JP2014033163A - ウェーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透過性を有する波長のレーザー光線を第1の分割予定ラインS1に沿って照射し第1の改質層K1を形成する第1の改質層形成工程と、レーザー光線を第2の分割予定ラインS2に沿って照射し第2の改質層K2を形成する第2の改質層形成工程と、ウェーハの裏面から研削する研削動作により該改質層を起点としてウェーハの表面に至るクラックを成長させる研削工程と、外力を付与してチップ間を離間させるエキスパンド工程とを備え、該第2の改質層形成工程において又は該第1の改質層形成工程および該第2の改質層形成工程の両工程において、所定の間隔を設けて各デバイスDの1辺に対して少なくとも1回レーザー光線の照射を停止することで非改質層領域NKを有する非連続改質層を形成する。
【選択図】図4
Description
図1から図8を参照して、実施形態について説明する。本実施形態は、ウェーハの分割方法に関する。図1は、実施形態に係るウェーハの分割方法のエキスパンドテープ貼着工程の説明図、図2は、実施形態に係るウェーハの分割方法の改質層形成工程の説明図、図3は、実施形態に係るウェーハの分割方法のレーザー光線照射対象領域を示す図、図4は、実施形態に係るレーザー光線照射対象領域を示す拡大図、図5は、実施形態に係るウェーハの分割方法の研削工程の説明図、図6は、研削工程後のウェーハを示す図、図7は、実施形態に係るウェーハの分割方法のエキスパンド工程の説明図、図8は、エキスパンド工程後のウェーハを示す図である。
エキスパンドテープ貼着工程では、ウェーハWの表面WS側にエキスパンドテープTが貼着される。ウェーハWの表面WSには、延性を有するエキスパンドテープTが貼着される。エキスパンドテープTの縁部は、環状フレームFに貼着される。これにより、ウェーハWは、エキスパンドテープTを介して環状フレームFに固定される。エキスパンドテープTは、紫外線硬化型の粘着テープであり、その粘着層Taは、紫外線により硬化する材料で構成されている。
第1の改質層形成工程および第2の改質層形成工程は、エキスパンドテープ貼着工程の後で実行される。本実施形態では、第1の改質層形成工程の後で第2の改質層形成工程が実行されるが、これに限定されるものではなく、第2の改質層形成工程の後で第1の改質層形成工程が実行されてもよい。
第1の改質層形成工程は、ウェーハWの内部に第1の分割予定ラインS1に沿って第1の改質層K1(図4参照)を形成するものである。図2に示すように、第1の改質層形成工程および第2の改質層形成工程は、レーザー加工ユニット1によってなされる。レーザー加工ユニット1は、チャックテーブル2と、レーザー光線照射手段3と、図示しない移動手段とを含んで構成されている。チャックテーブル2は、ウェーハWを保持する保持手段であり、例えば、負圧による吸引力によってウェーハWを吸引保持する。チャックテーブル2は、保持面2aを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。チャックテーブル2は、ウェーハWのエキスパンドテープT側を保持する。ウェーハWは、表面WS側をチャックテーブル2の保持面2aに向けて保持面2a上に載置される。チャックテーブル2は、エキスパンドテープTを介してウェーハWを吸引保持する。
第2の改質層形成工程は、ウェーハWの内部に第2の分割予定ラインS2に沿って第2の改質層K2を形成するものである。第2の改質層形成工程において、レーザー加工ユニット1は、レーザー光線照射手段3によってレーザー光線Lを照射しながら、第2方向D2に沿ってレーザー光線照射手段3とチャックテーブル2とを相対移動させる。これにより、第2の分割予定ラインS2に沿ってレーザー光線Lを照射し、第2の改質層K2を形成する。レーザー光線照射手段3は、第1の改質層形成工程と同様に、チャックテーブル2に保持されたウェーハWに対して透過性を有する波長のレーザー光線Lを照射する。レーザー光線照射手段3は、ウェーハWに対して裏面WR側から、集光点をウェーハWの内部に位置付けてレーザー光線Lを照射する。
研削工程は、第1の改質層形成工程および第2の改質層形成工程を実施した後で行われる。研削工程は、エキスパンドテープT側を保持してウェーハWの裏面WRから研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により改質層Kを起点としてウェーハWの表面WSに至るクラックを分割予定ラインS1,S2に沿って成長させる工程である。研削工程では、改質層Kが形成された領域が分割予定ラインS1,S2に沿って分割される。改質層Kが形成された領域にはクラックが発生し、ウェーハWはクラックを境にして分割される。例えば、改質層Kが形成された領域のみにクラックが発生して分割され、改質層Kが形成されていない領域はクラックが発生せず、分割されないことが好ましい。
エキスパンド工程は、研削工程の後に実行される。エキスパンド工程は、外力を付与して第1の分割予定ラインS1および第2の分割予定ラインS2に沿ってチップDT間を離間させる工程である。エキスパンド工程において、研削工程で分割されていない非改質層領域NKが、第2の分割予定ラインS2に沿って分割される。エキスパンド工程は、図7に示す拡張装置15によってなされる。
本実施形態に係るウェーハの分割方法による分割加工の実験結果について説明する。チップDTの1辺20mmに対して、照射対象外の領域の長さを第1の照射対象領域SL1から第2方向D2の両側にそれぞれ1mmずつとして実験したところ、良好な結果が得られた。実験では、研削工程で非改質層領域NKは分割されず、かつエキスパンド工程で非改質層領域NKにクラックが形成されて個々のチップDTに良好に分割された。また、交差点箇所の品質も良好であった。研削工程の後で搬送パッド等を用いずにウェーハWをハンドリングしても、個々のチップDTの角部に欠けやクラックが見られなかった。従って、本実施形態に係るウェーハの分割方法は、チップDTの品質向上や歩留まりの向上に有効である。
図9を参照して、実施形態の第1変形例について説明する。図9は、実施形態の第1変形例に係るレーザー光線照射対象領域を示す拡大図である。図9に示すように、本変形例に係る第2の照射対象領域SL2は、それぞれ第1の照射対象領域SL1と交差している。隣接する第2の照射対象領域SL2の間の照射対象外の領域は、デバイスDの1辺の中央部に配置されている。言い換えると、第2の照射対象領域SL2は、第1の照射対象領域SL1から第2方向D2の両側に向けて延在する直線状の領域であり、その先端は、隣接する第1の照射対象領域SL1との中間点よりも手前側である。
第2の改質層形成工程のみならず、第1の改質層形成工程においても、所定の間隔を設けて各デバイスDの1辺に対して少なくとも1回レーザー光線Lの照射が停止されるように、第1の照射対象領域SL1が定められてもよい。例えば、図3および図4に示す第2の照射対象領域SL2と同様の第1の照射対象領域SL1が、第1の分割予定ラインS1に沿って定められてもよい。あるいは、図9に示す第2の照射対象領域SL2と同様の第1の照射対象領域SL1が、第1の分割予定ラインS1に沿って定められてもよい。
2,11 チャックテーブル
3 レーザー光線照射手段
10 研削ユニット
12 研削手段
15 拡張装置
CK1 第1のクラック
CK2 第2のクラック
D デバイス
DT チップ
F 環状フレーム
K1 第1の改質層
K2 第2の改質層
L レーザー光線
NK 非改質層領域
S1 第1の分割予定ライン
S2 第2の分割予定ライン
SL1 第1の照射対象領域
SL2 第2の照射対象領域
T エキスパンドテープ
W ウェーハ
WR 裏面
WS 表面
Claims (1)
- 表面に所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該複数の第1の分割予定ラインと交差して形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを、該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿って分割するウェーハの分割方法であって、
ウェーハの表面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、
該エキスパンドテープ貼着工程の後に、該エキスパンドテープ側を保持し、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点をウェーハの内部に位置付けて該第1の分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハの内部に該第1の分割予定ライン沿って第1の改質層を形成する第1の改質層形成工程と、
ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点をウェーハの内部に位置付けて該第2の分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハの内部に該第2の分割予定ラインに沿って第2の改質層を形成する第2の改質層形成工程と、
該第1の改質層形成工程および該第2の改質層形成工程を実施した後、該エキスパンドテープ側を保持してウェーハの裏面から研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により該改質層を起点としてウェーハの表面に至るクラックを該分割予定ラインに沿って成長させる研削工程と、
該研削工程の後に、外力を付与して該第1の分割予定ラインおよび該第2の分割予定ラインに沿ってチップ間を離間させるエキスパンド工程とを備え、
該第2の改質層形成工程において又は該第1の改質層形成工程および該第2の改質層形成工程の両工程において、所定の間隔を設けて各デバイスの1辺に対して少なくとも1回レーザー光線の照射を停止することで、内部に所定の間隔を隔てて非改質層領域を有する非連続改質層を形成し、
該研削工程においては、該改質層が形成された領域が該分割予定ラインに沿って分割され、
該エキスパンド工程において、該研削工程で分割されていない該非改質層領域が、該分割予定ラインに沿って分割される、
ことを特徴とするウェーハの分割方法。
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