KR101862514B1 - 체적 음향 공진기 - Google Patents

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Abstract

상기 기판 상에 배치되는 하부전극 연결부재와, 상기 하부전극 연결부재 상에 배치되는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 배치되는 압전체층과, 상기 압전체층 상에 배치되는 상부전극과, 상기 상부전극과 상기 기판을 전기적으로 연결하는 상부전극 연결부재 및 상기 하부전극과, 상기 압전체층 및 상기 상부전극이 매립되도록 형성되는 유전체층을 포함하며, 상기 하부전극과 상기 압전체층 및 상기 상부전극은 공진부를 구성하고, 상기 하부전극과 상기 상부전극 중 어느 하나로부터 연장 형성되며 상기 공진부의 나머지 구성으로부터 돌출되는 확장부와, 상기 확장부의 상부에 배치되는 상기 상부전극 연결부재의 일부분, 및 상기 확장부와 상기 상부전극 연결부재 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층은 캐패시터부를 구성하는 체적 음향 공진기가 개시된다.

Description

체적 음향 공진기{Bulk-acoustic wave resonator}
본 발명은 체적 음향 공진기에 관한 것이다.
최근 많은 대역(Band)가 필요해지면서 통신업체들은 체적 음향 공진기(Bulk-acoustic wave resonator) 및 MEMS 소자 제작 시 소형화는 물론이고 고성능화 및 소자 특성의 안정화를 계속적으로 요구하고 있다.
특히, 대역폭 및 대역 종류의 증가에 따라 대역(Band) 간의 대역 간 간격(Band Gap)은 점점 축소되어야 하는 상황이다.
또한, 이러한 현상은 주파수 자원의 부족으로 대역 내 및 대역 간 간격이 좁아져 간섭방지에 대한 필요성이 대두되고 있다.
이와 같은 특성 향상을 위해 삽입손실 개선, 대역 간 간섭의 최소화, 대역 내 노치 발생을 억제해야 할 필요성이 있다.
국내 등록특허공보 제10-0485702호
주파수 조정이 가능하여 공진 주파수 변경 및 매칭이 가능한 체적 음향 공진기가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 상기 기판 상에 배치되는 하부전극 연결부재와, 상기 하부전극 연결부재 상에 배치되는 하부전극과, 상기 하부전극 상에 배치되는 압전체층과, 상기 압전체층 상에 배치되는 상부전극과, 상기 상부전극과 상기 기판을 전기적으로 연결하는 상부전극 연결부재 및 상기 하부전극과, 상기 압전체층 및 상기 상부전극이 매립되도록 형성되는 유전체층을 포함하며, 상기 하부전극과 상기 압전체층 및 상기 상부전극은 공진부를 구성하고, 상기 하부전극과 상기 상부전극 중 어느 하나로부터 연장 형성되며 상기 공진부의 나머지 구성으로부터 돌출되는 확장부와, 상기 확장부의 상부에 배치되는 상기 상부전극 연결부재의 일부분, 및 상기 확장부와 상기 상부전극 연결부재 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층은 캐패시터부를 구성할 수 있다.
주파수 조정이 가능하여 공진 주파수 변경 및 매칭이 가능한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 구성도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 기판(110), 하부전극 연결부재(120), 공진부(130), 상부전극 연결부재(170) 및 유전체층(180)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(110)에는 기판 보호층(미도시)이 구비될 수 있다.
하부전극 연결부재(120)는 기판(110) 상에 형성되며, 공진부(130)와 함께 캐비티(C)를 형성된다. 한편, 하부전극 연결부재(120)는 공진부(130)의 가장자리를 지지하도록 배치될 수 있다. 일예로서, 하부전극 연결부재(120)는 공진부(130)의 형상에 대응되는, 무정형의 고리 형상을 가질 수 있다.
그리고, 하부전극 연결부재(120)가 공진부(130)의 가장자리 전체 영역을 지지하도록 형성되어 체적 음향 공진기(100)의 구조적 강성이 확보될 수 있다.
한편, 하부전극 연결부재(120)는 구리(Cu) 또는 텅스텐(W)과 같은 전도성 재질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 하부전극 연결부재(120)를 통해 공진부(130)의 가장자리 전체 영역을 지지하므로 전극 연결부의 저항은 줄고 열방출이 향상되므로 전기적 손실에 의한 삽입 손실이 줄고, 체적 음향 공진기(100) 간 소비전력 차이에 의한 온도차이가 유발시킬 수 있는 대역 내 노치 불량도 제어할 수 있다.
공진부(130)는 하부전극 연결부재(120)의 상부에 배치된다. 일예로서, 공진부(130)는 하부전극(140), 압전체층(150) 및 상부전극(160)을 구비할 수 있다.
하부전극(140)은 하부전극 연결부재(120)와 함께 캐비티(C)를 형성하고, 일부분이 하부전극 연결부재(120)의 외측을 향하여 연장되어 형성될 수 있다. 일예로서, 하부전극(140)의 일부분의 상부에는 압전체층(150)과 상부전극(160)이 형성되지 않을 수 있다.
다시 말해, 하부전극(140)에는 하부전극 연결부재(120)의 외측에 배치되는 확장부(142)를 구비할 수 있다.
한편, 하부전극(140)은 하부전극 연결부재(120)에 전기적으로 연결된다.
하부전극(140)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(140)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(140)이 입력 전극인 경우 상부전극(160)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(140)이 출력 전극인 경우 상부전극(160)은 입력 전극일 수 있다.
압전체층(150)은 하부전극(140) 상에 형성된다. 일예로서, 압전체층(150)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
또한, 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 압전체층(150)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 압전체층(150)은 전이 금속(transition metal)을 더 포함할 수도 있다. 일 예로, 전이 금속은 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상부전극(160)은 상부전극 연결부재(170)에 연결되며, 압전체층(150)의 상부에 형성된다. 일예로서, 상부전극(160)도 하부전극(140)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
상부전극 연결부재(170)는 기판(110) 상에 형성되며 일단부가 상부전극(160)에 연결된다. 일예로서, 상부전극 연결부재(170)는 기판(110) 상에 형성되는 앵커부(172)와, 앵커부(172)로부터 연장 형성되는 플레이트부(174) 및 상부전극(160)의 상면에 형성되어 상기 플레이트부(174)에 연결되는 연결부(176)를 구비한다.
한편, 연결부(176)는 상부전극(160)의 가장자리 일영역에만 연결되도록 형성될 수 있다.
일예로서, 상부전극 연결부재(170)는 하부전극 연결부재(120)와 같이 구리(Cu) 또는 텅스텐(W)과 같은 전도성 재질로 이루어질 수 있다.
유전체층(180)은 공진부(130), 즉 하부전극(140), 압전체층(150) 및 상부전극(160)이 매립되도록 형성된다. 한편, 상부전극 연결부재(170)의 플레이트부(174)와 하부전극(140)의 확장부(142)에 의해 형성되는 사이 공간에도 배치되도록 형성된다.
또한, 유전체층(180)은 상기한 상부전극 연결부재(170)의 앵커부(172)의 상단부와 연결부(176)가 내부에 매립되도록 형성될 수 있다.
한편, 상기한 하부전극(140), 유전체층(180) 및 상부전극 연결부재(170)에 의해 캐패시터부(190)가 구성될 수 있다.
캐패시터부(190)에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 하부전극(140)으로부터 연장 형성되며 공진부(130)의 나머지 구성으로부터 돌출되는 확장부(142)와, 확장부(142)의 상부에 배치되는 상부전극 연결부재(170)의 일부분, 및 상기한 확장부(142)와 상부전극 연결부재(170)의 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층(180)으로 캐패시터부(190)를 구성한다.
그리고, 상부전극 연결부재(170)의 플레이트부(174) 일부분이 상기한 캐패시터부(190)의 상부전극으로 이루어질 수 있다.
한편, 캐패시터부(190)는 하부전극 연결부재(120)의 외측에 배치되며, 기판(110)으로부터 소정 간격 이격 배치된다.
상기한 바와 같이, 캐패시터부(190)가 구비되므로 체적 음향 공진기(100) 별로 주파수 조정이 가능할 수 있다.
그리고, 하부전극 연결부재(120)를 통해 공진부(130)의 가장자리 전체 영역을 지지하므로 전극 연결부의 저항은 줄고 열방출이 향상되므로 전기적 손실에 의한 삽입 손실이 줄고, 체적 음향 공진기(100) 간 소비전력 차이에 의한 온도차이가 유발시킬 수 있는 대역 내 노치 불량도 제어할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 체적 음향 공진기(200)는 일예로서, 기판(110), 하부전극 연결부재(120), 공진부(230), 상부전극 연결부재(270) 및 유전체층(180)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110), 하부전극 연결부재(120) 및 유전체층(180)은 상기에서 설명한 구성요소와 동일하므로 상기한 설명에 갈음하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
공진부(230)는 하부전극 연결부재(120)의 상부에 배치된다. 일예로서, 공진부(230)는 하부전극(240), 압전체층(250) 및 상부전극(260)을 구비할 수 있다.
하부전극(240)은 하부전극 연결부재(120)와 함께 캐비티(C)를 형성하고, 일부분이 하부전극 연결부재(220)의 외측을 향하여 연장되어 형성될 수 있다. 일예로서, 하부전극(240)의 일부분의 상부에는 압전체층(250)과 상부전극(260)이 형성되지 않을 수 있다.
다시 말해, 하부전극(240)에는 하부전극 연결부재(120)의 외측에 배치되는 제1,2 확장부(242,244)를 구비할 수 있다.
한편, 하부전극(240)은 하부전극 연결부재(120)에 전기적으로 연결된다.
하부전극(240)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(240)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(240)이 입력 전극인 경우 상부전극(260)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(240)이 출력 전극인 경우 상부전극(260)은 입력 전극일 수 있다.
압전체층(250)은 하부전극(240) 상에 형성된다. 일예로서, 압전체층(250)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
또한, 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 압전체층(250)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 압전체층(250)은 전이 금속(transition metal)을 더 포함할 수도 있다. 일 예로, 전이 금속은 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상부전극(260)은 상부전극 연결부재(270)에 연결되며, 압전체층(250)의 상부에 형성된다. 일예로서, 상부전극(260)도 하부전극(240)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
상부전극 연결부재(270)는 기판(110) 상에 형성되며 일단부가 상부전극(260)에 연결된다. 일예로서, 상부전극 연결부재(270)는 기판(110) 상에 형성되는 앵커부(272)와, 앵커부(272)로부터 연장 형성되는 플레이트부(274) 및 상부전극(260)의 상면에 형성되어 상기 플레이트부(274)에 연결되는 연결부(276)를 구비한다.
한편, 연결부(276)는 상부전극(260)의 가장자리 일영역에만 연결되도록 형성될 수 있다.
일예로서, 상부전극 연결부재(270)는 하부전극 연결부재(120)와 같이 구리(Cu) 또는 텅스텐(W)과 같은 전도성 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 상기한 하부전극(240), 유전체층(180) 및 상부전극 연결부재(270)에 의해 제1,2 캐패시터부(290, 292)가 구성될 수 있다.
제1,2 캐패시터부(290, 292)에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 하부전극(240)으로부터 연장 형성되며 공진부(230)의 나머지 구성으로부터 돌출되는 제1 확장부(242)와, 제1 확장부(242)의 상부에 배치되는 상부전극 연결부재(270)의 일부분, 및 상기한 제1 확장부(242)와 상부전극 연결부재(270)의 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층(180)으로 제1 캐패시터부(290)를 구성한다.
또한, 하부전극(240)으로부터 연장 형성되며 공진부(230)의 나머지 구성으로부터 돌출되는 제2 확장부(244)와, 제2 확장부(244)의 상부에 배치되는 상부전극 연결부재(270)의 일부분, 및 상기한 제2 확장부(244)와 상부전극 연결부재(270)의 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층(180)으로 제2 캐패시터부(292)를 구성한다.
그리고, 상부전극 연결부재(270)의 플레이트부(274) 일부분이 상기한 제1,2 캐패시터부(290, 292)의 상부전극으로 이루어질 수 있다.
한편, 제1,2 캐패시터부(290, 292)는 하부전극 연결부재(120)의 외측에 배치되며, 기판(110)으로부터 소정 간격 이격 배치된다.
상기한 바와 같이, 제1,2 캐패시터부(290, 292)가 구비되므로 체적 음향 공진기(200) 별로 주파수 조정이 가능할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 체적 음향 공진기의 제1 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 체적 음향 공진기의 제조방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(310) 상에 희생층(320)을 형성한다. 희생층(320)에는 후술할 하부전극 연결부재(330)와 상부전극 연결부재(340)의 하단부를 형성하기 위한 복수개의 홈부(322)가 형성될 수 있다.
한편, 희생층(320)은 산화실리콘(SiO2) 또는 폴리 실리콘(Poly-Silicon)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 희생층(320)은 일예로서 스핀-온-글라스(Spin-on-glass) 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 유기 용제로 녹인 실리콘을 회전 도포(spin coart)하고, 열처리하여 산화실리콘(SiO2) 절연막을 형성하는 공정으로 희생층(320)이 형성될 수 있다.
이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기한 복수개의 홈부(322)에 하부전극 연결부재(330) 및 상부전극 연결부재(340)의 하단부를 형성한다. 하부전극 연결부재(330) 및 상부전극 연결부재(340)는 구리(Cu) 또는 텅스텐(W)과 같은 전도성 재질로 이루어질 수 있다.
이후, 필요에 따라 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정을 통해 평탄화 작업이 수행될 수 있다. 일예로서, 금속 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 평탄화 작업이 수행될 수 수 있다.
이후, 도 5에 도시된 바와 같이, 하부전극(350), 압전체층(360) 및 상부전극(370)을 순차적으로 적층하여 형성한다. 한편, 하부전극(350)에는 확장부(352)가 형성되며, 확장부(352)는 압전체층(360) 및 상부전극(370)으로부터 돌출 배치되도록 형성된다.
이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 하부전극(350), 압전체층(360) 및 상부전극(370)이 매립되도록 희생층(320)의 상부에 유전체층(380)을 형성한다.
이후, 도 7에 도시된 바와 같이, 유전체층(380)에 상부전극 연결부재(340)의 형성을 위한 형성홀(382)을 형성한다.
이후, 도 8에 도시된 바와 같이, 유전체층(380)의 형성홀(382)에 상부전극 연결부재(340)의 일부분을 형성한다. 일예로서, 상부전극(370)에 연결되는 상부전극 연결부재(340)의 연결부(346) 및 상부전극 연결부재(340)의 앵커부(342)의 상단부를 형성한다.
이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 유전체층(380)의 상면에 상부전극 연결부재(340)의 플레이트부(342)를 형성하여 상기한 연결부(346) 및 앵커부(342)를 연결한다.
이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 유전체층(380)의 일부분을 패터닝에 의해 제거한다.
이후, 도 11에 도시된 바와 같이, 기판(310) 상에 형성된 희생층(320)을 할라이드계 가스를 이용하여 제거한다.
상기한 바와 같이, 상기한 하부전극(350), 유전체층(380) 및 상부전극 연결부재(340)에 의해 캐패시터부(390)가 구성될 수 있다.
캐패시터부(390)에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 하부전극(350)으로부터 연장 형성되며 공진부의 나머지 구성으로부터 돌출되는 확장부(352)와, 확장부(352)의 상부에 배치되는 상부전극 연결부재(340)의 일부분, 및 상기한 확장부(352)와 상부전극 연결부재(340)의 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층(380)으로 캐패시터부(390)를 구성한다.
그리고, 상부전극 연결부재(340)의 플레이트부(344) 일부분이 상기한 캐패시터부(390)의 상부전극으로 이루어질 수 있다.
한편, 캐패시터부(390)는 하부전극 연결부재(330)의 외측에 배치되며, 기판(110)으로부터 소정 간격 이격 배치된다.
상기한 바와 같이, 캐패시터부(390)가 구비되므로 체적 음향 공진기(300) 별로 주파수 조정이 가능할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200 : 체적 음향 공진기
110 : 기판
120 : 하부전극 연결부재
130, 230 : 공진부
140, 240 : 하부전극
150, 250 : 압전체층
160, 260 : 상부전극
170, 270 : 상부전극 연결부재
180 : 유전체층

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 하부전극 연결부재;
    상기 하부전극 연결부재 상에 배치되는 하부전극;
    상기 하부전극 상에 배치되는 압전체층;
    상기 압전체층 상에 배치되는 상부전극;
    상기 상부전극과 상기 기판을 전기적으로 연결하는 상부전극 연결부재; 및
    상기 하부전극과, 상기 압전체층 및 상기 상부전극이 매립되도록 형성되는 유전체층;
    을 포함하며,
    상기 하부전극과 상기 압전체층 및 상기 상부전극은 공진부를 구성하고,
    상기 하부전극과 상기 상부전극 중 어느 하나로부터 연장 형성되며 상기 공진부의 나머지 구성으로부터 돌출되는 확장부와, 상기 확장부의 상부에 배치되는 상기 상부전극 연결부재의 일부분, 및 상기 확장부와 상기 상부전극 연결부재 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층은 캐패시터부를 구성하는 체적 음향 공진기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캐패시터부는 상기 하부전극 연결부재의 외측에 배치되는 체적 음향 공진기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공진부의 하부에 캐비티가 형성되며,
    상기 캐패시터는 상기 기판으로부터 이격 배치되는 체적 음향 공진기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 확장부는 상기 하부전극으로부터 연장 형성되는 체적 음향 공진기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 상부전극 연결부재는 상기 기판 상에 형성되는 앵커부와, 상기 앵커부로부터 상기 기판의 상면과 평행하도록 연장 형성되는 플레이트부 및 상기 상부전극의 상면에 형성되어 상기 플레이트부에 연결되는 연결부를 구비하는 체적 음향 공진기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플레이트부의 일부분이 상기 캐패시터부의 상부전극으로 구성되는 체적 음향 공진기.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 앵커부의 상단부와 상기 연결부가 내부에 매립되도록 형성되는 체적 음향 공진기.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극 연결부재는 상기 공진부를 지지하는 동시에 상기 하부전극과 상기 기판을 전기적으로 연결하는 체적 음향 공진기.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 하부전극 연결부재는 상기 공진부의 가장자리를 지지하도록 고리 형상을 가지는 체적 음향 공진기.
  10. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 하부전극 연결부재;
    상기 하부전극 연결부재 상에 배치되는 하부전극;
    상기 하부전극 상에 배치되는 압전체층;
    상기 압전체층 상에 배치되는 상부전극;
    상기 상부전극과 상기 기판을 전기적으로 연결하는 상부전극 연결부재; 및
    상기 하부전극과, 상기 압전체층 및 상기 상부전극이 매립되도록 형성되는 유전체층;
    을 포함하며,
    상기 하부전극과 상기 압전체층 및 상기 상부전극은 공진부를 구성하고,
    상기 하부전극과 상기 상부전극 중 어느 하나로부터 연장 형성되며 상기 공진부의 나머지 구성으로부터 돌출되는 제1 확장부와, 상기 제1 확장부의 상부에 배치되는 상기 상부전극 연결부재의 일부분, 및 상기 제1 확장부와 상기 상부전극 연결부재 일부분과의 사이에 배치되는 유전체층은 제1 캐패시터부를 구성하고,
    상기 제1 확장부로부터 이격 배치되도록 상기 하부전극과 상기 상부전극 중 어느 하나로부터 연장 형성되며 상기 공진부의 나머지 구성으로부터 돌출되는 제2 확장부와, 상기 제2 확장부의 상부에 배치되는 제2 캐패시터용 상부전극 및 상기 제2 확장부와 상기 제2 캐패시터용 상부전극 사이에 배치되는 유전체층은 제2 캐패시터부를 구성하는 체적 음향 공진기.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1,2 캐패시터부는 상기 하부전극 연결부재의 외측에 배치되는 체적 음향 공진기.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 공진부의 하부에는 캐비티가 형성되며, 제1,2 캐패시터부는 상기 기판으로부터 이격 배치되는 체적 음향 공진기.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1,2 확장부는 상기 하부전극으로부터 연장 형성되는 체적 음향 공진기.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 상부전극 연결부재는 상기 기판 상에 형성되는 앵커부와, 상기 앵커부로부터 상기 기판의 상면과 평행하도록 연장 형성되는 플레이트부 및 상기 플레이트부로부터 상기 상부전극을 향하여 연장되어 상기 상부전극에 연결되는 연결부를 구비하는 체적 음향 공진기.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 플레이트부의 일부분이 상기 제1,2 캐패시터부의 상부전극으로 구성되는 체적 음향 공진기.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 하부전극 연결부재는 상기 공진부를 지지하는 동시에 상기 하부전극과 상기 기판을 전기적으로 연결하는 체적 음향 공진기.
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