JP4210958B2 - 圧電デバイス - Google Patents
圧電デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4210958B2 JP4210958B2 JP2006524540A JP2006524540A JP4210958B2 JP 4210958 B2 JP4210958 B2 JP 4210958B2 JP 2006524540 A JP2006524540 A JP 2006524540A JP 2006524540 A JP2006524540 A JP 2006524540A JP 4210958 B2 JP4210958 B2 JP 4210958B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover
- element substrate
- piezoelectric
- support layer
- piezoelectric device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は、圧電デバイスに関し、詳しくは、圧電基板や圧電薄膜を用いた共振子やフィルタなどの圧電素子を備えた圧電デバイスに関する。
近年、圧電基板を用いた弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）や圧電薄膜を用いたバルク弾性波フィルタ（ＢＡＷフィルタ）などの圧電デバイスについて、素子チップサイズまでパッケージを小型化するチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の開発が進められている。
例えば図５に示す圧電デバイス２は、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ；櫛型電極）４ａを含む圧電素子と、パッド４ｂなどの導電パターンとが形成された圧電基板３の一方の主面３ａに、支持層５を介してカバー６を設け、カバー６から外部電極７が露出するようになっていて、回路基板１の配線パターン１ａに対して所定位置に、フェイスダウン実装する（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−２５１８６６号公報（図１）
特許文献１に開示された圧電デバイス２は、カバー６に穴を加工し、この穴に外部電極７を電解めっきや蒸着で埋めることにより、外部電極７をパッド４ｂと電気的に接続する。そのため、ＩＤＴ４ａの周囲の振動空間を十分に密封できないため、回路基板１に圧電デバイス２を実装した後に、バッファ樹脂８を介して補強樹脂９で覆うことにより、封止する必要があった。
本発明は、かかる実情に鑑み、小型化しつつ耐湿性を向上することができ、回路基板に実装した後に封止する必要がない圧電デバイス及びその圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するため、以下のように構成した圧電デバイスを提供する。
圧電デバイスは、ａ）主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成された素子基板と、ｂ）前記素子基板の前記主面において前記圧電素子の周囲に配置された支持層と、ｃ）前記支持層に配置された後、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記素子基板の外周より内側が除去されて、前記素子基板の前記外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するカバーと、ｄ）前記素子基板より前記カバー側を、前記カバーから前記素子基板の前記主面の周部まで全体的に覆う絶縁性の補強材料と、ｅ）前記導電パターンに電気的に接続され、前記カバー及び前記補強材料を貫通する導電部材とを備える。
上記構成において、圧電素子は、支持層により間隔を設けてカバーと対向し、圧電素子の周囲には空間が形成されるので、圧電素子は自由に動作する。補強材料により圧電素子を密封することができるので、圧電デバイスは、十分な耐湿性が得られ、回路基板に実装した後に樹脂で覆う必要がない。
好ましくは、前記カバーは、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記支持層の周面よりも外側まで延在する。
上記構成によれば、支持層よりも大きいカバー材を支持層の上に配置し、支持層の外側を除去することにより、支持層を除去することなくカバー材のみを除去し、除去したカバー材によってカバーを形成することができる。これにより、除去作業量をできるだけ少なくすることができ、加工速度を高めることができる。また、カバーと補強材料の接触面積を大きくでき、封止性を向上できる。
好ましくは、前記カバー又は前記支持層が、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂又はシリコーン樹脂である。前記補強材料が、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂である。
樹脂が硬化する際にハロゲンガスが発生すると、圧電素子、素子基板の腐食や、圧電素子表面への付着によって特性劣化の原因となる。上記構成によれば、ハロゲンガスが発生しない樹脂を用いるので、このような問題を防止することができる。
また、本発明は、上記課題を解決するため、以下のように構成した圧電デバイスの製造方法を提供する。
圧電デバイスの製造方法は、複数の圧電デバイスを同時に製造する製造方法である。圧電デバイスの製造方法は、ａ）主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成され、前記圧電素子の周囲に支持層が形成された素子基板について、前記支持層の上にカバーを配置するとともに、該カバーを貫通し、前記導電パターンに電気的に接続された第１の導電部材を形成する第１の工程と、ｂ）前記素子基板の法線方向から見たとき、一つの圧電デバイスとなる前記素子基板の外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するように、前記カバー側から前記素子基板まで、少なくとも前記カバーの前記素子基板の前記外周より内側をレーザ光で除去する第２の工程と、ｃ）前記素子基板より前記カバー側を、前記カバー側から前記素子基板まで全体的に覆うように、前記素子基板及び前記カバーに絶縁性の補強材料を配置するとともに、該補強材料を貫通し、前記第１の導電部材に電気的に接続された第２の導電部材を形成する第３の工程とを含む。
圧電素子は、支持層により間隔を設けてカバーと対向し、圧電素子の周囲には空間が形成されるので、圧電素子は自由に動作する。圧電素子は、補強材料により密封されるので、圧電デバイスは、十分な耐湿性が得られ、回路基板に実装した後に樹脂で覆う必要がない。
カバーをレーザで除去するとき、一つの圧電デバイスとなる境界線に沿って支持層がなければカバーのみを、あれば支持層も除去する。
補強材料側に外部電極を設ける場合、素子基板の導電パターンと外部電極とを電気的に接続する配線を通すため、カバーに貫通孔を形成する。この貫通孔を形成するために用いるレーザで、カバーの除去も行うことができる。
好ましくは、前記レーザ光は、波長が３５５ｎｍ以下である。
上記波長のレーザ光は、樹脂を除去するが、金属は除去しない。そのため、素子基板上に、一つの圧電デバイスとなる境界線に沿って金属の給電ラインなどの導電パターンを形成した場合に、カバーを除去し、金属の給電ラインなどを残しておき、カバーの除去後に、電解めっきの際の給電や、素子基板の焦電のアースなどに利用することができる。
好ましくは、前記第２の工程と、前記第３の工程との間に、一つの圧電デバイスとなる境界線に沿って前記素子基板の前記主面に形成された前記導電パターンを除去する工程を備える。
この場合、素子基板と補強材料との間に導電パターンがないので、耐湿性を向上することができる。
圧電デバイスの境界線に沿って形成された導電パターンは、電解めっきの給電ラインとして利用できるが、除去した後は利用できないため、外部電極を電解めっきにより形成することは困難になる。この場合には、無電解めっきにより形成する。又は、補強材料を配置する前に、第２の導電部材として、第１の導電部材に電気的に接続された金属柱をカバー上に形成しておき、この金属柱が、補強材料を配置した後に補強材料から露出するようにすればよい。
好ましくは、前記第３の工程において、前記素子基板及び前記カバーに配置した前記補強材料を、減圧雰囲気中で硬化させる。
補強材料が硬化する際に発生する硬化ガス中に、ハロゲンガスのように特性劣化の原因となる悪影響成分が含まれていても、圧電素子を密封した空間内に入ることを防止することができる。したがって、硬化ガス中の悪影響成分による特性劣化を防ぐことができる。
本発明の圧電デバイスは、小型化しつつ耐湿性を向上することができ、回路基板に実装した後に封止する必要がない。また、本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、小型化しつつ耐湿性を向上することができ、回路基板に実装した後に封止する必要がない圧電デバイスを製造することができる。
１０，１０ａ 弾性表面波フィルタ（圧電デバイス）
１２ 圧電基板（素子基板）
１４ 上面（主面）
１５ 裏面
２０ 金属膜
２２ ＩＤＴ（圧電デバイス）
２４ パッド（導電パターン）
３０ 支持層
３４ 周面
５０ カバー
７０ 補強材料
８０ 外部電極
１２ 圧電基板（素子基板）
１４ 上面（主面）
１５ 裏面
２０ 金属膜
２２ ＩＤＴ（圧電デバイス）
２４ パッド（導電パターン）
３０ 支持層
３４ 周面
５０ カバー
７０ 補強材料
８０ 外部電極
以下、本発明の実施の形態について実施例を、図１〜図４を参照しながら説明する。
図１の断面図に示すように、弾性表面波フィルタ１０は、圧電基板１２の一方の主面である上面１４に、ＩＤＴ２２を含む圧電素子と、パッド２４を含む導電パターンとが金属膜２０により形成されている。上面１４には、支持層３０によって間隔を設けてカバー５０を配置して、ＩＤＴ２２の周囲に振動空間２６を形成する。支持層３０はＩＤＴ２４の周囲に形成され、圧電基板１２の振動空間２６に隣接する部分において、弾性表面波が自由に伝搬するようになっている。さらに、絶縁性の補強材料７０により、カバー５０から上面１４の周部まで全体的に覆っている。補強材料７０からは外部電極８０が露出しており、弾性表面波フィルタ１０を電気機器等の回路基板に実装することができるようになっている。圧電基板１２の他方の主面１５（図において下面）には、保護樹脂１６が配置されている。
カバー５０は、支持層３０を覆い、支持層３０の周面３４まで延在している。カバー５０は、周面３４よりも外側まで延在してもよい。詳しくは後述するが、カバー５０及び補強材料７０には貫通孔が形成され、パッド２４と外部電極８０とを接続する電気配線が通るようになっている。
補強材料７０は、弾性表面波フィルタ１０の圧電基板１２の上面１４の外縁に沿って全周に渡って延在し、圧電基板１２の上面１４側を封止する。これによって、振動空間２６が密封され、外界から遮断される。
弾性表面波フィルタ１０は、複数個を同時に製造することができ、図２では、２つ弾性表面波フィルタ１０を製造時の境界線とともに図示している。
図２の平面図に示すように、外部電極８０として４つの外部電極８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄが設けられている。外部電極８０ａ，８０ｄはアース端子、外部電極８０ｂは入力端子、外部電極８０ｃは出力端子である。
圧電基板１２のウェハの上面には、図２において一点鎖線で模式的に示した金属膜パターンが形成されている。なお、図２において右側の弾性表面波フィルタ１０については、金属膜パターンの図示を省略している。
すなわち、弾性表面波フィルタ１０内には、ＩＤＴ２２として４つのＩＤＴ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄが形成され、パッド２４として５つのパッド２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｘが形成されている。また、ＩＤＴ２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄの各電極端子とパッド２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｘとを接続する配線が形成されている。一方、隣接する弾性表面波フィルタ１０間の境界に、導電ライン２１が形成されている。さらに、導電ライン２１と弾性表面波フィルタ１０内の配線と接続するショートライン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，２５ｄが形成されている。ＩＤＴ２２ａの両側とＩＤＴ２２ｂのＩＤＴ２２ｃに対する反対側とＩＤＴ２２ｄのＩＤＴ２２ｃに対する反対側とに反射器があってもよい。ＩＤＴ又は反射器以外の金属膜パターンは必ずしも支持層に囲まれていなくてもよい。例えばパッド２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄとＩＤＴを接続する配線の一部が支持層３０の外に出てもよい。
支持層３０の上に配置されたカバー５０には、パッド２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｘに対応する位置に、後述する貫通孔（ビアホール）が形成されている。カバー５０の上面には、図２において右側の弾性表面波フィルタ１０について２点鎖線で示したアース配線６０が形成されている。なお、図２において左側の弾性表面波フィルタ１０については、アース配線６０の図示を省略している。アース配線６０の両端６０ａ，６０ｂは、カバー５０と支持層３０を貫通するビアホールを介して、パッド２４ａ，２４ｄと電気的に接続される。アース配線６０の中間点６０ｘは、カバー５０と支持層３０を貫通するビアホールを介して、ＩＤＴ２４ｘに接続されたパッド２４ｘと、電気的に接続される。アース配線６０は、ＩＤＴ２２ａとＩＤＴ２２ｂ及び２２ｄとを接続するホット配線と、絶縁体である支持層３０及びカバー５０を挟んで立体交差している。
図２において右側の弾性表面波フィルタ１０について点線で示すように、補強材料７０には、矩形の孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄが形成され、この孔７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄを介して、外部電極８０ａ，８０ｂ，８０ｃ，８０ｄとパッド２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄとが電気的に接続される。なお、図２において左側の弾性表面波フィルタ１０については、補強材料７０の矩形の孔の図示を省略している。
次に、弾性表面波フィルタ１０の製造方法について、図３を参照しながら説明する。
図３（ａ）に示すように、圧電基板１２のウェハの上面１４に、金属膜２０を形成する。例えば、厚さ０．３ｍｍ、直径１００ｍｍのＬｉＴａＯ３基板上に、ＩＤＴ２２、パッド２４、導電ライン２１（図２参照）などの部分に、厚さ１００ｎｍのＡｌ膜を蒸着リフトオフで形成する。導電ライン２１の線幅は、２０μｍである。さらに、後のめっき時に給電膜とするために、パッド２４と導電ライン２１（図２参照）の部分について、厚さ１０ｎｍのＴｉ及び厚さ１μｍのＡｌをリフトオフ法で成膜する。
次に、図３（ｂ）に示すように、圧電基板１２のウェハの上面１４に、支持層３０を形成する。支持層３０は、ＩＤＴ２２やパッド２４の部分に開口を形成する。また、隣り合う弾性表面波フィルタ１０との間に間隔を設け、導電ライン２１（図２参照）上にも開口を形成する。例えば、圧電基板１２のウェハの上面１４に、ネガ型の感光性ポリイミドを２０μｍの厚さで塗布し、乾燥・露光・ＰＥＢ・現像を行い、ＩＤＴ２２、パッド２４、及び隣り合う弾性表面波フィルタ１０との間の部分が開口したパターンの支持層３０を形成する。このとき、グレートーンフォトマスクを用いることで、パッド２４の開口部に、順テーパの傾斜面３２を形成し、次の工程で配線４０を形成しやすくする。
次に、図３（ｃ）に示すように、パッド２４から支持層３０の上面のパッド部分（線幅３０μｍ）まで延在する配線４０を形成する。配線４０は、後のめっき処理を考慮して、厚さ１０ｎｍのＴｉ膜の上に厚さ３μｍのＣｕ膜を成膜する。このとき同時に、支持層３０の上面のパッド部分と導電ライン２１（図２参照）とを接続するショートライン２５ａ〜２５ｄ（図２参照）を、支持層３０の上面にも形成し、めっきライン（線幅３０μｍ、膜厚は３μｍ）として用いる。なお、Ｃｕの代わりにＡｌを採用すると、後のレーザ加工時のダメージが少ない点ではよいが、メッキ前処理としてシンジケート処理が必要であり、製造コストが増大する。
次に、図３（ｄ）に示すように、カバー５０を形成する。例えば、厚さ１５μｍ〜３５μｍのポリイミドフィルムにポリイミド系接着剤を塗布したシートを、ロールラミネート法でウェハ全面に貼り付け、２００℃で硬化させる。
次に、図３（ｅ）に示すように、カバー５０に貫通孔（ビアホール）５２を形成するとともに、カバー５０が支持層３０の周面３４よりも外側にはみ出した部分を除去し、隣り合う弾性表面波フィルタ１０の境界に溝５４を加工する。例えば、ＴＨＧレーザを用いてカバー５０に、直径１０μｍのビアホール５２と溝５４を加工した後、Ｏ２アッシングでレーザ加工残渣を除去する。
ＴＨＧレーザ（波長３５５ｎｍ）の場合、カバー５０のポリイミドフィルムのレーザ光吸収率は９９％、導電ライン２１やショートライン２５ａ〜２５ｄのＡｌのレーザ光吸収率は１０％程度であるので、カバー５０のはみ出した部分をレーザで除去して溝５４を形成するときに、その下の上面１４に形成された導電ライン２１等をレーザで除去することはない。ＳＨＧレーザ（波長５３２ｎｍ）、ＣＯ２レーザ（波長１０．６μｍ）を用いる場合であっても、上面１４に形成された導電ライン２１等を厚く形成するなど、レーザ加工条件を適宜に選択すれば、１回の切断で、隣り合う弾性表面波フィルタ１０間に溝５４を形成することができる。
隣り合う弾性表面波フィルタ１０の支持層３０は、周面３４により間隔が設けられているので、カバー５０のみをレーザにより短時間で除去することができる。このとき、レーザビームの径が広がると、同じエネルギー密度（同等の加工速度、加工形状を得る）とするためには、大きな出力が必要であるため、加工幅はできるだけ小さくし、エネルギー密度を高くして加工速度を速くする、すなわち、除去後のカバー５０が、支持層３０の周面３４よりも外側まで延在することが好ましい。また、カバーと補強材料の接触面積を大きくでき、封止性を向上できる。
次に、図３（ｆ）に示すように、ビアホール５２を導電材料で埋める。例えば、導電ライン２１を給電膜として、Ｃｕ電解メッキでビアホール５２を埋め込む。
次に、図３（ｇ）に示すように、カバー５０の上に、ビアホール５２と外部電極８０とを接続するためのアース配線６０とホット配線６５を形成する。例えば、リフトオフによりアース配線６０とホット配線６５を形成する。このとき、後のめっき性を考慮して、厚さ１００ｎｍのＴｉ、厚さ１μｍのＡｌ、厚さ１００ｎｍのＣｕの順に形成する。
次に、図３（ｈ）に示すように、補強材料７０を圧電基板１２のウェハの上面１４側に塗布し、支持層３０やカバー５０などを補強材料７０で覆った後、図３（ｉ）に示すように、硬化した補強材料７０に貫通孔７２を形成し、アース配線６０とホット配線６５を露出させる。例えば、補強材料７０として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、低温ガラスフリッタ、ポリイミド樹脂又はアクリル酸エステル樹脂を塗布し、カバー５０上の厚さが３０μｍとなるようし、直径１００μｍの貫通孔７２を形成する。貫通孔７２は、補強材料７０に感光性樹脂を用いる場合にはリソグラフィで、非感光性樹脂を用いる場合にはレーザで形成する。
補強材料７０が硬化する際にハロゲンガスが発生すると、ＩＤＴ２２、圧電基板１２の腐食や、素子表面への付着によって特性劣化の原因となる。カバー５０や支持層３０にポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂又はシリコーン樹脂、補強材料７０にエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂を用いると、ハロゲンガスが発生しないので好ましい。ハロゲンガスが発生する樹脂であっても、減圧雰囲気中で補強材料７０を硬化させると、ＩＤＴ２２を密封した振動空間２６内にハロゲンガスが入ることを防止することができ、特性劣化を防ぐことができる。
次に、図３（ｊ）に示すように、貫通孔７２を介してアース配線６０とホット配線６５に接続された外部電極８０を形成するとともに、圧電基板１２の裏面１５に保護樹脂１６を形成する。
具体的には、外部電極８０の下地膜として、アース配線６０とホット配線６５の貫通孔７２から露出した部分に、厚さ３００ｎｍのＮｉ、厚さ１００ｎｍのＡｕを順に電解めっきで形成する。下地膜を形成する代わりに、Ｃｕ電解めっきで貫通孔７２を埋めてＮｉ，Ａｕを電解めっきした外部電極８０自体を形成してもよい。次に、圧電基板１２のウェハの裏面にエポキシ樹脂を厚さ１０μｍで全面に塗布した後、貫通孔７２の部分に外部電極用のハンダを印刷し、リフローすることにより、玉状の外部端子を形成する。
最後に、圧電基板１２のウェハを、隣接する弾性表面波フィルタ１０間の境界でダイシングすることにより、弾性表面波フィルタ１０の個片に分割する。このとき、補強材料７０を切断し、支持層３０やカバー５０がダイシングによって露出しないようにする。ただし、切断した弾性表面波フィルタ１０の側面には、ショートライン２５ａ〜２５ｄ（図２参照）の切断面が露出する。
上記のようにして弾性表面波フィルタ１０を製造する場合、アライメント接合プロセスがなく、カバー５０は安価なロールラミネートであるので、製造コストを低減できる。ＴＨＧレーザを用いることにより、カバー５０に直径が１０μｍのビアホール５２を形成でき、素子を小型化できる。感光性樹脂を用いないため、カバー５０と補強材料７０の材料選択自由度が大きくなる。カバー５０や配線が補強材料７０で覆われて露出しないので、信頼性を確保できる。めっきで配線を形成するため、ビア導通良品率が優れている。めっきとはんだを併用することにより、外部電極８０の強度が高くなる。補強材料７０や保護樹脂１６により、実装衝撃などに対する強度を確保できる。支持層３０、カバー５０、補強材料７０が樹脂であるので、その緩衝効果により、実装衝撃や熱衝撃で断線等の不具合が起こりにくい。
次に、第２実施例の弾性表面波フィルタ１０ａについて、図４を参照しながら説明する。
第２実施例では、第１実施例と製造工程の一部が異なるため、弾性表面波フィルタ１０ａの側面からは、ショートライン２５ａ〜２５ｄ（図２参照）の切断面が露出しない。以下では、第１実施例との相違点を中心に説明する。
図４（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１実施例と同様に、圧電基板１２のウェハの上面１４に、金属膜２０を形成した後、支持層３０を形成する。そして、パッド２４から支持層３０の上面まで延在する配線４０を形成した後、カバー５０で覆う。
次に、図４（ｅ）に示すように、カバー５０に貫通孔（ビアホール）５２を形成し、ビアホール５２を導電材料で埋める。例えば、ＴＨＧレーザを用いてカバー５０に直径１０μｍのビアホール５２を加工した後、Ｏ２アッシングでレーザ加工残渣を除去する。そして、導電ライン２１（図２参照）を給電膜として、Ｃｕ電解メッキでビアホール５２を埋め込む。
次に、図４（ｆ）に示すように、カバーの上に、ビアホール５２と外部電極８０とを接続するためのアース配線６０とホット配線６５を形成する。例えば、リフトオフによりアース配線６０とホット配線６５を形成する。このとき、後のめっき性を考慮して、厚さ１００ｎｍのＴｉ、厚さ１μｍのＡｌ、厚さ１００ｎｍのＣｕの順に形成する。
次に、図４（ｇ）に示すように、カバー５０に溝５４を形成する。その際、導電ライン２１とパッド２４ａ〜２４ｄとを接続しているショートライン２５ａ〜２５ｄも除去する（図２参照）。例えば、ＴＨＧレーザを用いて加工した後、Ｏ２アッシングでレーザ加工残渣を除去する。
次に、図４（ｈ）に示すように、補強材料７０をウェハの上面１４側に塗布し、支持層３０やカバー５０などを補強材料７０で覆った後、図４（ｉ）に示すように、硬化した補強材料７０に貫通孔７２を形成し、アース配線６０とホット配線６５を露出させる。例えば、補強材料７０として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂又はアクリル酸エステル樹脂を塗布し、カバー５０上の厚さが３０μｍとなるようし、直径１００μｍの貫通孔７２を形成する。貫通孔７２は、補強材料７０に感光性樹脂を用いる場合にはリソグラフィで、非感光性樹脂を用いる場合にはレーザで形成する。
次に、図４（ｊ）に示すように、貫通孔７２を介してアース配線６０とホット配線６５に接続された外部電極８０を形成するとともに、圧電基板１２の裏面１５に保護樹脂１６を形成する。
具体的には、外部電極の下地膜として、アース配線６０とホット配線６５の貫通孔７２から露出した部分に、厚さ３００ｎｍのＮｉ、厚さ１００ｎｍのＡｕを順に無電解めっきで形成する。下地膜を形成する代わりに、Ｃｕ電解めっきで貫通孔７２を埋めてＮｉ，Ａｕを無電解めっきした外部電極自体を形成してもよい。次に、圧電基板１２のウェハの裏面１５にエポキシ樹脂を厚さ１０μｍで全面に塗布した後、貫通孔７２の部分に外部電極用のハンダを印刷し、リフローすることにより、玉状の外部端子を形成する。
最後に、圧電基板１２のウェハを、隣接する弾性表面波フィルタ１０ａ間の境界でダイシングすることにより、弾性表面波フィルタ１０ａを個片に分割する。このとき、要素間の補強材料７０を切断し、支持層３０やカバー５０がダイシングによって露出しないようにする。
カバー５０に溝５４を形成する際に、ショートライン２５ａ〜２５ｄ（図２参照）が除去され、ショートライン２５ａ〜２５ｄの配線が補強材料７０の外に露出しないので、弾性表面波フィルタ１０ａの信頼性が高くなる。
なお、第２実施例の弾性表面波フィルタ１０ａは、第１実施例の弾性表面波フィルタ１０と同様の効果もある。
以上に説明したように、弾性表面波フィルタ１０，１０ａは、補強材料７０でＩＤＴ２２の周囲の振動空間２６を密封することにより、小型化しつつ耐湿性を向上することができ、回路基板に実装した後に封止する必要がない。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種々の変更を加えて実施することが可能である。
本発明は、弾性表面波フィルタに限らず、弾性表面波を利用する素子を備えた圧電デバイスや、圧電薄膜を用いた圧電素子が基板に形成されたバルク弾性波フィルタなどの圧電デバイスにも適用可能である。
Claims (7)
- 主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成された素子基板と、
前記素子基板の前記主面において前記圧電素子の周囲に配置された支持層と、
前記支持層に配置された後、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記素子基板の外周より内側が除去されて、前記素子基板の前記外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するカバーと、
前記素子基板より前記カバー側を、前記カバーから前記素子基板の前記主面の周部まで全体的に覆う絶縁性の補強材料と、
前記導電パターンに電気的に接続され、前記カバー及び前記補強材料を貫通する導電部材とを備えたことを特徴とする、圧電デバイス。 - 前記カバーは、前記素子基板の前記主面の法線方向から見たとき、前記支持層の周面よりも外側まで延在することを特徴とする、請求項１に記載の圧電デバイス。
- 前記カバー又は前記支持層が、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂又はシリコーン樹脂であり、
前記補強材料が、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の圧電デバイス。 - 複数の圧電デバイスを同時に製造する、圧電デバイスの製造方法であって、
主面に圧電素子と該圧電素子に接続された導電パターンとが形成され、前記圧電素子の周囲に支持層が形成された素子基板について、前記支持層の上にカバーを配置するとともに、該カバーを貫通し、前記導電パターンに電気的に接続された第１の導電部材を形成する第１の工程と、
前記素子基板の法線方向から見たとき、一つの圧電デバイスとなる前記素子基板の外周より内側に前記素子基板の前記外周と全周に渡って間隔を設けて延在するように、前記カバー側から前記素子基板まで、少なくとも前記カバーの前記素子基板の前記外周より内側をレーザ光で除去する第２の工程と、
前記素子基板より前記カバー側を、前記カバー側から前記素子基板まで全体的に覆うように、前記素子基板及び前記カバーに絶縁性の補強材料を配置するとともに、該補強材料を貫通し、前記第１の導電部材に電気的に接続された第２の導電部材を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。 - 前記レーザ光は、波長が３５５ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項４に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記第２の工程と、前記第３の工程との間に、
一つの圧電デバイスとなる境界線に沿って前記素子基板の前記主面に形成された前記導電パターンを除去する工程を備えたことを特徴とする、請求項４又は５に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記第３の工程において、前記素子基板及び前記カバーに配置した前記補強材料を、減圧雰囲気中で硬化させることを特徴とする、請求項４、５又は６に記載の圧電デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004207896 | 2004-07-14 | ||
| JP2004207896 | 2004-07-14 | ||
| PCT/JP2005/011169 WO2006006343A1 (ja) | 2004-07-14 | 2005-06-17 | 圧電デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2006006343A1 JPWO2006006343A1 (ja) | 2008-04-24 |
| JP4210958B2 true JP4210958B2 (ja) | 2009-01-21 |
Family
ID=35783696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006524540A Active JP4210958B2 (ja) | 2004-07-14 | 2005-06-17 | 圧電デバイス |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7259500B2 (ja) |
| EP (1) | EP1768256B1 (ja) |
| JP (1) | JP4210958B2 (ja) |
| KR (1) | KR100680511B1 (ja) |
| CN (1) | CN100550618C (ja) |
| WO (1) | WO2006006343A1 (ja) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4586852B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2010-11-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| JP2007081613A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| EP2501039B1 (en) * | 2006-01-18 | 2015-04-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and boundary acoustic wave device |
| KR100731351B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-06-21 | 삼성전자주식회사 | 탄성 표면파 디바이스 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 패키징방법 |
| CN101501989B (zh) * | 2006-08-07 | 2012-06-27 | 京瓷株式会社 | 弹性表面波装置的制造方法 |
| JP4886485B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2012-02-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP5113394B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2013-01-09 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| EP2159916B1 (en) * | 2007-02-28 | 2018-07-11 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Branching filter and its manufacturing method |
| JP5229220B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-07-03 | 株式会社村田製作所 | 液中物質検出センサー |
| JP2009010559A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
| CN101803189B (zh) * | 2007-10-30 | 2014-01-08 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置 |
| WO2009075088A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面波装置及びデュプレクサ |
| CN101868917B (zh) * | 2007-12-14 | 2014-02-19 | 株式会社村田制作所 | 表面波装置及其制造方法 |
| JP4468456B2 (ja) * | 2008-01-07 | 2010-05-26 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| JP5090471B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-12-05 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| JP4894927B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-03-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| WO2010029657A1 (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP5217836B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-06-19 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP5051483B2 (ja) | 2008-10-24 | 2012-10-17 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、およびその製造方法 |
| JP5282141B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2013-09-04 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US20100288525A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Alcatel-Lucent Usa, Incorporated | Electronic package and method of manufacture |
| US8334737B2 (en) * | 2009-07-15 | 2012-12-18 | Panasonic Corporation | Acoustic wave device and electronic apparatus using the same |
| JP5425005B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-02-26 | 日本電波工業株式会社 | 圧電部品及びその製造方法 |
| JP5419617B2 (ja) | 2009-09-28 | 2014-02-19 | 太陽誘電株式会社 | フィルタ、通信モジュール、および通信装置 |
| US8471433B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Elastic wave device and electronic device using the same |
| JP5577671B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2014-08-27 | 富士通株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
| US8963655B2 (en) | 2009-11-27 | 2015-02-24 | Kyocera Corporation | Acoustic wave device and method for producing same |
| JP5497795B2 (ja) | 2010-01-12 | 2014-05-21 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| JP5654303B2 (ja) * | 2010-09-21 | 2015-01-14 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス |
| JP2012084954A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
| JP5653187B2 (ja) | 2010-11-18 | 2015-01-14 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| JP5823219B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2015-11-25 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品 |
| JP5358724B1 (ja) * | 2012-06-28 | 2013-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
| KR101641986B1 (ko) * | 2012-08-01 | 2016-07-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품 및 전자 부품 모듈 |
| JP6044643B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2016-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法及び弾性波装置 |
| JP6336248B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2018-06-06 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
| KR101825499B1 (ko) | 2013-08-13 | 2018-02-05 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
| JP5907195B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2016-04-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| KR101706257B1 (ko) * | 2015-01-13 | 2017-02-13 | (주)와이솔 | 압전소자 디바이스 |
| CN105958959A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-09-21 | 维沃移动通信有限公司 | 一种晶振和其制造方法 |
| CN105958960A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-09-21 | 维沃移动通信有限公司 | 一种晶振及晶振制造方法 |
| CN106169918A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-30 | 维沃移动通信有限公司 | 一种晶振及其制造方法 |
| KR102550176B1 (ko) * | 2017-11-09 | 2023-07-03 | 삼성전기주식회사 | 음향파 디바이스 및 그 제조방법 |
| KR102163886B1 (ko) | 2017-12-19 | 2020-10-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
| JP6996467B2 (ja) * | 2017-12-19 | 2022-01-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN108494380A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-09-04 | 无锡市好达电子有限公司 | 声表面波材料及其制作方法 |
| CN108843794B (zh) * | 2018-06-21 | 2021-02-09 | 西安交通大学 | 一种阵列式超声波动密封装置及方法 |
| CN109037430B (zh) * | 2018-08-10 | 2024-08-06 | 浙江熔城半导体有限公司 | 带有双围堰及外移通孔的芯片封装结构及其制作方法 |
| KR102574417B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2023-09-04 | 삼성전기주식회사 | 박막형 패키지 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3238492B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2001-12-17 | 株式会社タイセー | 圧電センサ |
| JPH07221590A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
| JP3265889B2 (ja) * | 1995-02-03 | 2002-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
| JP3514361B2 (ja) | 1998-02-27 | 2004-03-31 | Ｔｄｋ株式会社 | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
| JP2000165192A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP3677409B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2005-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| DE10005296A1 (de) * | 2000-02-07 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung für die Emission elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US6710682B2 (en) | 2000-10-04 | 2004-03-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same |
| JP2002261582A (ja) | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
| JP2003037473A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| TW200302685A (en) * | 2002-01-23 | 2003-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Circuit component built-in module and method of manufacturing the same |
| JP2003264442A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法及び多面取りベース基板 |
| JP2003297962A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-17 | Hitachi Cable Ltd | 電子装置及びその製造方法、ならびに電子装置の製造に用いる配線基板及び封止部材 |
| US20040012970A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-22 | Umax Data Systems Inc. | Lamp protection device |
| JP2004129224A (ja) | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2004153412A (ja) | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| DE10256116B4 (de) * | 2002-11-29 | 2005-12-22 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP2004248243A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
| JP2004222244A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器およびその製造方法 |
| JP4638657B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2011-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品内蔵型多層基板 |
-
2005
- 2005-06-17 KR KR20067005118A patent/KR100680511B1/ko active IP Right Grant
- 2005-06-17 JP JP2006524540A patent/JP4210958B2/ja active Active
- 2005-06-17 CN CNB2005800007279A patent/CN100550618C/zh active Active
- 2005-06-17 US US10/564,220 patent/US7259500B2/en active Active
- 2005-06-17 WO PCT/JP2005/011169 patent/WO2006006343A1/ja active IP Right Grant
- 2005-06-17 EP EP05751314.5A patent/EP1768256B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7259500B2 (en) | 2007-08-21 |
| KR100680511B1 (ko) | 2007-02-08 |
| JPWO2006006343A1 (ja) | 2008-04-24 |
| WO2006006343A1 (ja) | 2006-01-19 |
| CN100550618C (zh) | 2009-10-14 |
| EP1768256B1 (en) | 2017-01-04 |
| US20060192462A1 (en) | 2006-08-31 |
| KR20060095958A (ko) | 2006-09-05 |
| EP1768256A4 (en) | 2011-08-03 |
| EP1768256A1 (en) | 2007-03-28 |
| CN1839543A (zh) | 2006-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4210958B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP6603377B2 (ja) | 弾性波装置および電子部品 | |
| US7486160B2 (en) | Electronic component and manufacturing method thereof | |
| JP5113394B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP4401409B2 (ja) | 弾性表面波デバイス、及びその製造方法 | |
| JPWO2006001125A1 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2007318058A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| WO2017179300A1 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| US8692440B2 (en) | Piezoelectric device and manufacturing method therefor | |
| US20160301386A1 (en) | Elastic wave filter device | |
| US11515856B2 (en) | Acoustic wave device, front-end circuit, and communication apparatus | |
| US11695389B2 (en) | Acoustic wave device, front-end circuit, and communication apparatus | |
| JP6963445B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP5873311B2 (ja) | 弾性波デバイス及び多層基板 | |
| JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2004153412A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP2007027211A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| KR100862379B1 (ko) | 표면탄성파 디바이스 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2004180177A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2000236230A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP4731216B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10178330A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| WO2023017825A1 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
| JP5521016B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP7406331B2 (ja) | 電子デバイス、モジュールおよびウエハ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081002 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081015 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4210958 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107 Year of fee payment: 5 |