JP7042195B2 - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。

基板の切断方法として、基板にレーザ光を照射して改質領域を形成し、改質領域にて基板を割断する方法が知られている（例えば、特許文献１から特許文献３）。

特開２０１３－１３８３６２号公報 特開２０１５－１２６３８１号公報 特開２０１４－２２９６６号公報

基板にレーザ光を照射して改質領域を形成した場合、改質領域周辺の基板にクラックが発生することがある。基板に貫通孔が設けられている場合、改質領域周辺に発生したクラックが貫通孔と繋がって基板が割れてしまうことがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板の割れを抑制することを目的とする。

本発明は、第１面と第２面との間を貫通する貫通孔を有する基板であって、前記貫通孔との間隔が最も狭い側面には前記基板の材料が改質した複数の改質領域が前記基板の厚さ方向に交差する方向に並んだグループを１行とした場合に前記基板の厚さ方向に１又は複数の行で設けられていて、前記１又は複数の行のうちの少なくとも１つの行では、前記側面に前記貫通孔を投影した第１領域以外の領域である第２領域には前記複数の改質領域が設けられていて、前記第１領域には前記複数の改質領域が設けられていない又は前記第１領域には前記複数の改質領域のうちの前記第２領域に設けられた改質領域よりも小さな改質領域が設けられている前記基板と、前記基板に設けられた機能部と、を備える電子部品である。

上記構成において、前記側面は、前記第１領域を含む第３領域と、前記基板の厚さ方向に交差する方向で前記第３領域の両側に位置する第４領域と、を有し、前記第３領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面に設けられ、前記第４領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面に設けられていない保護膜を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記側面は、前記第１領域を含む第３領域と、前記基板の厚さ方向に交差する方向で前記第３領域の両側に位置する第４領域と、を有し、前記第３領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面の表面粗さは、前記第４領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面の表面粗さに比べて大きい構成とすることができる。

上記構成において、前記貫通孔は前記基板の前記第１面から前記第２面に向かって直径が大きくなり、前記複数の改質領域は前記基板の厚さ方向に複数の行で設けられていて、前記複数の改質領域のうちの前記第１領域で前記基板の厚さ方向に並んだ改質領域は、前記基板の前記第１面側から前記第２面側に向かって徐々に小さくなっている構成とすることができる。

上記構成において、前記貫通孔は前記基板の前記第１面から前記第２面に向かって直径が大きくなり、前記複数の改質領域は、前記基板の厚さ方向に複数の行で設けられているとともに、前記複数の行のうちの前記基板の前記第１面に最も近い行では前記第１領域及び前記第２領域に設けられ、前記基板の前記第２面に最も近い行では前記第２領域に設けられ且つ前記第１領域には設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の改質領域は、前記１又は複数の行のうちの少なくとも１つの行において、前記第２領域では前記基板の厚さ方向に交差する方向に等間隔で設けられ且つ前記第１領域には設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、前記改質領域は、非晶質である構成とすることができる。

上記構成において、前記基板は、圧電基板、又は、支持基板の上面に圧電基板が接合された接合基板であり、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、石英基板、又は水晶基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの一方の面に設けられた弾性波素子である前記機能部を囲んで前記一方の面に設けられた環状金属層と、前記環状金属層上に設けられ、前記機能部を封止する封止部材と、前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの他方の面に設けられた端子と、前記貫通孔に設けられ、前記環状金属層と前記端子とを接続するビア配線と、を備える構成とすることができる。

本発明は、第１面と第２面との間を貫通する貫通孔を有し且つ機能部が形成された基板を準備する工程と、前記基板の切断領域に沿ってレーザ光を照射することで、前記切断領域のうちの前記切断領域との間隔が最も狭い前記貫通孔を前記切断領域に投影した第１領域以外の第２領域に前記基板の材料が改質した改質領域を形成し、前記第１領域には前記改質領域を形成しない又は前記第２領域よりも小さな前記改質領域を形成する工程と、前記基板を前記切断領域に形成した前記改質領域にて割断する工程と、を備える電子部品の製造方法である。

上記構成において、前記基板を準備する工程は、レーザ光を照射することで形成した前記貫通孔を有する前記基板を準備する構成とすることができる。

上記構成において、前記改質領域を形成する前に、前記基板の前記第１面又は前記第２面に前記第１領域を覆う保護膜を形成する工程を備え、前記改質領域を形成する工程は、前記第１領域では前記保護膜に前記レーザ光を照射することで、前記第１領域には前記改質領域を形成しない又は前記第２領域よりも小さな前記改質領域を形成する構成とすることができる。

上記構成において、前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの前記機能部が形成された面とは反対側の面に端子を形成する工程を備え、前記保護膜を形成する工程は、前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの前記反対側の面に前記端子の形成と同時に前記端子と同じ材料で前記保護膜を形成する構成とすることができる。

本発明によれば、基板の割れを抑制することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図１（ｃ）は、実施例１における基板の側面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図（その１）である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図（その２）である。 図４（ａ）から図４（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図５は、改質領域を説明するための断面図である。 図６（ａ）及び図６（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。 図７（ａ）から図７（ｃ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図８は、実施例１における基板の側面の表面粗さを説明するための図である。 図９は、保護膜の位置関係を示した模式図である。 図１０（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１０（ｂ）は、実施例１の変形例１における基板の側面図である。図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図、図１０（ｄ）は、実施例１の変形例２における基板の側面図である。 図１１（ａ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図、図１１（ｂ）は、実施例１の変形例３における基板の側面図である。 図１２（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図１２（ｃ）は、実施例２における基板の側面図である。 図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図１４（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図１４（ｃ）は、実施例３における基板の側面図である。 図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図１６は、機能部が圧電薄膜共振器である場合の断面図である。 図１７（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの断面図、図１７（ｂ）は、実施例４における基板の側面図である。 図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、実施例４における基板の平面図である。 図１９（ａ）から図１９（ｃ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２０（ａ）から図２０（ｃ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。 図２２は、保護膜の他の形成方法を示す平面図である。 図２３（ａ）から図２３（ｄ）は、貫通孔及びビア配線の例を示す断面図である。 図２４（ａ）から図２４（ｄ）は、改質領域の例を示す側面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図１（ｃ）は、実施例１における基板の側面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性波デバイス１００では、基板１０は支持基板１１ａと圧電基板１１ｂとを有する。支持基板１１ａは、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、石英基板、水晶基板、又はシリコン基板である。圧電基板１１ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１１ｂは支持基板１１ａの上面に接合されている。圧電基板１１ｂと支持基板１１ａの接合面は平面であり平坦である。

基板１０の上面１２に機能部２０が設けられている。機能部２０は、例えば弾性表面波共振器であり、基板１０の上面１２に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）２２と反射器２８とを含む。ＩＤＴ２２は互いに対向する１対の櫛型電極２４を有する。櫛型電極２４は、複数の電極指２６ａと、複数の電極指２６ａを接続するバスバー２６ｂと、を有する。反射器２８はＩＤＴ２２の両側に設けられている。ＩＤＴ２２は圧電基板１１ｂに弾性表面波を励振する。反射器２８は弾性表面波を反射する。ＩＤＴ２２及び反射器２８は、例えばアルミニウム膜又は銅膜などの金属膜で形成されている。

基板１０の下面１４に端子３６が設けられている。端子３６は機能部２０を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０の上面１２に配線３０が設けられている。配線３０の一端は機能部２０に接続され、他端はパッド３２となっている。パッド３２に基板１０を貫通するビア配線３４が接続されている。ビア配線３４は、基板１０を貫通する貫通孔１８に埋め込まれて形成されている。配線３０、ビア配線３４、及び端子３６は、例えば銅層、アルミニウム層、又は金層などの金属層である。配線３０及びビア配線３４は、機能部２０と端子３６とを電気的に接続する。

基板１０の上面１２には、基板１０の複数の側面のうちの貫通孔１８との間隔が最も狭い側面１６近傍に保護膜３８が設けられている。保護膜３８は、基板１０の側面１６に最も近い貫通孔１８と側面１６との間の基板１０の上面１２に設けられている。保護膜３８は、その端面が基板１０の側面１６と略同一面となっていてもよいし、側面１６から離れていてもよい。保護膜３８は、例えば酸化クロムなどの絶縁膜であってもよいし、金、アルミニウム、チタン、又はニッケルなどの金属膜、或いは、シリコンなどの導電性膜であってもよい。

実施例１の弾性波デバイスの各材料及び寸法の一例を下記に示す。支持基板１１ａは、膜厚が１００μｍのサファイア基板である。圧電基板１１ｂは、膜厚が２０μｍのタンタル酸リチウム基板である。支持基板１１ａの線膨張係数が圧電基板１１ｂよりも小さい場合、機能部２０の弾性波素子の周波数温度依存性が小さくなる。ＩＤＴ２２及び反射器２８は、膜厚が１５０ｎｍのアルミニウム層である。配線３０は、膜厚が１μｍの金層である。ビア配線３４は、銅ビア配線である。端子３６は、支持基板１１ａ側から膜厚が２μｍの銅層、膜厚が５μｍのニッケル層、膜厚が０．５μｍの金層の積層金属層である。保護膜３８は、膜厚が０．１～３μｍの金層である。

図１（ｃ）のように、基板１０の側面１６において、側面１６に最も近い貫通孔１８を側面１６に投影した投影領域を符号４０で表し、投影領域４０以外の非投影領域を符号４２で表す。図１（ｃ）では、投影領域４０をクロスハッチで表している。また、投影領域４０を含む投影含有領域を符号４１で表し、基板１０の厚さ方向に交差する方向である側面１６の長手方向で投影含有領域４１の両側に位置する両側領域を符号４３で表す。保護膜３８は、投影含有領域４１に対応して基板１０の上面１２に設けられ、両側領域４３に対応する基板１０の上面１２には設けられていない。

基板１０の側面１６には、基板１０の材料が改質した複数の改質領域４４が設けられている。改質領域４４は、例えば支持基板１１ａ内に支持基板１１ａの材料が改質されて形成されている。改質領域４４は、非晶質となっている。複数の改質領域４４は、基板１０の厚さ方向に交差する方向（例えば直交する方向）に間隔をあけて並んで形成されている。複数の改質領域４４は、改質領域４４が基板１０の厚さ方向に交差する方向に並んだグループを１行とした場合に、基板１０の厚さ方向に１又は複数の行で設けられている。実施例１では、改質領域４４が１行だけ設けられている場合を例に示す。

複数の改質領域４４が並んで設けられた１つの行において、改質領域４４は、非投影領域４２に設けられ、投影領域４０には設けられていない。例えば、改質領域４４は、非投影領域４２では等間隔に並んで設けられている。

図２（ａ）から図３（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。図４（ａ）から図４（ｅ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図４（ａ）は、図２（ａ）のＡ－Ａ間の断面図である。図４（ｂ）は、図２（ｂ）のＡ－Ａ間の断面図である。図４（ｃ）は、図３（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図４（ｄ）は、図３（ａ）のＢ－Ｂ間の断面図である。図４（ｅ）は、図３（ｂ）のＡ－Ａ間の断面図である。

図２（ａ）及び図４（ａ）のように、機能部２０、配線３０、ビア配線３４、及び端子３６が形成された基板１０を準備する。基板１０は支持基板１１ａと圧電基板１１ｂが接合された接合基板である。支持基板１１ａと圧電基板１１ｂとは、その界面において支持基板１１ａを構成する原子と圧電基板１１ｂを構成する原子とがアモルファス層を形成することにより強固に接合されている。機能部２０、配線３０、及び端子３６は、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて形成される。ビア配線３４は、例えばレーザ光を照射して形成した貫通孔１８にメッキ法などを用いて金属膜を埋め込むことで形成される。貫通孔１８を形成するときに、基板１０にクラック６０が発生することがある。レーザ光を用いて貫通孔１８を形成した場合に、貫通孔１８の周囲にクラック６０が発生し易いが、エッチングなどの他の方法で貫通孔１８を形成した場合にも、貫通孔１８の周囲にクラック６０が発生することがある。クラック６０の長さは、例えば１０μｍ～２０μｍである。なお、図４（ａ）では、支持基板１１ａにクラック６０が発生している場合を例に示したが、支持基板１１ａ及び圧電基板１１ｂの材料によっては、圧電基板１１ｂにクラック６０が発生する場合や支持基板１１ａ及び圧電基板１１ｂの両方にクラック６０が発生する場合がある。

図２（ｂ）及び図４（ｂ）のように、基板１０の上面１２のうちの基板１０を切断する切断領域５０（スクライブライン）上に保護膜３８を形成する。保護膜３８は、切断領域５０のうちの切断領域５０との間隔が最も狭い貫通孔１８を切断領域５０に投影した投影領域５２（図２（ｂ）にてクロスハッチで図示した箇所）を覆って形成される。

図３（ａ）、図４（ｃ）、及び図４（ｄ）のように、レーザ照射装置５６を用い、切断領域５０に沿って基板１０内にレーザ光５８を照射する。レーザ光５８が照射された部分は、レーザ光５８の熱により基板１０の材料が改質して改質領域４４となる。基板１０のうちの保護膜３８の下側に位置する部分はレーザ光５８が保護膜３８で遮られるために改質領域４４が形成されず、保護膜３８の下側以外の部分にはレーザ光５８が照射されて改質領域４４が形成される。すなわち、切断領域５０のうちの投影領域５２には基板１０内に改質領域４４は形成されず、投影領域５２以外の他の領域５４には基板１０内に改質領域４４が形成される。

改質領域４４は、レーザ光５８が基板１０に照射されることで形成されるため、レーザ光５８の熱の影響が改質領域４４の周囲の基板１０に及ぶ。このため、改質領域４４の周囲の基板１０にクラック６２が発生することがある。クラック６２の長さは、例えば１０μｍ～２０ｍである。レーザ光５８は、例えばグリーンレーザ光であり、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波である。波長が５００ｎｍ程度のレーザ光５８を用いることにより支持基板１１ａがサファイア基板である場合に効率よく改質領域４４を形成できる。なお、レーザ光５８の波長は、支持基板１１ａ及び圧電基板１１ｂの材料に応じ適宜設定できる。

図３（ｂ）及び図４（ｅ）のように、切断領域５０に沿ってブレードを押し当て、改質領域４４にて基板１０を割断する。これにより、基板１０が個片化されて実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。

図５は、改質領域を説明するための断面図である。なお、図５では、図の明瞭化のために、ハッチングを省略している。図５のように、改質領域４４の幅Ｗは、例えば１μｍ～３μｍである。改質領域４４の高さＨは、例えば３μｍ～８μｍである。基板１０の厚さ方向に交差する方向で隣接する改質領域４４の中心間の距離Ｘは、例えば１０μｍ～３０μｍである。基板１０の上面１２と改質領域４４の中心（基板１０の厚さ方向に複数の改質領域４４が形成されている場合では上面１２に最も近い改質領域４４の中心）の間の距離Ｌは、例えば３０μｍ～５０μｍである。改質領域４４を形成するために基板１０に照射するレーザ光５８の基板１０の上面１２での直径Ｄは、例えば２０μｍ～３５μｍである。

実施例１の弾性波デバイス１００の効果を説明するにあたり、比較例の弾性波デバイスについて説明する。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。図７（ａ）から図７（ｃ）は、比較例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ間の断面図である。図７（ｂ）は、図６（ｂ）のＡ－Ａ間の断面図、図７（ｃ）は、図６（ｂ）のＢ－Ｂ間の断面図である。

図６（ａ）及び図７（ａ）のように、機能部２０、配線３０、ビア配線３４、及び端子３６が形成された基板１０を準備する。図２（ａ）及び図４（ａ）で説明したように、貫通孔１８を形成するときに、貫通孔１８周囲の基板１０にクラック６０が発生することがある。

図６（ｂ）、図７（ｂ）、及び図７（ｃ）のように、レーザ照射装置５６を用い、基板１０の切断領域５０に沿って基板１０内にレーザ光５８を照射する。比較例では、基板１０の上面１２に保護膜３８が形成されていない。このため、レーザ光５８は切断領域５０全体に照射され、切断領域５０全体に改質領域４４が形成される。すなわち、切断領域５０に最も近い貫通孔１８の傍にも改質領域４４が形成される。図３（ａ）、図４（ｃ）、及び図４（ｄ）で説明したように、改質領域４４を形成するときに、改質領域４４周囲の基板１０にクラック６２が発生することがある。改質領域４４を形成した後は、図３（ｂ）及び図４（ｅ）で説明したように、切断領域５０に沿ってブレードを押し当て、改質領域４４にて基板１０を割断する。

比較例では、図６（ｂ）及び図７（ｂ）のように、切断領域５０に最も近い貫通孔１８の傍にも改質領域４４が形成される。このため、改質領域４４の周囲に発生したクラック６２が貫通孔１８の周囲に発生したクラック６０に繋がることがある。クラック６２がクラック６０を介して貫通孔１８に繋がることで、例えば基板１０の割断工程などにおいて、基板１０が切断領域５０以外の部分で割れてしまうことがある。なお、貫通孔１８の形成方法及び／又は条件などによっては貫通孔１８の周囲にクラック６０が発生しない場合がある。この場合でも、改質領域４４の周囲に発生したクラック６２が貫通孔１８に繋がることで、基板１０が割れてしまうことがある。

一方、実施例１によれば、図３（ａ）、図４（ｃ）、及び図４（ｄ）のように、切断領域５０のうちの投影領域５２以外の他の領域５４に改質領域４４を形成し、投影領域５２には改質領域４４を形成しない。図４（ｅ）のように、基板１０を切断領域５０に形成した改質領域４４にて割断する。したがって、図１（ｃ）のように、複数の改質領域４４が並んで設けられた１つの行において、改質領域４４は、投影領域４０以外の非投影領域４２に設けられ、投影領域４０には設けられない。これによれば、貫通孔１８の傍に改質領域４４が形成されないため、改質領域４４の周囲に発生したクラック６２が貫通孔１８の周囲に発生したクラック６０を介して貫通孔１８に繋がることが抑制される。よって、基板１０に割れが発生することを抑制できる。

図２（ｂ）及び図４（ｂ）のように、改質領域４４を形成する前に、切断領域５０のうちの投影領域５２を覆う保護膜３８を基板１０の上面１２に形成する。図３（ａ）、図４（ｃ）、及び図４（ｄ）のように、切断領域５０のうちの投影領域５２ではレーザ光５８を保護膜３８に照射することで改質領域４４を形成せず、投影領域５２以外の他の領域５４ではレーザ光５８を基板１０に照射することで改質領域４４を形成する。したがって、図１（ｃ）のように、保護膜３８は、投影領域４０を含む投影含有領域４１に対応する基板１０の上面１２に設けられ、投影含有領域４１の両側に位置する両側領域４３に対応する基板１０の上面１２には設けられない。これにより、基板１０の割れを抑制することが可能の構造である、非投影領域４２に改質領域４４が設けられ且つ投影領域４０には改質領域４４が設けられていない構造を容易に得ることができる。

改質領域４４は非晶質である。これにより、改質領域４４にて基板１０を割断することを容易に行うことができる。

圧電基板１１ｂはタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、支持基板１１ａはサファイア基板、スピネル基板、石英基板、又は水晶基板である場合、基板１０が硬いため、貫通孔１８の周囲にクラック６０及び改質領域４４の周囲にクラック６２が発生し易い。したがって、この場合に、図１（ｃ）のように、投影領域４０には改質領域４４が設けられない場合が好ましい。

保護膜３８は、金属膜であってもよいし、絶縁膜であってもよい。実施例１のように、保護膜３８が基板１０の上面１２に設けられる場合では、保護膜３８が金属膜である場合、レーザ光５８が保護膜３８に照射されることで発生するデブリが配線３０などに付着して短絡が生じることがある。したがって、保護膜３８が基板１０の上面１２に設けられる場合では、保護膜３８は絶縁膜である場合が好ましい。なお、保護膜３８が金属膜及び絶縁膜のいずれであったとしても、レーザ光５８の焦点は基板１０内であることから保護膜３８からのデブリの発生は抑えられる。

図８は、実施例１における基板の側面の表面粗さを説明するための図である。図８のように、基板１０の側面１６のうちの投影領域４０（粗めのクロスハッチで図示）における表面粗さは、投影領域４０以外の領域である領域４６（細かめのクロスハッチで図示）における表面粗さよりも小さい。このように、投影領域４０における表面粗さが領域４６よりも小さいのは以下の理由によるものと考えられる。すなわち、領域４６は改質領域４４が形成されているため、基板１０を割断する際に改質領域４４の影響によって表面粗さが大きくなったものと考えられる。これに対し、投影領域４０は改質領域４４が形成されていないため、基板１０を割断する際の改質領域４４の影響が小さく、その結果、投影領域４０の表面粗さは大きくならなかったものと考えられる。このように、基板１０の側面１６に表面粗さの大きな領域が形成されることで、スプリアスを低減する効果が得られる。

図９は、保護膜の位置関係を示した模式図である。図９のように、切断領域５０が伸びた方向における保護膜３８の長さＬは、改質領域４４の周囲に発生するクラック６２が貫通孔１８の周囲に発生するクラック６０又は貫通孔１８に繋がることを抑制する点から、貫通孔１８の最小直径Ａ以上である場合が好ましく、最大直径Ｂ以上である場合がより好ましい。また、保護膜３８の長さＬは、１行に並んで設けられる改質領域４４の個数が少なくなって基板１０が割断され難くなることを抑制する点から、貫通孔１８の最大直径Ｂの１．５倍以下である場合が好ましく、１．２倍以下である場合がより好ましい。なお、貫通孔１８の最小直径Ａは、例えば２０μｍ～３０μｍであり、最大直径Ｂは、例えば４０μｍ～５０μｍである。貫通孔１８と切断領域５０との間隔Ｃは、改質領域４４の周囲に発生するクラック６２が貫通孔１８の周囲に発生するクラック６０又は貫通孔１８と繋がることを抑制する点から、例えば４０μｍ～５０μｍである場合が好ましい。

図１０（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１０（ｂ）は、実施例１の変形例１における基板の側面図である。図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図、図１０（ｄ）は、実施例１の変形例２における基板の側面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、実施例１の変形例１の弾性波デバイス１１０では、複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に複数の行となって形成されている。また、圧電基板１１ｂに溝１３が形成されていて、溝１３内で支持基板１１ａの上面に保護膜３８が設けられている。その他の構成は、実施例１の図１（ｂ）及び図１（ｃ）と同じであるため説明を省略する。図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）のように、実施例１の変形例２の弾性波デバイス１２０では、複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に複数の行となって形成されている。また、保護膜３８は基板１０の下面１４に設けられている。その他の構成は、実施例１の図１（ｂ）及び図１（ｃ）と同じであるため説明を省略する。

実施例１の変形例１のように、側面１６の長手方向で投影含有領域４１よりも長い溝１３が圧電基板１１ｂに形成され、保護膜３８は溝１３内で投影含有領域４１に対応する支持基板１１ａの上面に設けられていてもよい。実施例１の変形例２のように、保護膜３８は投影含有領域４１に対応する基板１０の下面１４に設けられていてもよい。実施例１の変形例２では、基板１０の下面１４側からレーザ光５８を基板１０に照射することで、非投影領域４２に改質領域４４が設けられ、投影領域４０には改質領域４４が設けられない構造となる。基板１０の下面１４側からレーザ光５８を基板１０に入射させるため、レーザ光５８が保護膜３８に照射されることで発生するデブリが配線３０などに付着することが抑制される。したがって、保護膜３８を基板１０の下面１４に形成する場合には、保護膜３８にレーザ光５８を効果的に遮ることが可能な金属膜を用いることができる。

なお、実施例１の変形例１及び変形例２では、複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に並んだ複数の行の全てで、非投影領域４２に改質領域４４が設けられ、投影領域４０には改質領域４４が設けられていない場合を例に示したが、この場合に限られるわけではない。複数の行の少なくとも１つの行で、非投影領域４２に改質領域４４が設けられ、投影領域４０には改質領域４４が設けられていない場合でもよい。

図１１（ａ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図、図１１（ｂ）は、実施例１の変形例３における基板の側面図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）のように、実施例１の変形例３の弾性波デバイス１３０では、基板１０は圧電基板１１ｂからなる。改質領域４４は、圧電基板１１ｂ内に圧電基板１１ｂの材料が改質して形成されている。その他の構成は、実施例１の図１（ｂ）及び図１（ｃ）と同じであるため説明を省略する。

実施例１では、基板１０は支持基板１１ａの上面に圧電基板１１ｂが接合された接合基板の場合を例に示したが、実施例１の変形例３のように、基板１０は圧電基板１１ｂからなる場合でもよい。

図１２（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図１２（ｃ）は、実施例２における基板の側面図である。図１２（ａ）から図１２（ｃ）のように、実施例２の弾性波デバイス２００では、基板１０の上面１２に保護膜３８が設けられていない。投影含有領域４１に対応する基板１０の上面１２の表面粗さが、両側領域４３に対応する基板１０の上面１２の表面粗さよりも粗くなっている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）から図１（ｃ）と同じであるため説明を省略する。

図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。まず、実施例１の図４（ａ）で説明したように、機能部２０、配線３０、ビア配線３４、及び端子３６が形成された基板１０を準備する。図１３（ａ）のように、切断領域５０のうちの投影領域５２を含む領域における基板１０の上面１２を、例えばサンドブラストなどによって粗くして粗面とする。

図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）のように、レーザ照射装置５６を用い、切断領域５０に沿って基板１０内にレーザ光５８を照射する。切断領域５０のうちの投影領域５２における基板１０の上面１２は粗面となっているため、投影領域５２ではレーザ光５８は基板１０の上面１２で散乱され、基板１０内に改質領域４４が形成されない。投影領域５２以外の他の領域５４では基板１０の上面１２は平坦面となっているためレーザ光５８が基板１０内に照射されて基板１０内に改質領域４４が形成される。改質領域４４を形成した後、実施例１の図３（ｂ）及び図４（ｅ）で説明したように、切断領域５０に沿ってブレードを押し当て、改質領域４４にて基板１０を割断する。

実施例２によれば、図１３（ａ）のように、改質領域４４を形成する前に、切断領域５０のうちの投影領域５２を含む領域における基板１０の上面１２を粗面とする。図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）のように、切断領域５０のうちの投影領域５２ではレーザ光５８を粗化された基板１０の上面１２で散乱させることで改質領域４４を形成せず、投影領域５２以外の他の領域５４ではレーザ光５８を基板１０に照射することで改質領域４４を形成する。したがって、図１２（ｃ）のように、投影含有領域４１に対応する基板１０の上面１２の表面粗さは、投影含有領域４１の両側に位置する両側領域４３に対応する基板１０の上面１２の表面粗さに比べて大きい。これにより、基板１０の割れを抑制することが可能の構造である、非投影領域４２に改質領域４４が設けられ且つ投影領域４０には改質領域４４が設けられていない構造を容易に得ることができる。

なお、実施例２において、投影含有領域４１に対応する基板１０の下面１４の表面粗さが、投影含有領域４１の両側に位置する両側領域４３に対応する基板１０の下面１４の表面粗さに比べて大きい場合でもよい。この場合でも、基板１０の下面１４側からレーザ光５８を照射することで、基板１０の割れを抑制することが可能な構造である、非投影領域４２に改質領域４４が設けられ且つ投影領域４０には改質領域４４が設けられていない構造を容易に得ることができる。

図１４（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ－Ａ間の断面図、図１４（ｃ）は、実施例３における基板の側面図である。図１４（ａ）から図１４（ｃ）のように、実施例３の弾性波デバイス３００では、複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に複数の行となって形成されている。また、基板１０の上面１２に、保護膜３８に代わって保護膜３８ａが設けられている。保護膜３８ａは、例えばシリコンである。複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に並んだ複数の行のうちの少なくとも１つの行において、投影領域４０には非投影領域４２に設けられた改質領域４４よりも小さな改質領域４４が設けられている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）から図１（ｃ）と同じであるため説明を省略する。

図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。まず、実施例１の図４（ａ）で説明したように、機能部２０、配線３０、ビア配線３４、及び端子３６が形成された基板１０を準備する。図１５（ａ）のように、切断領域５０のうちの投影領域５２を覆う保護膜３８ａを基板１０の上面１２に形成する。

図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）のように、レーザ照射装置５６を用い、切断領域５０に沿って基板１０内にレーザ光５８を照射する。切断領域５０の投影領域５２に形成された保護膜３８ａは、レーザ光５８の一部を透過し、残りを反射する。このため、投影領域５２の基板１０内には、投影領域５２以外の他の領域５４の基板１０内に形成される改質領域４４よりも小さな改質領域４４が形成される。改質領域４４を形成した後、実施例１の図３（ｂ）及び図４（ｅ）で説明したように、切断領域５０に沿ってブレードを押し当て、改質領域４４にて基板１０を割断する。

実施例３によれば、図１４（ｃ）のように、複数の改質領域４４が並んだ少なくとも１つの行において、投影領域４０には非投影領域４２に設けられた改質領域４４よりも小さな改質領域４４が設けられている。投影領域４０に設けられた改質領域４４が小さいと、図１５（ｂ）のように、改質領域４４の周囲に発生したクラック６２が貫通孔１８に繋がることが抑制されるため、基板１０に割れが発生することを抑制できる。また、投影領域４０に改質領域４４が設けられている場合は、図３（ｂ）及び図４（ｅ）における基板１０の割断が良好に行われるようになる。

実施例１から実施例３では、基板１０は圧電基板１１ｂを含み、機能部２０は圧電基板１１ｂ上に形成された弾性表面波共振器である場合を例に示したが、この場合に限られるわけではない。例えば、基板１０はシリコン基板などからなり、機能部２０は基板１０上に形成された圧電薄膜共振器からなる場合でもよい。図１６は、機能部が圧電薄膜共振器である場合の断面図である。図１６のように、基板１０上に圧電膜７２が設けられている。圧電膜７２を挟むように下部電極７０及び上部電極７４が設けられている。下部電極７０と基板１０との間に空隙７６が形成されている。下部電極７０及び上部電極７４は、圧電膜７２内に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極７０及び上部電極７４は、例えばルテニウム膜などの金属膜である。圧電膜７２は、例えば窒化アルミニウム膜である。

図１７（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの断面図、図１７（ｂ）は、実施例４における基板の側面図である。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）のように、実施例４の弾性波デバイス４００では、基板８０がバンプ８２を介して基板１０の上面１２にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ８２は、例えば金バンプ、半田バンプ、又は銅バンプである。基板８０の下面には機能部８４と配線８６が設けられている。基板８０は、シリコン基板又はガラス基板などの絶縁基板、若しくは、半導体基板である。機能部８４は、例えば圧電薄膜共振器である。配線８６は、例えば銅層、アルミニウム層、又は金層などの金属層である。バンプ８２は、配線３０と配線８６とを接続する。機能部８４は、基板１０の下面１４に設けられた端子３６を介して外部と接続する。

基板１０の外周部において圧電基板１１ｂが除去され、支持基板１１ａ上に環状金属層８７が設けられている。環状金属層８７の膜厚は、例えば圧電基板１１ｂの膜厚と同じである。環状金属層８７は、例えば銅層、アルミニウム層、又は金層である。基板１０の外縁であって環状金属層８７上に環状電極８８が設けられている。環状金属層８７及び環状電極８８は、機能部２０の周りを完全に囲んで設けられている。環状電極８８は、例えばニッケル層、銅層、アルミニウム層、又は金層などの金属層である。

基板１０上に、機能部２０を囲むように封止部材９０が設けられている。封止部材９０は、例えば半田などの金属部材である。封止部材９０は、環状電極８８に接合されている。基板８０の上面及び封止部材９０の上面に平板状のリッド９２が設けられている。リッド９２は金属板又は絶縁板である。リッド９２及び封止部材９０を覆う金属膜又は絶縁膜からなる被覆膜が設けられていてもよい。

機能部２０及び８４は、空隙９４を介して対向している。空隙９４は、封止部材９０、基板１０、基板８０、及びリッド９２により封止されている。バンプ８２は空隙９４で囲まれている。環状金属層８７は、ビア配線３４を介して端子３６に電気的に接続されている。このため、環状金属層８７が電気的に接続されている端子３６にグランド電位を供給すると、封止部材９０は接地される。

基板１０の下面１４には、基板１０の複数の側面のうちの貫通孔１８との間隔が最も狭い側面１６近傍に保護膜３８が設けられている。保護膜３８は、投影含有領域４１に対応して基板１０の下面１４に設けられ、両側領域４３に対応する基板１０の下面１４には設けられていない。

図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、実施例４における基板の平面図である。図１８（ａ）は、基板１０の平面図であり、図１８（ｂ）は、基板８０の平面図である。なお、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）との対応を分かり易くするため、基板８０の上から透視した平面図としている。図１８（ａ）のように、基板１０上に、複数の機能部２０、配線３０、及び環状電極８８が設けられている。機能部２０は、直列共振器Ｓ１１及びＳ１２と並列共振器Ｐ１１及びＰ１２とを有する。配線３０上にバンプ８２が設けられている。基板１０内に配線３０又は環状電極８８に接続するビア配線３４が形成されている。ビア配線３４のうち「Ａ」、「Ｔ」、「Ｒ」、及び「Ｇ」はそれぞれ共通端子、送信端子、受信端子、及びグランド端子に接続される。「Ｇａ」はグランド端子に接続される。共通端子Ａと送信端子Ｔとの間に直列共振器Ｓ１１及びＳ１２が配線３０を介し直列に接続されている。共通端子Ａと送信端子Ｔとの間に並列共振器Ｐ１１及びＰ１２が配線３０を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ１１及びＰ１２は配線３０を介しグランド端子Ｇに接続されている。このように、基板１０にはラダー型フィルタ２１が設けられている。

図１８（ｂ）のように、基板８０上に複数の機能部８４、配線８６、及びバンプ８２が設けられている。バンプ８２のうち「Ａ」、「Ｒ」、及び「Ｇ」はそれぞれ共通端子、受信端子、及びグランド端子に接続される。共通端子Ａと受信端子Ｒとの間に直列共振器Ｓ２１からＳ２４が配線８６を介し直列に接続されている。共通端子Ａと受信端子Ｒとの間に並列共振器Ｐ２１からＰ２３が配線８６を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ２１からＰ２３は配線８６を介しグランド端子Ｇに接続されている。このように、基板８０にはラダー型フィルタ８１が設けられている。

図１９（ａ）から図２０（ｃ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。図１９（ａ）のように、機能部２０、配線３０、ビア配線３４、端子３６、環状金属層８７、及び環状電極８８が形成された基板１０を準備する。環状金属層８７は、例えばエッチング法などで形成した圧電基板１１ｂに形成した開口内にメッキ法などによって金属膜を埋め込むことで形成される。環状電極８８は、例えばチタン膜とニッケル膜の積層膜であり、蒸着法及びリフトオフ法によって形成される。

図１９（ｂ）のように、基板１０上に基板８０をフリップチップ実装する。基板８０は個片化後のチップであり、基板８０の下面にバンプ８２として金スタッドバンプが形成されている。

図１９（ｃ）のように、基板１０上に基板８０を覆うように半田板を配置する。半田板上にリッド９２を配置する。リッド９２で半田板を基板１０側に押圧し半田板の融点以上に加熱する。これにより、半田板が溶融し封止部材９０が形成される。環状電極８８の上面は半田の濡れ性が良いため封止部材９０は環状電極８８を介し基板１０に接合する。基板８０の表面は半田の濡れ性が良くないため、封止部材９０は基板８０の側面に接触したとしても接合しない。リッド９２は半田の濡れ性が良いため、封止部材９０はリッド９２に接合する。リッド９２は、基板８０の上面に接触するが接合しない。

図２０（ａ）及び図２１（ａ）のように、基板１０の切断領域５０上であって隣接する基板８０の間に位置するリッド９２及び封止部材９０に対してハーフダイシングを行って溝を形成する。切断領域５０のうちの切断領域５０との間隔が最も狭い貫通孔１８（ここでは、環状金属層８７に接続するビア配線３４が形成される貫通孔１８）を切断領域５０に投影した投影領域５２を覆う保護膜３８を基板１０の下面１４に形成する。

図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）のように、レーザ照射装置５６を用い、基板１０の下面１４側から切断領域５０に沿って基板１０内にレーザ光５８を照射する。基板１０のうちの保護膜３８の上側に位置する部分はレーザ光５８が保護膜３８で遮られるために改質領域４４が形成されず、保護膜３８の上側以外の部分には切断領域５０に沿って改質領域４４が形成される。すなわち、切断領域５０のうちの投影領域５２には基板１０内に改質領域４４は形成されず、投影領域５２以外の他の領域５４で基板１０内に改質領域４４が形成される。

図２０（ｃ）のように、切断領域５０に沿ってブレードを押し当て、改質領域４４にて基板１０を割断する。これにより、基板１０が個片化されて実施例４の弾性波デバイス４００が形成される。

実施例４によれば、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）のように、基板１０の上面１２に、弾性波素子である機能部２０を囲んで環状金属層８７が設けられている。環状金属層８７に接合する封止部材９０が機能部２０を囲んで設けられている。環状金属層８７と基板１０の下面１４に設けられた端子３６とは、基板１０を貫通する貫通孔１８に埋め込まれたビア配線３４で接続されている。このように、シールド効果が発揮されるよう、封止部材９０がビア配線３４を介してグランドに接続される端子３６に電気的に接続される場合、このビア配線３４が形成される貫通孔１８は基板１０の側面近傍に形成され易い。したがって、環状金属層８７に接続するビア配線３４が形成される貫通孔１８との間隔が最も狭い基板１０の側面１６における投影領域４０に改質領域４４が設けられていない場合が好ましい。これにより、改質領域４４の周囲に発生するクラック６２が貫通孔１８の周囲に発生するクラック６０又は貫通孔１８に繋がることが抑制されるため、環状金属層８７に接続するビア配線３４を基板１０の側面１６に寄せて設けることができる。よって、機能部２０などを形成することが可能な領域を広げることができる。

また、実施例４によれば、基板１０は支持基板１１ａと圧電基板１１ｂとの接合基板であり、環状金属層８７は圧電基板１１ｂが除去された領域で支持基板１１ａ上に設けられている。環状金属層８７と端子３６とを接続するビア配線３４は支持基板１１ａを貫通する貫通孔１８に埋め込まれて設けられている。このような構造の場合、図１９（ａ）のように、支持基板１１ａにクラック６０が発生し易い。したがって、このような場合に、基板１０の側面１６における投影領域４０に改質領域４４が設けられていない場合が好ましい。

図１９（ａ）及び図２０（ａ）のように、基板１０の下面１４に形成する端子３６と保護膜３８とは別々に形成する場合を例に示したが、この場合に限られるわけではない。図２２は、保護膜の他の形成方法を示す平面図である。図２２のように、基板１０の下面１４にメッキ法などによって端子３６を形成するときに保護膜３８を同時に形成してもよい。この場合、保護膜３８は端子３６と同じ材料で形成された金属膜となる。これにより、端子３６と保護膜３８を別々に形成する場合に比べて、製造工程数を削減することができる。また、保護膜３８が金属膜で形成されることで、レーザ光５８を効果的に遮ることができ、基板１０のうちの保護膜３８と重なる位置に改質領域が形成されないようにできる。

実施例１から実施例４では、基板１０の側面１６の投影含有領域４１に対応する基板１０の上面１２又は下面１４に保護膜３８を設ける、若しくは、投影含有領域４１に対応する基板１０の上面１２又は下面１４を粗面とすることで、投影領域４０に改質領域４４が形成されない又は小さな改質領域４４が形成される場合を例に示した。しかしながら、この場合に限られず、レーザ照射装置５６を制御することで、投影領域４０に改質領域４４が形成されない又は小さな改質領域４４が形成されるようにしてもよい。また、実施例１から実施例４では、電子部品が弾性波デバイスである場合を例に示したが、弾性波デバイス以外の電子部品の場合でもよい。

図２３（ａ）から図２３（ｄ）は、貫通孔及びビア配線の例を示す断面図である。図２３（ａ）のように、貫通孔１８は、基板１０の上面１２から下面１４に向かって徐々に広がる形状であってもよい。図２３（ｂ）のように、貫通孔１８は、基板１０の上面１２から下面１４に向かって徐々に狭まる形状であってもよい。図２３（ｃ）のように、貫通孔１８は、基板１０の上面１２から下面１４に向かって一定の幅を有する形状であってもよい。貫通孔１８に形成されるビア配線３４は、図２３（ａ）から図２３（ｃ）のように、貫通孔１８を完全に埋め込んで形成されていてもよいし、図２３（ｄ）のように、貫通孔１８の側面に沿って延在していてもよい。

図２４（ａ）から図２４（ｄ）は、改質領域の例を示す側面図である。図２４（ａ）のように、貫通孔１８の直径が基板１０の上面１２から下面１４に向かって徐々に小さくなっている。複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に複数の行となって形成されている。このような場合、投影領域４０で基板１０の厚さ方向で並んだ改質領域４４は、基板１０の下面１４から上面１２に向かって徐々に小さくなっている場合でもよい。図２４（ｂ）のように、貫通孔１８の直径が基板１０の上面１２から下面１４に向かって徐々に大きくなっている。複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に複数の行となって形成されている。このような場合、投影領域４０で基板１０の厚さ方向で並んだ改質領域４４は、基板１０の上面１２から下面１４に向かって徐々に小さくなっている場合でもよい。貫通孔１８の直径が大きい部分でクラック６０が発生し易い及び／又は発生したクラック６０が長くなり易いため、改質領域４４の周辺に発生したクラック６２がクラック６０に繋がり易い。このため、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）のように、投影領域４０で基板１０の厚さ方向に並んだ改質領域４４を、基板１０の上面１２及び下面１４のうちの貫通孔１８の直径が小さい側の面から大きい側の面に向かって徐々に小さくする。これにより、改質領域４４で発生したクラック６２が貫通孔１８で発生したクラック６０に繋がることを抑制できる。

図２４（ｃ）のように、基板１０の厚さ方向と交差する方向において、非投影領域４２に形成される改質領域４４を投影領域４０に向かって徐々に小さくしてもよい。この場合、貫通孔１８の周りには比較的小さい改質領域４４が形成されるため、改質領域４４で発生するクラック６２が貫通孔１８で発生するクラック６０に繋がることを抑制できる。

図２４（ｄ）のように、貫通孔１８の直径が基板１０の上面１２から下面１４に向かって小さくなっている。複数の改質領域４４が基板１０の厚さ方向に複数の行となって形成されている。このような場合、複数の行のうちの基板１０の下面１４に最も近い側の行では投影領域４０及び非投影領域４２に改質領域４４が設けられ、基板１０の上面１２に最も近い側の行では非投影領域４２に改質領域４４が設けられ、投影領域４０では改質領域４４が設けられていない場合でもよい。この場合でも、改質領域４４で発生するクラック６２が貫通孔１８で発生するクラック６０に繋がることを抑制できる。

図２４（ａ）から図２４（ｄ）のように、投影領域４０にも改質領域４４が設けられていることで、製造工程において基板１０を良好に割断することができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 基板
１１ａ 支持基板
１１ｂ 圧電基板
１２ 上面
１４ 下面
１６ 側面
１８ 貫通孔
２０ 機能部
３０ 配線
３４ ビア配線
３６ 端子
３８、３８ａ 保護膜
４０ 投影領域
４１ 投影含有領域
４２ 非投影領域
４３ 両側領域
４４ 改質領域
４６ 領域
５０ 切断領域
５２ 投影領域
５４ 他の領域
５６ レーザ照射装置
５８ レーザ光
６０、６２ クラック
８０ 基板
８２ バンプ
８４ 機能部
８６ 配線
８７ 環状金属層
８８ 環状電極
９０ 封止部材
９２ リッド
１００～４００ 弾性波デバイス

Claims (13)

1. 第１面と第２面との間を貫通する貫通孔を有する基板であって、前記貫通孔との間隔が最も狭い側面には前記基板の材料が改質した複数の改質領域が前記基板の厚さ方向に交差する方向に並んだグループを１行とした場合に前記基板の厚さ方向に１又は複数の行で設けられていて、前記１又は複数の行のうちの少なくとも１つの行では、前記側面に前記貫通孔を投影した第１領域以外の領域である第２領域には前記複数の改質領域が設けられていて、前記第１領域には前記複数の改質領域が設けられていない又は前記第１領域には前記複数の改質領域のうちの前記第２領域に設けられた改質領域よりも小さな改質領域が設けられている前記基板と、
   前記基板に設けられた機能部と、を備える電子部品。
2. 前記側面は、前記第１領域を含む第３領域と、前記基板の厚さ方向に交差する方向で前記第３領域の両側に位置する第４領域と、を有し、
   前記第３領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面に設けられ、前記第４領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面に設けられていない保護膜を備える、請求項１記載の電子部品。
3. 前記側面は、前記第１領域を含む第３領域と、前記基板の厚さ方向に交差する方向で前記第３領域の両側に位置する第４領域と、を有し、
   前記第３領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面の表面粗さは、前記第４領域に対応する前記基板の前記第１面又は前記第２面の表面粗さに比べて大きい、請求項１記載の電子部品。
4. 前記貫通孔は前記基板の前記第１面から前記第２面に向かって直径が大きくなり、
   前記複数の改質領域は前記基板の厚さ方向に複数の行で設けられていて、
   前記複数の改質領域のうちの前記第１領域で前記基板の厚さ方向に並んだ改質領域は、前記基板の前記第１面側から前記第２面側に向かって徐々に小さくなっている、請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
5. 前記貫通孔は前記基板の前記第１面から前記第２面に向かって直径が大きくなり、
   前記複数の改質領域は、前記基板の厚さ方向に複数の行で設けられているとともに、前記複数の行のうちの前記基板の前記第１面に最も近い行では前記第１領域及び前記第２領域に設けられ、前記基板の前記第２面に最も近い行では前記第２領域に設けられ且つ前記第１領域には設けられていない、請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
6. 前記複数の改質領域は、前記１又は複数の行のうちの少なくとも１つの行において、前記第２領域では前記基板の厚さ方向に交差する方向に等間隔で設けられ且つ前記第１領域には設けられていない、請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
7. 前記改質領域は、非晶質である、請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
8. 前記基板は、圧電基板、又は、支持基板の上面に圧電基板が接合された接合基板であり、
   前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、
   前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、石英基板、又は水晶基板である、請求項１から７のいずれか一項記載の電子部品。
9. 前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの一方の面に設けられた弾性波素子である前記機能部を囲んで前記一方の面に設けられた環状金属層と、
   前記環状金属層上に設けられ、前記機能部を封止する封止部材と、
   前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの他方の面に設けられた端子と、
   前記貫通孔に設けられ、前記環状金属層と前記端子とを接続するビア配線と、を備える、請求項１から８のいずれか一項記載の電子部品。
10. 第１面と第２面との間を貫通する貫通孔を有し且つ機能部が形成された基板を準備する工程と、
    前記基板の切断領域に沿ってレーザ光を照射することで、前記切断領域のうちの前記切断領域との間隔が最も狭い前記貫通孔を前記切断領域に投影した第１領域以外の第２領域に前記基板の材料が改質した改質領域を形成し、前記第１領域には前記改質領域を形成しない又は前記第２領域よりも小さな前記改質領域を形成する工程と、
    前記基板を前記切断領域に形成した前記改質領域にて割断する工程と、を備える電子部品の製造方法。
11. 前記基板を準備する工程は、レーザ光を照射することで形成した前記貫通孔を有する前記基板を準備する、請求項１０記載の電子部品の製造方法。
12. 前記改質領域を形成する前に、前記基板の前記第１面又は前記第２面に前記第１領域を覆う保護膜を形成する工程を備え、
    前記改質領域を形成する工程は、前記第１領域では前記保護膜に前記レーザ光を照射することで、前記第１領域には前記改質領域を形成しない又は前記第２領域よりも小さな前記改質領域を形成する、請求項１０または１１記載の電子部品の製造方法。
13. 前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの前記機能部が形成された面とは反対側の面に端子を形成する工程を備え、
    前記保護膜を形成する工程は、前記基板の前記第１面又は前記第２面のうちの前記反対側の面に前記端子の形成と同時に前記端子と同じ材料で前記保護膜を形成する、請求項１２記載の電子部品の製造方法。

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