WO2004109796A1 - 電子部品装置 - Google Patents

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WO2004109796A1
WO2004109796A1 PCT/JP2004/007175 JP2004007175W WO2004109796A1 WO 2004109796 A1 WO2004109796 A1 WO 2004109796A1 JP 2004007175 W JP2004007175 W JP 2004007175W WO 2004109796 A1 WO2004109796 A1 WO 2004109796A1
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substrate
expansion
component device
annular electrode
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Inventor
Rintaro Takita
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H01L2224/13164—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component device in which a rectangular plate-shaped electronic component element provided with a functional portion on one surface is mounted on a substrate by using a bump, and more specifically, to one side of the rectangular shape.
  • the linear expansion coefficient along the X direction and the linear expansion coefficient along the y direction orthogonal to the X direction in the rectangular plane are different from each other.
  • the present invention relates to an electronic component device in which the electronic component element is mounted on a substrate.
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave device in which a SAW element is mounted on a base plate by bumps. More specifically, a hot land is formed on the surface of the base plate, and a solder bump is provided on the hot land. Further, a frame-shaped ground-side land is formed on the surface of the base plate so as to surround the hot-side land. A solder sealing frame is formed on the frame-shaped ground-side land. On the other hand, an interdigital transducer (IDT), a hot-side pattern, and a ground-side pattern are formed on one surface of the SAW element chip to form a functional unit. The SAW element is fixed to the base plate with a predetermined space so that the surface on which the IDT of the SAW element is formed faces the surface of the base plate. This space is hermetically sealed by the solder sealing frame.
  • IDT interdigital transducer
  • Patent Document 1 JP-A-4-293310
  • the linear expansion coefficient in the X direction along one side of the rectangular plate-shaped SAW element and the linear expansion coefficient in the X direction along the base plate are different. It is different. Further, the linear expansion coefficient in the y direction, which is in the rectangular plane of the SAW element and is orthogonal to the X direction, is different from the linear expansion coefficient of the base plate in the y direction. Therefore, the SAW element Since the linear expansion coefficient in the same direction is different between the element and the base plate, when a thermal shock is applied during a reliability test or during use, a large expansion difference occurs between the SAW element and the base plate. As a result, there is a problem in that distortion or fatigue failure occurs in the sealing portion, resulting in poor sealing, and the thermal shock life required for general electronic component devices cannot be satisfied.
  • An object of the present invention is to provide an electronic component device that satisfies the thermal shock life required for a general electronic component device and has excellent reliability.
  • the present invention provides a rectangular plate having a front surface and a back surface, and a linear expansion coefficient in the X direction along one side of the rectangle, and a linear expansion coefficient in the y direction orthogonal to the X direction in the plane of the rectangle.
  • a linear expansion coefficient is different, and a functional part is formed on the front surface, and an element in which a first annular electrode is formed so as to surround the functional part; and a front surface and a back surface.
  • the first and second annular electrodes and the solder sealing frame each have a band extending in the X direction and a band extending in the y direction, and the element and the substrate are separated by the solder sealing frame.
  • Functional parts formed on the surface of the element are hermetically sealed in the space created between the element and the substrate.
  • the thickness of the solder sealing frame is 18 zm or more.
  • the coefficient of linear expansion of the substrate in the X direction is set in the Ay direction.
  • A is the linear expansion coefficient of the element
  • B is the linear expansion coefficient of the element in the X direction
  • B is the linear expansion coefficient of the element in the y direction.
  • the length of the outer side of the band extending in the x direction of the second annular electrode is dl, and the length of the outer side of the band extending in the y direction is dl. dl (mm / ° C
  • the device is a surface acoustic wave device.
  • the width of the band extending in the direction in which the expansion difference on the larger side of the expansion differences Q and Q occurs is the difference between the expansion differences on the smaller side of the expansion differences Q and Q. Since the width is narrower than the width of the belt-like portion extending in the direction in which the belt is extended, the thermal shock life is increased, and the thermal shock life required for general electronic component devices can be satisfied.
  • the thermal shock life of the electronic component device can be further improved.
  • the expansion difference on the larger side of the expansion differences Q and Q is 2
  • the thermal shock life of the electronic component device becomes longer.
  • FIG. 1 is a perspective view of an electronic component device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the electronic component device shown in FIG.
  • FIG. 3 (a) is a plan view of a package substrate used in the electronic component device shown in FIG. 1, and (b) is a cross-sectional view taken along the AA plane shown in (a). is there.
  • FIG. 4 (a) is a plan view of an element used in the electronic component device shown in FIG. 1, and FIG. 4 (b) is a cross-sectional view taken along a BB plane shown in (a). .
  • FIG. 5 (a) is a plan view of a solder sealing frame used in the electronic component device shown in FIG. 1, and (b) is a cross-sectional view taken along the C-C plane shown in (a). It is sectional drawing.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the thickness of the solder sealing frame and the maximum equivalent strain amplitude.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the expansion difference and the maximum equivalent strain amplitude.
  • FIG. 8 is a view showing a relationship between a bending rigidity ratio and a maximum equivalent strain amplitude.
  • the conventional electronic component device has a problem in that if a thermal shock is applied during a reliability test or during use, distortion or fatigue failure occurs in the sealing portion, resulting in poor sealing. I got it. For example, to determine whether the thermal shock life required for a general electronic component device ((high-temperature side 85 ° C, low-temperature side -55 ° C, each 30 minutes / 1 cycle) X 500 cycles) is satisfied. In addition, if a conventional electronic component device is subjected to a thermal shock test (under the same conditions as the thermal shock life), the sealing portion with a large difference in expansion will break, causing poor sealing, and satisfying the thermal shock life. Did not.
  • the thermal shock life for example, a “Cof fin—Manson” derived between the generated strain and the thermal shock life by forcibly applying an impact so as to generate a strain at the solder ball joint.
  • the maximum equivalent strain amplitude is the magnitude of the amplitude at which the solder expands and contracts during a thermal shock test of an electronic component device. Therefore, it is known that reducing the maximum equivalent strain amplitude can extend the thermal shock life of electronic component devices.
  • This empirical formula is a calculation formula for the fatigue life (thermal shock life) of a solder bump. Since the strain generated in force solder is a general parameter, for example, the thermal shock life of the sealing frame Can also be applied.
  • the maximum equivalent strain amplitude when a thermal shock under the same conditions as the thermal shock life required for general electronic component devices was calculated was 2.2%. In other words, it was found that if the maximum equivalent strain amplitude can be reduced to 2.2% or less, the thermal shock life required for general electronic component devices can be satisfied.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the thickness of the solder and the maximum equivalent strain amplitude. As shown in Fig. 6, it was found that the solder thickness should be 18 / im or more to reduce the maximum equivalent strain amplitude to 2.2% or less.
  • FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the expansion difference and the maximum equivalent strain amplitude. As shown in FIG. 7, the maximum equivalent strain amplitude 2. To below 2%, the expansion difference 2. 2 X 10- 5 mm / ° C or less under the Surebayore, it was found.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the bending stiffness ratio and the maximum equivalent strain amplitude. As shown in Fig. 8, in order to reduce the maximum equivalent strain amplitude to 2.2% or less, it was found that the bending stiffness ratio should be set to 1.2 or less.
  • the present inventor has set the thickness of the solder sealing frame to be 18 zm or more and the expansion difference Q, the expansion difference on the larger side of Q, to make the maximum equivalent strain amplitude 2.2% or less.
  • the thickness of the solder sealing frame is 18 zm or more and the expansion difference Q, the expansion difference on the larger side of Q, to make the maximum equivalent strain amplitude 2.2% or less.
  • the flexural rigidity ratio R It was found that the flexural rigidity ratio on the larger side of R should be 1.2 or less.
  • the width difference of the band extending in the direction in which the expansion difference occurs on the larger side of the expansion differences Q and Q, the expansion difference Q and The present inventor has found that the thermal shock life of the electronic component device can be increased if the width of the belt-shaped portion extending in the direction in which the difference in expansion occurs on the smaller side of Q is narrower.
  • the expansion differences Q, Q are the difference between the expansion coefficient of the substrate and the expansion coefficient of the element.
  • A is the linear expansion coefficient of the substrate in the X direction
  • A is the linear expansion coefficient of the substrate in the y direction
  • B is the linear expansion coefficient of the element in the ⁇ direction
  • B is the linear expansion coefficient of the element in the y direction.
  • the bending stiffness ratios R, R are the ratio between the bending stiffness of the substrate and the bending stiffness of the element.
  • the thickness of the substrate is at, the length of the side extending in the X direction of the substrate is a, the length of the side extending in the y direction of the substrate is a, the Young's modulus of the substrate is Ea, the thickness of the element is bt, and the element thickness is bt.
  • FIG. 1 is a perspective view of an electronic component device 20 according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the electronic component device 20.
  • the element 10 is mounted face down on the package substrate 1.
  • FIG. 3 (a) is a plan view showing a package substrate used in the electronic component device 20, and FIG. 3 (b) is a cross-sectional view taken along a line A—A shown in FIG. It is sectional drawing.
  • the package substrate 1 is a plate-like member, and is made of airtight glass epoxy resin.
  • the length a of the side extending in the X direction of the package substrate 1 is 2. Omm
  • the length a of the side extending in the y direction is 2.
  • the thickness at is 0.25 mm
  • the Young's modulus Ea is 340000 MPa.
  • the linear expansion coefficient A in the X direction and the linear expansion coefficient A in the y direction of the package substrate 1 are both 7 ppmZ ° C.
  • the bonding electrode 2 is connected to an external electrode (not shown) for surface mounting formed on the back surface side via a connection portion in which an electrode material is embedded in a through hole (not shown).
  • the ring electrode 3 is connected to a ground electrode (not shown).
  • the annular electrode 3 is in the shape of a rectangular frame, and has a band extending in the X direction and a band extending in the y direction.
  • the length al of the outer side of the strip extending in the X direction of the annular electrode 3 is 2.Omm, y
  • the length of the outer side of the strip extending in the direction of al is 2. Omm, the width of the strip extending in the x direction aw
  • y x is 0.18 mm
  • width aw of band extending in y direction is 0.20 mm
  • thickness aet is 0.01 m
  • FIG. 5 (a) is a plan view showing the solder sealing frame 4 used in the electronic component device 20,
  • (b) is a cross-sectional view taken along a plane along the line C-C shown in (a).
  • the solder sealing frame 4 has a rectangular frame shape, and has a band extending in the X direction and a band extending in the y direction.
  • the length cl of the outer side of the band extending in the X direction of the solder sealing frame 4 is 2.Omm, and the length cl of the outer side of the band extending in the y direction is 2.Omm, of the band extending in the X direction.
  • Width cw is 0.18mm, y
  • the width cw of the strip extending in the direction is 0.20 mm and the thickness ct is 0.02 mm.
  • the stop frame 4 is formed on the ring electrode 3 of the package substrate 1.
  • a eutectic solder paste is applied on the ring electrode 3 of the package substrate 1 by a printing method, and the eutectic solder paste is washed after reflow soldering to remove the flux residue, thereby forming a solder sealing frame. 4 is formed.
  • the solder sealing frame 4 may be formed by a precoating method such as an SJ method, a plating method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like, other than the printing method.
  • eutectic solder is used as a material of the solder sealing frame 4, but is not limited to eutectic solder as long as it is a fusible metal.
  • FIG. 4A is a plan view showing the element 10 used in the electronic component device 20, and FIG. 4B is a plan view of the element 10 when cut along a plane along the line BB shown in FIG. It is sectional drawing.
  • the element 10 is a surface acoustic wave element having a rectangular plate shape.
  • the length b of the side of the element 10 extending in the X direction is 2.Omm
  • the length b of the side extending in the y direction is 2.Omm
  • the thickness bt is 0.35 mm
  • the Young's modulus Eb is 230,000.
  • the element 10 is provided on the surface of a piezoelectric substrate 11 made of crystal, LiTaO, LiNbO, or the like.
  • the IDT 12 and the input / output electrode 13 are connected to each other.
  • the linear expansion coefficient B of the side extending in the X direction of the element 10 is 16 ppm / ° C
  • the linear expansion coefficient B of the side extending in the y direction is 9 ppm / ° C.
  • the linear expansion coefficient of the side extending in the y direction is different.
  • annular electrode 14 as a first annular electrode is formed so as to surround the IDT 12 and the input / output electrode 13.
  • the ring-shaped electrode 14 has a rectangular frame shape, and has a band extending in the X direction and a band extending in the y direction.
  • the length bl of the outer side of the strip extending in the X direction of the annular electrode 14 is 2.Omm, and the length bl of the outer side of the strip extending in the y direction is 2
  • the width bw of the strip extending in the x direction is 0.18 mm
  • the width b w of the strip extending in the y direction is 0.20 mm
  • the thickness bet is 0.001 mm.
  • the bumps 15 are fixed to the input / output electrodes 13 as shown in FIG. 2 (a).
  • the bump 15 is an Au bump and is formed by a wire bonding method.
  • metal bumps or solder bumps containing Ag, Pd, and Cu as main components can also be used.
  • the wire bonding method it may be formed by a plating method, a solder ball setting method, a printing method, or the like.
  • the height of the bump 15, preferably that it be higher than the height of the formed on the package substrate 1 solder sealing frame 4 to preferred tool 40- about 50 beta m les.
  • the package substrate 1 and the element 10 are formed so that the length of a side extending in the X direction and the length of a side extending in the y direction are substantially the same.
  • the bonding electrode 2 of the package substrate 1 and the input / output electrode 13 of the element 10 are formed at corresponding positions.
  • the annular electrode 3 of the package substrate 1 and the annular electrode 14 of the element 10 are formed at corresponding positions.
  • the ring electrodes 3, 14 are formed of NiZAu.
  • Ni is used to prevent solder erosion, and any metal other than Ni can be used as long as it is a metal that can prevent solder erosion.
  • Au is used to ensure solder wettability. Any metal other than Au can be used as long as it is a metal that can ensure solder wettability.
  • Sn, Pt and Cu are used to ensure solder wettability.
  • FIG. 2 (a) an element 10 provided with an IDT 12, an input / output electrode 13, an annular electrode 14, and a bump 15 is provided, and as shown in FIG. 2 (b), a bonding electrode 2, an annular electrode 3 , And a package substrate 1 on which a solder sealing frame 4 is provided.
  • the package substrate 1 is placed on a support table with the solder sealing frame 4 facing upward, and positioned.
  • the back surface of the element 10 is sucked by a bonding tool, and the element 10 is positioned so that the annular electrode 3 of the package substrate 1 and the annular electrode 14 of the element 10 are vertically opposed.
  • ultrasonic waves are applied and pressure is applied by a bonding tool to bond the bump 15 and the bonding electrode 2 of the package substrate 1.
  • the bump 15 and the bump bonding electrode 2 of the cage substrate 1 are diffusion-bonded, and at the same time, the molten solder sealing frame 4 spreads over the annular electrode 14 of the element 10, and the package substrate 1 and the element 10 The space between them is hermetically sealed.
  • the width cw of the band extending in the X direction of the solder sealing frame 4 and the widths aw and bw of the band extending in the X direction of the annular electrodes 3 and 14 are 0.20 mm. It is. The other
  • the width cw of the band-shaped portion of the solder sealing frame 4 extending in the y-direction and the widths aw and bw of the band-shaped portions of the annular electrodes 3 and 14 extending in the y-direction are 0.18 mm.
  • the expansion difference Q is larger than the expansion difference Q. That is, the solder sealing frame 4 and the annular electrode 3, 14 of width aw of the strip-shaped portions extending in the y-direction, bw and cw, the width of the strip-shaped portion extending in the X direction aw, is narrower than bw and cw x.
  • the thickness ct of the solder sealing frame 4 is 0.02 mm (20 ⁇ ).
  • the maximum equivalent strain amplitude generated in the solder sealing frame 4 can be set to 2.2% or less.
  • the expansion difference Q is larger than the expansion difference Q. Therefore, the differential expansion
  • the bending stiffness ratio R, R1S is about 0.54, and satisfies the condition of 1.2 or less. Therefore, in the electronic component device 20, the maximum equivalent strain amplitude generated in the solder sealing frame 4 can be set to 2.2% or less.
  • the maximum equivalent strain amplitude generated in the solder sealing frame 4 can be set to 2.2% or less, and a thermal shock is applied during a reliability test or during use. Even when the solder sealing frame 4 is used, the distortion and the fatigue failure generated in the solder sealing frame 4 are suppressed, and the sealing portion is not broken and the sealing failure does not occur.
  • the electronic component device 20 has a further improved thermal shock life and excellent reliability.
  • the solder sealing frame 4 may be formed on the element 10 having the solder sealing frame 4 formed on the package substrate 1, or may be formed on both the package substrate 1 and the element 10. You may. If they are formed on both sides, the solder sealing frames are joined and sealed.
  • solder sealing frame 4 it is not necessary that the entire solder sealing frame 4 be made of a base metal, and at least the surface is made of a base metal.
  • a base metal bump such as an A1 bump may be used in addition to the metal bump and the solder bump.
  • a surface acoustic wave element was used as element 10.
  • Other elements such as a high-frequency element may be used as long as the element has a different linear expansion coefficient in the X direction and a different linear expansion coefficient in the y direction. .
  • an airtight substrate such as a force glass substrate using a glass epoxy resin, a ceramic substrate made of anolemina, or a crystalline substrate may be used.
  • solder sealing frame 4 may be connected to a ground side circuit pattern (not shown) formed on the knock substrate 1.

Description

明 細 書
電子部品装置
技術分野
[0001] 本発明は、一方面に機能部が設けられた矩形板状の電子部品素子が基板にバン プを用いて実装されている電子部品装置に関し、より詳細には、上記矩形の 1辺に沿 う X方向の線膨張係数と、矩形の面内において X方向と直交する y方向の線膨張係数 とが異なる矩形板状の電子部品素子の機能部が気密的に封止されるように該電子 部品素子が基板に実装されている電子部品装置に関する。
背景技術
[0002] 従来、基板上に SAW素子や高周波素子などの電子部品素子（以下、素子と略す こともある。）を搭載した電子部品装置が、種々提案されている。
[0003] 例えば、下記の特許文献 1には、 SAW素子がバンプによりベース板に実装されて レ、る弾性表面波装置が開示されている。より詳細には、ベース板の表面には、ホット 側ランドが形成されており、このホット側ランド上に半田バンプが設けられている。また 、ベース板の表面には、ホット側ランドを囲むように枠状のアース側ランドが形成され ている。枠状のアース側ランド上には、半田封止枠が形成されている。他方、 SAW 素子チップの一方面には、インターデジタルトランスデューサ（IDT)と、ホット側パタ ーンと、アース側パターンとが形成されて、機能部が構成されている。上記ベース板 表面に、 SAW素子の IDTが形成されている面が対向するように、ベース板に SAW 素子が所定の空間を隔てて固定されている。そして、この空間が上記半田封止枠に よって気密的に封止されている。
特許文献 1 :特開平 4 - 293310号公報
発明の開示
[0004] しかしながら、上記特許文献 1に記載の弾性表面波装置では、矩形板状の SAW素 子の 1辺に沿う X方向の線膨張係数と、ベース板の該 X方向の線膨張係数とが異なつ ている。また、 SAW素子の上記矩形の面内にありかつ X方向と直交する y方向の線 膨張係数と、ベース板の該 y方向の線膨張係数とが異なっている。従って、 SAW素 子とベース板とにおいて同じ方向における線膨張係数が異なっているので、信頼性 試験の際や使用時に熱衝撃が加わった場合、 SAW素子とベース板との間で大きな 膨張差が生じていた。その結果、封止部にひずみや疲労破壊が生じ、封止不良が 起こり、一般の電子部品装置に要求される耐熱衝撃寿命を満足できないという問題 があった。
[0005] 本発明は、一般の電子部品装置に要求される耐熱衝撃寿命を満足し、かつ信頼 性に優れた電子部品装置を提供することを目的とする。
[0006] 本発明は、矩形板状であり表面と裏面とを有し、該矩形の 1辺に沿う X方向の線膨 張係数と、矩形の面内において該 X方向と直交する y方向の線膨張係数とが異なり、 前記表面に機能部が構成されており、かつ機能部を囲むように第 1の環状電極が形 成されている素子と、表面と裏面とを有し、該表面に上記第 1の環状電極と対応する 位置に第 2の環状電極が形成されている基板と、第 1の環状電極及び第 2の環状電 極の内の少なくとも一方の表面に形成された半田封止枠とを備え、第 1、第 2の環状 電極及び半田封止枠は、それぞれ X方向に延びる帯状部と、 y方向に延びる帯状部 とを有し、半田封止枠によって素子と基板とが接合されており、素子の表面に形成さ れた機能部が素子と基板との間に生じる空間に気密的に封止されている電子部品 装置であって、素子と基板との X方向における膨張差を Q素子と基板との y方向にお ける膨張差を Qとしたとき、第 1、第 2の環状電極及び半田封止枠において、膨張差
Q、 Qの内の大きい側の膨張差が生じている方向に延びる帯状部の幅が、膨張差
Q、 Qの小さい側の膨張差が生じている方向に延びる帯状部の幅よりも狭くされて レ、ることを特徴とする。
[0007] 本発明のある特定の局面では、上記半田封止枠の厚みは 18 z m以上とされている 本発明のさらに他の特定の局面では、基板の X方向の線膨張係数を A y方向の線 膨張係数を A、素子の X方向の線膨張係数を B y方向の線膨張係数を B、上記第 1
、第 2の環状電極の x方向に延びる帯状部の外側辺の長さを dl y方向に延びる帯状 部の外側辺の長さを dlとし、上記膨張差 Q、 Qを、 Q = I A— B I X dl (mm/°C
)と、 Q = I A— B I X dl (mm/°C)としたときに、膨張差 Q、 Qの内の大きい側の 膨張差が 2· 2 X 10_5 (mm/°C)以下とされている。
[0008] 本発明のさらに他の特定の局面では、上記素子と上記基板との X方向における曲 げ剛性比を R、上記素子と上記基板との y方向における曲げ剛性比を Rとしたとき、 前記曲げ剛性比 R、Rの内の大きい側の曲げ剛性比が 1. 2以下とされている。 本発明のさらに他の特定の局面では、上記素子が弾性表面波素子である。
[0009] 本発明に係る電子部品装置では、素子と基板との X方向における膨張差を Q、素 子と基板との y方向における膨張差を Qとしたときに、第 1、第 2の環状電極及び半田 封止枠において、膨張差 Q、 Qの内の大きい側の膨張差が生じている方向に延び る帯状部の幅が、膨張差 Q、 Qの内の小さい側の膨張差が生じている方向に延び る帯状部の幅よりも狭くされているため、耐熱衝撃寿命が高められており、一般の電 子部品装置に要求される耐熱衝撃寿命を満足させることができる。
[0010] 本発明に係る電子部品装置において、半田封止枠の厚みを 18 z m以上とした場 合には、電子部品装置の耐熱衝撃寿命をより一層向上させることができる。
本発明に係る電子部品装置において、膨張差 Q、 Qの内の大きい側の膨張差を 2
. 2 X 10— 5 (mm/°C)以下とした場合には、電子部品装置の耐熱衝撃寿命をより一 層向上させることができる。
[0011] また、本発明に係る電子部品装置は、曲げ剛性比 R、 Rの内の大きい側の曲げ剛 性比を 1. 2以下とした場合には、電子部品装置の耐熱衝撃寿命をより一層向上させ ること力 Sできる。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明の一実施形態に係る電子部品装置の斜視図である。
[図 2]図 1に示す電子部品装置の分解斜視図である。
[図 3] (a)は、図 1に示す電子部品装置に用いているパッケージ基板の平面図であり 、（b)は、（a)に示す A— A面で切断したときの断面図である。
[図 4] (a)は、図 1に示す電子部品装置に用いている素子の平面図であり、 （b)は、（a )に示す B— B面で切断したときの断面図である。
[図 5] (a)は、図 1に示す電子部品装置に用いている、半田封止枠の平面図であり、 ( b)は、（a)に示す C一 C面で切断したときの断面図である。 [図 6]半田封止枠の厚みと、最大相当ひずみ振幅との関係を示す図である。
[図 7]膨張差と最大相当ひずみ振幅との関係を示す図である。
[図 8]曲げ剛性比と最大相当ひずみ振幅との関係を示す図である。
符号の説明
[0013] 1…パッケージ基板
2…接合電極
3…第 2の環状電極
4…半田封止枠
10…素子
11…圧電基板
12- - -IDT
13…入出力電極
14…第 1の環状電極
15…バンプ
20…電子部品装置
発明を実施するための最良の形態
[0014] 上述したように、従来の電子部品装置では、信頼性試験の際や使用時に熱衝撃を 与えられると、封止部にひずみや疲労破壊が生じ、封止不良が起きるという問題があ つた。例えば、一般的な電子部品装置に求められる耐熱衝撃寿命（（高温側 85°C、 低温側- 55°C、各 30分 /1サイクル） X 500サイクル）を満足するか否かを調べるた めに、従来の電子部品装置に対して耐熱衝撃試験 (耐熱衝撃寿命と同条件)を行な うと、膨張差が大きぐ封止部が破断して封止不良を生じ、耐熱衝撃寿命を満足でき なかった。
[0015] この耐熱衝撃寿命に関して、例えば、半田ボール接合部にひずみが生じるように強 制的に衝撃を与えて、生じたひずみと、耐熱衝撃寿命との間に導かれる「Cof fin— M anson貝 IJ」の経験式を求めると、（最大相当ひずみ振幅） =0· 325 X (寿命（サイクル ) )— °' 429となる。 （「回路実装学会誌」 Vol. 12 No. 6 (1997年）第 413— 417頁、図 7参照。 ) [0016] この経験式において最大相当ひずみ振幅とは、電子部品装置の耐熱衝撃試験の 際に、半田が伸縮する振幅の大きさである。従って、最大相当ひずみ振幅を小さくす れば、電子部品装置の耐熱衝撃寿命を長くすることができるということがわかっている
[0017] この経験式は、半田バンプの疲労寿命（耐熱衝撃寿命）についての計算式である 力 半田に生じるひずみは一般性のあるパラメータであるため、例えば、封止枠の耐 熱衝撃寿命にも適用することができる。
一般の電子部品装置に要求されている耐熱衝撃寿命と同条件の熱衝撃を負荷し たときの最大相当ひずみ振幅を、 FEMシミュレーションを用いて算出すると 2. 2%で あった。すなわち、最大相当ひずみ振幅を 2. 2%以下にすることができれば、一般 の電子部品装置に要求される耐熱衝撃寿命を満足できることがわかった。
[0018] 図 6は、半田の厚みと、最大相当ひずみ振幅との関係を示す図である。図 6に示す ように、最大相当ひずみ振幅を 2· 2%以下にするには、半田の厚みを 18 /i m以上と すればよいことがわかった。
[0019] 図 7は、膨張差と最大相当ひずみ振幅との関係を示す図である。図 7に示すように 、最大相当ひずみ振幅を 2. 2%以下にするには、膨張差を 2. 2 X 10— 5mm/°C以 下とすればょレ、ことがわかった。
[0020] 図 8は、曲げ剛性比と最大相当ひずみ振幅との関係を示す図である。図 8に示すよ うに、最大相当ひずみ振幅を 2. 2%以下にするには、曲げ剛性比を 1. 2以下とすれ ばよいことがわかった。
[0021] すなわち、本発明者は、最大相当ひずみ振幅を 2. 2%以下にするには、半田封止 枠の厚みを 18 z m以上、膨張差 Q、 Qの内の大きい側の膨張差を 2. 2 X 10— 5mm
/°C以下、曲げ剛性比 R、 Rの内の大きい側の曲げ剛性比を 1. 2以下とすればよ いことがわかった。
[0022] また、半田封止枠及び第 1、第 2の環状電極において、膨張差 Q、 Qの内の大き い側の膨張差が生じている方向に延びる帯状部の幅力 膨張差 Q、 Qの内の小さ い側の膨張差が生じている方向に延びる帯状部の幅よりも狭くされていると、電子部 品装置の耐熱衝撃寿命が高められることを、本発明者は見出した。 [0023] ここで、本明細書において膨張差 Q、 Qとは、基板の膨張率と素子との膨張率との 差のことである。基板の X方向の線膨張係数を A、基板の y方向の線膨張係数を A、 素子の χ方向の線膨張係数を B、素子の y方向の線膨張係数を B、及び上記第 1、 第 2の環状電極の X方向に延びる帯状部の外側辺の長さを dl、 y方向に延びる帯状 部の外側辺の長さを dlとしたときに、素子と基板との X方向における膨張差を Q、素 子と基板との y方向における膨張差を Qとすると、膨張差 Q、 Qは、 Q = I A _B
I X dl (mmZ°C)、Q = | A _B | X dl (mm/。C)の式で求められる。
[0024] また、本明細書において曲げ剛性比 R、 Rとは、基板の曲げ剛性と素子の曲げ剛 性との比である。基板の厚みを at、基板の X方向に延びる辺の長さを a、基板の y方 向に延びる辺の長さを a、及び基板のヤング率を Eaとし、素子の厚みを bt、素子の X 方向に延びる辺の長さを b、素子の y方向に延びる辺の長さを b、及び素子のヤング 率を Ebとしたときに、素子と基板との X方向における曲げ剛性比を R、素子と基板と の y方向における曲げ剛性比を Rとすると、曲げ剛性比 R、 Rは、 R = (at3 - a -Ea)
/ (bt3-b *Eb)、R = (at3- a -Ea) / (bt3-b 'Eb)の式で求められる。
[0025] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。
図 1は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置 20の斜視図であり、図 2は、電 子部品装置 20の分解斜視図である。電子部品装置 20では、パッケージ基板 1に素 子 10がフェースダウン実装されてレ、る。
[0026] 図 3 (a)は、電子部品装置 20に用いられているパッケージ基板を示す平面図であり 、（b)は、（a)に示す A— A線に沿う面で切断したときの断面図である。パッケージ基 板 1は平板状部材であり、気密性を有するガラスエポキシ樹脂から形成されている。 パッケージ基板 1の X方向に延びる辺の長さ aは 2. Omm、 y方向に延びる辺の長さ a は 2. Omm、厚み atは 0. 25mm,及びヤング率 Eaは 340000MPaである。また、パ ッケージ基板 1の X方向の線膨張係数 Aと、 y方向の線膨張係数 Aとはいずれも 7pp mZ°Cである。
[0027] パッケージ基板 1の表面には、図 3 (a)に示すように 4つの矩形板状の接合電極 2と 、接合電極 2を取り囲むように第 2の環状電極としての環状電極 3とが形成されている 。接合電極 2は、スルーホール（図示せず）に電極材料が埋設された接続部を介して 、裏面側に形成された表面実装のための外部電極（図示せず）と接続されている。ま た、環状電極 3は、アース側電極（図示せず）と接続されている。
[0028] この環状電極 3は矩形枠状であり、 X方向に延びる帯状部と、 y方向に延びる帯状 部とを有する。環状電極 3の X方向に延びる帯状部の外側辺の長さ alは 2. Omm, y
x
方向に延びる帯状部の外側辺の長さ alは 2. Omm、 x方向に延びる帯状部の幅 aw
y x は 0. 18mm、 y方向に延びる帯状部の幅 awは 0. 20mm,及び厚み aetは 0. 01m
y
mである。
[0029] 図 5 (a)は、電子部品装置 20に用いられている半田封止枠 4を示す平面図であり、
(b)は、（a)に示す C一 C線に沿う面で切断したときの断面図である。半田封止枠 4は 矩形枠状であり、 X方向に延びる帯状部と、 y方向に延びる帯状部とを有する。半田 封止枠 4の X方向に延びる帯状部の外側辺の長さ clは 2. Omm、 y方向に延びる帯 状部の外側辺の長さ clは 2. Omm、 x方向に延びる帯状部の幅 cwは 0. 18mm, y
y
方向に延びる帯状部の幅 cwは 0. 20mm,及び厚み ctは 0. 02mmである。半田封 y
止枠 4は、パッケージ基板 1の環状電極 3上に形成されている。例えば、印刷法によ つて共晶半田ペーストをパッケージ基板 1の環状電極 3上に塗布し、共晶半田ペース トをリフローソルダリングした後で洗浄し、フラックス残滓を取り除くことで、半田封止枠 4は形成されている。なお、半田封止枠 4は印刷法以外に、 SJ法などのプリコート法、 メツキ法、蒸着法、及びスパッタ法などによって形成されてもよい。また、半田封止枠 4の材料として、共晶半田が用いられているが、溶融可能な金属であれば、共晶半田 に限らない。
[0030] 図 4 (a)は、電子部品装置 20に用いられている素子 10を示す平面図であり、（b)は 、（a)に示す B—B線に沿う面で切断したときの断面図である。素子 10は、矩形板状 の弾性表面波素子である。素子 10の X方向に延びる辺の長さ bは 2. Omm、 y方向 に延びる辺の長さ bは 2. Omm、厚み btは 0. 35mm,及びヤング率 Ebは 230000
y
MPaである。
[0031] 素子 10は、水晶、 LiTaO、及び LiNbOなどからなる圧電基板 11の表面に、 A1な
3 3
ど力も形成されている 2組の IDT12と、 TiZNi/Au力、ら形成されている 4個の入出 力電極 13とから構成されている機能部を有している。この IDT12と入出力電極 13と は、相互に接続されている。また、素子 10の X方向に延びる辺の線膨張係数 Bは 16 ppm/°C、 y方向に延びる辺の線膨張係数 Bは 9ppm/°Cであり、 x方向に延びる 辺の線膨張係数と y方向に延びる辺の線膨張係数とが異なっている。
[0032] 素子 10の表面には、 IDT12と入出力電極 13とを取り囲むように第 1の環状電極と しての環状電極 14が形成されている。この環状電極 14は矩形枠状であり、 X方向に 延びる帯状部と、 y方向に延びる帯状部とを有する。環状電極 14の X方向に延びる 帯状部の外側辺の長さ blは 2. Omm、 y方向に延びる帯状部の外側辺の長さ blは 2
. Omm、 x方向に延びる帯状部の幅 bwは 0. 18mm, y方向に延びる帯状部の幅 b wは 0. 20mm,及び厚み betは 0. 001mmである。
[0033] 入出力電極 13には、それぞれ図 2 (a)に示すようにバンプ 15が固定されている。バ ンプ 15は、 Auバンプであり、ワイヤボンディング法により形成されている。 Auバンプ 以外に、 Ag、 Pd及び Cuを主成分とする金属バンプや半田バンプなどを用いることも できる。またワイヤボンディング法以外に、メツキ法、半田ボールセット法、及び印刷 法などによって形成してもよい。バンプ 15の高さは、パッケージ基板 1に形成された 半田封止枠 4の高さより高くすることが好ましぐ 40— 50 β m程度にすることが好まし レ、。
[0034] パッケージ基板 1と素子 10とは、 X方向に延びる辺の長さと、 y方向に延びる辺の長 さとが略同一に形成されている。パッケージ基板 1の接合電極 2と、素子 10の入出力 電極 13とは、対応する位置に形成されている。また、パッケージ基板 1の環状電極 3 と、素子 10の環状電極 14とは、対応する位置に形成されている。
[0035] 環状電極 3、 14は、 NiZAuから形成されている。 Niは、半田食われを防止するた めに用いられており、半田食われを防止することができる金属であれば Ni以外の金 属でもよぐこのような金属としては、 Ni以外に Pt及び Pdなどが挙げられる。また、 Au は、半田濡れ性を確保するために用いられており、半田濡れ性を確保することができ る金属であれば Au以外の金属でもよぐこのような金属としては、 Au以外に Ag、 Sn 、 Pt及び Cuなどが挙げられる。
[0036] 次に、上記パッケージ基板 1と素子 10との接合方法について説明する。 図 2 (a)に示すように、 IDT12、入出力電極 13、環状電極 14、及びバンプ 15が設 けられた素子 10と、図 2 (b)に示すように、接合電極 2、環状電極 3、及び半田封止枠 4が設けられたパッケージ基板 1とを準備する。
[0037] 半田封止枠 4を上側に向けてパッケージ基板 1を支持台の上に置き、位置決めす る。次に、素子 10の裏面をボンディングツールで吸着し、パッケージ基板 1の環状電 極 3と、素子 10の環状電極 14とが上下に対応するように素子 10を、位置決めする。 その後、ボンディングツールによって、超音波をかけ加圧し、バンプ 15と、パッケージ 基板 1の接合電極 2とを接合する。これによりバンプ 15と、ノ^ケージ基板 1のバンプ 接合電極 2とは拡散接合し、同時に、溶融した半田封止枠 4が素子 10の環状電極 1 4に濡れ広がり、パッケージ基板 1と素子 10との間の空間を気密的に封止する。
[0038] 最後に、冷却して、パッケージ基板 1と素子 10との接合及び封止が完了し、気密封 止型の電子部品装置 20を得ることができる。
ここで、電子部品装置 20について、パッケージ基板 1と素子 10との間に生じる膨張 差 Q、 Qを求める。
[0039] 電子部品装置 20における膨張差 Q、 Qを求めると、膨張差 Qは | 7ppm/°C_9 ppm/°C I X 2. 0mm=4. 0 X 10— 7mm/。C、膨張差 Qは | 7ppm/。C— 16ppm
/。C I X 2. Omm= l . 8 X 10— 6mm/°Cとなり、膨張差 Qの方が膨張差 Qよりも大 きいことがわかる。
[0040] 電子部品装置 20においては、半田封止枠 4の X方向に延びる帯状部の幅 cw、及 び環状電極 3、 14の X方向に延びる帯状部の幅 aw、 bwは、 0. 20mmである。他方
、半田封止枠 4の y方向に延びる帯状部の幅 cw、及び環状電極 3、 14の y方向に延 びる帯状部の幅 aw、 bwは、 0. 18mmである。電子部品装置 20においては、膨張 差 Qよりも膨張差 Qの方が大きい。すなわち、半田封止枠 4及び環状電極 3、 14の y 方向に延びる帯状部の幅 aw、 bw及び cw 、 X方向に延びる帯状部の幅 aw、 bw 及び cwxよりも狭くされている。
[0041] 膨張差 Q、 Qの内の大きい側の膨張差が生じている方向に延びる帯状部の幅が、 膨張差 Q、 Qの小さい側の膨張差が生じている方向に延びる帯状部の幅よりも狭く されていると、電子部品装置 20を小型化することができる。一方、半田封止枠 4及び 環状電極 3、 14の膨張差の大きレ、方向に延びる辺に生じる最大相当ひずみはほと んど変化しない。従って、電子部品装置 20は一般の電子部品装置に要求される耐 熱衝撃寿命を満足することができる。
[0042] また、電子部品装置 20においては、半田封止枠 4の厚み ctが、 0. 02mm (20 μ ΐη )である。半田封止枠 4の厚みが 18 z m以上に厚くすることで、信頼性試験の際や使 用時に熱衝撃が加わった場合、パッケージ基板 1と素子 10との間において生じる封 止部のひずみを半田封止枠 4に吸収させることができる。従って、電子部品装置 20 では、半田封止枠 4に生じる最大相当ひずみ振幅を 2. 2%以下とすることができる。
[0043] 電子部品装置 20においては、膨張差 Qが膨張差 Qよりも大きレ、。従って、膨張差
Qが 2. 2 X 10— 5mm/°C以下であれば、半田封止枠 4に生じる最大相当ひずみ振 幅を 2. 2%以下にすることができる。膨張差 Qは、 1. 8 X 10— 6mmZ°Cであり、 2. 2
X 10— 5mm/°C以下という条件を満足しているので、電子部品装置 20では、半田封 止枠 4に生じる最大相当ひずみ振幅を 2. 2%以下とすることができる。
[0044] 電子部品装置 20について、パッケージ基板 1と素子 10とにおける曲げ剛性比 R、
Rを求める。
電子部品装置 20における曲げ剛性比 R、 Rを求めると、曲げ剛性比 Rは（0. 253 mm X 2. Omm X 340000MPa) / (0. 353mm X 2. Omm X 230000MPa)、曲げ 剛性比 Rは（0. 253mm X 2. Omm X 340000MPa) / (0. 353mm X 2. Omm X 2
30000MPa)となり、曲げ剛性比 R、 Rは同じで、約 0· 54である。
[0045] 電子部品装置 20においては、曲げ剛性比 R、 R 1S 約 0. 54であり、 1. 2以下とい う条件を満足している。従って、電子部品装置 20では、半田封止枠 4に生じる最大相 当ひずみ振幅を 2. 2%以下とすることができる。
[0046] 上述したように、電子部品装置 20では、半田封止枠 4に生じる最大相当ひずみ振 幅を 2. 2%以下とすることができ、信頼性試験の際や使用時に熱衝撃を与えられて も、半田封止枠 4に生じるひずみや疲労破壊が抑制され、封止部が破断して封止不 良を生じることがない。
[0047] 従って、電子部品装置 20は、耐熱衝撃寿命がより一層高められ、かつ信頼性に優 れている。 上記本実施形態では、パッケージ基板 1に半田封止枠 4が形成されていた力 素 子 10に、半田封止枠 4が形成されてもよいし、パッケージ基板 1及び素子 10の双方 に形成されてもよい。双方に形成されている場合には、半田封止枠同士が接合され て封止される。
[0048] 半田封止枠 4は、半田封止枠 4全体が卑金属で構成されている必要はなぐ少なく とも表面が卑金属で構成されてレ、ればよレ、。
バンプ 15は、金属バンプや半田バンプ以外に、 A1バンプなどの卑金属バンプなど が用いられてもよい。
[0049] 素子 10として弾性表面波素子が用いられていた力 X方向の線膨張係数と y方向 の線膨張係数とが異なる素子であれば、高周波素子などの他の素子が用いられても よい。
[0050] パッケージ基板 1としてはガラスエポキシ樹脂が用いられていた力 ガラス基板、ァ ノレミナなどからなるセラミック基板、及び結晶性の基板などの気密性を有する基板が 用いられてもよい。
また、半田封止枠 4は、ノ ッケージ基板 1に形成されているアース側回路パターン（ 図示せず）と接続するようにしてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 矩形板状であり表面と裏面とを有し、該矩形の 1辺に沿う X方向の線膨張係数と、矩 形の面内において該 X方向と直交する y方向の線膨張係数とが異なり、前記表面に 機能部が構成されており、かつ該機能部を囲むように第 1の環状電極が形成されて いる素子と、
表面と裏面とを有し、該表面に前記第 1の環状電極と対応する位置に第 2の環状電 極が形成されている基板と、
前記第 1の環状電極及び前記第 2の環状電極の内の少なくとも一方の表面に形成 された半田封止枠とを備え、
前記第 1、第 2の環状電極及び前記半田封止枠は、それぞれ X方向に延びる帯状 部と、 y方向に延びる帯状部とを有し、
前記半田封止枠によって前記素子と前記基板とが接合されており、前記素子の表 面に形成された機能部が前記素子と前記基板との間に生じる空間に気密的に封止 されている電子部品装置であって、
前記素子と前記基板との X方向における膨張差を Q前記素子と前記基板との y方 向における膨張差を Qとしたとき、前記第 1、第 2の環状電極及び前記半田封止枠 において、膨張差 Q、 Qの内の大きい側の膨張差が生じている方向に延びる帯状 部の幅が、膨張差 Q、 Qの内の小さい側の膨張差が生じている方向に延びる帯状 部の幅よりも狭くされていることを特徴とする電子部品装置。
[2] 前記半田封止枠の厚みが 18 z m以上であることを特徴とする請求項 1に記載の電 子部品装置。
[3] 前記基板の X方向の線膨張係数を A y方向の線膨張係数を A、前記素子の X方向 の線膨張係数を B y方向の線膨張係数を B、及び前記第 1、第 2の環状電極の X方 向に延びる帯状部の外側辺の長さを dl y方向に延びる帯状部の外側辺の長さを dl とし、前記膨張差 Q、 Qを、 Q = I A _B I X dl (mm/°C)と、 Q = | A _B |
X dl (mm/°C)としたときに、前記膨張差 Q、 Qの内の大きい側の膨張差が 2· 2 Χ
10— 5 (mm/°C)以下であることを特徴とする請求項 1または 2に記載の電子部品装 置。 前記素子と前記基板との x方向における曲げ剛性比を R、前記素子と前記基板と の y方向における曲げ剛性比を Rとしたとき、前記曲げ剛性比 R、 Rの内の大きい 側の曲げ剛性比が 1 · 2以下であることを特徴とする請求項 1一 3のいずれ力 1項に記 載の電子部品装置。
前記素子が、弾性表面波素子であることを特徴とする請求項 1一 4のいずれか 1項 に記載の電子部品装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210994A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Kyocera Corp 弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器
WO2008018482A1 (fr) * 2006-08-11 2008-02-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Élément semi-conducteur et son procédé de fabrication
JP2009278612A (ja) * 2008-04-18 2009-11-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶デバイス
JP2010171680A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
JP2012054337A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Kyocera Kinseki Corp 電子デバイスの製造方法
JP2013172435A (ja) * 2012-02-23 2013-09-02 Kyocera Corp 電子部品の製造方法及び電子部品
JP2018006799A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 株式会社村田製作所 弾性波装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7439098B2 (en) * 2005-09-09 2008-10-21 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package for encapsulating multiple dies and method of manufacturing the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750360A (ja) * 1993-08-03 1995-02-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体パッケージ用のセラミック製リッド基板
JPH09266263A (ja) * 1996-03-27 1997-10-07 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 電子部品パッケージ封止用リッドとパッケージ
JP2002170895A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよびその封止方法
JP2002198761A (ja) * 2000-10-18 2002-07-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP2003188294A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5549013A (en) * 1978-10-04 1980-04-08 Seiko Instr & Electronics Ltd Composite vibrator unit
JPS5760717A (en) * 1980-09-26 1982-04-12 Seiko Instr & Electronics Ltd Quartz oscillator unit
JPH04293310A (ja) 1991-03-22 1992-10-16 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
US5302880A (en) * 1992-05-20 1994-04-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric tuning fork resonator and method of manufacturing the same
JPH11291083A (ja) * 1998-04-14 1999-10-26 Murata Mfg Co Ltd 半田合金
JP4766831B2 (ja) * 2002-11-26 2011-09-07 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750360A (ja) * 1993-08-03 1995-02-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体パッケージ用のセラミック製リッド基板
JPH09266263A (ja) * 1996-03-27 1997-10-07 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 電子部品パッケージ封止用リッドとパッケージ
JP2002198761A (ja) * 2000-10-18 2002-07-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
JP2002170895A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Kyocera Corp 電子部品収納用パッケージおよびその封止方法
JP2003188294A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210994A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Kyocera Corp 弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器
JP4624117B2 (ja) * 2005-01-25 2011-02-02 京セラ株式会社 弾性表面波素子の実装構造、高周波モジュール並びに通信機器
WO2008018482A1 (fr) * 2006-08-11 2008-02-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Élément semi-conducteur et son procédé de fabrication
JP2008066717A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
CN101501947B (zh) * 2006-08-11 2011-04-20 三洋电机株式会社 半导体元件和其制造方法
JP2009278612A (ja) * 2008-04-18 2009-11-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶デバイス
JP2010171680A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
JP2012054337A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Kyocera Kinseki Corp 電子デバイスの製造方法
JP2013172435A (ja) * 2012-02-23 2013-09-02 Kyocera Corp 電子部品の製造方法及び電子部品
JP2018006799A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 株式会社村田製作所 弾性波装置

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