JP6996467B2 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6996467B2 JP6996467B2 JP2018187860A JP2018187860A JP6996467B2 JP 6996467 B2 JP6996467 B2 JP 6996467B2 JP 2018187860 A JP2018187860 A JP 2018187860A JP 2018187860 A JP2018187860 A JP 2018187860A JP 6996467 B2 JP6996467 B2 JP 6996467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- main surface
- elastic wave
- wave device
- protective layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 147
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 119
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 103
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 64
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 44
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02614—Treatment of substrates, e.g. curved, spherical, cylindrical substrates ensuring closed round-about circuits for the acoustical waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
本発明は、一般に弾性波装置に関し、特に、共振子又はフィルタに用いられる弾性波装置に関する。
従来、共振子又はフィルタに用いられる弾性波装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
特許文献１に記載された弾性波装置は、圧電基板と、ＩＤＴ電極を含む振動部と、支持層（スペーサ層）と、カバー層（カバー部材）と、保護層とを備える。特許文献１に記載された弾性波装置では、圧電基板の上にＩＤＴ電極が形成されている。また、特許文献１に記載された弾性波装置では、振動部の周囲において枠状に支持層が形成されており、支持層の上にカバー層が配置され、カバー層の上に保護層が形成されている。
ところで、特許文献１に記載された従来の弾性波装置を実装基板に実装させる際に、弾性波装置に対して実装基板が傾いている場合がある。このような場合、特許文献１に記載された従来の弾性波装置では、弾性波装置における保護層の角部が実装基板に衝突することがあった。つまり、実装基板への弾性波装置の角あたりが発生することがあった。このため、保護層又は実装基板にクラックが発生する可能性があるという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、クラックを発生しにくくすることができる弾性波装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、ＩＤＴ電極と、スペーサ層と、カバー部材と、保護層と、外部接続電極とを備える。前記基板は、少なくとも一部に圧電性を有する。前記ＩＤＴ電極は、前記基板上に設けられている。前記スペーサ層は、前記基板上に設けられており、かつ、前記ＩＤＴ電極を囲んでいる。前記カバー部材は、前記スペーサ層上に設けられており、前記ＩＤＴ電極から離れている。前記カバー部材は、前記スペーサ層側の第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面とを有する。前記保護層は、前記カバー部材上に設けられており、前記第２主面と接する第３主面と、前記第３主面と対向する第４主面と、前記第４主面に連なる側面とを有する。前記外部接続電極は、前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。前記外部接続電極は、前記スペーサ層と前記カバー部材と前記保護層とを貫通する貫通ビアを含む。前記保護層における前記側面のうちの少なくとも一部において、前記側面と前記第４主面との交線は、前記基板の厚さ方向からの平面視において、前記第４主面と前記基板との間であって前記基板と平行な任意の仮想平面と前記側面との交線よりも内側に位置する。
本発明の上記態様に係る弾性波装置によれば、クラックを発生しにくくすることができる。
以下、実施形態１，２に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。
下記の実施形態等において説明する図１～図３、図４Ａ～図４Ｆ、図５Ａ～図５Ｅ、及び図６は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。また、図１は、図２のＸ１－Ｘ１線断面図である。
（実施形態１）
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態１に係る弾性波装置の全体構成について、図面を参照して説明する。
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態１に係る弾性波装置の全体構成について、図面を参照して説明する。
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１に示すように、基板１１と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１２と、スペーサ層１３と、カバー部材１４と、保護層１５と、複数（図示例では２つ）の配線層１６と、複数（図示例では２つ）の外部接続電極１７とを備える。実施形態１に係る弾性波装置１は、ＷＬＰ（Wafer Level Package：ウェハレベルパッケージ）型の弾性波装置であり、例えばＳＡＷ（Surface Acoustic Wave：弾性表面波）フィルタとして用いられる。ここでは、ＷＬＰ型の弾性波装置１とは、ウェハレベルで、基板１１にＩＤＴ電極１２とスペーサ層１３とカバー部材１４と保護層１５と配線層１６と外部接続電極１７とを設けるための工程を行い、最後に、ウェハを切断して得られるタイプの弾性波装置である。
弾性波装置１は、図３に示すように、実装基板２に実装される。弾性波装置１と実装基板２とで電子部品モジュール３を構成する。
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
（２．１）基板
基板１１は、図１に示すように、ＩＤＴ電極１２を支持している。基板１１は、厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある主面１１１及び主面１１２を有する。基板１１の平面視形状（基板１１を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、図２に示すように正方形状であるが、正方形状に限らず、例えば長方形状のような、正方形状以外の四角形状であってもよい。また、基板１１の平面視形状は、四角形状以外の形状であってもよい。
基板１１は、図１に示すように、ＩＤＴ電極１２を支持している。基板１１は、厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある主面１１１及び主面１１２を有する。基板１１の平面視形状（基板１１を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、図２に示すように正方形状であるが、正方形状に限らず、例えば長方形状のような、正方形状以外の四角形状であってもよい。また、基板１１の平面視形状は、四角形状以外の形状であってもよい。
基板１１は、圧電材料からなる圧電基板である。基板１１の圧電材料としては、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、又は水晶などの適宜の圧電材料が用いられる。
（２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極１２は、図１に示すように、基板１１の厚さ方向Ｄ１において基板１１の主面１１１に対向して設けられている。ここで、「ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１に対向して設けられている」とは、ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１と離隔した状態で主面１１１に対向して設けられている場合と、ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１上に設けられている場合とを含む。図１の例では、ＩＤＴ電極１２は、基板１１の主面１１１上に設けられている。なお、ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１と離隔した状態で主面１１１に対向して設けられている場合は、例えば、基板１１の主面１１１上に酸化膜等が設けられており、この酸化膜上にＩＤＴ電極１２が設けられている場合を含む。
ＩＤＴ電極１２は、図１に示すように、基板１１の厚さ方向Ｄ１において基板１１の主面１１１に対向して設けられている。ここで、「ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１に対向して設けられている」とは、ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１と離隔した状態で主面１１１に対向して設けられている場合と、ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１上に設けられている場合とを含む。図１の例では、ＩＤＴ電極１２は、基板１１の主面１１１上に設けられている。なお、ＩＤＴ電極１２が基板１１の主面１１１と離隔した状態で主面１１１に対向して設けられている場合は、例えば、基板１１の主面１１１上に酸化膜等が設けられており、この酸化膜上にＩＤＴ電極１２が設けられている場合を含む。
ＩＤＴ電極１２は、複数の電極指１２１と、２つのバスバー（図示せず）とを含む。複数の電極指１２１は、厚さ方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２に並んで配置されている。２つのバスバーは、方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指１２１と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指１２１は、複数の第１電極指と、複数の第２電極指とを有する。複数の第１電極指は、２つのバスバーのうちの第１バスバーと電気的に接続されている。複数の第２電極指は、２つのバスバーのうちの第２バスバーと電気的に接続されている。
ＩＤＴ電極１２の材料は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極１２は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。
（２．３）スペーサ層
スペーサ層１３は、図１に示すように、基板１１の主面１１１側において基板１１の外縁１１３から離れて設けられている。図１の例では、スペーサ層１３は、基板１１の主面１１１上に設けられている。スペーサ層１３は、外周形状が長方形の枠状であり、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視においてＩＤＴ電極１２を囲んでいる。そして、スペーサ層１３は、ＩＤＴ電極１２を露出させる貫通孔１３１を有する。ここで、スペーサ層１３が基板１１の主面１１１側に設けられているとは、基板１１の厚さ方向Ｄ１において主面１１１と対向する主面１１２よりも主面１１１の近くに設けられていることをいう。
スペーサ層１３は、図１に示すように、基板１１の主面１１１側において基板１１の外縁１１３から離れて設けられている。図１の例では、スペーサ層１３は、基板１１の主面１１１上に設けられている。スペーサ層１３は、外周形状が長方形の枠状であり、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視においてＩＤＴ電極１２を囲んでいる。そして、スペーサ層１３は、ＩＤＴ電極１２を露出させる貫通孔１３１を有する。ここで、スペーサ層１３が基板１１の主面１１１側に設けられているとは、基板１１の厚さ方向Ｄ１において主面１１１と対向する主面１１２よりも主面１１１の近くに設けられていることをいう。
スペーサ層１３は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１３の材料は、例えば、エポキシ樹脂又はポリイミド系樹脂等の合成樹脂である。また、厚さ方向Ｄ１において、スペーサ層１３の厚さは、ＩＤＴ電極１２の厚さよりも大きい。
（２．４）カバー部材
カバー部材１４は、図１に示すように、スペーサ層１３の貫通孔１３１を塞ぐようにスペーサ層１３上に設けられている。カバー部材１４は、基板１１の厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１２から離れている。カバー部材１４は、スペーサ層１３側の第１主面１４１と、第１主面１４１と対向する第２主面１４２とを有する。カバー部材１４は、平板状である。カバー部材１４の平面視形状（基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状のような長方形状以外の四角形状であってもよい。また、カバー部材１４の平面視形状は、四角形状以外の形状であってもよい。カバー部材１４の外周形は、基板１１の外周形よりも小さい。
カバー部材１４は、図１に示すように、スペーサ層１３の貫通孔１３１を塞ぐようにスペーサ層１３上に設けられている。カバー部材１４は、基板１１の厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１２から離れている。カバー部材１４は、スペーサ層１３側の第１主面１４１と、第１主面１４１と対向する第２主面１４２とを有する。カバー部材１４は、平板状である。カバー部材１４の平面視形状（基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状のような長方形状以外の四角形状であってもよい。また、カバー部材１４の平面視形状は、四角形状以外の形状であってもよい。カバー部材１４の外周形は、基板１１の外周形よりも小さい。
カバー部材１４は、電気絶縁性を有する。カバー部材１４の材料は、例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等の合成樹脂である。なお、カバー部材１４は、単一の材料により形成されてもよいし、複数の材料により形成されてもよい。また、カバー部材１４は、上記樹脂以外の適宜の電気絶縁性材料により形成されてもよい。
なお、カバー部材１４とスペーサ層１３は同じ熱硬化工程において硬化することが好ましい。このため、カバー部材１４を構成する樹脂と、スペーサ層１３を構成する樹脂は同じ温度域で硬化する樹脂であることが好ましい。カバー部材１４とスペーサ層１３とを同じ樹脂により形成することがより好ましい。これにより、スペーサ層１３とカバー部材１４とを同じ温度域での加熱により硬化させることができ、加熱工程の簡略化を図ることができる。さらに、同一の樹脂である場合、カバー部材１４とスペーサ層１３との接合強度も効果的に高めることができる。
ところで、弾性波装置１では、カバー部材１４とスペーサ層１３と基板１１とで囲まれた空間Ｓ１を、不活性ガス雰囲気としてある。不活性ガス雰囲気は、例えば、Ｎ２ガス雰囲気である。
（２．５）保護層
保護層１５は、図１及び図２に示すように、カバー部材１４を覆うように形成されている。より詳細には、保護層１５は、基板１１の主面１１１の一部、スペーサ層１３、及びカバー部材１４を覆うように形成されている。
保護層１５は、図１及び図２に示すように、カバー部材１４を覆うように形成されている。より詳細には、保護層１５は、基板１１の主面１１１の一部、スペーサ層１３、及びカバー部材１４を覆うように形成されている。
保護層１５は、電気絶縁性を有する。保護層１５の材料は、例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂等の合成樹脂である。なお、保護層１５は、単一の材料により形成されてもよいし、複数の材料により形成されてもよい。また、保護層１５は、上記樹脂以外の適宜の電気絶縁性材料により形成されてもよい。
上記のような保護層１５は、中央領域１５１と、中央領域１５１の周囲に位置する領域１５２とを有する。また、保護層１５は、第３主面１５３と、第４主面１５４と、側面１５５とを有する。第３主面１５３は、第２主面１４２と接する。第４主面１５４は、基板１１の厚さ方向Ｄ１において、第３主面１５３と対向する。側面１５５は、第４主面１５４に連なる。言い換えると、側面１５５は、第４主面１５４の周囲から基板１１側に向かって設けられている。
領域１５２は、基板１１の厚さ方向Ｄ１における保護層１５の先端部を少なくとも含む領域であって、厚さ方向Ｄ１において基板１１から遠ざかるにつれて、厚さ方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２において保護層１５の側面１５５と基板１１の外縁１１３との間の距離Ｌ１が長くなる領域である。つまり、図１の上側において、保護層１５の先端部の周囲が凹んでいる。図１において、上側になるほど距離Ｌ１が長くなり、方向Ｄ２において保護層１５の側面１５５が内側に位置する。言い換えると、保護層１５における側面１５５において、側面１５５と第４主面１５４との交線１５６を含む部分は、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。更に言い換えると、保護層１５の側面１５５のうちの第４主面１５４側の部分は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。ここでいう「保護層１５の先端部」とは、基板１１の厚さ方向Ｄ１において、保護層１５のうちカバー部材１４と接触する部分とは反対側の部分をいう。つまり、「保護層１５の先端部」とは、保護層１５のうち後述の外部電極１７２が設けられている側の部分をいう。
また、保護層１５は、図１及び図２に示すように、全周に亘って、基板１１から遠ざかるにつれて、保護層１５の側面１５５と基板１１の外縁１１３との間の距離Ｌ１が長くなるように形成されている。つまり、保護層１５の領域１５２は、全周に亘って設けられている。言い換えると、保護層１５の側面１５５は、保護層１５の全周に亘って設けられており、かつ、側面１５５と第４主面１５４との交線１５６を含む部分は、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。更に言い換えると、保護層１５の側面１５５のうちの第４主面１５４側の部分は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。
（２．５）配線層
配線層１６は、図１に示すように、基板１１の主面１１１に設けられており、ＩＤＴ電極１２と後述の貫通ビア１７１とを電気的に接続させる。配線層１６は、２つのパッド電極１６１を含む。パッド電極１６１は、基板１１とスペーサ層１３との間に介在し、スペーサ層１３の外周よりも内側かつスペーサ層１３の内周よりも外側に位置している。
配線層１６は、図１に示すように、基板１１の主面１１１に設けられており、ＩＤＴ電極１２と後述の貫通ビア１７１とを電気的に接続させる。配線層１６は、２つのパッド電極１６１を含む。パッド電極１６１は、基板１１とスペーサ層１３との間に介在し、スペーサ層１３の外周よりも内側かつスペーサ層１３の内周よりも外側に位置している。
配線層１６は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料により形成される。また、配線層１６は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。
（２．６）外部接続電極
外部接続電極１７は、図１及び図３に示すように、弾性波装置１において、実装基板２と電気的に接続するための電極である。外部接続電極１７は、ＩＤＴ電極１２に電気的に接続されており、貫通ビア１７１と、外部電極１７２とを含む。
外部接続電極１７は、図１及び図３に示すように、弾性波装置１において、実装基板２と電気的に接続するための電極である。外部接続電極１７は、ＩＤＴ電極１２に電気的に接続されており、貫通ビア１７１と、外部電極１７２とを含む。
貫通ビア１７１は、基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１３とカバー部材１４と保護層１５とを貫通する。貫通ビア１７１は、例えば、銅若しくはニッケル、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成されている。
外部電極１７２は、貫通ビア１７１上に、外部に露出するように形成されている。外部電極１７２は、例えば、銅、ニッケル若しくは金、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成されている。
（３）実装基板への弾性波装置の実装
弾性波装置１は、図３に示すように、吸引孔４１を有する実装ノズル４（コレット、吸着具）を用いて、実装基板２に載置された後、加熱、加圧等により実装基板２に実装される。これにより、電子部品モジュール３が形成される。
弾性波装置１は、図３に示すように、吸引孔４１を有する実装ノズル４（コレット、吸着具）を用いて、実装基板２に載置された後、加熱、加圧等により実装基板２に実装される。これにより、電子部品モジュール３が形成される。
弾性波装置１を実装基板２に実装する際、実装ノズル４は、基板１１の主面１１２を吸着する。そして、実装ノズル４は、基板１１の厚さ方向Ｄ１において外部電極１７２側すなわち保護層１５側を実装基板２に向ける。
この際に、図３に示すように、弾性波装置１に対して実装基板２が傾いている場合がある。上述したように、弾性波装置１の保護層１５の先端部（図３の下端部）は凹んでいる。言い換えると、保護層１５は、厚さ方向Ｄ１における保護層１５の先端部を含む領域であって、厚さ方向Ｄ１において基板１１から遠ざかるにつれて、厚さ方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２において保護層１５の側面１５５と基板１１の外縁１１３との間の距離Ｌ１が長くなる領域１５２を有する。つまり、保護層１５の側面１５５のうちの第４主面１５４側の部分は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。このため、弾性波装置１に対して実装基板２が傾いているとしても、実装基板２への弾性波装置１の角あたりを低減させることができる。これにより、保護層１５へのクラックの発生を抑制しつつ、複数の外部電極１７２の各々を実装基板２の端子２１に安定して接触させることができる。
（４）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図４Ａ～図４Ｆ及び図５Ａ～図５Ｅを参照して説明する。実施形態１に係る弾性波装置１は、第１工程から第１１工程により製造される。
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図４Ａ～図４Ｆ及び図５Ａ～図５Ｅを参照して説明する。実施形態１に係る弾性波装置１は、第１工程から第１１工程により製造される。
第１工程では、図４Ａに示すように、複数の弾性波装置１の基板１１の元になるウェハ５１を準備する。
第２工程では、図４Ｂに示すように、ウェハ５１上に、薄膜微細加工技術により、複数（図示例では２つ）のＩＤＴ電極１２と複数（図示例では４つ）のパッド電極１６１とを形成する。
第３工程では、図４Ｃに示すように、ウェハ５１の上面の全面を覆うように樹脂を塗布し、複数のスペーサ層１３の元になる樹脂膜５２を形成する。
第４工程では、図４Ｄに示すように、フォトリソグラフィ法により樹脂膜５２をパターニングして、複数（図示例では２つ）のスペーサ層１３を形成する。第４工程では、樹脂膜５２は加熱により硬化されていない。
第５工程では、図４Ｅに示すように、ラミネート加工により、カバー部材１４の元になる樹脂膜５３をスペーサ層１３上に形成する。樹脂膜５３によって、スペーサ層１３の貫通孔１３１が塞がれる。ラミネート加工を施した後、全体を加熱する。これによってスペーサ層１３及びカバー部材１４を硬化させる。その結果、カバー部材１４とスペーサ層１３とが接合され、ＩＤＴ電極１２が臨む空間Ｓ１が形成される。
第６工程では、図４Ｆに示すように、レーザ加工等により、スペーサ層１３及びカバー部材１４を貫くように複数（図示例では４つ）の貫通孔５４を形成する。これにより、複数のパッド電極１６１を露出させる。また、樹脂膜５３がスペーサ層１３の外周に沿うように、樹脂膜５３のうち、隣接する２つのスペーサ層１３間の部分を除去する。
第７工程では、図５Ａに示すように、複数（図示例では４つ）の貫通ビア１７１を形成する。より詳細には、まず、シード層（下地膜）を形成する。次に、貫通ビア１７１が形成される箇所を露出するように、シード層に対してフォトマスクでパターニングを行い、レジスト膜を形成する。そして、シード層のうち露出している部分に対して、電解めっきによって貫通ビア１７１を形成する。その後、レジスト膜を除去し、さらに、除去したレジスト膜の下のシード層を除去する。
第８工程では、図５Ｂに示すように、保護層１５の元になる樹脂膜５５を形成する。より詳細には、まず、ウェハ５１の一部、スペーサ層１３、カバー部材１４、及び貫通ビア１７１を覆うように、樹脂膜５５の元になる樹脂を塗布して硬化させる。次に、貫通ビア１７１が露出するまで、樹脂膜５５を研削する。
第９工程では、図５Ｃに示すように、貫通ビア１７１上に外部電極１７２を形成する。より詳細には、まず、シード層を形成する。次に、シード層の上に、外部電極１７２の位置が露出するように、シード層に対してフォトマスクでパターニングを行い、レジスト膜を形成する。そして、シード層のうち露出している部分に対して、電解めっきによって外部電極１７２を形成する。その後、レジスト膜を除去し、さらに、除去したレジスト膜の下のシード層を除去する。
第１０工程では、図５Ｄに示すように、弾性波装置１の端部となる領域において樹脂膜５５の一部を除去する。より詳細には、樹脂膜５５に対して、図５Ｄの矢印方向にレーザ光を照射してアブレーション加工を行う。上記領域において、位置ごとにレーザ光の狙い深度を変えることにより、樹脂膜５５の表面が所定の形状になるように樹脂膜５５の一部を除去する。
第１１工程では、図５Ｅに示すように、ダイシング装置等により樹脂膜５５及びウェハ５１を切断する。これにより、複数（図示例では２つ）の弾性波装置１を得ることができる。
なお、上記製造方法は弾性波装置１の製造方法の一例であり、弾性波装置１は、他の製造方法を用いて製造してもよい。
（５）効果
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、基板１１の厚さ方向Ｄ１において基板１１から遠ざかるにつれて保護層１５の側面１５５が内側に位置する。言い換えると、弾性波装置１では、保護層１５における側面１５５において、側面１５５と第４主面１５４との交線１５６を含む部分は、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。更に言い換えると、弾性波装置１では、保護層１５の側面１５５のうちの少なくとも第４主面１５４側の部分は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁よりも内側に位置する。すなわち、保護層１５は、基板１１の厚さ方向Ｄ１において先端部が凹んでいる。これにより、弾性波装置１を実装基板２に実装させる際に、弾性波装置１に対して実装基板２が傾いているとしても、弾性波装置１の角部が実装基板２に衝突すること（実装基板２への弾性波装置１の角あたり）を低減させることができる。その結果、クラックが発生しにくくすることができる。さらに、保護層１５による封止性の低下を抑制することができる。
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、基板１１の厚さ方向Ｄ１において基板１１から遠ざかるにつれて保護層１５の側面１５５が内側に位置する。言い換えると、弾性波装置１では、保護層１５における側面１５５において、側面１５５と第４主面１５４との交線１５６を含む部分は、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。更に言い換えると、弾性波装置１では、保護層１５の側面１５５のうちの少なくとも第４主面１５４側の部分は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁よりも内側に位置する。すなわち、保護層１５は、基板１１の厚さ方向Ｄ１において先端部が凹んでいる。これにより、弾性波装置１を実装基板２に実装させる際に、弾性波装置１に対して実装基板２が傾いているとしても、弾性波装置１の角部が実装基板２に衝突すること（実装基板２への弾性波装置１の角あたり）を低減させることができる。その結果、クラックが発生しにくくすることができる。さらに、保護層１５による封止性の低下を抑制することができる。
実施形態１に係る弾性波装置１では、全周に亘って、基板１１から遠ざかるにつれて保護層１５の側面１５５が内側に位置する。言い換えると、保護層１５の側面１５５は、保護層１５の全周に亘って設けられており、かつ、側面１５５と第４主面１５４との交線１５６を含む部分は、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。更に言い換えると、保護層１５の側面１５５は、保護層１５の全周に亘って設けられており、かつ、側面１５５のうちの第４主面１５４側の部分は、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。これにより、弾性波装置１を実装基板２に実装させる際に、弾性波装置１に対して実装基板２がどのように傾いているとしても、弾性波装置１の角部が実装基板２に衝突することを低減できるので、保護層１５にクラックが発生することを抑制できる。
実施形態１に係る弾性波装置１では、スペーサ層１３とカバー部材１４と保護層１５とを貫通する貫通ビア１７１が設けられている。これにより、基板１１とスペーサ層１３とカバー部材１４とで囲まれた空間Ｓ１の気密性を高めることができるので、信頼性を向上させることができる。
（６）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。
以下、実施形態１の変形例について説明する。
弾性波装置１において、保護層１５の領域１５２は、保護層１５の全周に亘って設けられていることに限定されない。保護層１５の領域１５２は、保護層１５の少なくとも一部に設けられていればよい。
弾性波装置１は、圧電基板である基板１１に代えて、高音速支持基板と圧電膜とを備える構成であってもよい。この構成では、高音速支持基板上に圧電膜が設けられている。高音速支持基板は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波（バルク波）の音速が高速である基板である。
弾性波装置１は、基板１１に代えて、高音速支持基板と低音速膜と圧電膜とを備える構成であってもよい。この構成では、高音速支持基板上に、低音速膜、圧電膜がこの順に設けられている。低音速膜は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波（バルク波）の音速が低速である膜である。
弾性波装置１は、基板１１に代えて、支持基板と高音速膜と低音速膜と圧電膜とを備える構成であってもよい。この構成では、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、圧電膜がこの順に積層されている。高音速膜は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波（バルク波）の音速が高速である膜である。
実施形態１及び上記の各変形例により、弾性波装置１は、少なくとも一部に圧電性を有する基板を備えていればよい。
実施形態１では、保護層１５の側面１５５のうちの第４主面１５４側の部分が、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置するが、実施形態１の変形例として、保護層１５の側面１５５の全てが、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置してもよい。要するに、保護層１５の側面１５５のうちの少なくとも第４主面１５４側の部分が、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置すればよい。
上記の各変形例に係る弾性波装置１においても、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の効果を奏する。
（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図６に示すようにパターン層１８を備える点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、実施形態２に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る弾性波装置１ａは、図６に示すようにパターン層１８を備える点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、実施形態２に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
（１）弾性波装置の構成
弾性波装置１ａは、図６に示すように、パターン層１８と、保護レジスト層１９とを備える。また、弾性波装置１ａは、保護層１５（図１参照）に代えて、保護層１５ａを備える。なお、弾性波装置１ａは、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、基板１１と、ＩＤＴ電極１２と、スペーサ層１３と、カバー部材１４と、配線層１６と、外部接続電極１７とを備える。
弾性波装置１ａは、図６に示すように、パターン層１８と、保護レジスト層１９とを備える。また、弾性波装置１ａは、保護層１５（図１参照）に代えて、保護層１５ａを備える。なお、弾性波装置１ａは、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、基板１１と、ＩＤＴ電極１２と、スペーサ層１３と、カバー部材１４と、配線層１６と、外部接続電極１７とを備える。
パターン層１８は、カバー部材１４の第２主面１４２上に設けられている。パターン層１８は、例えば、インダクタ又はキャパシタを含むリアクタンス素子を構成する。パターン層１８は、ＩＤＴ電極１２と電気的に接続されていてもよいし、ＩＤＴ電極１２とは電気的に独立して設けられていてもよい。
保護層１５ａは、保護層１５と同様、中央領域１５１ａと、中央領域１５１ａの周囲に位置する領域１５２ａとを有する。また、保護層１５ａは、実施形態１の保護層１５と同様、第３主面１５３ａと、第４主面１５４ａと、側面１５５ａとを有する。第３主面１５３ａは、第２主面１４２と接する。第４主面１５４ａは、基板１１の厚さ方向Ｄ１において、第３主面１５３ａと対向する。側面１５５ａは、第４主面１５４ａに連なる。言い換えると、側面１５５ａは、第４主面１５４ａの周囲から基板１１側に向かって設けられている。なお、実施形態２の保護層１５ａに関し、実施形態１の保護層１５と同様の構成及び機能については説明を省略する。
保護層１５ａの中央領域１５１ａでは、パターン層１８が露出するようにパターン層１８が形成されている箇所が貫通している。
保護層１５ａの領域１５２ａでは、保護層１５の領域１５２と同様、基板１１の厚さ方向Ｄ１において基板１１から遠ざかるにつれて、厚さ方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２において保護層１５ａの側面１５５ａと基板１１の外縁１１３との間の距離Ｌ１が長くなる。言い換えると、保護層１５ａにおける側面１５５ａにおいて、側面１５５ａと第４主面１５４ａとの交線１５６ａを含む部分は、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。更に言い換えると、保護層１５ａの側面１５５ａのうちの第４主面１５４ａ側の部分は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置する。
保護レジスト層１９は、保護層１５ａ上に設けられている。保護レジスト層１９は、外部接続電極１７の外部電極１７２の少なくとも一部が露出するように貫通孔１９１を有する。保護レジスト層１９は、方向Ｄ２において、保護層１５ａよりも突出しないように形成されている。保護レジスト層１９は、外部電極１７２にはんだが設けられる際に、はんだの濡れ広がりを低減させるために設けられている。
（２）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態２に係る弾性波装置１ａの製造方法について説明する。実施形態２に係る弾性波装置１ａは、第１工程から第１２工程により製造される。実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法と同様の箇所については、適宜説明を省略する。
次に、実施形態２に係る弾性波装置１ａの製造方法について説明する。実施形態２に係る弾性波装置１ａは、第１工程から第１２工程により製造される。実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法と同様の箇所については、適宜説明を省略する。
第１工程では、複数の弾性波装置１ａの基板１１の元になるウェハを準備する。
第２工程では、ウェハ上に、複数のＩＤＴ電極１２と複数のパッド電極１６１とを形成する。
第３工程では、ウェハの上面の全面を覆うように樹脂を塗布し、複数のスペーサ層１３の元になる樹脂膜を形成する。
第４工程では、上記樹脂層をパターニングして、複数のスペーサ層１３を形成する。
第５工程では、ラミネート加工により、カバー部材１４の元になる樹脂膜をスペーサ層１３上に形成する。上記樹脂膜によって、スペーサ層１３の貫通孔１３１が塞がれる。ラミネート加工を施した後、全体を加熱する。
第６工程では、スペーサ層１３及びカバー部材１４を貫くように複数の貫通孔を形成する。また、上記樹脂膜がスペーサ層１３の外周に沿うように、上記樹脂膜のうち、隣接する２つのスペーサ層１３間の部分を除去する。
第７工程では、複数の貫通ビア１７１及びパターン層１８を形成する。より詳細には、まず、シード層を形成する。次に、貫通ビア１７１及びパターン層１８が形成される箇所を露出するように、シード層に対してフォトマスクでパターニングを行い、レジスト膜を形成する。そして、第６工程で形成した貫通孔に貫通ビア１７１を形成する。また、カバー部材１４の第２主面１４２にパターン層１８を形成する。その後、レジスト膜を除去し、さらに、除去したレジスト膜の下のシード層を除去する。
第８工程では、保護層１５ａの元になる樹脂膜を形成する。より詳細には、まず、ウェハの一部、スペーサ層１３、カバー部材１４、貫通ビア１７１を覆うように、上記樹脂膜の元になる樹脂を塗布して硬化させる。次に、貫通ビア１７１が露出するまで、上記樹脂膜を研削する。
第９工程では、貫通ビア１７１上に外部電極１７２を形成する。
第１０工程では、保護層１５ａ及び外部電極１７２の上に、保護レジスト層１９の元になるレジスト膜を形成する。より詳細には、まず、シード層を形成し、次に、外部電極１７２の一部が露出するように、シード層に対してフォトマスクでパターニングを行い、レジスト膜を形成する。
第１１工程では、弾性波装置１ａの端部となる領域において第８工程で形成された樹脂膜及び第１０工程で形成されたレジスト膜の一部を除去する。より詳細には、樹脂膜及びレジスト膜に対してレーザ光を照射してアブレーション加工を行う。上記領域において、位置ごとにレーザ光の狙い深度を変えることにより、樹脂膜及びレジスト膜の表面が所定の形状になるように樹脂膜の一部及びレジスト膜の一部を除去する。
第１２工程では、ダイシング装置等により樹脂膜及びウェハを切断する。これにより、複数の弾性波装置１ａを得ることができる。
なお、上記製造方法は弾性波装置１ａの製造方法の一例であり、弾性波装置１ａは、他の製造方法を用いて製造してもよい。
（３）効果
以上説明したように、実施形態２に係る弾性波装置１ａによれば、パターン層１８を一体にすることができるので、パターン層１８が追加されても大型化を低減させることができる。
以上説明したように、実施形態２に係る弾性波装置１ａによれば、パターン層１８を一体にすることができるので、パターン層１８が追加されても大型化を低減させることができる。
（４）変形例
以下、実施形態２の変形例について説明する。
以下、実施形態２の変形例について説明する。
実施形態２の変形例として、実施形態１の変形例と同様、弾性波装置１ａは、基板１１に代えて、高音速支持基板と圧電膜とを備える構成であってもよい。あるいは、弾性波装置１ａは、基板１１に代えて、高音速支持基板と低音速膜と圧電膜とを備える構成であってもよいし、支持基板と高音速膜と低音速膜と圧電膜とを備える構成であってもよい。
実施形態２では、保護層１５ａの側面１５５ａのうちの第４主面１５４ａ側の部分が、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置するが、実施形態２の変形例として、保護層１５ａの側面１５５ａの全てが、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置してもよい。要するに、保護層１５ａの側面１５５ａのうちの少なくとも第４主面１５４ａ側の部分が、基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、基板１１の外縁１１３よりも内側に位置すればよい。
上記の各変形例に係る弾性波装置１ａにおいても、実施形態２に係る弾性波装置１ａと同様の効果を奏する。
以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
（まとめ）
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
第１態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、基板（１１）と、ＩＤＴ電極（１２）と、スペーサ層（１３）と、カバー部材（１４）と、保護層（１５；１５ａ）とを備える。基板（１１）は、少なくとも一部に圧電性を有する。ＩＤＴ電極（１２）は、基板（１１）上に設けられている。スペーサ層（１３）は、基板（１１）上に設けられており、かつ、ＩＤＴ電極（１２）を囲んでいる。カバー部材（１４）は、スペーサ層（１３）上に設けられており、ＩＤＴ電極（１２）から離れている。カバー部材（１４）は、スペーサ層（１３）側の第１主面（１４１）と、第１主面（１４１）と対向する第２主面（１４２）とを有する。保護層（１５；１５ａ）は、カバー部材（１４）上に設けられており、第２主面（１４２）と接する第３主面（１５３；１５３ａ）と、第３主面（１５３；１５３ａ）と対向する第４主面（１５４；１５４ａ）と、第４主面（１５４；１５４ａ）に連なる側面（１５５；１５５ａ）とを有する。保護層（１５；１５ａ）における側面（１５５；１５５ａ）のうちの少なくとも一部において、側面（１５５；１５５ａ）と第４主面（１５４；１５４ａ）との交線（１５６；１５６ａ）を含む部分は、基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、基板（１１）の外縁（１１３）よりも内側に位置する。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、保護層（１５；１５ａ）の側面（１５５；１５５ａ）のうちの少なくとも一部において、側面（１５５；１５５ａ）と第４主面（１５４；１５４ａ）との交線（１５６；１５６ａ）を含む部分が基板（１１）の外縁（１１３）よりも内側に位置する。すなわち、保護層（１５；１５ａ）は、基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）において先端部が凹んでいる。これにより、弾性波装置（１；１ａ）を実装基板（２）に実装させる際に、弾性波装置（１；１ａ）に対して実装基板（２）が傾いているとしても、弾性波装置（１；１ａ）の角部が実装基板（２）に衝突することを低減させることができる。その結果、クラックが発生しにくくすることができる。さらに、保護層（１５；１５ａ）による封止性の低下を抑制することができる。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１の態様において、保護層（１５；１５ａ）の側面（１５５；１５５ａ）は、保護層（１５；１５ａ）の全周に亘って設けられており、かつ、側面（１５５；１５５ａ）と第４主面（１５４；１５４ａ）との交線（１５６；１５６ａ）を含む部分は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、基板（１１）の外縁（１１３）よりも内側に位置する。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、弾性波装置（１；１ａ）を実装基板（２）に実装させる際に、弾性波装置（１；１ａ）に対して実装基板（２）がどのように傾いているとしても、弾性波装置（１；１ａ）の角部が実装基板（２）に衝突することを低減できるので、保護層（１５；１５ａ）にクラックが発生することを抑制できる。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１又は２の態様において、外部接続電極（１７）を更に備える。外部接続電極（１７）は、ＩＤＴ電極（１２）に電気的に接続されている。外部接続電極（１７）は、貫通ビア（１７１）を含む。貫通ビア（１７１）は、スペーサ層（１３）とカバー部材（１４）と保護層（１５；１５ａ）とを貫通する。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）によれば、基板（１１）とスペーサ層（１３）とカバー部材（１４）とで囲まれた空間（Ｓ１）の気密性を高めることができるので、信頼性を向上させることができる。
第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）は、第１～３の態様のいずれか１つにおいて、パターン層（１８）を更に備える。パターン層（１８）は、保護層（１５；１５ａ）の内部に設けられている。
第４の態様に係る弾性波装置（１ａ）によれば、パターン層（１８）を一体にすることができるので、パターン層（１８）が追加されても大型化を低減させることができる。
１，１ａ 弾性波装置
１１ 基板
１１１ 主面
１１２ 主面
１１３ 外縁
１２ ＩＤＴ電極
１２１ 電極指
１３ スペーサ層
１３１ 貫通孔
１４ カバー部材
１４１ 第１主面
１４２ 第２主面
１５，１５ａ 保護層
１５１，１５１ａ 中央領域
１５２，１５２ａ 領域
１５３，１５３ａ 第３主面
１５４，１５４ａ 第４主面
１５５，１５５ａ 側面
１５６，１５６ａ 交線
１６ 配線層
１６１ パッド電極
１７ 外部接続電極
１７１ 貫通ビア
１７２ 外部電極
１８ パターン層
１９ 保護レジスト層
１９１ 貫通孔
２ 実装基板
２１ 端子
３ 電子部品モジュール
４ 実装ノズル
４１ 吸引孔
５１ ウェハ
５２ 樹脂膜
５３ 樹脂膜
５４ 貫通孔
５５ 樹脂膜
Ｄ１ 厚さ方向
Ｄ２ 方向
Ｌ１ 距離
Ｓ１ 空間
１１ 基板
１１１ 主面
１１２ 主面
１１３ 外縁
１２ ＩＤＴ電極
１２１ 電極指
１３ スペーサ層
１３１ 貫通孔
１４ カバー部材
１４１ 第１主面
１４２ 第２主面
１５，１５ａ 保護層
１５１，１５１ａ 中央領域
１５２，１５２ａ 領域
１５３，１５３ａ 第３主面
１５４，１５４ａ 第４主面
１５５，１５５ａ 側面
１５６，１５６ａ 交線
１６ 配線層
１６１ パッド電極
１７ 外部接続電極
１７１ 貫通ビア
１７２ 外部電極
１８ パターン層
１９ 保護レジスト層
１９１ 貫通孔
２ 実装基板
２１ 端子
３ 電子部品モジュール
４ 実装ノズル
４１ 吸引孔
５１ ウェハ
５２ 樹脂膜
５３ 樹脂膜
５４ 貫通孔
５５ 樹脂膜
Ｄ１ 厚さ方向
Ｄ２ 方向
Ｌ１ 距離
Ｓ１ 空間
Claims (3)
- 少なくとも一部に圧電性を有する基板と、
前記基板上に設けられているＩＤＴ電極と、
前記基板上に設けられており、かつ、前記ＩＤＴ電極を囲んでいるスペーサ層と、
前記スペーサ層上に設けられており、前記ＩＤＴ電極から離れており、かつ、前記スペーサ層側の第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面とを有するカバー部材と、
前記カバー部材上に設けられており、前記第２主面と接する第３主面と、前記第３主面と対向する第４主面と、前記第４主面に連なる側面とを有する保護層と、
前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されている外部接続電極と、を備え、
前記外部接続電極は、前記スペーサ層と前記カバー部材と前記保護層とを貫通する貫通ビアを含み、
前記保護層における前記側面のうちの少なくとも一部において、前記側面と前記第４主面との交線は、前記基板の厚さ方向からの平面視において、前記第４主面と前記基板との間であって前記基板と平行な任意の仮想平面と前記側面との交線よりも内側に位置する、
弾性波装置。 - 前記保護層の前記側面は、前記保護層の全周に亘って設けられており、かつ、前記側面と前記第４主面との交線は、前記厚さ方向からの平面視において、前記第４主面と前記基板との間であって前記基板と平行な任意の仮想平面と前記側面との交線よりも内側に位置する、
請求項１に記載の弾性波装置。 - 前記保護層の内部に設けられているパターン層を更に備える、
請求項１又は２に記載の弾性波装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180148303A KR102163886B1 (ko) | 2017-12-19 | 2018-11-27 | 탄성파 장치 |
| US16/202,382 US11533038B2 (en) | 2017-12-19 | 2018-11-28 | Elastic wave device |
| CN201811559899.5A CN110034741B (zh) | 2017-12-19 | 2018-12-19 | 弹性波装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017243232 | 2017-12-19 | ||
| JP2017243232 | 2017-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019110519A JP2019110519A (ja) | 2019-07-04 |
| JP6996467B2 true JP6996467B2 (ja) | 2022-01-17 |
Family
ID=67180295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018187860A Active JP6996467B2 (ja) | 2017-12-19 | 2018-10-03 | 弾性波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6996467B2 (ja) |
| CN (1) | CN110034741B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114342098B (zh) * | 2019-09-12 | 2025-02-25 | 株式会社村田制作所 | 压电元件 |
| JP7654475B2 (ja) * | 2021-06-11 | 2025-04-01 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182292A (ja) | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス |
| JP2016066989A (ja) | 2014-09-19 | 2016-04-28 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスとその製造方法 |
| JP2016123020A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4210958B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2009-01-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
| JP4585419B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2010-11-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
| JP5755434B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2015-07-29 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置およびその製造方法 |
| WO2014151417A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Cornell University | Low-power acoustic data acquisition system and methods |
| JP6288110B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2018
- 2018-10-03 JP JP2018187860A patent/JP6996467B2/ja active Active
- 2018-12-19 CN CN201811559899.5A patent/CN110034741B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182292A (ja) | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス |
| JP2016066989A (ja) | 2014-09-19 | 2016-04-28 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスとその製造方法 |
| JP2016123020A (ja) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110034741A (zh) | 2019-07-19 |
| CN110034741B (zh) | 2023-07-21 |
| JP2019110519A (ja) | 2019-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060192462A1 (en) | Piezoelectirc device | |
| US10707830B2 (en) | Elastic wave device and method for manufacturing the same | |
| US11165390B2 (en) | Piezoelectric resonator device | |
| CN109075768B (zh) | 弹性波装置及其制造方法 | |
| KR102163886B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
| JP2019106698A (ja) | 電子部品モジュール | |
| KR102320449B1 (ko) | 탄성파 장치, 및 전자부품 모듈 | |
| JPWO2006001125A1 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP6963445B2 (ja) | 電子部品 | |
| CN105814796A (zh) | 弹性波滤波器设备 | |
| JP6996467B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP6950658B2 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP2021027383A (ja) | 弾性波装置 | |
| JP2013070347A (ja) | 弾性波デバイス及びその製造方法 | |
| KR102295454B1 (ko) | 전자 부품 및 그것을 구비하는 모듈 | |
| JP2008113178A (ja) | 中空封止素子およびその製造方法 | |
| JP2014230079A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP7042195B2 (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 | |
| JP2007027211A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2015012428A (ja) | 弾性波装置、電子部品モジュールおよび移動体端末 | |
| JP2013197921A (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
| JP2011109481A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| JP6068220B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP6352844B2 (ja) | 多数個取り回路配線基板および弾性表面波装置 | |
| JP2014165287A (ja) | 電子部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181029 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200413 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210224 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210426 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210615 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211129 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6996467 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |