JP4210958B2 - 圧電デバイス - Google Patents
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Description
12 圧電基板(素子基板)
14 上面(主面)
15 裏面
20 金属膜
22 IDT(圧電デバイス)
24 パッド(導電パターン)
30 支持層
34 周面
50 カバー
70 補強材料
80 外部電極
Claims (7)
- 主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成された素子基板と、
前記素子基板の前記主面において前記圧電素子の周囲に配置された支持層と、
前記支持層に配置された後、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記素子基板の外周より内側が除去されて、前記素子基板の前記外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するカバーと、
前記素子基板より前記カバー側を、前記カバーから前記素子基板の前記主面の周部まで全体的に覆う絶縁性の補強材料と、
前記導電パターンに電気的に接続され、前記カバー及び前記補強材料を貫通する導電部材とを備えたことを特徴とする、圧電デバイス。 - 前記カバーは、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記支持層の周面よりも外側まで延在することを特徴とする、請求項1に記載の圧電デバイス。
- 前記カバー又は前記支持層が、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂又はシリコーン樹脂であり、
前記補強材料が、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の圧電デバイス。 - 複数の圧電デバイスを同時に製造する、圧電デバイスの製造方法であって、
主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成され、前記圧電素子の周囲に支持層が形成された素子基板について、前記支持層の上にカバーを配置するとともに、該カバーを貫通し、前記導電パターンに電気的に接続された第1の導電部材を形成する第1の工程と、
前記素子基板の法線方向から見たとき、一つの圧電デバイスとなる前記素子基板の外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するように、前記カバー側から前記素子基板まで、少なくとも前記カバーの前記素子基板の前記外周より内側をレーザ光で除去する第2の工程と、
前記素子基板より前記カバー側を、前記カバー側から前記素子基板まで全体的に覆うように、前記素子基板及び前記カバーに絶縁性の補強材料を配置するとともに、該補強材料を貫通し、前記第1の導電部材に電気的に接続された第2の導電部材を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。 - 前記レーザ光は、波長が355nm以下であることを特徴とする、請求項4に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記第2の工程と、前記第3の工程との間に、
一つの圧電デバイスとなる境界線に沿って前記素子基板の前記主面に形成された前記導電パターンを除去する工程を備えたことを特徴とする、請求項4又は5に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記第3の工程において、前記素子基板及び前記カバーに配置した前記補強材料を、減圧雰囲気中で硬化させることを特徴とする、請求項4、5又は6に記載の圧電デバイスの製造方法。
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