CN112953388B - 一种谐振器的制作方法 - Google Patents

一种谐振器的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112953388B
CN112953388B CN202110235858.6A CN202110235858A CN112953388B CN 112953388 B CN112953388 B CN 112953388B CN 202110235858 A CN202110235858 A CN 202110235858A CN 112953388 B CN112953388 B CN 112953388B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
frame
electrode layer
groove
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110235858.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112953388A (zh
Inventor
王友良
魏涛
王家友
赖志国
唐兆云
杨清华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd filed Critical Suzhou Huntersun Electronics Co Ltd
Priority to CN202110235858.6A priority Critical patent/CN112953388B/zh
Publication of CN112953388A publication Critical patent/CN112953388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112953388B publication Critical patent/CN112953388B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/013—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种谐振器的制作方法。该方法包括：依次形成第一电极层、压电层和第二电极层；在第二电极层远离压电层的一侧形成牺牲层；牺牲层包括第一凹槽，第一凹槽的深度等于牺牲层的厚度，第一凹槽包括第一区域和第二区域，沿与第一凹槽的延伸方向垂直的方向，第一区域和第二区域并排排列；在牺牲层远离第二电极层的一侧形成框架层，框架层覆盖牺牲层以及第一凹槽；去除牺牲层表面的框架层、位于第一区域的框架层以及位于第一区域的部分第二电极层，以在第二区域形成框架结构，在第一区域形成位于第二电极层上的第二凹槽；第二凹槽的深度小于第二电极层的厚度；去除牺牲层。本发明实施例避免了光刻胶残留，提升了谐振器性能。

Description

一种谐振器的制作方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种谐振器的制作方法。
背景技术
谐振器是由上电极、压电层和下电极组成的单元，当两电极之间有电压降时，会沿着垂直各膜层的方向产生谐振，谐振器在通信领域发挥着重要作用。
现有技术中为降低谐振器的能量损耗，通常会在谐振器的上电极设置框架结构，现有的框架结构一般采用Lift-Off(揭开一剥离)工艺形成，且现有的框架结构一般比较厚，使用liftoff工艺形成过程中，光刻胶难以去除，影响产品性能。
发明内容
本发明提供一种谐振器的制作方法，以实现避免光刻胶残留，提升谐振器性能。
第一方面，本发明实施例提供了一种谐振器的制作方法，包括：
步骤a：依次形成第一电极层、压电层和第二电极层；
步骤b：在所述第二电极层远离所述压电层的一侧形成牺牲层；其中，所述牺牲层包括第一凹槽，所述第一凹槽的深度等于所述牺牲层的厚度，所述第一凹槽包括第一区域和第二区域，沿与所述第一凹槽的延伸方向垂直的方向，所述第一区域和所述第二区域并排排列；
步骤c：在所述牺牲层远离所述第二电极层的一侧形成框架层，所述框架层覆盖所述牺牲层以及所述第一凹槽；
步骤d：去除所述牺牲层表面的框架层、位于所述第一区域的框架层以及位于所述第一区域的部分第二电极层，以在所述第二区域形成位于所述第二电极层上的框架结构，以及在所述第一区域形成位于所述第二电极层上的第二凹槽；其中，所述第二凹槽的深度小于所述第二电极层的厚度；
步骤e：去除所述牺牲层。
可选的，在所述第二电极层远离所述压电层的一侧形成牺牲层，包括：
在所述第二电极层远离所述压电层的一侧形成牺牲材料层；
在所述牺牲材料层表面形成第一光刻胶层；
采用第一掩膜版图案化所述第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层形成第三凹槽；
通过所述第三凹槽刻蚀所述牺牲材料层形成所述第一凹槽；
去除所述第一光刻胶层。
可选的，去除所述牺牲层表面的框架层、位于所述第一区域的框架层以及位于所述第一区域的部分第二电极层，以在所述第二区域形成位于所述第二电极层上的框架结构，以及在所述第一区域形成位于所述第二电极层上的第二凹槽，包括：
在所述框架层远离所述牺牲层的表面形成第二光刻胶层；
采用第二掩膜版图案化所述第二光刻胶层，去除覆盖于所述牺牲层表面的框架层表面的第二光刻胶层以及位于所述第一区域的第二光刻胶层；
刻蚀所述框架层，去除所述牺牲层表面的框架层以及位于所述第一区域的框架层；
继续刻蚀所述第一区域的第二电极层形成位于所述第二电极层上的框架结构和第二凹槽；其中，所述第二电极层的刻蚀深度小于所述第二电极层的厚度；
去除所述第二光刻胶层。
可选的，第三凹槽在所述牺牲层的垂直投影与所述第二区域重合。
可选的，步骤b与步骤d中的采用的光刻胶极性相反；步骤b与步骤d中采用的掩膜版为同一掩膜版。
可选的，所述框架层和所述第二电极层采用的材料相同；
继续刻蚀所述第一区域的第二电极层形成位于所述第二电极层上的框架结构和第二凹槽，包括：
采用刻蚀所述框架层的刻蚀液继续刻蚀所述第一区域的第二电极层形成位于所述第二电极层上的框架结构和第二凹槽。
可选的，所述牺牲层的刻蚀速率与所述框架层的刻蚀速率的比值小于十分之一。
可选的，所述牺牲层的材料包括二氧化硅；
去除所述牺牲层，包括：采用氢氟酸溶液或缓冲氧化物刻蚀液刻蚀去除所述牺牲层。
可选的，所述第一凹槽两个第一区域，两个所述第一区域分别位于所述第二区域的两侧。
可选的，所述牺牲层的厚度为1000-4000A。
可选的，所述框架层的厚度为500-2000A。
本发明实施例提供的谐振器的制作方法，首先在第二电极层远离压电层的一侧形成牺牲层，牺牲层包括第一凹槽，第一凹槽包括第一区域和第二区域，并在牺牲层远离第二电极层的一侧形成框架层，框架层覆盖牺牲层以及第一凹槽，然后去除牺牲层表面的框架层、位于第一区域的框架层以及位于所述第一区域的部分第二电极层，从而在第二区域形成位于第二电极层上的框架结构，以及在第一区域形成位于第二电极层上的第二凹槽。牺牲层对第二电极层起到保护，可以避免后续工艺损伤第二电极层，且通过在牺牲层设置第一凹槽，第一凹槽对应框架结构和第二凹槽所在的区域，并在牺牲层表面设置框架层，采用传统的刻蚀技术即可形成框架结构和第二凹槽，去胶容易，框架结构和第二凹槽的形貌也容易控制，在保证谐振器的结构精度的同时，避免了光刻胶残留，提升了谐振器性能。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种谐振器的制作方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种形成牺牲层后的谐振器结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种形成框架层后的谐振器结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种形成框架结构后的谐振器结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种谐振器结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种形成第一光刻胶层的示意图；
图7是本发明实施例提供的形成牺牲层的示意图；
图8是本发明实施例提供的一种对第二光刻胶层进行曝光的示意图；
图9是本发明实施例提供的显影后第二光刻胶层的示意图；
图10是本发明实施例提供的一种框架层和第二电极层刻蚀后的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中提到的现有的框架结构采用lift-off工艺形成时光刻胶难以去除，发明人通过研究发现出现这种问题的原因在于：采用lift-off工艺形成框架结构时，首先在上电极涂布一层光刻胶层，再对光刻胶层进行图形化曝光，显影除去曝光的光刻胶，然后进行框架材料层成膜，最后将剩余光刻胶和光刻胶上面的框架材料层一起剥离，剩余在上电极上的就是需要的框架结构。由于框架结构比较厚，需要较厚的光刻胶层，且在框架材料层成膜过程中温度较高，导致部分光刻胶发生变性，无法去除。
为解决上述问题，本发明提供了以下解决方案：
本实施例提供了一种谐振器的制作方法，图1是本发明实施例提供的一种谐振器的制作方法的流程图，参考图1，该方法包括：
S110、依次形成第一电极层、压电层和第二电极层。
其中，谐振器基于施加到第一电极层和第二电极层的信号使压电层谐振，以产生谐振频率和反谐振频率。第一电极层和第二电极层的电极材料可以选择声阻抗小、化学稳定性好且与压电层晶格相匹配的金属，示例性的，可选择钼、铝、金以及铂等材料。
S120、在第二电极层远离压电层的一侧形成牺牲层；其中，牺牲层包括第一凹槽，第一凹槽的深度等于牺牲层的厚度，第一凹槽包括第一区域和第二区域，沿与第一凹槽的延伸方向垂直的方向，第一区域和第二区域并排排列。
图2是本发明实施例提供的一种形成牺牲层后的谐振器结构示意图，参考图2，第一电极层10、压电层20和第二电极层30依次层叠设置。牺牲层40设置于第二电极层30远离压电层20的表面，牺牲层40的材料可以为包含硅的氧化物，例如可以为二氧化硅，具体可以通过淀积工艺形成。且牺牲层40的厚度可以通过淀积工艺的工艺参数来控制。第一区域A和第二区域B可以如图2所示并排排列。第一区域A对应形成第二凹槽，第二区域B对应形成框架结构，第一凹槽401、第一区域A以及第二区域B的形状和尺寸可以根据需要形成的框架结构和第二凹槽的形状和尺寸确定，本实施例并不做具体限定。例如，框架结构在第二电极层30表面的垂直投影为环形，第二凹槽在第二电极层30表面的垂直投影为环形，则第一区域A和第二区域B在第二电极层30的垂直投影均为环形，第一凹槽401在第二电极层30表面的垂直投影为第一区域A和第二区域B的投影形状的组合形状。牺牲层40可以对第二电极层30起到保护作用，避免后续工艺损坏第二电极层30。
S130、在牺牲层远离第二电极层的一侧形成框架层，框架层覆盖牺牲层以及第一凹槽。
图3是本发明实施例提供的一种形成框架层后的谐振器结构示意图，参考图3，框架层50设置于牺牲层40表面，框架层50的材料可以与第二电极层30的材料相同。框架层50的厚度可以根据需要形成的框架结构的高度确定。
S140、去除牺牲层表面的框架层、位于第一区域的框架层以及位于第一区域的部分第二电极层，以在第二区域形成位于第二电极层上的框架结构，以及在第一区域形成位于第二电极层上的第二凹槽；其中，第二凹槽的深度小于第二电极层的厚度。
图4是本发明实施例提供的一种形成框架结构后的谐振器结构示意图，参考图4，第二区域的框架层50和其下方的部分第二电极层30组成框架结构61，框架结构61的总高度等于第二凹槽62的深度与框架层50的厚度和。框架结构61用于将指向谐振器的外部的水平弹性波朝向框架结构的内部反射，从而防止弹性波的能量损耗。第二凹槽62用于抑制杂散的、不需要的振动。
具体的，可以在框架层50表面设置光刻胶层，通过光刻工艺图案化光刻胶层，然后对牺牲层40表面的框架层50、第二区域的框架层50和第二电极层30进行刻蚀，去除牺牲层40表面的框架层50、第二区域的框架层50和第二电极层30，即采用传统的刻蚀工艺形成框架结构61和第二凹槽62。传统的刻蚀工艺中光刻胶层的厚度无需太厚，且框架层50在光刻胶层形成之前形成，成膜工艺不会影响光刻胶层的性能，因此光刻胶层较易去除，不易残留。并且传统的刻蚀工艺的工艺精度较高，可以更好的控制框架结构61和第二凹槽62的形状和尺寸，保证谐振器具有较高的尺寸精度。此外由于牺牲层40覆盖除第一凹槽之外的所有区域的第二电极层30，在对框架层50进行刻蚀时不会损伤第二电极层30。
S150、去除牺牲层。
图5是本发明实施例提供的一种谐振器结构示意图，参考图4和图5，可以采用湿法刻蚀等工艺去除牺牲层。牺牲层40与第二电极层30采用不同的材料，在对牺牲层40进行刻蚀时，基本不会损伤第二电极层。
本实施例提供的谐振器的制作方法，首先在第二电极层远离压电层的一侧形成牺牲层，牺牲层包括第一凹槽，第一凹槽包括第一区域和第二区域，并在牺牲层远离第二电极层的一侧形成框架层，框架层覆盖牺牲层以及第一凹槽，然后去除牺牲层表面的框架层、位于第一区域的框架层以及位于所述第一区域的部分第二电极层，从而在第二区域形成位于第二电极层上的框架结构，以及在第一区域形成位于第二电极层上的第二凹槽。牺牲层对第二电极层起到保护，可以避免后续工艺损伤第二电极层，且通过在牺牲层设置第一凹槽，第一凹槽对应框架结构和第二凹槽所在的区域，并在牺牲层表面设置框架层，采用传统的刻蚀技术即可形成框架结构和第二凹槽，去胶容易，框架结构和第二凹槽的形貌也容易控制，在保证谐振器的结构精度的同时，避免了光刻胶残留，提升了谐振器性能。
图6是本发明实施例提供的一种形成第一光刻胶层的示意图，图7是本发明实施例提供的形成牺牲层的示意图，可选的，参考图6和图7，在第二电极层30远离压电层20的一侧形成牺牲层40，包括：
在第二电极层30远离压电层20的一侧形成牺牲材料层41；
在牺牲材料层41表面形成第一光刻胶层42；
采用第一掩膜版71图案化第一光刻胶层42，在第一光刻胶层42形成第三凹槽411；
通过第三凹槽411刻蚀牺牲材料层41形成第一凹槽401；
去除第一光刻胶层42。
具体的，可以采用沉积工艺在第二电极层30表面形成牺牲材料层41，牺牲材料层41的均匀性要求小于5％。第一光刻胶层42可以采用正性光刻胶，通过第一掩膜版71对第一光刻胶层42进行图案化曝光，显影后形成第三凹槽411，采用刻蚀液通过第三凹槽411对牺牲材料层41进行刻蚀，形成第一凹槽401。本实施例采用传统的光刻工艺在牺牲材料层41形成第一凹槽401，光刻胶容易去除，去胶工艺对第二电极层30损伤较小，对第二电极层30的损伤小于100A,对牺牲层40的损伤小于200A，保证谐振器具有较优的性能。
图8是本发明实施例提供的一种对第二光刻胶层进行曝光的示意图，图9是本发明实施例提供的显影后第二光刻胶层的示意图，图10是本发明实施例提供的一种框架层和第二电极层刻蚀后的示意图，可选的，参考图8-图10，去除牺牲层40表面的框架层50、位于第一区域A的框架层50以及位于第一区域A的部分第二电极层30，以在第二区域B形成位于第二电极层30上的框架结构，以及在第一区域A形成位于第二电极层30上的第二凹槽，包括：
在框架层50远离牺牲层40的表面形成第二光刻胶层51；
采用第二掩膜版72图案化第二光刻胶层51，去除覆盖于牺牲层40表面的框架层50表面的第二光刻胶层51以及位于第一区域A的第二光刻胶层51；
刻蚀框架层50，去除牺牲层40表面的框架层50以及位于第一区域A的框架层50；
继续刻蚀第一区域A的第二电极层30形成位于第二电极层30上的框架结构61和第二凹槽62；其中，第二电极层30的刻蚀深度小于第二电极层30的厚度；
去除第二光刻胶层51。
其中，第二光刻胶层51可以采用负性光刻胶，采用第二掩膜版72对第二光刻胶层51进行曝光，并通过显影去除框架层50表面和第一区域A的第二光刻胶层51，采用刻蚀工艺刻蚀裸露出的框架层50，然后刻蚀第一区域A的第二电极层30，第二电极层30的刻蚀深度小于第二电极层30的厚度，刻蚀完成后采用去胶工艺去除第二光刻胶层51。本实施例采用传统的光刻工艺对框架层50和第二电极层30进行图形化，形成框架结构61和第二凹槽62，光刻胶容易去除，去胶工艺对第二电极层30损伤较小，且传统的刻蚀工艺的工艺精度较高，可以更好的控制框架结构61和第二凹槽62的形状和尺寸，保证谐振器具有较高的尺寸精度，保证谐振器具有较优的性能。
可选的，继续参考图7和图9，第三凹槽411在牺牲层40的垂直投影与第二区域B重合。
具体的，第三凹槽411在牺牲层40的垂直投影与第二区域B重合，则第三凹槽411横截面的尺寸小于第一凹槽401的横截面的尺寸，在通过第三凹槽411刻蚀牺牲材料层形成牺牲层40时，可以通过调整刻蚀时间使形成的第一凹槽401满足尺寸要求。
通过设置第三凹槽411在牺牲层40的垂直投影与第二区域B重合，则第一光刻胶层图形化时需要去除的区域的形状与第二光刻胶层图像化时需要保留的区域的形状相同，且通过设置第一光刻胶层和第二光刻胶层采用的光刻胶的类型不同，使得在图案化第一光刻胶层和第二光刻胶层时可以采用相同的掩膜版，即第一掩膜版和第二掩膜版为同一掩膜版，降低了工艺成本。
可选的，步骤120和步骤140采用的光刻胶极性相反；步骤120和步骤140中采用的掩膜版为同一掩膜版。
具体的，步骤120和步骤140采用的光刻胶极性相反即：第一光刻胶层采用正性光刻胶，第二光刻胶层采用负性光刻胶，或者，第一光刻胶层采用负性光刻胶，第二光刻胶层采用正性光刻胶。步骤120和步骤140中采用的掩膜版为同一掩膜版即第一掩膜版和第二掩膜版为同一掩膜版，第一掩膜版和第二掩膜版采用同一掩膜版降低了工艺成本。
可选的，框架层和第二电极层采用的材料相同；
继续刻蚀第一区域的第二电极层形成位于第二电极层上的框架结构和第二凹槽，包括：
采用刻蚀框架层的刻蚀液继续刻蚀第一区域的第二电极层形成位于第二电极层上的框架结构和第二凹槽。
具体的，框架层和第二电极层采用相同的材料，则可以采用相同的刻蚀液在同一工艺中刻蚀第二电极层和框架层，形成框架结构和第二凹槽，降低工艺成本，减少工艺时间。
可选的，牺牲层的刻蚀速率与框架层的刻蚀速率的比值小于十分之一。
具体的，由于牺牲层位于第二电极层表面，若牺牲层的刻蚀速率过大容易过刻蚀，从而损伤第二电极层，框架层的大部分位于牺牲层表面，且与第二电极层接触的框架层刻蚀后还要继续刻蚀第二电极层，因此框架层的刻蚀不会损伤第二电极层，通过设置牺牲层的刻蚀速率与框架层的刻蚀速率的比值小于十分之一，在保证框架层具有较高的刻蚀速率，减少工艺时间的同时，避免了牺牲层的刻蚀损伤第二电极层。
可选的，牺牲层的材料包括二氧化硅；
去除牺牲层，包括：采用氢氟酸溶液或缓冲氧化物刻蚀液刻蚀去除牺牲层。
具体的，牺牲层的材料可以为掺磷的二氧化硅或不掺磷的二氧化硅。氢氟酸溶液和缓冲氧化物刻蚀液对二氧化硅的刻蚀速率较快，可以较快的去除牺牲层，减少工艺时间，降低工艺成本。
可选的，继续参考图9和图10，第一凹槽401包括两个第一区域A，两个第一区域A分别位于第二区域B的两侧。
这样设置，可以对应形成两个第二凹槽61，两个第二凹槽62分别位于框架结构61两侧，如此可以更好的抑制杂散的、不需要的振动，进一步提升谐振器性能。
可选的，牺牲层的厚度为1000-4000A。
具体的，牺牲层的厚度太薄成膜工艺难度较大，且容易被后续工艺损伤后，无法对第二电极层起到较好保护作用，牺牲层的厚度太厚容易造成材料的浪费，增大材料成本，且在去除牺牲层时需要的刻蚀时间过长，容易损伤第二电极层。通过设置牺牲层的厚度为1000-4000A，在降低工艺难度、对第二电极层起到较好的保护作用的同时，可以降低材料成本，避免牺牲层的去除工艺损伤第二电极层。
发明人通过实验发现，采用上述厚度范围，牺牲层去除时，采用氢氟酸溶液或缓冲氧化物刻蚀液，控制过腐蚀量1-3um，可以将对第二电极层的损伤降到小于100A。
可选的，框架层的厚度为500-2000A。
具体的，框架层的具体厚度可以根据框架结构的高度以及第二凹槽的深度确定。例如框架层的厚度可以为1000A或1500A等。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种谐振器的制作方法，其特征在于，包括：
步骤a：依次形成第一电极层、压电层和第二电极层；
步骤b：在所述第二电极层远离所述压电层的一侧形成牺牲层；其中，所述牺牲层包括第一凹槽，所述第一凹槽的深度等于所述牺牲层的厚度，所述第一凹槽包括第一区域和第二区域，沿与所述第一凹槽的延伸方向垂直的方向，所述第一区域和所述第二区域并排排列；
步骤c：在所述牺牲层远离所述第二电极层的一侧形成框架层，所述框架层覆盖所述牺牲层以及所述第一凹槽；
步骤d：去除所述牺牲层表面的框架层、位于所述第一区域的框架层以及位于所述第一区域的部分第二电极层，以在所述第二区域形成位于所述第二电极层上的框架结构，以及在所述第一区域形成位于所述第二电极层上的第二凹槽；其中，所述第二凹槽的深度小于所述第二电极层的厚度；
步骤e：去除所述牺牲层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二电极层远离所述压电层的一侧形成牺牲层，包括：
在所述第二电极层远离所述压电层的一侧形成牺牲材料层；
在所述牺牲材料层表面形成第一光刻胶层；
采用第一掩膜版图案化所述第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层形成第三凹槽；
通过所述第三凹槽刻蚀所述牺牲材料层形成所述第一凹槽；
去除所述第一光刻胶层。
3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，去除所述牺牲层表面的框架层、位于所述第一区域的框架层以及位于所述第一区域的部分第二电极层，以在所述第二区域形成位于所述第二电极层上的框架结构，以及在所述第一区域形成位于所述第二电极层上的第二凹槽，包括：
在所述框架层远离所述牺牲层的表面形成第二光刻胶层；
采用第二掩膜版图案化所述第二光刻胶层，去除覆盖于所述牺牲层表面的框架层表面的第二光刻胶层以及位于所述第一区域的第二光刻胶层；
刻蚀所述框架层，去除所述牺牲层表面的框架层以及位于所述第一区域的框架层；
继续刻蚀所述第一区域的第二电极层形成位于所述第二电极层上的框架结构和第二凹槽；其中，所述第二电极层的刻蚀深度小于所述第二电极层的厚度；
去除所述第二光刻胶层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述第三凹槽在所述牺牲层的垂直投影与所述第二区域重合。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
步骤b与步骤d中的采用的光刻胶极性相反；步骤b与步骤d中采用的掩膜版为同一掩膜版。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述框架层和所述第二电极层采用的材料相同；
继续刻蚀所述第一区域的第二电极层形成位于所述第二电极层上的框架结构和第二凹槽，包括：
采用刻蚀所述框架层的刻蚀液继续刻蚀所述第一区域的第二电极层形成位于所述第二电极层上的框架结构和第二凹槽。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：
所述牺牲层的刻蚀速率与所述框架层的刻蚀速率的比值小于十分之一。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述第一凹槽包括两个第一区域，两个所述第一区域分别位于所述第二区域的两侧。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述牺牲层的厚度为1000-4000A。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述框架层的厚度为500-2000A。
CN202110235858.6A 2021-03-03 2021-03-03 一种谐振器的制作方法 Active CN112953388B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110235858.6A CN112953388B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种谐振器的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110235858.6A CN112953388B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种谐振器的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112953388A CN112953388A (zh) 2021-06-11
CN112953388B true CN112953388B (zh) 2023-08-18

Family

ID=76247415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110235858.6A Active CN112953388B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种谐振器的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112953388B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1921302A (zh) * 2005-08-24 2007-02-28 京瓷株式会社 表面声波装置及其制造方法
CN103873010A (zh) * 2014-03-17 2014-06-18 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN107592091A (zh) * 2016-07-07 2018-01-16 三星电机株式会社 体声波滤波器装置及其制造方法
CN107733392A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 三星电机株式会社 体声波滤波器装置及其制造方法
CN110266285A (zh) * 2019-05-31 2019-09-20 武汉大学 一种微机械谐振器、其制备及频率微调校正方法
CN110635776A (zh) * 2019-09-10 2019-12-31 北京汉天下微电子有限公司 谐振器及其制造方法
CN112039490A (zh) * 2020-03-31 2020-12-04 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法
CN112117987A (zh) * 2019-12-31 2020-12-22 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 谐振器及其形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101862514B1 (ko) * 2017-05-18 2018-05-29 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기
US10700660B2 (en) * 2017-10-25 2020-06-30 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Bulk acoustic wave resonator
US11817839B2 (en) * 2019-03-28 2023-11-14 Global Communication Semiconductors, Llc Single-crystal bulk acoustic wave resonator and method of making thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1921302A (zh) * 2005-08-24 2007-02-28 京瓷株式会社 表面声波装置及其制造方法
CN103873010A (zh) * 2014-03-17 2014-06-18 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN107592091A (zh) * 2016-07-07 2018-01-16 三星电机株式会社 体声波滤波器装置及其制造方法
CN107733392A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 三星电机株式会社 体声波滤波器装置及其制造方法
CN110266285A (zh) * 2019-05-31 2019-09-20 武汉大学 一种微机械谐振器、其制备及频率微调校正方法
CN110635776A (zh) * 2019-09-10 2019-12-31 北京汉天下微电子有限公司 谐振器及其制造方法
CN112117987A (zh) * 2019-12-31 2020-12-22 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 谐振器及其形成方法
CN112039490A (zh) * 2020-03-31 2020-12-04 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种薄膜压电声波滤波器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112953388A (zh) 2021-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8575820B2 (en) Stacked bulk acoustic resonator
US8415858B2 (en) Piezoelectric vibrating pieces and devices, and methods for manufacturing same
US8773005B2 (en) Quartz-crystal devices exhibiting reduced electrical impedance
JP2003017964A (ja) 弾性波素子の製造方法
US10879450B1 (en) Method of fabricating a semiconductor device
JP4665282B2 (ja) Ａｔカット水晶振動子
WO2022088993A1 (zh) 半导体器件及其形成方法
JP2003273679A (ja) 圧電振動片の製造方法、フォトマスク、圧電振動片および圧電デバイス
JP3543772B2 (ja) 圧電振動片の製造方法
CN112953388B (zh) 一种谐振器的制作方法
JP3915640B2 (ja) 水晶ｚ板のエッチング方法及びその方法によって成形された水晶ウェハ
JP4197001B2 (ja) 圧電振動片の製造方法
JP4600140B2 (ja) 圧電振動片の製造方法
KR20050079691A (ko) 표면 탄성파 소자의 제조방법
JP7111406B2 (ja) 薄膜バルク音響波共振器の作製方法
US7124485B2 (en) Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator
JP2008187322A (ja) メサ型圧電振動素子の製造方法
US20240204749A1 (en) Surface acoustic wave resonator device and method for manufacturing the same and filter
JP3489343B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230020694A1 (en) Method for manufacturing vibrator device
JP4389440B2 (ja) 転写マスク及びその作製方法
US20240107887A1 (en) Method For Manufacturing Device
JP3734127B2 (ja) 圧電振動子及び圧電発振器とこれに用いる圧電振動素子の製造方法
JP2010010955A (ja) 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子
KR100633281B1 (ko) 수정 진동자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant