KR20200143027A - 체적 음향 공진기 - Google Patents
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Abstract
외부 연결 전극을 구비하는 기판과, 상기 외부 연결 전극에 연결되며 상기 기판 상에 배치되는 연결층과, 상기 연결층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 압전층 및 상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 연결층은 캐비티를 감싸도록 배치되며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 연결되는 체적 음향 공진기가 개시된다.
Description
본 발명은 체적 음향 공진기에 관한 것이다.
최근 5G 통신 모듈이 새로운 화두로 등장함에 따라 5G BAW(Bulk-Acoustic Wave) 필터(filter) 개발도 진행되고 있다. 5G용 BAW filter 경우 통신 거리가 짧아짐에 따라 신호의 세기, 파워가 증가될 것으로 보이며 파워 증가에 따른 BAW filter내 공진기 온도는 선형적이라고 할 수 있을 정도로 밀접한 상관 관계를 보이고 있다.
따라서, 공진기에서 발생한 온도 상승을 적절하게 방열시킬 수 있는 구조의 개발이 필요한 실정이다.
신뢰성을 개선할 수 있으며 열방출 효율을 향상시킬 수 있는 체적 음향 공진기가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기는 외부 연결 전극을 구비하는 기판과, 상기 외부 연결 전극에 연결되며 상기 기판 상에 배치되는 연결층과, 상기 연결층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 압전층 및 상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 연결층은 캐비티를 감싸도록 배치되며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 연결될 수 있다.
신뢰성을 개선할 수 있으며 열방출 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따른 단면도이다.
도 4는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따른 단면도이다.
도 5는 종래기술에 따른 체적 음향 공진기에서 외부 연결 전극이 부풀어 오르는 현상을 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따른 단면도이다.
도 4는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따른 단면도이다.
도 5는 종래기술에 따른 체적 음향 공진기에서 외부 연결 전극이 부풀어 오르는 현상을 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따른 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따른 단면도이고, 도 4는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)는 일예로서, 기판(110), 희생층(120), 연결층(130), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판(110)은 실리콘 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다.
기판(110)의 상면에는 절연층(112)이 구비될 수 있으며, 상부에 배치되는 구성과 기판(110)을 전기적으로 격리시킬 수 있다. 또한, 절연층(112)은 제조과정에서 캐비티(C)를 형성하는 경우 에칭가스에 의해 기판(110)이 식각되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
이 경우, 절연층(112)은 이산화규소(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 산화 알루미늄(Al2O2), 및 질화 알루미늄(AlN) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 및 에바포레이션(Evaporation) 중 어느 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
한편, 기판(110)에는 외부 연결 전극(114)이 구비될 수 있다. 외부 연결 전극(114)은 연결층(130)에 연결될 수 있다. 일예로서, 외부 연결 전극(114)은 연결층(130)에 접촉되는 접촉부(114a)와, 상기 기판(110)의 비아홀(116)에 배치되는 연결부(114b) 및 상기 기판(110)의 하면에 배치되며 연결부(114b)로부터 연장되는 하면 전극부(114c)를 구비할 수 있다.
희생층(120)은 연결층(130)을 감싸도록 배치되며 절연층(112) 상에 배치된다. 한편, 연결층(130)이 감싸도록 배치되는 캐비티(C)는 제조 시 희생층(120)의 일부분을 제거함으로써 형성된다.
그리고, 희생층(120)은 연결층(130)으로부터 연장되도록 배치될 수 있다.
연결층(130)은 캐비티(C)를 감싸도록 배치되며, 절연층(112) 상에 형성된다. 한편, 연결층(130)은 일예로서, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어지는 제1 금속층(132)을 구비할 수 있다. 한편, 연결층(130)은 제조 시 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 상면이 평탄화된다.
그리고, 연결층(130)은 적어도 제1 금속층(132)의 하부에 배치되는 배리어층(134)을 더 구비할 수 있다. 일예로서, 배리어층(134)은 기판(110)과 함께 캐비티(C)를 형성한다. 일예로서, 배리어층(134)은 희생층(120)의 제거 시 희생층(120)의 제거를 위한 할라이드계 가스[예를 들어, 2플루오르화 크세논(XeF2)]에 의해 식각되지 않는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 배리어층(134)은 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN) 중 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있다.
배리어층(134)은 화학적 기계적 연마(CMP) 공정 중 잔류할 수 있는 막일 수 있으며, 화학적 기계적 연마(CMP) 공정 이후 추가 증착으로 형성될 수 있다. 그리고, 배리어층(134)을 화학적 기계적 연마(CMP) 공정 이후 추가 증착할 경우 추가적인 패턴닝(patterning) 공정이 수행될 수 있다.
만약, 배리어층(134)이 금속일 경우 연결층(130)과 제1 전극(150)이 특정 부위에서 쇼트(short)가 발생될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 배리어층(134)의 일부분이 제거되어 배리어층(134)이 적어도 두 부부으로 나뉘어질 수 있다.
한편, 연결층(130)의 제1 금속층(132)은 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)에 접촉된다. 이와 같이, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(130)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 고전원(high power)의 인가시 외부 연결 전극(114)의 변형을 억제하여 불량 발생을 방지할 수 있다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 종래의 체적 음향 공진기(10)에는 외부 연결 전극(14)과 제1 전극(50)이 접촉된다. 그리고, 제1 전극(50)의 상부에 배치되는 금(Au) 재질로 이루어지는 금속 패드(95)의 열팽창 계수가 몰리브덴(Mo) 재질로 이루어지는 제1 전극(50)의 열팽창 계수보다 3배 정도 높으며 금속 패드(95)의 두께가 제1 전극(50)의 두께보다 10배 정도 두껍기 때문에 고전원(high power)의 인가시 외부 연결 전극(14)의 접촉부(14a)가 도 5에 도시된 바와 같이 부풀어 오르는 문제가 있다.
특히, 제1 전극(50)의 두께가 얇기 때문에 외부 연결 전극(14)과 금속 패드(95) 간의 열팽창계수차이에 따른 연결부의 불량은 더 심해질 수 있다.
하지만, 상기한 바와 같이, 연결층(130)이 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어지는 제1 금속층(132)과, 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN) 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 배리어층(134)를 구비한다. 그리고, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(130)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 고전원(high power)이 인가되더라도 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있는 것이다.
한편, 연결층(130)은 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)에 연결된다. 즉, 연결층(130)의 상면에는 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)이 연결되며 연결층(130)의 하면에는 외부 연결 전극(114)이 연결된다. 이에 따라, 연결층(130)은 열전달 경로로서의 역할을 수행한다. 따라서, 공진부, 즉 제1 전극(150), 압전층(160) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역에서 발생되는 열이 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)을 통해 연결층(130)에 전달되고, 연결층(130)으로부터 외부 연결 전극(114)에 전달된다. 이에 따라, 열방출이 보다 용이하게 수행될 수 있는 것이다.
특히, 연결층(130)의 재료가 이산화규소(SiO2)일 경우 열전도도가 10 W/mK 으로 아주 낮아 효과적인 열방출이 일어나기 어렵다. 하지만, 연결층(130)의 재료가 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W)의 금속 재질인 경우 이산화규소(SiO2) 대비 높은 열전도도를 가짐에 따라 효과적인 열방출이 일어날 수 있다.
| 재질(Material) | 열전도도(W/mK) |
| Al | 237 |
| Cu | 401 |
| W | 173 |
| Mo | 138 |
| SiO2 | 10 |
| Si3N4 | 30 |
| Poly Si | 149 |
제1 전극(150)은 적어도 일부분이 연결층(130) 상에 배치된다. 보다 상세하게는 제1 전극(150)은 일부분이 캐비티(C)의 상부에 배치되고 나머지 부분 중 적어도 일부분이 연결층(130) 상부에 배치된다.
일예로서, 제1 전극(150)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
또한, 제1 전극(150)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(150)이 입력 전극인 경우 제2 전극(170)은 출력 전극일 수 있으며, 제1 전극(150)이 출력 전극인 경우 제2 전극(170)은 입력 전극일 수 있다.
압전층(160)은 제1 전극(150)의 적어도 일부를 덮도록 배치된다. 그리고, 압전층(160)은 제1 전극(160) 또는 제2 전극(170)을 통해 입력되는 신호를 탄성파로 변환하는 역할을 수행한다. 즉, 압전층(160)은 전기적 신호를 물리적 진동에 의한 탄성파로 변환하는 역할을 수행한다.
일예로서, 압전층(160)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
또한, 질화알루미늄 (AlN) 압전층(160)은 희토류 금속(Rare earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그리고, 질화알루미늄 (AlN) 압전층(160)은 전이 금속(transition metal)을 더 포함할 수도 있다. 일 예로, 전이 금속은 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함될 수 있다.
한편, 압전층(160)은 평탄부(S)에 배치되는 압전부(162), 그리고 확장부(E)에 배치되는 굴곡부(164)를 포함한다.
압전부(162)는 제1 전극(150)의 상부면에 직접 적층되는 부분이다. 따라서 압전부(162)는 제1 전극(150)과 제2 전극(170) 사이에 개재되어 제1 전극(150), 제2 전극(170)과 함께 편평한 형태로 형성된다.
굴곡부(164)는 압전부(162)에서 외측으로 연장되어 확장부(E) 내에 위치하는 영역으로 정의될 수 있다.
굴곡부(164)는 후술되는 삽입층(180) 상에 배치되며, 삽입층(180)의 형상을 따라 융기되는 형태로 형성된다. 이에 압전층(160)은 압전부(162)와 굴곡부(164)의 경계에서 굴곡되며, 굴곡부(164)는 삽입층(180)의 두께와 형상에 대응하여 융기된다.
굴곡부(164)는 경사부(164a)와 연장부(164b)로 구분될 수 있다.
경사부(164a)는 후술되는 삽입층(180)의 경사면(L)을 따라 경사지게 형성되는 부분을 의미한다. 그리고 연장부(164b)는 경사부(164a)에서 외측으로 연장되는 부분을 의미한다.
경사부(164a)는 삽입층(180) 경사면(L)과 평행하게 형성되며, 경사부(164a)의 경사각은 삽입층(180) 경사면(L)의 경사각(도 3의 θ)과 동일하게 형성될 수 있다.
제2 전극(170)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 압전층(160)을 덮도록 배치된다. 제2 전극(170)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 입출력하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 즉, 제1 전극(150)이 입력 전극으로 이용되는 경우 제2 전극(170)은 출력 전극으로 이용되며, 제1 전극(150)이 출력 전극으로 이용되는 경우 제2 전극(170)은 입력 전극으로 이용될 수 있다.
한편, 제2 전극(170)은 일예로서, 제1 전극(150)과 같이, 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
삽입층(180)은 제1 전극(150)과 압전층(160) 사이에 배치된다. 삽입층(180)은 이산화규소(SiO2), 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 티탄산 지르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO)등의 유전체로 형성될 수 있으나, 압전층(160)과는 다른 재질로 형성된다. 또한, 필요에 따라 삽입층(180)이 구비되는 영역을 빈 공간(air)으로 형성하는 것도 가능하다. 이는 제조 과정에서 삽입층(180)을 제거함으로써 구현될 수 있다.
또한, 삽입층(180)의 재료는 금속재료로도 사용 가능하다. 제1 전극(150)과의 건식 식각(dry etch) 또는 습식 식각(wet etch) 선택비가 나와야 하기 때문에 제1 전극(150) 재료와 다른 재료를 삽입층(180) 재료로도 사용 가능하다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 크롬(Cr), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 구리(Cu), 니켈(Ni), 탄탈럼(Ta), 코발트(Co)로 이루어진 합금 등으로 사용 가능하다.
본 실시예에서 삽입층(180)의 두께는 제1 전극(150)의 두께와 동일하거나, 유사하게 형성될 수 있다. 또한 압전층(160)과 유사하거나 압전층(160) 보다 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어 삽입층(180)은 100Å 이상의 두께로 형성되되 압전층(160)의 두께보다는 얇게 형성될 수 있다.
만약, 삽입층의 두께가 100Å 이하일 경우 경사면 형성이 어렵고 압전층(160)보다 두꺼울 경우 압전층(160)이 삽입층(180)을 타고 넘어가기 어려워 크랙(crack) 등의 불량을 야기할 수 있다.
한편, 삽입층(180)은 멤브레인층(140)과 제1 전극(150), 그리고 식각 방지부(130)에 의해 형성되는 표면을 따라 배치된다.
삽입층(180)은 평탄부(S)의 주변에 배치되어 압전층(160)의 굴곡부(164)를 지지한다. 따라서 압전층(160)의 굴곡부(164)는 삽입층(180)의 형상을 따라 경사부(164a)와 연장부(164b)로 구분될 수 있다.
삽입층(180)은 평탄부(S)를 제외한 영역에 배치된다. 예를 들어 삽입층(180)은 평탄부(S)를 제외한 영역 전체에 배치되거나, 일부 영역에 배치될 수 있다.
또한 삽입층(180)은 적어도 일부가 압전층(160)과 제1 전극(160) 사이에 배치된다.
평탄부(S)의 경계를 따라 배치되는 삽입층(180)의 측면은 평탄부(S)에서 멀어질수록 두께가 두꺼워지는 형태로 형성된다. 이로 인해 삽입층(180)은 평탄부(S)와 인접하게 배치되는 측면이 일정한 경사각(θ)을 갖는 경사면(L)으로 형성된다.
삽입층(180) 측면의 경사각(θ)이 5°보다 작게 형성되면, 이를 제조하기 위해서는 삽입층(180)의 두께를 매우 얇게 형성하거나 경사면(L)의 면적을 과도하게 크게 형성해야 하므로, 실질적으로 구현이 어렵다.
또한 삽입층(180) 측면의 경사각(θ)이 70°보다 크게 형성되면, 삽입층(180) 상에 적층되는 압전층(160)의 경사부(164a) 경사각도 70°보다 크게 형성된다. 이 경우 압전층(160)이 과도하게 굴곡되므로, 압전층(160)의 굴곡 부분에서 크랙(crack)이 발생될 수 있다.
따라서, 본 실시예에서 상기 경사면(L)의 경사각(θ)은 5°이상, 70°이하의 범위로 형성된다.
페시베이션층(190)은 제1 전극(150)과 제2 전극(170)의 일부분을 제외한 영역에 배치된다. 한편, 페시베이션층(190)은 공정 중 제2 전극(170) 및 제1 전극(150)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
나아가, 페시베이션층(190)은 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 일부분이 제거될 수 있다. 즉, 페시베이션층(190)의 두께가 조절될 수 있다. 페시베이션층(190)은 일예로서, 질화실리콘(Si3N4), 이산화규소(SiO2), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
금속패드(195)는 제1 전극(150)과 제2 전극(170)의 상기한 페시베이션층(190)이 형성되지 않은 일부분에 형성된다. 일예로서, 금속패드(195)는 금(Au), 금-주석(Au-Sn) 합금, 구리(Cu), 구리-주석(Cu-Sn) 합금 및 알루미늄(Al), 알루미늄 합금 등의 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 합금은 알루미늄-게르마늄(Al-Ge) 합금일 수 있다.
상기한 바와 같이, 연결층(130)을 통해 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 공진부, 즉 제1 전극(150), 압전층(160) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역에서 발생되는 열이 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)을 통해 연결층(130)에 전달되고, 연결층(130)으로부터 외부 연결 전극(114)에 전달된다. 이와 같이, 희생층(120)과 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(130)에 열이 전달됨으로써 열방출 경로를 증가시켜 공진부에서 발생된 열이 보다 용이하게 외부로 방출될 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들에 대해서 설명하기로 한다. 한편, 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 상기에서 사용한 도면부호를 사용하여 도면에 도시하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6을 참조하면, 체적 음향 공진기(200)는 일예로서, 기판(110), 희생층(120), 연결층(230), 멤브레인층(240), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110), 희생층(120), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)는 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성으로서 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
연결층(230)은 캐비티(C)를 감싸도록 배치되며, 절연층(112) 상에 형성된다. 한편, 연결층(230)은 일예로서, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 연결층(230)은 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)에 접촉된다. 이와 같이, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(230)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 고전원(high power)의 인가시 외부 연결 전극(114)의 변형을 억제하여 불량 발생을 방지할 수 있다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 종래에는 외부 연결 전극(14)과 제1 전극(50)이 접촉된다. 그리고, 제1 전극(50)의 상부에 배치되는 금(Au) 재질로 이루어지는 금속 패드(95)의 열팽창 계수가 몰리브덴(Mo) 재질로 이루어지는 제1 전극(50)의 열팽창 계수보다 3배 정도 높으며 금속 패드(95)의 두께가 제1 전극(50)의 두께보다 10배 정도 두껍기 때문에 고전원(high power)의 인가시 도 5에 도시된 바와 같이, 외부 연결 전극(14)의 접촉부(14a)가 부풀어 오르는 문제가 있다.
하지만, 상기한 바와 같이, 연결층(230)이 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어진다. 그리고, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(230)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 고전원(high power)의 인가되더라도 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있는 것이다.
한편, 연결층(230)은 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)에 연결된다. 즉, 연결층(230)의 상면에는 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)이 연결되며 연결층(230)의 하면에는 외부 연결 전극(114)이 연결된다. 이에 따라, 연결층(230)은 열전달 경로로서의 역할을 수행한다. 따라서, 공진부, 즉 제1 전극(150), 압전층(160) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역에서 발생되는 열이 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)을 통해 연결층(230)에 전달되고, 연결층(230)으로부터 외부 연결 전극(114)에 전달된다. 이에 따라, 열방출이 보다 용이하게 수행될 수 있는 것이다.
멤브레인층(240)은 캐비티(C)를 덮도록 배치된다. 일예로서, 멤브레인층(240)은 상기한 에칭가스와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 멤브레인층(240)은 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한 멤브레인층(240)은 산화마그네슘(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 지르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)으로 이루어지거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 티타늄(Ti) 중 적어도 하나의 재질을 함유하는 금속층으로 이루어질 수 있다.
멤브레인층(240) 상에는 질화 알루미늄(AlN)으로 제조되는 시드층(미도시)이 형성될 수 있다. 구체적으로 시드층은 멤브레인층(240)과 제1 전극(150) 사이에 배치될 수 있다. 시드층은 AlN 이외에도 HCP 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 금속일 경우 예를 들어, 시드층은 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN)으로 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기(300)는 일예로서, 기판(110), 희생층(120), 연결층(230), 멤브레인층(240), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190)를 포함하여 구성될 수 있다.
체적 음향 공진기(300)에는 금속패드(195, 도 1 참조)가 제거된다. 이에 따라, 복수개의 체적 음향 공진기(300)가 구비되는 필터 장치(미도시)에서 이웃하는 체적 음향 공진기(300) 사이의 간격을 좁힐 수 있다. 따라서, 복수개의 체적 음향 공진기(300)가 구비되는 필터 장치의 삽입 손실(IL) 특성을 개선할 수 있으며, 필터 장치의 크기를 줄일 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기(400)는 일예로서, 기판(110), 희생층(420), 식각 방지층(425), 연결층(430), 멤브레인층(440), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190)를 포함하여 구성될 수 있다.
희생층(420)은 절연층(112) 상에 형성되며, 희생층(420)의 내측에는 캐비티(C)와 식각 방지층(425)이 배치될 수 있다. 캐비티(C)는 제조 시 희생층(420)의 일부분을 제거함으로써 형성된다. 이와 같이, 캐비티(C)가 희생층(420)의 내측에 형성됨에 따라 희생층(420)의 상부에 배치되는 제1 전극(150) 등은 편평하게 형성될 수 있다.
식각 방지층(425)은 캐비티(C)의 경계를 따라 배치된다. 식각 방지층(425)은 캐비티(C) 형성 과정에서 캐비티(C) 영역 이상으로 식각이 진행되는 것을 방지한다.
연결층(430)은 희생층(420) 내에 매립 배치된다. 한편, 연결층(430)은 일예로서, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 연결층(430)은 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)에 접촉된다. 이와 같이, 희생층(420)의 두께와 비교하여 희생층(420) 두께의 절반의 두께를 가지는 연결층(430)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 고전원(high power)의 인가시 외부 연결 전극(114)의 변형을 억제하여 불량 발생을 방지할 수 있다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 종래에는 외부 연결 전극(14)과 제1 전극(50)이 접촉된다. 그리고, 제1 전극(50)의 상부에 배치되는 금(Au) 재질로 이루어지는 금속 패드(95)의 열팽창 계수가 몰리브덴(Mo) 재질로 이루어지는 제1 전극(50)의 열팽창 계수보다 3배 정도 높으며 금속 패드(95)의 두께가 제1 전극(50)의 두께보다 10배 정도 두껍기 때문에 고 전원(high power)의 인가시 도 5에 도시된 바와 같이, 외부 연결 전극(14)의 접촉부(14a)가 부풀어 오르는 문제가 있다.
하지만, 상기한 바와 같이, 연결층(430)이 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어진다. 그리고, 희생층(420)의 두께와 비교하여 희생층(420) 두께의 절반의 두께를 가지는 연결층(430)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 고전원(high power)의 인가되더라도 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있는 것이다.
한편, 연결층(430)은 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)에 연결된다. 즉, 연결층(430)의 상면에는 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)이 연결되며 연결층(430)의 하면에는 외부 연결 전극(114)이 연결된다. 이에 따라, 연결층(430)은 열전달 경로로서의 역할을 수행한다. 따라서, 공진부, 즉 제1 전극(150), 압전층(160) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역에서 발생되는 열이 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)을 통해 연결층(430)에 전달되고, 연결층(430)으로부터 외부 연결 전극(114)에 전달된다. 이에 따라, 열방출이 보다 용이하게 수행될 수 있는 것이다.
한편, 체적 음향 공진기(400)에는 금속패드(195, 도 1 참조)가 제거된다. 이에 따라, 복수개의 체적 음향 공진기(400)가 구비되는 필터 장치(미도시)에서 이웃하는 체적 음향 공진기(400) 사이의 간격을 좁힐 수 있다. 따라서, 복수개의 체적 음향 공진기(400)가 구비되는 필터 장치의 삽입 손실(IL) 특성을 개선할 수 있으며, 필터 장치의 크기를 줄일 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9를 참조하면, 체적 음향 공진기(500)는 일예로서, 기판(110), 희생층(120), 연결층(530), 멤브레인층(240), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 기판(110), 희생층(120), 멤브레인층(240), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)는 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성으로서 여기서는 자세한 설명을 생략하고 상기한 설명에 갈음하기로 한다.
연결층(530)은 캐비티(C)를 감싸도록 배치되며, 절연층(112) 상에 형성된다. 한편, 연결층(530)은 일예로서, 구리(Cu)와 텅스텐(W)의 합금 재질로 이루어질 수 있다.
한편, 연결층(530)이 구리(Cu)와 텅스텐(W)의 합금 재질로 이루어지는 경우 연결층(530)이 텅스텐(W) 재질로 이루어지는 경우와 비교하여 보다 우수한 열적 전도성(thermal conductivity) 및 전기적 전도성(electrical conductivity) 특성을 나타낼 수 있다.
그리고, 구리(Cu)와 텅스텐(W)의 합금에서 구리(Cu)의 함량은 10at% 이상일 수 있다. 한편, 구리(Cu)의 함량이 10at% 이하일 경우 텅스텐(W) 대비 열적 전도성(thermal conductivity) 및 전기적 전도성(electrical conductivity) 특성 개선이 어렵다. 또한, 구리(Cu)와 텅스텐(W)의 합금에서 구리(Cu)의 함량은 40at% 이하일 수 있다. 한편, 구리(Cu)와 텅스텐(W)의 합금에서 구리(Cu)의 함량은 40at% 이상일 경우 연결층(530)의 화학적 기계적 연마(CMP) 공정 시 균일한 평탄화가 어렵고, 연결층(530)의 증착 시 조성 불균일이 심해 균일한 박막 구현이 어렵다.
또한, 연결층(530)은 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)에 접촉된다. 이와 같이, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(530)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 고전원(high power)의 인가시 외부 연결 전극(114)의 변형을 억제하여 불량 발생을 방지할 수 있다.
이에 대하여 보다 자세하게 살펴보면, 종래에는 외부 연결 전극(14)과 제1 전극(50)이 접촉된다. 그리고, 제1 전극(50)의 상부에 배치되는 금속 패드(95)의 열팽창 계수가 제1 전극(50)의 열팽창 계수보다 3배 정도 높으며 금속 패드(95)의 두께가 제1 전극(50)의 두께보다 10배 정도 두껍기 때문에 고전원(high power)의 인가시 도 5에 도시된 바와 같이, 외부 연결 전극(14)의 접촉부(14a)가 부풀어 오르는 문제가 있다.
하지만, 상기한 바와 같이, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(530)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 고전원(high power)의 인가되더라도 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있는 것이다.
한편, 연결층(530)은 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)에 연결된다. 즉, 연결층(530)의 상면에는 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)이 연결되며 연결층(530)의 하면에는 외부 연결 전극(114)이 연결된다. 이에 따라, 연결층(530)은 열전달 경로로서의 역할을 수행한다. 따라서, 공진부, 즉 제1 전극(150), 압전층(160) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역에서 발생되는 열이 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)을 통해 연결층(530)에 전달되고, 연결층(530)으로부터 외부 연결 전극(114)에 전달된다. 이에 따라, 열방출이 보다 용이하게 수행될 수 있는 것이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 체적 음향 공진기(600)는 일예로서, 기판(110), 희생층(120), 연결층(230), 시드층(640), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190) 및 금속패드(195)를 포함하여 구성될 수 있다.
시드층(640)은 적어도 연결층(230)을 덮도록 형성된다. 구체적으로 시드층(640)은 연결층(230)과 제1 전극(150) 사이에 배치될 수 있다. 일예로서, 시드층(640)은 AlN 이외에도 HCP 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 금속일 경우 예를 들어, 시드층은 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN)으로 형성될 수 있다. 한편, 시드층(640)은 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어질 수도 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기(700)는 일예로서, 기판(110), 희생층(420), 식각 방지층(425), 연결층(430), 멤브레인층(440), 시드층(745), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180), 페시베이션층(190)를 포함하여 구성될 수 있다.
시드층(745)은 적어도 연결층(130)을 덮도록 형성된다. 구체적으로 시드층(745)은 연결층(430)과 제1 전극(150) 사이에 배치될 수 있다. 일예로서, 시드층(745)은 AlN 이외에도 HCP 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 금속일 경우 예를 들어, 시드층(745)은 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN)으로 형성될 수 있다. 한편, 시드층(745)은 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어질 수도 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 체적 음향 공진기(800)는 일예로서, 기판(110), 희생층(120), 식각 방지층(425), 연결층(830), 멤브레인층(440), 시드층(745), 제1 전극(150), 압전층(160), 제2 전극(170), 삽입층(180) 및 페시베이션층(190)을 포함하여 구성될 수 있다.
연결층(830)은 희생층(420)에 삽입 배치된다. 한편, 연결층(830)은 일예로서, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 어느 하나의 재질 또는 적어도 두 개의 합금 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 연결층(830)은 희생층(420)의 두께에 대응되는 두께를 가질 수 있다.
한편, 연결층(830)은 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)에 접촉된다. 이와 같이, 희생층(120)의 두께와 유사하거나 동일한 두께를 가지는 연결층(830)이 외부 연결 전극(114)에 접촉되므로 외부 연결 전극(114)의 접촉부(114a)가 부풀어 오르는 것을 방지할 수 있다. 다시 말해, 고전원(high power)의 인가시 외부 연결 전극(114)의 변형을 억제하여 불량 발생을 방지할 수 있다.
한편, 연결층(830)은 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)에 연결된다. 즉, 연결층(830)의 상면에는 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)이 연결되며 연결층(830)의 하면에는 외부 연결 전극(114)이 연결된다. 이에 따라, 연결층(830)은 열전달 경로로서의 역할을 수행한다. 따라서, 공진부, 즉 제1 전극(150), 압전층(160) 및 제2 전극(160)이 모두 겹쳐지게 배치되는 영역에서 발생되는 열이 제1 전극(150) 또는 제2 전극(170)을 통해 연결층(830)에 전달되고, 연결층(830)으로부터 외부 연결 전극(114)에 전달된다. 이에 따라, 열방출이 보다 용이하게 수행될 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800 : 체적 음향 공진기
110 : 기판
120, 420 : 희생층
130, 230, 430, 530, 830 : 연결층
240 : 멤브레인층
150 : 제1 전극
160 : 압전층
170 : 제 전극
180 : 삽입층
190 : 페시베이션층
195 : 금속패드
640, 745 : 시드층
110 : 기판
120, 420 : 희생층
130, 230, 430, 530, 830 : 연결층
240 : 멤브레인층
150 : 제1 전극
160 : 압전층
170 : 제 전극
180 : 삽입층
190 : 페시베이션층
195 : 금속패드
640, 745 : 시드층
Claims (18)
- 상기 기판 상에 배치되는 연결층;
상기 연결층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제1 전극;
상기 제1 전극의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 압전층; 및
상기 압전층의 적어도 일부를 덮도록 배치되는 제2 전극;
을 포함하며,
상기 연결층은 캐비티를 감싸도록 배치되며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나에 연결되는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
외부 연결 전극을 구비하는 기판을 더 포함하며, 상기 연결층은 상기 외부 연결 전극에 연결되는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 연결층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 함유하는 제1 금속층을 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제3항에 있어서,
상기 연결층은 적어도 상기 제1 금속층의 하부에 배치되는 배리어층을 더 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제4항에 있어서,
상기 배리어층은 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN) 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 연결층으로부터 연장되도록 배치되는 희생층을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 연결층에 연결되는 금속 패드를 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
적어도 상기 연결층의 상면에 배치되는 시드층을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 제8항에 있어서,
상기 시드층은 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN)을 함유하는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 압전층 사이에 배치되는 삽입층을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 기판;
상기 기판 상에 배치되며 캐비티를 감싸도록 배치되는 식각방지층;
상기 식각방지층를 감싸도록 배치되는 희생층;
상기 희생층 내에 배치되는 연결층;
일부분이 상기 연결층에 연결되는 제1 전극;
적어도 일부분이 상기 제1 전극을 덮도록 배치되는 압전층; 및
상기 압전층의 적어도 일부분을 덮도록 배치되는 제2 전극;
을 포함하며,
상기 연결층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 연결되는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 연결층에 연결되며 상기 기판과 상기 희생층을 관통하도록 배치되는 외부 연결 전극을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 연결층은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 함유하는 제1 금속층을 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제13항에 있어서,
상기 연결층은 적어도 상기 제1 금속층의 하부에 배치되는 배리어층을 더 구비하는 체적 음향 공진기.
- 제14항에 있어서,
상기 배리어층은 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf), 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN) 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
적어도 상기 연결층의 상면에 배치되는 시드층을 더 포함하는 체적 음향 공진기.
- 제16항에 있어서,
상기 시드층은 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 탄탈럼(Ta), 질화탄탈럼(TaN)을 함유하는 재질로 이루어지는 체적 음향 공진기.
- 제11항에 있어서,
상기 연결층은 상기 희생층의 두께에 대응되는 두께를 가지는 체적 음향 공진기.
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