JP2010171680A

JP2010171680A - 弾性表面波装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2010171680A
Application number: JP2009011676A
Authority: JP
Inventors: Shuhei Shinchi; 修平新池
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-01-22
Filing date: 2009-01-22
Publication date: 2010-08-05
Anticipated expiration: 2029-01-22
Also published as: JP5176979B2

Abstract

【課題】安定した周波数特性を有し、容易に製造できる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性表面波装置１００は、第１の面１２を有する基板１０と、第１の面１２に樹脂層２０を介して設けられたインダクタ素子３０と、インダクタ素子３０と電気的に接続された弾性表面波素子５０と、基板１０、インダクタ素子３０、および弾性表面波素子５０を収納するパッケージ６０と、を含み、基板１０は、第１の面１２に形成された第１配線４０を有し、第１配線４０は、平面的に見て、樹脂層２０の周囲を囲み、基板１０は、第１の面１２がパッケージ６０の底面６６と対向して収納され、パッケージ６０は、当該パッケージ６０の底面６６であって、第１配線４０と対向する領域に設けられた第２配線７０を有し、第１配線４０と第２配線７０とは、接合して配置され、樹脂層２０を気密封止する空間８２を形成している。
【選択図】図２

Description

本発明は、弾性表面波装置およびその製造方法に関する。

近年、情報通信技術、ネットワーク技術の急激な発達に伴う通信の高速化に対応するために、通信機器に使用する発振器の高周波化および高安定性が要求されている。高周波化に適した発信器として、弾性表面波装置が広く利用されている。弾性表面波装置は、圧電体の表面に沿って伝搬する弾性表面波を利用した弾性表面波素子を備える装置である。弾性表面波素子は、例えば、インダクタ素子に用いられる樹脂等から製造工程において発生するガスによって共振周波数が変動し、安定した周波数特性を得ることができない場合がある。

例えば、特許文献１には、素子を収納するセラミックパッケージを、弾性表面波素子を気密に収納する第１キャビティと、他の電子部品を収納する第２キャビティとに分離することで、弾性表面波素子を周波数特性に影響を及ぼすガス等から保護する方法が提案されている。

特表２００５−５０９３１５号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示された方法は、セラミックパッケージを精密に設計及び加工する必要があり、製造工程が複雑化する場合がある。

本発明の目的の一つは、安定した周波数特性を有し、容易に製造できる弾性表面波装置を提供することにある。

本発明に係る弾性表面波装置は、
第１の面を有する基板と、
前記第１の面に樹脂層を介して設けられたインダクタ素子と、
前記インダクタ素子と電気的に接続された弾性表面波素子と、
前記基板、前記インダクタ素子、および前記弾性表面波素子を収納するパッケージと、を含み、
前記基板は、前記第１の面に形成された第１配線を有し、
前記第１配線は、平面的に見て、前記樹脂層の周囲を囲み、
前記基板は、前記第１の面が前記パッケージの底面と対向して収納され、
前記パッケージは、当該パッケージの前記底面であって、前記第１配線と対向する領域に設けられた第２配線を有し、
前記第１配線と前記第２配線とは、接合して配置され、前記樹脂層を気密封止する空間を形成している。

本発明によれば、安定した周波数特性を有し、容易に製造することができる弾性表面波装置を提供することができる。

なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材とＢ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ａ部材とＢ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。

本発明に係る弾性表面波装置において、
前記樹脂層は、当該樹脂層の外縁部に突起部を有し、
前記第１配線は、前記突起部を覆っていることができる。

本発明に係る弾性表面波装置において
前記第１配線は、少なくとも前記樹脂層の側面を覆うことができる。

本発明に係る弾性表面波装置において、
前記基板は、前記第１の面と対向する第２の面を有し、
前記弾性表面波素子は、前記第２の面に固定されていることができる。

本発明に係る弾性表面波装置において、
前記弾性表面波素子と前記インダクタ素子とは、前記基板に設けられた貫通電極を介して、電気的に接続されていることができる。

本発明に係る弾性表面波装置において、
前記樹脂層を気密封止する空間は、前記弾性表面波装置の設けられた空間と分離されていることができる。

本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、
基板の第１の面に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上方にインダクタ素子を形成する工程と、
前記第１の面に、平面的に見て、前記樹脂層の周囲を囲む第１配線を形成する工程と、
前記インダクタ素子と電気的に接続する弾性表面波素子を設ける工程と、
前記基板、前記インダクタ素子、および前記弾性表面波素子を収納するパッケージを製造する工程と、
前記パッケージの底面であって、前記第１配線と対向する領域に第２配線を形成する工程と、
前記パッケージに、前記基板、前記インダクタ素子、および前記弾性表面波素子を収納する工程と、を含み、
前記パッケージに収納する工程は、
前記第１配線と前記第２配線とを接合して、前記樹脂層を気密封止する空間を形成する工程を有する。

本発明に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、安定した周波数特性を有する弾性表面波装置を容易に製造することができる。

本発明に係る弾性表面波装置の製造方法において、
前記第１配線を形成する工程は、
前記樹脂層の外縁部に突起部を形成する工程と、
前記突起部を第１配線で覆う工程と、
を有することができる。

本実施形態に係る弾性表面波装置を模式的に示す斜視図。本実施形態に係る弾性表面波装置を模式的に示す断面図。本実施形態に係る弾性表面波装置の基板の第１の面側を模式的に示す斜視図。本実施形態に係る弾性表面波装置の弾性表面波素子を模式的に示す平面図。本実施形態に係る弾性表面波装置の弾性表面波素子を模式的に示す断面図。本実施形態に係る弾性表面波装置の製造工程を模式的に示す断面図。本実施形態に係る弾性表面波装置の第１の変形例を模式的に示す断面図。本実施形態に係る弾性表面波装置の第２の変形例を模式的に示す断面図。本実施形態に係る弾性表面波装置の第３の変形例を模式的に示す断面図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

１．弾性表面波装置
まず、本実施形態に係る弾性表面波装置１００について説明する。

図１は、弾性表面波装置１００を模式的に示す斜視図である。図２は、図１のII−II線断面図である。なお、図２では、便宜上、弾性表面波素子５０を簡略化している。

弾性表面波装置１００は、図１および図２に示すように、第１の面１２を有する基板１０と、第１の面１２に樹脂層２０を介して設けられたインダクタ素子３０と、インダクタ素子３０と電気的に接続された弾性表面波素子（以下ＳＡＷ素子ともいう）５０と、基板１０、インダクタ素子３０、および弾性表面波素子５０を収納するパッケージ６０と、を含む。

基板１０は、例えば、シリコン基板である。基板１０は、図２に示すように、第１の面１２と、第２の面１４とを有する。第１の面１２と第２の面１４は、対向する面である。基板１０は、基板１０の厚み方向に貫通する貫通電極１７を有することができる。貫通電極１７は、基板１０および樹脂層２０を貫通していてもよい。貫通電極１７は、絶縁膜１８によって、基板１０と絶縁されていてもよい。貫通電極１７は、インダクタ素子３０とＳＡＷ素子５０とを電気的に接続することができる。貫通電極１７は、第２の面１４の外周部付近でワイヤ５８と電気的に接続されることが望ましい。これにより、貫通電極１７とＳＡＷ素子５０とをワイヤボンディングにより接続する際に生じる基板１０への応力の影響を軽減することができる。基板１０は、第１の面１２がパッケージ６０の底面６６と対向するように収納されている。基板１０の第１の面１２には、集積回路１６が形成されていてもよい。集積回路１６は、発振回路を有していてもよい。集積回路１６は、配線（図示しない）によって、インダクタ素子３０と電気的に接続されていてもよい。

樹脂層２０は、基板１０の第１の面１２に形成されている。樹脂層２０としては、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）、フェノール樹脂等の樹脂を用いることができる。樹脂層２０は、外縁部に突起部２２を有していてもよい。突起部２２は、図示の例では、第１配線４０で覆われている。樹脂層２０は、パッシベーション膜１９を介して、第１の面１２上に設けられていてもよい。パッシベーション膜１９としては、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等の無機絶縁膜、ポリイミド樹脂などの有機絶縁膜を用いることができる。

図３は、基板１０の第１の面１２側を模式的に示す斜視図である。図３では、便宜上、保護膜３４を省略している。インダクタ素子３０は、基板１０の第１の面１２に、樹脂層２０を介して形成されている。インダクタ素子３０は、インダクタ配線３２から構成されている。インダクタ配線３２は、図３に示すように、スパイラル状に形成されていることができる。インダクタ配線３２の一方の端部は、貫通電極１７に電気的に接続されていることができる。インダクタ配線３２の他方の端部は、第１配線４０に電気的に接続されていることができる。インダクタ配線３２の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、チタン、タングステンなどの金属を用いることができる。インダクタ配線３２は、図２に示すように、保護膜３４で覆われていてもよい。保護膜３４としては、例えば、レジスト等を用いることができる。これにより、インダクタ配線３２に、不純物が付着することを防ぐことができる。

第１配線４０は、基板１０の第１の面１２に形成されている。第１配線４０は、図３に示すように、平面的に見て、樹脂層２０の周囲を囲むように設けられている。図示の例では、第１配線４０は、樹脂層２０の突起部２２を覆っている。第１配線４０としては、例えば、銅、金、スズ等を用いることができる。第１配線４０は、単層であっても、複数層であってもよい。第１配線４０と第２配線７０とは、接合して配置され、樹脂層２０を気密封止する空間（第１空間）８２を形成している。第１配線４０は、樹脂層２０の周囲を囲むように設けられているため、第１配線４０と第２配線７０とが接合することにより、第１空間８２を形成することができる。したがって、弾性表面波装置１００では、樹脂層２０を封止する第１空間８２と、ＳＡＷ素子５０が実装された第２空間８４とを分離することができる。第１空間８２は、図示の例では、基板１０の第１の面１２、第１配線４０、第２配線７０、およびパッケージ６０の底面６６によって区画される。なお、図示はしないが、第１配線４０は、平面的に見て、複数の切れ目によって複数の部分に電気的に分離されていてもよい。複数の切れ目は、接着剤等で埋め込まれることで、第１空間８２を気密封止することができる。

図４は、ＳＡＷ素子５０を模式的に示す平面図である。図５は、図４のV−V線断面図である。ＳＡＷ素子５０は、圧電基板５２と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５４とを有する。圧電基板５２としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料を用いることができる。ＩＤＴ電極５４は、圧電基板５２上に形成されている。ＩＤＴ電極５４は、図４に示すように、櫛歯状に形成された電極５４ａ，５４ｂが交互に間挿されるように構成されていてもよい。ＩＤＴ電極５４の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、チタン、タングステンなどの金属を用いることができる。ＩＤＴ電極５４の両側には、反射器（図示しない）が設けられていてもよい。反射器は、ＩＤＴ電極５４から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有することができる。

ＳＡＷ素子５０は、図２の例では、基板１０の第２の面１４に固定されている。ＳＡＷ素子５０は、接着剤５６によって第２の面１４に、両持ち状に固定されることができる。ＳＡＷ素子５０は、パッケージ６０の実装空間８０の第２空間８４に設けられている。ＳＡＷ素子５０は、基板１０と重なってパッケージ６０に実装されていることができる。これにより、弾性表面波装置１００の小型化を図ることができる。ＳＡＷ素子５０は、ワイヤ５８によって、貫通電極１７および第３配線７２と電気的に接続されていることができる。

パッケージ６０は、基板１０、インダクタ素子３０、およびＳＡＷ素子５０を収納する。図示はしないが、その他の素子を収納してもよい。パッケージ６０の外観は、例えば、図１に示すように、直方体である。パッケージ６０は、ベース６２と、封止板６４とで構成されている。ベース６２は、素子を収納するための実装空間８０を有する。実装空間８０は、第１空間８２と第２空間８４とで構成されていることができる。第１空間８２には、樹脂層２０およびインダクタ素子３０が収納されていることができる。第２空間８４には、ＳＡＷ素子５０が収納されていることができる。実装空間８０は、封止板６４によって、封止されている。これにより、実装空間８０は、外部からの気体の侵入を防ぐことができる。実装空間８０は、真空であっても、不活性ガスが充填されていてもよい。ベース６２は、例えば、アルミナ等のセラミック材料を用いることができる。封止板６４としては、例えば、ガラス板を用いることができる。パッケージ６０は、第２配線７０と、第３配線７２とを有することができる。

第２配線７０は、パッケージ６０の底面６６であって、基板１０の第１配線４０と対向する領域に設けられている。第２配線７０の上面は、第１配線４０と接合していることができる。第２配線７０の平面形状は、第１配線４０の平面形状と同様の形状であってもよい。第１配線４０と第２配線７０とが接合している領域は、平面的に見て、樹脂層２０の周囲を囲っていることができる。第２配線７０は、図示の例では、インダクタ素子３０と第３配線７２とを電気的に接続している。第３配線７２は、パッケージ６０の底面６６、ベース６２の内壁および外壁に形成されていることができる。第３配線７２は、収納空間８０に収納された素子３０，５０と、外部装置（図示しない）とを電気的に接続する配線であってもよい。また、第３配線７２は、第２配線７０および収納空間８０に収納された素子とを電気的に接続する配線であってもよい。第３配線７２は、複数形成されてもよい。第２配線７０及び第３配線７２としては、例えば、銅、金、スズ等を用いることができる。

弾性表面波装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。

本実施形態に係る弾性表面波装置１００では、第１配線４０と第２配線７０とが接合して、樹脂層２０を気密封止する第１空間８２を形成することができる。したがって、弾性表面波装置１００の製造工程および動作時に樹脂層２０から発生するガスを閉じこめることができる。これにより、ＳＡＷ素子５０のガスによる周波数特性の変動を抑制し、安定した周波数特性を有する弾性表面波装置を提供することができる。また、パッケージを区画することによって、樹脂層２０とＳＡＷ素子５０とを分離する場合と比較して、製造工程の簡略化が可能となり、容易に製造することができる。したがって、本実施例によれば、安定した周波数特性を有し、容易に製造できる弾性表面波装置を提供することができる。

２．弾性表面波装置の製造方法
次に、本実施形態に係る弾性表面波装置１００の製造方法について、説明する。

図６は、本実施形態に係る弾性表面波装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、便宜上、ＳＡＷ素子５０は簡略化している。

図６に示すように、基板１０の第１の面１２に樹脂層２０を形成する。樹脂層２０には、突起部２２および貫通電極１７を設けるための貫通穴を形成する。樹脂層２０は、例えば、樹脂材料（図示しない）を所望の形状にパターニングし、熱処理によって硬化させることにより形成することができる。

次に、樹脂層２０上にインダクタ素子３０を形成する。インダクタ素子３０は、例えば、スパッタ法、めっき法等でインダクタ配線３２を形成することで製造できる。インダクタ配線３２は、貫通電極１７と電気的に接続する。

第１の面１２に、樹脂層２０の周囲を囲む第１配線４０を形成する。第１配線４０は、例えば、インダクタ配線３２と同様の方法で形成することができる。なお、インダクタ配線３２と、第１配線４０とを、同一の工程で形成してもよい。

ＳＡＷ素子５０を製造する。図４および図５に示すように、ＳＡＷ素子５０は、圧電基板５２上にＩＤＴ電極５４を形成することで製造することができる。具体的には、ＩＤＴ電極５４は、例えば、圧電基板５２の表面に、導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した後に、フォトリソグラフィ等により形成される。次に、ＳＡＷ素子５０を第２の面１４に固定する。ＳＡＷ素子５０は、例えば、接着剤５６により固定することができる。次に、ＳＡＷ素子５０をワイヤボンディングにより、貫通電極１７と電気的に接続する。

図２に示すように、パッケージ６０を形成する。ベース６２は、例えば、セラミックグリーンシートを成形して形成される。次に、パッケージ６０に第２配線７０および第３配線７２を形成する。

次に、基板１０、インダクタ素子３０、およびＳＡＷ素子５０をパッケージ６０に収納する。具体的には、まず、基板１０の第１配線４０と第２配線７０とを接合する。これにより、樹脂層２０を気密封止する第１空間８２を形成することができる。接合は、例えば、シーム溶接、電子ビーム、レーザー溶接、超音波接合を用いることができる。次に、ＳＡＷ素子５０と第３配線７２とをワイヤボンディングで電気的に接続する。

次に、封止板６４を、ベース６２に接合する。封止板６４は、例えば、低融点ガラスなどからなる接合材（図示しない）によりベース６２に接合される。これにより、パッケージ６０の実装空間８０を、気密封止することができる。パッケージ６０の実装空間８０を気密封止した後に、セラミックパッケージ６０及びＳＡＷ素子５０を固定するための接着剤等を脱ガスするための高温処理工程を有してもよい。

以上の工程により、弾性表面波装置１００を製造することができる。

弾性表面波装置１００の製造方法によれば、第１配線４０と第２配線７０とが接合して、樹脂層２０を気密封止する第１空間８２を形成する工程を有することができる。これにより、例えば、高温処理工程によって、樹脂層２０から発生するガスがＳＡＷ素子５０に与える影響を軽減することができる。したがって、本実施形態に係る製造方法によれば、安定した周波数特性を有する弾性表面波装置を製造することができる。また、本実施形態に係る製造方法によれば、パッケージによって、樹脂層２０とＳＡＷ素子５０とを分離する場合と比較して、製造工程の簡略化が可能となり、容易に製造することができる。

３．変形例
次に本実施形態に係る弾性表面波装置の変形例について説明する。なお、上述した弾性表面波装置１００の例と異なる点について説明し、本実施形態に係る弾性表面波装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、同様の点については説明を省略する。

（１）まず、第１の変形例について説明する。

図７は、本変形例に係る弾性表面波装置２００を模式的に示す断面図である。図７に示す断面図は、図２に対応している。

弾性表面波装置１００の例では、第１配線４０が、樹脂層２０の突起部２２を覆っている場合について説明した。これに対し本変形例では、第１配線４０が基板１０の第１の面１２上に、少なくとも樹脂層２０の側面を覆うように形成されていることができる。すなわち、本変形例では、第１配線４０は、樹脂層２０の突起部２２を覆わないで形成することができる。第１配線４０は、図示の例では、パッシベーション膜１９上に形成されている。第１空間８２は、第１の面１２、パッケージ６０の底面６６、第１配線４０および第２配線７０の側壁で区画されていることができる。

本変形例によれば、樹脂層２０に突起部２２を形成しなくてもよいため、製造工程の簡略化を図ることができる。

（２）次に、第２の変形例について説明する。

図８は、本変形例に係る弾性表面波装置３００を模式的に示す断面図である。図８に示す断面図は、図２に対応している。

弾性表面波装置１００の例では、ＳＡＷ素子５０が、基板１０の第２の面１４に両持ち状に固定されている場合について説明した。これに対し本変形例では、ＳＡＷ素子５０が、基板１０の第２の面１４に片持ち状に固定されていることができる。すなわち、ＳＡＷ素子５０のパッケージ６０の底面６６に対する接地面積を減らすことができる。これにより、パッケージ６０に与えられた熱や衝撃といった外力が、ＳＡＷ素子５０に与える影響を低減できるため、ＳＡＷ素子５０の外力による共振周波数の変動を抑制することができる。したがって、本変形例によれば、ＳＡＷ素子５０を両持ち状にした場合と比較して、より安定した周波数特性を有する弾性表面波装置を提供することができる。

（３）次に、第３の変形例について説明する。

図９は、本変形例に係る弾性表面波装置４００を模式的に示す断面図である。図９に示す断面図は、図２に対応している。なお、図９では、第３配線７２の一部を便宜上省略している。

弾性表面波装置１００の例では、ＳＡＷ素子５０が、基板１０の第２の面１４に固定されている場合について説明した。これに対し本変形例では、ＳＡＷ素子５０がパッケージ６０の底面６６に固定されていることができる。ＳＡＷ素子５０は、ワイヤ５８、第３配線７２、および第１配線４０を介して、インダクタ素子３０と電気的に接続されていることができる。すなわち、基板１０及び樹脂２０に貫通電極１７を設けなくてもよい。したがって、本変形例によれば、製造工程を簡略化することができる。

上記のように、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

１０基板、１２第１の面、１４第２の面、１６集積回路、１７貫通電極、１８絶縁膜、１９パッシベーション膜、２０樹脂層、２２突起部、３０インダクタ素子、３２インダクタ配線、３４保護膜、４０第１配線、５０弾性表面波素子、５２圧電基板、５４ＩＤＴ電極、５６接着剤、５８ワイヤ、６０パッケージ、６２ベース、６４封止板、６６底面、７０第２配線、７２第３配線、８０実装空間、８２第１空間、８４第２空間、１００，２００，３００，４００弾性表面波装置

Claims

第１の面を有する基板と、
前記第１の面に樹脂層を介して設けられたインダクタ素子と、
前記インダクタ素子と電気的に接続された弾性表面波素子と、
前記基板、前記インダクタ素子、および前記弾性表面波素子を収納するパッケージと、を含み、
前記基板は、前記第１の面に形成された第１配線を有し、
前記第１配線は、平面的に見て、前記樹脂層の周囲を囲み、
前記基板は、前記第１の面が前記パッケージの底面と対向して収納され、
前記パッケージは、当該パッケージの前記底面であって、前記第１配線と対向する領域に設けられた第２配線を有し、
前記第１配線と前記第２配線とは、接合して配置され、前記樹脂層を気密封止する空間を形成している、弾性表面波装置。
請求項１において、
前記樹脂層は、当該樹脂層の外縁部に突起部を有し、
前記第１配線は、前記突起部を覆っている、弾性表面波装置。
請求項１において、
前記第１配線は、少なくとも前記樹脂層の側面を覆う、弾性表面波装置。
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記基板は、前記第１の面と対向する第２の面を有し、
前記弾性表面波素子は、前記第２の面に固定されている、弾性表面波装置。
請求項４において、
前記弾性表面波素子と前記インダクタ素子とは、前記基板に設けられた貫通電極を介して、電気的に接続されている、弾性表面波装置。
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記樹脂層を気密封止する空間は、前記弾性表面波装置の設けられた空間と分離されている、弾性表面波装置。
基板の第１の面に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の上方にインダクタ素子を形成する工程と、
前記第１の面に、平面的に見て、前記樹脂層の周囲を囲む第１配線を形成する工程と、
前記インダクタ素子と電気的に接続する弾性表面波素子を設ける工程と、
前記基板、前記インダクタ素子、および前記弾性表面波素子を収納するパッケージを製造する工程と、
前記パッケージの底面であって、前記第１配線と対向する領域に第２配線を形成する工程と、
前記パッケージに、前記基板、前記インダクタ素子、および前記弾性表面波素子を収納する工程と、を含み、
前記パッケージに収納する工程は、
前記第１配線と前記第２配線とを接合して、前記樹脂層を気密封止する空間を形成する工程を有する、弾性表面波装置の製造方法。
請求項７において、
前記第１配線を形成する工程は、
前記樹脂層の外縁部に突起部を形成する工程と、
前記突起部を第１配線で覆う工程と、
を有する、弾性表面波装置の製造方法。