110不限于此。例如，声波产生器110可按照压电薄膜谐振器的形式形成，因此，声波装置可被制造为BAW滤波器。
然后，可在声波产生器110和布线层121和128上形成种子层122(S2)。种子层122可被设置为用于执行电镀，并且可通过溅射方法由铜(Cu)材料形成。然而，形成种子层122的方法不限于此。
可在声波产生器110上形成绝缘膜。因此，种子层122可仅直接结合到暴露到绝缘膜外部的布线层121和128。
接下来，在种子层122上形成掩膜层125之后，可去除掩膜层125，使得种子层122的一部分暴露(S3)。这里，可使种子层122的与布线层121和128对应的区域暴露。
然后，可通过在暴露的种子层122上形成镀层123来形成电极垫120的形状(S4)。可通过电镀方法使用种子层122来形成镀层123。然而，镀覆方法不限于此，根据需要，还可使用化学镀方法。
根据本示例性实施例的镀层123可通过在种子层122上顺序地堆叠镍(Ni)层和金(Au)层来形成。然而，镀层123不限于此。
接下来，可去除掩膜层125和种子层122(S5)。可去除种子层122的除了其与电极垫120和接地垫129对应的区域之外的区域。因此，电极垫120、接地垫129和声波产生器110可形成在基板100上。
这里，在按照SAW滤波器的结构制造根据本示例性实施例的声波装置的示例中，布线层121可由铝(Al)材料形成。在该示例中，在随后要执行的蚀刻过程中，暴露到外部的布线层121会一起被去除。因此，为了防止暴露的布线层121被去除，在根据本示例性实施例的声波装置中，可在暴露的布线层121上形成镀层123，作为屏蔽层。
然而，在按照BAW滤波器的结构制造根据本示例性实施例的声波装置的示例中，由于布线层121由在蚀刻过程中不容易被去除的钼(Mo)材料或金(Au)材料形成，因此可省略镀层123或种子层122，以及镀层123和种子层122的形成。
然后，顺序地，可在基板100的一个表面上形成支撑层201(S6)，然后，可通过部分地去除支撑层201而沿着声波产生器110的外周形成支撑组件200(S7)。
支撑组件200可由诸如树脂或聚合物的绝缘材料形成。然而，根据需要，支撑组件200可由金属材料形成。此外，支撑组件200可使用光刻方法形成。然而，支撑组件200不限于此。
可在接地垫129上形成支撑组件200的一部分。因此，接地垫129可置于支撑组件200与基板100之间。
在形成支撑组件200的同时，可在支撑组件200中形成至少一个通孔205。通孔205可形成在接地垫129上，因此接地垫129可通过通孔205部分地暴露到外部。
然后，可在支撑组件200上堆叠保护构件300(S8)。此时，保护构件300可被放置在支撑组件200上，同时与声波产生器110分开预定距离。
保护构件300可由单个金属板形成。例如，可使用铜(Cu)板作为保护构件。
此外，如图20所示，根据本示例性实施例的保护构件300可由具有宽的区域的金属板形成，以覆盖多个声波产生器110。因此，由于在接触支撑组件200的同时被支撑组件200支撑的保护构件300的面积近似于或大于空间部分d(在图2中)的面积，因此可保持平板形状。
然后，可在保护构件300上形成掩膜层303，并且可使保护构件300图案化(S9)。也可通过光刻方法来执行该操作(S9)。
此外，在S9中，可在保护构件300中形成至少一个通孔305，保护构件300的通孔305可形成为从支撑组件200的通孔205延伸。因此，形成在基板100上的接地垫129可通过通孔205和305暴露到外部。
接下来，可形成密封保护构件300和支撑组件200的密封组件400(S10)。
这里，密封组件400可由诸如Au、Ni、Pt、Cu、Al等金属材料形成。
此外，密封组件400可设置在通孔205和305中，以电连接到接地垫129。
密封组件400可通过如上所述的气相沉积方法形成。然而，形成密封组件400的方法不限于此，并且可进行不同地改变。例如，密封组件400可使用镀覆方法形成。
然后，可通过在电极垫120上形成连接端子500来完成图14中示出的声波装置。
图19是示意性地示出根据本公开的另一示例性实施例的声波装置的透视图，图20是图19中示出的声波装置的分解透视图。
参照图19和图20，在根据本示例性实施例的声波装置中，多个声波产生器110可设置在单个基板100上。
支撑组件200可形成为单层板形式，并且可包括声波产生器110设置在其中的多个孔H。
保护构件300可形成为单层板形式并且堆叠在支撑组件200上，并且可包围形成在支撑组件200中的孔H。
密封组件400可设置在保护构件300上。
如上所述，保护构件300和密封组件400中的至少一个可由导电材料形成。因此，可容易地阻挡在声波产生器110处接收或从声波产生器110中发射的电磁波。
在根据如上所述的本示例性实施例的声波装置中，可通过堆叠单层支撑组件200和单层保护构件300来同时形成声波产生器110被容纳在其中的多个空间部分(图2中的d)。
在根据上面描述的本公开的声波装置中，保护声波产生器的保护构件可用作阻挡电磁波的屏蔽构件。因此，由于不需要增加独立的屏蔽构件，因此可显著地减小声波装置的尺寸，同时，可提高对抗电磁波的阻挡效率。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，在声波装置中，保护声波产生器的保护构件或密封组件可用作阻挡电磁波的屏蔽构件。因此，由于不需要增加单独的屏蔽构件，因此可显著地减小声波装置的尺寸，同时，可提高对抗电磁波的阻挡效率。
虽然本公开包括具体示例，但是对本领域的普通技术人员将明显的是，在不脱离权利要求以及其等同物的精神和范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节方面的各种改变。在此描述的示例仅被视为描述意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述被视为适用于其它示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行所描述的技术、和/或如果按照不同的方式来组合所描述的系统、结构、装置或电路中的组件、和/或由其它组件或其等同物来替换或增补所描述的系统、结构、装置或电路中的组件，则可实现适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且权利要求及其等同物的范围内的各种改变将被理解为包括在本公开中。

Claims (16)

1.一种声波装置，包括：
基板，具有一个表面，在所述一个表面上包括声波产生器和至少一个接地垫；
支撑组件，由绝缘材料形成，沿着声波产生器的外周设置在基板上；
保护构件，结合到支撑组件，以与声波产生器分开预定距离；
密封组件，形成在保护构件、支撑组件和基板的表面上，使得所述声波产生器、所述支撑组件以及所述保护构件位于由所述密封组件和所述基板形成的空间中，
所述保护构件和所述密封组件中的至少一个由导电材料形成并电连接到接地垫，从而形成屏蔽构件，用于在声波产生器处阻挡电磁波的接收或发射。
2.如权利要求1所述的声波装置，其中：
所述保护构件由导电材料形成，
所述屏蔽构件还包括连接导体，所述连接导体在穿透支撑组件的同时将接地垫和保护构件彼此连接。
3.如权利要求2所述的声波装置，其中，接地垫形成在基板的所述一个表面上，设置在支撑组件的外部，并且通过形成在基板上的布线图案连接到连接导体。
4.如权利要求2所述的声波装置，其中，多个穿透组件形成在保护构件中，支撑组件设置在穿透组件中的每个中，连接到声波产生器的连接端子设置在位于穿透组件中的支撑组件的表面上。
5.如权利要求1所述的声波装置，其中，所述密封组件由导电材料形成，接地垫形成在基板的所述一个表面上，设置在支撑组件的外部，并且连接到密封组件。
6.如权利要求1所述的声波装置，其中：
所述保护构件由绝缘材料形成，
所述密封组件由导电材料形成，
所述屏蔽构件还包括连接导体，在穿过保护构件和支撑组件的同时将接地垫和密封组件彼此连接。
7.如权利要求6所述的声波装置，其中，密封组件包括：多个结合组件，设置在支撑组件上；屏蔽膜，设置在基板的除了设置有结合组件的部分之外的区域上，
电连接到声波产生器的连接端子设置在结合组件上。
8.如权利要求7所述的声波装置，所述声波装置还包括：
第二密封组件，由绝缘材料形成并且设置在屏蔽膜的外部上。
9.如权利要求1所述的声波装置，所述声波装置还包括：
多个连接端子，设置在基板的至少一个表面上并且电连接到声波产生器。
10.如权利要求1所述的声波装置，所述声波装置还包括：
天线，按照布线图案的形式形成在基板上，
其中，所述声波装置为双工器。
11.如权利要求10所述的声波装置，其中，天线设置于基板与支撑组件之间。
12.一种制造声波装置的方法，所述方法包括：
制备具有一个表面的基板，在所述一个表面上包括声波产生器和至少一个接地垫；
在基板上沿着声波产生器的外周形成支撑组件；
在支撑组件上形成保护构件，以与声波产生器分开预定距离；
在支撑组件、保护构件和基板上的表面上形成密封组件，使得所述声波产生器、所述支撑组件以及所述保护构件位于由所述密封组件和所述基板形成的空间中，
其中，所述保护构件和所述密封组件中的至少一个由导电材料形成，以形成包围基板上的声波产生器的屏蔽构件。
13.如权利要求12所述的方法，其中，
所述支撑组件由绝缘材料形成。
14.如权利要求13所述的方法，其中，形成支撑组件和保护构件的步骤还包括：
在支撑组件中形成将接地垫和由导电材料形成的保护构件彼此连接的至少一个连接导体。
15.如权利要求13所述的方法，其中，形成密封组件的步骤还包括：
将接地垫和由导电材料形成的密封组件彼此电连接。
16.如权利要求13所述的方法，其中，形成密封组件的步骤还包括：
形成穿透支撑组件以及由绝缘材料形成的密封组件的孔，以暴露接地垫；
使用导电材料在孔中形成连接导体。
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