CN108964631B - 体声波谐振器 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板、下电极连接构件、下电极、压电层、上电极、上电极连接构件和介电层，其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极嵌入在所述介电层中。所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部。延伸部从所述下电极或所述上电极延伸以从所述谐振部向外突出。所述延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成电容器部，其中，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述延伸部之上的所述部分之间。

Description

体声波谐振器
本申请要求于2017年5月18日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0061416号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本申请涉及一种体声波谐振器。
背景技术
随着对带宽的需求增加，通信公司在制造体声波谐振器和微机电系统(MEMS)装置时已经不断地要求高性能和装置稳定性以及小型化。
详细地，随着带宽的使用和不同的频带增多，频带之间的频带间隙需要逐渐减小。
另外，这样的现象由于缺乏频率资源而引起频带内间隙和频带之间的间隙变窄，导致需要防止干涉。
为了改善这样的特性，需要抑制插入损耗，显著地减小频带间干涉，并且防止频带内陷波(notch)的发生。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在以下具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；下电极连接构件，设置在所述基板上；下电极，设置在所述下电极连接构件上；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上；上电极连接构件，使所述上电极电连接到所述基板；及介电层，所述下电极、所述压电层和所述上电极嵌入在所述介电层中；其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部；所述体声波谐振器还包括延伸部，所述延伸部从所述下电极或所述上电极延伸，以从所述谐振部向外突出；所述延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成电容器部，其中，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述延伸部之上的所述部分之间。
所述电容器部可设置在所述下电极连接构件的外部。
所述下电极连接构件、所述谐振部和所述基板可在所述谐振部之下形成腔；并且所述电容器部可与所述基板分开。
所述延伸部可从所述下电极延伸。
所述上电极连接构件可包括：锚部，设置在所述基板上；板部，从所述锚部与所述基板的上表面平行地延伸；及连接部，设置在所述上电极的上表面上并且连接到所述板部。
所述板部的部分可用作所述电容器部的上电极。
所述锚部的上端部和所述连接部可嵌入在所述介电层中。
所述下电极连接构件可使所述下电极电连接到所述基板并且支撑所述谐振部。
所述下电极连接构件可具有环形形状并且支撑所述谐振部的边缘部分。
在另一总体方面，一种体声波谐振器，包括：基板；下电极连接构件，设置在所述基板上；下电极，设置在所述下电极连接构件上；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上；上电极连接构件，使所述上电极电连接到所述基板；及介电层，所述下电极、所述压电层和所述上电极嵌入在所述介电层中；其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部；所述体声波谐振器还可包括第一延伸部，所述第一延伸部从所述下电极或所述上电极延伸，以从所述谐振部向外突出；所述第一延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成第一电容器部，其中，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述第一延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述第一延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述第一延伸部之上的所述部分之间；所述体声波谐振器还包括：第二延伸部，从所述下电极或所述上电极延伸，以与所述第一延伸部分开并且从所述谐振部向外突出；及第二电容器上电极，设置在位于所述第二延伸部之上的所述介电层上。所述第二延伸部、设置在所述第二延伸部之上的所述第二电容器上电极和所述介电层的设置在所述第二延伸部与所述第二电容器上电极之间的部分构成第二电容器部。
所述第一电容器部和所述第二电容器部可设置在所述下电极连接构件的外部。
所述下电极连接构件、所述谐振部和所述基板可在所述谐振部之下形成腔；并且所述第一电容器部和所述第二电容器部可与所述基板分开。
所述第一延伸部和所述第二延伸部可从所述下电极延伸。
所述上电极连接构件可包括：锚部，设置在所述基板上；板部，从所述锚部与所述基板的表面平行地延伸；及连接部，设置在所述上电极的上表面上并且连接到所述板部。
所述板部的部分可用作所述第一电容器部的上电极；并且所述第二电容器上电极可用作所述第二电容器部的上电极。
所述下电极连接构件可使所述下电极电连接到所述基板并且支撑所述谐振部。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；下电极连接构件，设置在所述基板上；上电极连接构件，设置在所述基板上；谐振部，设置在所述下电极连接构件上，并且包括设置在所述下电极连接构件上并且电连接到所述下电极连接构件的下电极、设置在所述下电极上的压电层以及设置在所述压电层上并且电连接到所述上电极连接构件的上电极；及介电层，覆盖所述谐振部的上表面并且填充延伸部和所述上电极连接构件之间的空间，其中，所述下电极可包括延伸部，所述延伸部朝向所述上电极连接构件延伸超出所述压电层的边缘和所述上电极的边缘，或者所述上电极可包括延伸部，所述延伸部朝向所述上电极连接构件延伸超出所述下电极连接构件的边缘和所述压电层的边缘；并且所述延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成电容器部，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述延伸部之上的所述部分之间。
所述延伸部可以为第一延伸部并且所述电容器部可以为第一电容器部；所述下电极可包括第二延伸部，所述第二延伸部沿着与所述第一延伸部朝向所述上电极连接构件延伸的第一方向不同的第二方向延伸超出所述压电层的边缘和所述上电极的边缘，或者所述上电极可包括第二延伸部，所述第二延伸部沿着与所述第一延伸部朝向所述上电极连接构件延伸的第一方向不同的第二方向延伸超出所述下电极连接构件的边缘和所述压电层的边缘，所述体声波谐振器还可包括第二电容器上电极，所述第二电容器上电极设置在位于所述第二延伸部之上的所述介电层上；并且所述第二延伸部、所述第二电容器上电极和所述介电层的设置在所述第二延伸部与所述第二电容器上电极之间之间的部分可构成第二电容器部。
所述下电极连接构件可以为中空的并且支撑所述谐振部的边缘部分；并且所述下电极连接构件、所述谐振部和所述基板可在所述谐振部下方形成腔。
所述上电极连接构件包括：板部，设置在所述介电层上；锚部，设置在所述基板上并且通过所述介电层连接到所述板部；及连接部，连接到所述板部，并且通过所述介电层连接到所述上电极。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1示出了体声波谐振器的示例的构造。
图2示出了体声波谐振器的另一示例的构造。
图3至图11是示出制造体声波谐振器的方法的示例的工艺图。
在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，在理解本申请的公开内容后可做出将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域已知的特征的描述。
这里所描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于这里所描述的示例。更确切地说，提供这里所描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的实施这里所描述的方法、设备和/或系统的很多可行的方式中的一些可行方式。
为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相对术语以描述如图所示的一个元件与另一元件的关系。这些空间相对术语意图包含除了图中所示的方位以外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件于是将相对于另一元件“在”“之下”或“下方”。因而，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置也可以其他方式(旋转90度或处于其他方位)定位，并且对这里使用的空间相对术语做出相应的解释。
图1示出了体声波谐振器的构造的示例。
参照图1，体声波谐振器100的第一示例包括基板110、下电极连接构件120、谐振部130、上电极连接构件170和介电层180。
基板110可以是硅累积基板。例如，硅晶圆可用作基板110。基板保护层(未示出)可设置在基板110上。
下电极连接构件120形成在基板110上，并且与谐振部130和基板110一起形成腔C。下电极连接构件120支撑谐振部130的边缘部分。在图1中的示例中，下电极连接构件120具有与谐振部130的形状相对应的不规则的环形形状。因此，图1中的示例中的下电极连接构件120是中空的。
虽然图1似乎示出了两个下电极连接构件120(这是因为图1示出了如上所述的中空的下电极连接构件120的截面)，但是图1中明显地示出的两个下电极连接构件120实际上仅是一个下电极连接构件120的部分。
下电极连接构件120形成为支撑谐振部130的整个的边缘部分，以确保体声波谐振器100的结构刚性。
例如，下电极连接构件120由诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料形成。
由于谐振部130的整个的边缘部分被下电极连接构件120支撑，因此可减小电极连接部的电阻并且可改善散热。因此，可减小由于电损耗引起的插入损耗，并且可控制频带内陷波缺陷，其中，频带内陷波缺陷可能因由于体声波谐振器100之间的功耗差异导致的温差而引起。
谐振部130设置在下电极连接构件120上。在图1中的示例中，谐振部130包括下电极140、压电层150和上电极160。
下电极140与下电极连接构件120和基板110一起形成腔C，并且形成为使得下电极140的部分从下电极连接构件120向外延伸。在图1中的示例中，压电层150和上电极160没有形成在下电极140的从下电极连接构件120向外延伸的部分上。
换句话说，下电极140包括设置在下电极连接构件120的外部的延伸部142。虽然图1示出了延伸部142是下电极140的部分，但是可选地，延伸部142可以是上电极160的部分。
下电极140电连接到下电极连接构件120。
下电极140由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料或者其他任意合适的导电材料或者这些导电材料中的任意两种或更多种的合金形成。
下电极140可被用作输入电极或者输出电极，其中，输入电极接收诸如射频(RF)信号或其他信号的电信号，输出电极发送诸如射频(RF)信号或其他信号的电信号。例如，当下电极140为输入电极时，上电极160为输出电极，当下电极140为输出电极时，上电极160为输入电极。
压电层150形成在下电极140上。作为示例，压电层150可通过沉积氮化铝、掺杂氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅而形成。
如果压电层150由氮化铝(AlN)形成，则压电层150还可包括稀土金属。例如，钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合可用作稀土金属。另外，由氮化铝(AlN)形成的压电层150还可包括过渡金属。例如，锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合可用作过渡金属。
上电极160连接到上电极连接构件170，并且形成在压电层150上。作为示例，上电极160由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料或者其他任意合适的导电材料或者这些导电材料中的任意两种或更多种的合金形成。
上电极连接构件170形成在基板110上，并且具有连接到上电极160的一端。在图1中的示例中，上电极连接构件170包括：锚部172，形成在基板110上；板部174，从锚部172延伸；连接部176，形成在上电极160的上表面上并且连接到板部174。
连接部176仅连接到上电极160的边缘区域的部分。
作为示例，与下电极连接构件120类似，例如，上电极连接构件170由诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料形成。
形成介电层180，以使谐振部130(例如，下电极140、压电层150和上电极160)嵌入在介电层180中。介电层180还形成在上电极连接构件170的板部174和下电极140的延伸部142之间的空间中。
另外，介电层180形成为使得上电极连接构件170的锚部172的上端部和连接部176嵌入在介电层180中。
电容器部190由下电极140、介电层180和上电极连接构件170构成。
详细地，电容器部190由延伸部142、上电极连接构件170的部分以及介电层180的部分构成，其中，延伸部142从下电极140延伸以从谐振部130的剩余部分(即，压电层150和上电极160)向外突出，上电极连接构件170的所述部分设置在延伸部142的上表面之上，介电层180的所述部分设置在延伸部142和上电极连接构件170的所述部分之间。
另外，上电极连接构件170的板部174的部分用作电容器部190的上电极。
电容器部190设置在下电极连接构件120的外部，并且与基板110分开预定距离。
由于电容器部190按照如上所述设置，因此可对体声波谐振器100执行频率调节。
由于谐振部130的整个的边缘部分由下电极连接构件120支撑，因此减小了电极连接部的电阻，并且改善了散热。因此，可减小由于电损耗引起的插入损耗，并且可控制可能因由于体声波谐振器100之间的功耗差异导致的温差而引起的频带内陷波缺陷。
图2示出了体声波谐振器的另一示例的构造。
参照图2，体声波谐振器200的第二示例包括基板210、下电极连接构件220、谐振部230、上电极连接构件270和介电层280。
由于基板210、下电极连接构件220和介电层280与以上参照图1描述的基板110、下电极连接构件120和介电层180相同，因此将省略其的详细描述。
虽然图2似乎示出了两个下电极连接构件220(这是因为图2示出了以上关于图1描述的中空的下电极连接构件220的截面)，但是图2中明显地示出的两个下电极连接构件220实际上仅是一个下电极连接构件220的部分。
谐振部230设置在下电极连接构件220上。在图2中的示例中，谐振部230包括下电极240、压电层250和上电极260。
下电极240与下电极连接构件220和基板210一起形成腔C，并且形成为使得下电极240的部分从下电极连接构件220向外延伸。在图2中的示例中，压电层250和上电极260没有形成在下电极240的从下电极连接构件220向外延伸的部分上。
换句话说，下电极240包括设置在下电极连接构件220的外部的第一延伸部242和第二延伸部244。虽然图2示出了第一延伸部242和第二延伸部244作为下电极240的部分，但是可选地，第一延伸部242和第二延伸部244可以是上电极260的部分。
下电极240电连接到下电极连接构件220。
下电极240由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料或者其他任意合适的导电材料或者这些导电材料中的任意两种或更多种的合金形成。
下电极240可被用作输入电极或者输出电极，其中，输入电极接收诸如射频(RF)信号或其他信号的电信号，输出电极发送诸如射频(RF)信号或其他信号的电信号。例如，当下电极240为输入电极时，上电极260为输出电极，当下电极240为输出电极时，上电极260为输入电极。
压电层250形成在下电极240上。作为示例，压电层250可通过沉积氮化铝、掺杂氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅而形成。
如果压电层250由氮化铝(AlN)形成，则压电层250还可包括稀土金属。例如，钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合可用作稀土金属。另外，由氮化铝(AlN)形成的压电层250还可包括过渡金属。例如，锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合可用作过渡金属。
上电极260连接到上电极连接构件270，并且形成在压电层250上。作为示例，上电极260可由诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)的导电材料或者其他任意合适的导电材料或者这些导电材料中的任意两种或更多种的合金形成。
上电极连接构件270形成在基板210上，并且具有连接到上电极260的一端。在图2中的示例中，上电极连接构件270包括：锚部272，形成在基板210上；板部274，从锚部272延伸；连接部276，形成在上电极260的上表面上并且连接到板部274。
连接部276仅连接到上电极260的边缘区域的部分。
第二电容器上电极278形成于在第二延伸部244之上的介电层280上。第二电容器上电极278可通过与形成上电极连接构件270的板部274的工艺相同的工艺形成。
作为示例，与下电极连接构件220类似，例如，上电极连接构件270和第二电容器上电极278由诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料形成。
第一电容器部290和第二电容器部292由下电极240、介电层280、上电极连接构件270和第二电容器上电极278构成。
详细地，第一电容器部290由第一延伸部242、上电极连接构件270的部分以及介电层280的部分构成，其中，第一延伸部242从下电极240延伸以从谐振部230的剩余部分(即，压电层250和上电极260)向外突出，上电极连接构件270的所述部分设置在第一延伸部242之上，介电层280的所述部分设置在第一延伸部242和上电极连接构件270的所述部分之间。
另外，第二电容器部292由第二延伸部244、第二电容器上电极278以及介电层280的部分构成，其中，第二延伸部244从下电极240延伸以从谐振部230的剩余部分(即，压电层250和上电极260)向外突出，第二电容器上电极278设置在第二延伸部244之上，介电层280的所述部分设置在第二延伸部244和第二电容器上电极278之间。
另外，上电极连接构件270的板部274的部分用作第一电容器部290的上电极，第二电容器上电极278用作第二电容器部292的上电极。
第一电容器部290和第二电容器部292设置在下电极连接构件220的外部，并且与基板210分开预定距离。
由于第一电容器部290和第二电容器部292按照如上所述设置，因此可对体声波谐振器200执行频率调节。
在下文中，将描述制造体声波谐振器的方法的示例。
图3至图11是示出制造体声波谐振器的方法的示例的工艺图。
首先，如图3所示，在基板310上形成牺牲层320。牺牲层320包括多个槽部322，多个槽部322用于形成稍后将描述的下电极连接构件330和上电极连接构件340的下端部。
牺牲层320由包括例如氧化硅(SiO2)或多晶硅的材料形成。另外，牺牲层320可通过例如旋转涂覆玻璃(spin-on-glass)工艺形成。例如，牺牲层320可通过将溶解在有机溶剂中的硅旋转涂覆到基板上来形成，然后对基板进行热处理以形成氧化硅(SiO2)绝缘膜。
随后，如图4所示，在多个槽部322中形成下电极连接构件330和上电极连接构件340的下端部。例如，下电极连接构件330和上电极连接构件340由诸如铜(Cu)或钨(W)的导电材料形成。
然后，按照需要，通过化学机械抛光(CMP)工艺对图4中的结构的上表面执行平坦化操作。作为示例，还可通过金属化学机械抛光(CMP)工艺执行平坦化操作。
然后，如图5所示，顺序地层叠下电极350、压电层360和上电极370。下电极350被形成具有延伸部352，延伸部352被设置为使得延伸部352从压电层360和上电极370突出。
接下来，如图6所示，在牺牲层320上形成介电层380，以使下电极350、压电层360和上电极370嵌入在介电层380中。
随后，如图7所示，在介电层380中形成用于形成上电极连接构件340的上部的成型孔382。
然后，如图8所示，在介电层380的成型孔382中形成上电极连接构件340的上部。在图8中的示例中，在成型孔382中的一个中形成上电极连接构件340的连接到上电极370的连接部346，在成型孔382中的另一个中形成上电极连接构件340的锚部342的上端部。
然后，如图9所示，在介电层380的上表面上形成上电极连接构件340的板部344，以使连接部346和锚部342彼此连接。
接下来，如图10所示，通过图案化去除介电层380的部分。
然后，如图11所示，使用卤化物基气体去除形成在基板310上的牺牲层320。
电容器部390由下电极350、介电层380和上电极连接构件340构成。
详细地，电容器部390由延伸部352、上电极连接构件340的部分以及介电层380的部分构成，其中，延伸部352从下电极350延伸以从谐振部345的剩余部分向外突出，上电极连接构件340的所述部分设置在延伸部352之上，介电层380的所述部分设置在延伸部352和上电极连接构件340的所述部分之间。
另外，上电极连接构件340的板部344的部分用作电容器部390的上电极。
电容器部390设置在下电极连接构件330的外部，并且与基板310分开预定距离。
由于电容器部390按照如上所述设置，因此可对体声波谐振器300执行频率调节。
以上阐述的示例能够使得谐振频率通过频率调整而被改变并且被匹配。
虽然本公开包括具体示例，但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神及范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节上的各种改变。这里所描述的示例将仅被理解为描述性意义，而非出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的形式组合和/或通过其他组件或它们的等同物替换或增添描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围并不通过具体实施方式限定而是通过权利要求及其等同物限定，在权利要求及其等同物的范围之内的全部变型将被理解为包括在本公开中。

Claims (20)

1.一种体声波谐振器，包括：
基板；
下电极连接构件，设置在所述基板上；
下电极，设置在所述下电极连接构件上；
压电层，设置在所述下电极上；
上电极，设置在所述压电层上；
上电极连接构件，使所述上电极电连接到所述基板；及
介电层，所述下电极、所述压电层和所述上电极嵌入在所述介电层中；
其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部；
所述体声波谐振器还包括延伸部，所述延伸部从所述下电极或所述上电极延伸以从所述谐振部向外突出；
所述延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成电容器部，其中，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述延伸部之上的所述部分之间，
其中，所述下电极连接构件使所述下电极电连接到所述基板。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述电容器部设置在所述下电极连接构件的外部。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件、所述谐振部和所述基板在所述谐振部之下形成腔；并且
所述电容器部与所述基板分开。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述延伸部从所述下电极延伸。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接构件包括：
锚部，设置在所述基板上；
板部，从所述锚部与所述基板的上表面平行地延伸；及
连接部，设置在所述上电极的上表面上并且连接到所述板部。
6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述板部的部分用作所述电容器部的上电极。
7.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述锚部的上端部和所述连接部嵌入在所述介电层中。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述介电层与所述基板分开并且所述下电极连接构件支撑所述谐振部。
9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件具有环形形状并且支撑所述谐振部的边缘部分。
10.一种体声波谐振器，包括：
基板；
下电极连接构件，设置在所述基板上；
下电极，设置在所述下电极连接构件上；
压电层，设置在所述下电极上；
上电极，设置在所述压电层上；
上电极连接构件，使所述上电极电连接到所述基板；及
介电层，所述下电极、所述压电层和所述上电极嵌入在所述介电层中；
其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极构成谐振部；
所述体声波谐振器还包括第一延伸部，所述第一延伸部从所述下电极或所述上电极延伸，以从所述谐振部向外突出；
所述第一延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成第一电容器部，其中，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述第一延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述第一延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述第一延伸部之上的所述部分之间；
所述体声波谐振器还包括：
第二延伸部，从所述下电极或所述上电极延伸，以与所述第一延伸部分开并且从所述谐振部向外突出；及
第二电容器上电极，设置于在所述第二延伸部之上的所述介电层上；所述第二延伸部、设置在所述第二延伸部之上的所述第二电容器上电极和所述介电层的设置在所述第二延伸部与所述第二电容器上电极之间的部分构成第二电容器部，
其中，所述介电层与所述基板分开。
11.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述第一电容器部和所述第二电容器部设置在所述下电极连接构件的外部。
12.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件、所述谐振部和所述基板在所述谐振部之下形成腔；并且
所述第一电容器部和所述第二电容器部与所述基板分开。
13.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述第一延伸部和所述第二延伸部从所述下电极延伸。
14.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接构件包括：
锚部，设置在所述基板上；
板部，从所述锚部与所述基板的上表面平行地延伸；及
连接部，设置在所述上电极的上表面上并且连接到所述板部。
15.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中，所述板部的部分用作所述第一电容器部的上电极；并且
所述第二电容器上电极用作所述第二电容器部的上电极。
16.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件使所述下电极电连接到所述基板并且支撑所述谐振部。
17.一种体声波谐振器，包括：
基板；
下电极连接构件，设置在所述基板上；
上电极连接构件，设置在所述基板上；
谐振部，设置在所述下电极连接构件上并且包括：
下电极，设置在所述下电极连接构件上并且电连接到所述下电极连接构件；
压电层，设置在所述下电极上；及
上电极，设置在所述压电层上并且电连接到所述上电极连接构件；及
介电层，覆盖所述谐振部的上表面并且填充延伸部和所述上电极连接构件之间的空间；
其中，所述下电极包括所述延伸部，所述延伸部朝向所述上电极连接构件延伸超出所述压电层的边缘和所述上电极的边缘，或者所述上电极包括所述延伸部，所述延伸部朝向所述上电极连接构件延伸超出所述下电极连接构件的边缘和所述压电层的边缘；并且
所述延伸部、所述上电极连接构件的部分以及所述介电层的部分构成电容器部，所述上电极连接构件的所述部分设置在所述延伸部之上，所述介电层的所述部分设置在所述延伸部和所述上电极连接构件的设置在所述延伸部之上的所述部分之间。
18.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述延伸部为第一延伸部并且所述电容器部为第一电容器部；
所述下电极包括第二延伸部，所述第二延伸部沿着与所述第一延伸部朝向所述上电极连接构件延伸的第一方向不同的第二方向延伸超出所述压电层的边缘和所述上电极的边缘，或者所述上电极包括第二延伸部，所述第二延伸部沿着与所述第一延伸部朝向所述上电极连接构件延伸的第一方向不同的第二方向延伸超出所述下电极连接构件的边缘和所述压电层的边缘；
所述体声波谐振器还包括第二电容器上电极，所述第二电容器上电极设置于在所述第二延伸部之上的所述介电层上；并且
所述第二延伸部、所述第二电容器上电极和所述介电层的设置在所述第二延伸部与所述第二电容器上电极的之间的部分构成第二电容器部。
19.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述下电极连接构件为中空的并且支撑所述谐振部的边缘部分；并且
所述下电极连接构件、所述谐振部和所述基板在所述谐振部下方形成腔。
20.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述上电极连接构件包括：
板部，设置在所述介电层上；
锚部，设置在所述基板上并且通过所述介电层连接到所述板部；及
连接部，连接到所述板部，并且通过所述介电层连接到所述上电极。
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