CN115800942A - 滤波装置及滤波装置的形成方法 - Google Patents

Abstract

一种滤波装置及滤波装置的形成方法，滤波装置包括：衬底，所述衬底包括第一区和环绕所述第一区的第二区；位于所述第一区上的若干器件结构；位于所述第一区上的若干连接盘，所述连接盘与所述器件结构电连接；分别位于若干所述连接盘上的第一凸块；位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层位于第二区上，所述第一金属层环绕所述第一区，用于密封若干所述器件结构；载板，所述载板包括第一电互连结构，所述第一凸块与所述第一电互连结构接合形成电连接。所述滤波装置的可靠性得到提升。

Description

滤波装置及滤波装置的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种滤波装置及滤波装置的形成方法。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，简称RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave，简称SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，简称BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices，简称IPD)滤波器等。

当无线通信技术逐步演进，无线通信设备的使用范围越来越广，对滤波器的可靠性要求也越来越高。SAW及BAW滤波器作为目前无线通信设备中使用较为广泛的滤波器，高可靠性的SAW及BAW滤波器可以延长设备的使用寿命，扩大使用范围。滤波器的封装过程会影响SAW及BAW滤波器的可靠性。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种滤波装置及滤波装置的形成方法，以提升滤波装置的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种滤波装置，包括：衬底，所述衬底包括第一区和环绕所述第一区的第二区；位于所述第一区上的若干器件结构；位于所述第一区上的若干连接盘，所述连接盘与所述器件结构电连接；分别位于若干所述连接盘上的第一凸块；位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层位于所述第二区上，所述第一金属层环绕所述第一区，用于密封若干所述器件结构；载板，所述载板包括第一电互连结构，所述第一凸块与所述第一电互连结构接合形成电连接。

可选的，还包括：位于所述第一区上的第二凸块，所述第二凸块用于散热。

可选的，所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块的顶部表面齐平。

可选的，所述第一凸块的材料包括锡或金；所述第一金属层的材料包括铜或金；所述第二凸块的材料包括铜或金。

可选的，所述载板还包括第一接合结构和第一导热结构，所述第一接合结构与所述第一金属层接合，所述第一导热结构与所述第二凸块接合。

可选的，所述载板包括相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述第一电互连结构表面、所述第一接合结构表面和所述第一导热结构表面，且所述第一电互连结构贯穿所述载板；所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块朝向所述第一面。

可选的，还包括：位于所述第一凸块表面的第一接合层、位于所述第一金属层表面的第二接合层和位于所述第二凸块表面的第三接合层；所述第一接合层和所述第一电互连结构连接，所述第一凸块和所述第一电互连结构通过所述第一接合层接合；所述第二接合层和所述第一接合结构连接，所述第一金属层和所述第一接合结构通过所述第二接合层接合；所述第三接合层和所述第一导热结构连接，所述第二凸块和所述第一导热结构通过所述第三接合层接合。

可选的，所述第一接合层、所述第二接合层及所述第三接合层的材料包括焊锡、锡铅合金焊锡、加锑焊锡、加镉焊锡、加银焊锡或加铜焊锡；所述第一电互连结构、所述第一接合结构和所述第一导热结构的材料包括金属，所述金属包括金。

可选的，金元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为78％～82％，锡元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为18％～22％。

可选的，所述衬底的材料和所述载板的材料的热膨胀系数差小于20ppm/℃。

可选的，所述器件结构包括：声表面波谐振器的有源结构或体声波谐振器的有源结构。

可选的，所述器件结构包括叉指换能器。

可选的，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝；所述衬底和所述器件结构构成声表面波谐振器结构。

可选的，还包括：若干空腔，嵌入所述衬底，所述空腔的开口位于所述衬底的表面，若干所述器件结构分别对应若干所述空腔。

可选的，所述器件结构包括位于所述空腔上方或内部的第一电极层、位于第一电极层上的压电层以及位于压电层上的第二电极层；所述衬底和所述器件结构构成体声波谐振器结构。

可选的，所述载板的材料包括：有机树脂、环氧树脂、玻璃纤维、聚亚酰胺、氰酸酯、聚四氟乙烯或陶瓷。

相应地，本发明技术方案还提供一种滤波装置的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和环绕所述第一区的第二区；在所述第一区上形成若干器件结构；在所述第一区上形成若干连接盘，所述连接盘与所述器件结构电连接；在若干所述连接盘上分别形成若干第一凸块；在所述衬底上形成第一金属层，所述第一金属层位于所述第二区上，所述第一金属层环绕所述第一区，用于密封若干所述器件结构；提供载板，所述载板包括第一电互连结构；接合所述衬底与所述载板，包括：接合所述第一凸块与所述第一电互连结构，所述第一凸块与所述第一电互连结构电连接。

可选的，接合所述衬底与所述载板之前，还包括：在所述第一区上形成第二凸块，所述第二凸块用于散热。

可选的，所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块的顶部表面齐平。

可选的，形成所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块的方法包括：在所述连接盘上形成初始第一凸块；在所述第二区上形成初始第一金属层；在所述第一区上形成初始第二凸块；平坦化所述初始第一凸块、所述初始第一金属层和所述初始第二凸块，形成所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块。

可选的，所述载板还包括第一接合结构；接合所述衬底与所述载板还包括：接合所述第一接合结构与所述第一金属层。

可选的，所述载板还包括第一导热结构；接合所述衬底与所述载板还包括：接合所述第一导热结构与所述第二凸块。

可选的，所述载板包括相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述第一电互连结构表面、所述第一接合结构表面和所述第一导热结构表面，且所述第一电互连结构贯穿所述载板。

可选的，接合所述衬底与所述载板的方法包括：在第一凸块表面形成第一接合层、所述第一金属层表面形成第二接合层和所述第二凸块表面形成第三接合层；将所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块朝向所述第一面，使所述第一接合层和所述第一电互连结构键合，所述第一凸块和所述第一电互连结构通过所述第一接合层电连接，使所述第二接合层和所述第一接合结构键合，所述第一金属层和所述第一接合连结构通过所述第二接合层接合，使所述第三接合层和所述第一导热结构键合，所述第二凸块和所述第一导热结构通过所述三接合层接合。

可选的，所述衬底包括器件区和切割道区，所述器件区包括所述第一区和所述第二区；在接合所述衬底与所述载板之前，还包括：沿所述切割道区对所述衬底进行切割。

可选的，所述衬底包括器件区和切割道区，所述器件区包括所述第一区和所述第二区；在接合所述衬底与所述载板之后，还包括：沿所述切割道区对所述接合后的衬底和载板进行切割。

可选的，在所述第一区上形成若干器件结构包括：在所述第一区上形成若干声表面波谐振器的有源结构或在所述第一区上形成若干体声波谐振器的有源结构。

可选的，在所述第一区上形成若干器件结构包括：在所述第一区上形成若干叉指换能器。

可选的，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝；所述衬底和所述器件结构构成声表面波谐振器结构。

可选的，还包括：形成若干空腔，嵌入所述衬底，所述空腔的开口位于所述衬底的表面，若干所述器件结构分别对应若干所述空腔。

可选的，在所述第一区上形成若干器件结构包括：在所述第一区上形成若干第一电极层，分别位于若干所述空腔上方或内部；形成压电层，位于若干所述第一电极层上；以及形成若干第二电极层，位于所述压电层上，分别对应若干所述第一电极层；所述衬底和所述器件结构构成体声波谐振器结构。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

本发明的技术方案，若干所述第一凸块分别位于所述第一区内的若干所述连接盘上，所述第一金属层环绕所述第一区，所述第一金属层与所述载板紧密接合，从而所述第一金属层与所述载板形成密封空间，能够对所述第一区上的若干所述器件结构起到保护作用，避免水汽和杂质对若干所述器件结构造成侵蚀。

进一步，所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块的顶部表面齐平，从而接合所述衬底与所述载板时，能够同时使所述第一凸块与所述第一电互连结构接合，所述第一接合结构与所述第一金属层接合，所述第一导热结构与所述第二凸块接合，能够简化工艺流程。

进一步，通过将承载若干所述器件结构的所述衬底与所述载板直接进行接合，不引入封装基底对所述器件结构进行封装，从而使得接合后的滤波装置的整体厚度减小；同时，可在所述衬底与所述载板接合之前沿所述切割道区对所述衬底进行切割；也可以在将所述衬底与所述载板接合之后沿所述切割道区对接合后的所述衬底及所述载板进行切割，工艺更为简化、灵活，有利于生产效率的提升。

进一步，所述衬底的材料和所述载板的材料的热膨胀系数差小于20ppm/℃。从而避免所述衬底和所述载板发生热失配而产生翘曲，进而影响封装良率的情况。

附图说明

图1至图7是本发明一实施例中滤波装置形成过程的结构示意图；

图8和图9为本发明另一实施例中滤波装置形成过程的结构示意图。

具体实施方式

如背景技术所述，滤波装置的封装过程会影响滤波装置的可靠性。

滤波装置的封装过程为：在滤波装置上电镀焊点形成连接层，再倒装滤波装置将焊点与封装基底接合，以有机膜覆盖滤波装置形成空腔，有机膜可以阻挡水汽和杂质。然后，将封装好的滤波装置放置到载板上与其他射频器件电性连接。封装后的滤波装置厚度较厚，此外由于有机膜的防水性较差，因此封装后的滤波装置的可靠性也需要提升。

本发明实施例提供一种滤波装置及滤波装置的形成方法，若干所述第一凸块分别位于所述第一区的若干所述连接盘上，所述第一金属层环绕所述第一区。所述第一金属层与所述载板紧密接合，从而所述第一金属层能够对所述第一区上的若干所述器件结构起到保护作用，避免水汽和杂质对所述器件结构造成侵蚀。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1至图7是本发明一实施例中滤波装置形成过程的结构示意图。

请参考图1和图2，图1为图2的俯视图，图2为图1沿剖面线AA1方向上的剖面示意图，所述剖面结构同时具有叉指换能器和连接盘，提供衬底200，所述衬底200包括器件区和切割道区，所述器件区包括第一区I和环绕所述第一区I的第二区II。

请继续参考图1和图2，在所述第一区I上形成若干器件结构。

所述器件结构包括：声表面波谐振器的有源结构或体声波谐振器的有源结构。

在本实施例中，所述器件结构包括叉指换能器201。

所述衬底200和所述器件结构构成压电声表面波(Surface Acoustic Wave，简称SAW)谐振器。

所述叉指换能器201的材料包括金属或金属合金；所述金属包括：铜、铝、镁、钼、金、铂、钛、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

在本实施例中，所述叉指换能器201的材料包括钛铝。

在本实施例中，所述衬底200包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂(LiTaO3，简称LT)、铌酸锂(LiNbO3，简称LN)、石英、氧化锌(ZnO)或氮化铝(AlN)等。

请继续参考图1和图2，在所述第一区I上形成若干连接盘202，所述连接盘202与所述叉指换能器201电连接。

所述连接盘202的材料包括：铝，金，铂，钛或铜。

请参考图3和图4，图4为在图2基础上的示意图，图3为在图1基础上的示意图，在所述衬底200上形成若干第一凸块203，若干所述第一凸块203分别位于若干所述连接盘202上；在所述衬底200上形成第一金属层204，所述第一金属层204位于所述第二区II上，所述第一金属层204环绕所述第一区I。

所述第一金属层204环绕所述第一区I，从而所述第一金属层204能够对所述第一区I上的若干所述器件结构进行保护，避免后续工作过程中水汽或杂质对若干所述器件结构的侵蚀。

需要说明的是，所述第一凸块203和所述第一金属层204可以起到散热作用，但是在高功率下，散热能力还需进一步加强。在本实施例中，还包括：在所述第一区I上形成若干第二凸块205，用于增强散热能力。

在本实施例中，所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205的顶部表面齐平。

形成所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205的方法包括：在所述连接盘202上形成初始第一凸块(未图示)；在所述第二区II上形成初始第一金属层(未图示)；在所述第一区I上形成初始第二凸块(未图示)；平坦化所述初始第一凸块、所述初始第一金属层和所述初始第二凸块，形成所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205。

所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205的顶部表面齐平，所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205可通过一道平坦化工艺同时形成，从而节省工艺步骤。

所述第一凸块203的材料包括锡或金；所述第一金属层204的材料包括铜或金；所述第二凸块205的材料包括铜或金。

请参考图5，图5为在图3基础上的示意图，在第一凸块203顶部表面形成第一接合层206、所述第一金属层204顶部表面形成第二接合层207和所述第二凸块205顶部表面形成第三接合层208。

所述第一接合层206、所述第二接合层207及所述第三接合层208的材料包括焊锡、锡铅合金焊锡、加锑焊锡、加镉焊锡、加银焊锡或加铜焊锡。

请参考图6，提供载板300，所述载板300包括第一电互连结构302。

在本实施例中，所述载板300还包括第一接合结构301和第一导热结构303。

在本实施例中，所述载板300包括相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述第一电互连结构302的第一表面、所述第一接合结构301表面和所述第一导热结构303表面，且所述第一电互连结构302贯穿所述载板300。

所述第一电互连结构302贯穿所述载板300，所述第二面暴露出所述第一电互连结构302的第二表面，用于与外部电路电连接。

在本实施例中，所述衬底200的材料和所述载板300的材料的热膨胀系数差在小于20ppm/℃。从而避免所述衬底200和所述载板300发生热失配而产生翘曲，进而影响封装良率的情况。

在本实施例中，所述载板300材料包括：有机树脂、环氧树脂、玻璃纤维、聚亚酰胺、氰酸酯、聚四氟乙烯或陶瓷。

请参考图7，将所述衬底200与所述载板300接合，所述第一凸块203与所述第一电互连结构302接合。需要说明的是，所述第一电互连结构302与所述第一凸块203电连接，所述第一电互连结构302还与外部电路电连接。

在本实施例中，所述第一凸块203与所述第一电互连结构302接合，所述第一接合结构301与所述第一金属层204接合，所述第一导热结构303与所述第二凸块205接合。

所述第一接合结构301与所述第一金属层204接合，使得所述第一金属层204与所述载板300紧密接合，从而所述第一金属层204与所述载板300形成密封空间，能够对所述第一区I上的若干所述器件结果起到保护作用，避免水汽和杂质对若干所述器件结构造成侵蚀。

所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205的顶部表面齐平，从而将所述衬底200与所述载板300接合时，能够同时使所述第一凸块203与所述第一电互连结构302接合，所述第一接合结构301与所述第一金属层204接合，所述第一导热结构303与所述第二凸块205接合，能够简化工艺流程。

所述第一导热结构303与所述第二凸块205接合，所述第一导热结构303能通过所述第二凸块205将滤波装置工作时产生的热量导走。需要说明的是，所述第一电互连结构302和所述第一接合结构301可以起到散热作用，但是在高功率下，散热能力还需进一步加强。

接合所述衬底200与所述载板300包括：将所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205朝向所述第一面；连接所述第一接合层206和所述第一电互连结构302，所述第一凸块203和所述第一电互连结构302通过所述第一接合层206接合；连接所述第二接合层207和所述第一接合结构301，所述第一金属层204和所述第一接合结构301通过所述第二接合层207接合；连接所述第三接合层208和所述第一导热结构303，所述第二凸块205和所述第一导热结构303通过所述第三接合层208接合。

所述第一电互连结构302、所述第一接合结构301和所述第一导热结构303的材料包括金属，所述金属包括金或铜。

所述第一接合层206、所述第二接合层207及所述第三接合层208的材料包括锡。

在本实施例中，金元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为78％～82％，锡元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为18％～22％。

在本实施例中，接合所述衬底200与所述载板300之后，还包括：沿切所述割道区对接合后的所述衬底200和所述载板300进行切割，以形成分立的滤波装置。

在其他实施例中，接合所述衬底与所述载板之前，还包括：沿切割道区对衬底进行切割，形成分立的承载若干器件结构的晶片。

通过将承载若干所述器件结构的所述衬底200与所述载板300直接进行接合，不引入封装基底对所述器件结构进行封装，从而使得接合后的滤波装置的整体厚度减小；同时，可在所述衬底与所述载板接合之前沿所述切割道区对所述衬底200进行切割；也可以在将所述衬底200与所述载板300接合之后沿所述切割道区对接合后的所述衬底200及所述载板300进行切割，工艺更为简化、灵活，有利于生产效率的提升。

相应地，本发明实施例还提供一种滤波装置，请继续参考图7，包括：

衬底200，所述衬底200包括第一区I和环绕所述第一区I的第二区II；

位于所述第一区I上的若干器件结构；

位于所述第一区I上的若干连接盘202，所述连接盘202与所述器件结构电连接；

分别位于所述连接盘202上的若干第一凸块203，；

位于所述衬底200上的第一金属层204，所述第一金属层204位于所述第二区II上，所述第一金属层204环绕所述第一区I，所述第一金属层用于保护若干所述器件结构；

与所述衬底200接合的载板300，所述载板300包括第一电互连结构302，所述第一凸块203与所述第一电互连结构302接合形成电连接。

在本实施例中，还包括：位于所述第一区I上的若干第二凸块205。

在本实施例中，所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205的顶部表面齐平。

在本实施例中，所述第一凸块203的材料包括锡或金；所述第一金属层204的材料包括铜或金；所述第二凸块205的材料包括铜或金。

在本实施例中，所述载板300内还包括第一接合结构301和第一导热结构303，所述第一接合结构301与所述第一金属层204接合，所述第一导热结构303与所述第二凸块205接合。

在本实施例中，所述载板300包括相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述第一电互连结构302的第一表面、所述第一接合结构301表面和所述第一导热结构303表面，且所述第一电互连结构302贯穿所述载板300；所述第一凸块203、所述第一金属层204和所述第二凸块205朝向所述载板300第一面。

在本实施例中，还包括：位于所述第一凸块203顶部表面的第一接合层206、位于所述第一金属层204顶部表面的第二接合层207和位于所述第二凸块205顶部表面的第三接合层208；所述第一接合层206和所述第一电互连结构302连接，所述第一凸块203和所述第一电互连结构302通过所述第一接合层206接合；所述第二接合层207和所述第一接合结构301连接，所述第一金属层204和所述第一接合结构301通过所述第二接合层207接合；所述第三接合层208和所述第一导热结构303连接，所述第二凸块205和所述第一导热结构303通过所述第三接合层208接合。

在本实施例中，所述第一接合层206、第二接合层207和第三接合层208的材料包括焊锡、锡铅合金焊锡、加锑焊锡、加镉焊锡、加银焊锡或加铜焊锡；所述第一电互连结构302、所述第一接合结构301和所述第一导热结构303的材料包括金属，所述金属包括金。

在本实施例中，金元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为78％～82％，锡元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为18％～22％。

在本实施例中，所述衬底200的材料和所述载板300的材料的热膨胀系数差小于20ppm/℃。

所述器件结构包括：声表面波谐振器的有源结构或体声波谐振器的有源结构。

在本实施例中，所述器件结构包括叉指换能器201。

在本实施例中，所述衬底200的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝；所述衬底200和所述器件结构构成声表面波谐振器。

在本实施例中，所述载板300的材料包括：有机树脂、环氧树脂、玻璃纤维、聚亚酰胺、氰酸酯、聚四氟乙烯或陶瓷。

图8和图9为本发明另一实施例中滤波装置形成过程的结构示意图。

请参考图8和图9，图8为图9的俯视图，图9为图8中沿剖面线BB1方向的结构示意图，图9中结构与图2中结构的区别在于，所述滤波装置还包括若干空腔401，嵌入衬底400，所述空腔401的开口位于所述衬底400的表面，若干所述器件结构分别对应若干所述空腔401；位于第一区I上的若干连接盘405。

在本实施例中，所述衬底400的材料包括硅。

在本实施例中，所述器件结构包括位于所述空腔401上方或内部的第一电极层402、位于所述第一电极层402上的压电层403以及位于所述压电层403上的第二电极层404。

在本实施例中，所述压电层403的材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。

所述衬底400和所述器件结构构成压电体声波(Bulk Acoustic Wave，简称BAW)谐振器。

接下来，在衬底上形成连接盘、第一凸块、第一金属层、第二凸块、第一电互连结构、第一接合结构、第一导热结构以及将衬底与载板键合的过程请参考图1至图7的内容，在此不再赘述。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (31)

1.一种滤波装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区和环绕所述第一区的第二区；

位于所述第一区上的若干器件结构；

位于所述第一区上的若干连接盘，所述连接盘与所述器件结构电连接；

分别位于若干所述连接盘上的若干第一凸块；

位于所述衬底上的第一金属层，所述第一金属层位于所述第二区上，所述第一金属层环绕所述第一区，用于密封若干所述器件结构；

载板，所述载板包括第一电互连结构，所述第一凸块与所述第一电互连结构接合形成电连接。

2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一区上的第二凸块，所述第二凸块用于散热。

3.如权利要求2所述的滤波装置，其特征在于，所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块的顶部表面齐平。

4.如权利要求2所述的滤波装置，其特征在于，所述第一凸块的材料包括锡或金；所述第一金属层的材料包括铜或金；所述第二凸块的材料包括铜或金。

5.如权利要求2所述的滤波装置，其特征在于，所述载板还包括第一接合结构和第一导热结构，所述第一接合结构与所述第一金属层接合，所述第一导热结构与所述第二凸块接合。

6.如权利要求5所述的滤波装置，其特征在于，所述载板包括相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述第一电互连结构表面、所述第一接合结构表面和所述第一导热结构表面，且所述第一电互连结构贯穿所述载板；

所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块朝向所述第一面。

7.如权利要求5所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一凸块表面的第一接合层、位于所述第一金属层表面的第二接合层和位于所述第二凸块表面的第三接合层；所述第一接合层和所述第一电互连结构连接，所述第一凸块和所述第一电互连结构通过所述第一接合层接合；所述第二接合层和所述第一接合结构连接，所述第一金属层和所述第一接合结构通过所述第二接合层接合；所述第三接合层和所述第一导热结构连接，所述第二凸块和所述第一导热结构通过所述第三接合层接合。

8.如权利要求7所述的滤波装置，其特征在于，所述第一接合层、所述第二接合层及所述第三接合层的材料包括焊锡、锡铅合金焊锡、加锑焊锡、加镉焊锡、加银焊锡或加铜焊锡；所述第一电互连结构、所述第一接合结构和所述第一导热结构的材料包括金属，所述金属包括金。

9.如权利要求8所述的滤波装置，其特征在于，金元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为78％～82％，锡元素的原子数占金锡总原子数的百分比范围为18％～22％。

10.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述衬底的材料和所述载板的材料的热膨胀系数差小于20ppm/℃。

11.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述器件结构包括：声表面波谐振器的有源结构或体声波谐振器的有源结构。

12.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述器件结构包括叉指换能器。

13.如权利要求12所述的滤波装置，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝；所述衬底和所述器件结构构成声表面波谐振器。

14.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：若干空腔，嵌入所述衬底，所述空腔的开口位于所述衬底的表面，若干所述器件结构分别对应若干所述空腔。

15.如权利要求14所述的滤波装置，其特征在于，所述器件结构包括位于所述空腔上方或内部的第一电极层、位于所述第一电极层上的压电层以及位于所述压电层上的第二电极层；所述衬底和所述器件结构构成体声波谐振器。

16.如权利要求10所述的滤波装置，其特征在于，所述载板的材料包括：有机树脂、环氧树脂、玻璃纤维、聚亚酰胺、氰酸酯、聚四氟乙烯或陶瓷。

17.一种滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区和环绕所述第一区的第二区；

在所述第一区上形成若干器件结构；

在所述第一区上形成若干连接盘，所述连接盘与所述器件结构电连接；

在若干所述连接盘上分别形成若干第一凸块；

在所述衬底上形成第一金属层，位于所述第二区上，所述第一金属层环绕所述第一区，用于密封若干所述器件结构；

提供载板，所述载板包括第一电互连结构；

接合所述衬底与所述载板，包括：接合所述第一凸块与所述第一电互连结构，所述第一凸块与所述第一电互连结构电连接。

18.如权利要求17所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，接合所述衬底与所述载板之前，还包括：在所述第一区上形成第二凸块，所述第二凸块用于散热。

19.如权利要求18所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块的顶部表面齐平。

20.如权利要求19所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，形成所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块包括：在所述连接盘上形成初始第一凸块；在所述第二区上形成初始第一金属层；在所述第一区上形成初始第二凸块；平坦化所述初始第一凸块、所述初始第一金属层和所述初始第二凸块，形成所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块。

21.如权利要求18所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述载板还包括第一接合结构；接合所述衬底与所述载板还包括：接合所述第一接合结构与所述第一金属层。

22.如权利要求21所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述载板还包括第一导热结构；接合所述衬底与所述载板还包括：接合所述第一导热结构与所述第二凸块。

23.如权利要求22所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述载板包括相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出所述第一电互连结构表面、所述第一接合结构表面和所述第一导热结构表面，且所述第一电互连结构贯穿所述载板。

24.如权利要求23所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，接合所述衬底与所述载板的方法包括：在所述第一凸块表面形成第一接合层、在所述第一金属层表面形成第二接合层，和在所述第二凸块表面形成第三接合层；将所述第一凸块、所述第一金属层和所述第二凸块朝向所述第一面；连接所述第一接合层和所述第一电互连结构，所述第一凸块和所述第一电互连结构通过所述第一接合层接合；连接所述第二接合层和所述第一接合结构，所述第一金属层和所述第一接合连结构通过所述第二接合层接合；连接所述第三接合层和所述第一导热结构，所述第二凸块和所述第一导热结构通过所述三接合层接合。

25.如权利要求17所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述衬底包括器件区和切割道区，所述器件区包括所述第一区和所述第二区；在接合所述衬底与所述载板之前，还包括：沿所述切割道区对所述衬底进行切割。

26.如权利要求17所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述衬底包括器件区和切割道区，所述器件区包括所述第一区和所述第二区；在接合所述衬底与所述载板之后，还包括：沿所述切割道区对接合后的所述衬底和所述载板进行切割。

27.如权利要求17所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，在所述第一区上形成若干器件结构包括：在所述第一区上形成若干声表面波谐振器的有源结构或在所述第一区上形成若干体声波谐振器的有源结构。

28.如权利要求17所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，在所述第一区上形成若干器件结构包括：在所述第一区上形成若干叉指换能器。

29.如权利要求28所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锌或氮化铝；所述衬底和所述器件结构构成声表面波谐振器。

30.如权利要求17所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，还包括：形成若干空腔，嵌入所述衬底，所述空腔的开口位于所述衬底的表面，若干所述器件结构分别对应若干所述空腔。

31.如权利要求30所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，在所述第一区上形成若干器件结构包括：在所述第一区上形成若干第一电极层，分别位于若干所述空腔上方或内部；形成压电层，位于若干所述第一电极层上；以及形成若干第二电极层，位于所述压电层上，分别对应若干所述第一电极层；所述衬底和所述器件结构构成体声波谐振器结构。

Images