JP7016264B2 - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Description
図4は、ウエーハの内部に改質層を形成するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図5は、ウエーハの内部に形成された改質層を模式的に示す平面図である。この図5では説明の便宜上、改質層120を実線で描くとともに、改質層120の数を図1の分割予定ライン102の数よりも減らして簡略化して描いている。改質層形成ステップS1では、ウエーハ100に対して透過性を有する波長のレーザー光線を裏面104から分割予定ライン102に沿って照射し、ウエーハ100の内部に改質層120を形成する。改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲の母材とは異なる状態になった領域をいい、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、および、これらの領域が混在した領域等である。
光源 :YAGパルスレーザ、又は、YVO4パルスレーザ
波長 :1342nm
平均出力 :0.9W~1.4W
加工送り速度:700mm/秒
次に、ウエーハ100を所定の厚みまで研削することにより薄化する。この研削ステップS2は、改質層形成ステップS1の前に行っても良い。図6は、ウエーハを研削する前の構成を示す側断面図であり、図7は、ウエーハを研削した後の構成を示す側断面図である。ウエーハ100の研削は、図6及び図7に示すように、研削装置30を用いて行われる。研削装置30は、ウエーハ100を保持する保持テーブル31と、この保持テーブル31に保持されたウエーハ100を研削する研削ユニット32とを備える。保持テーブル31は、保護テープ110を介して、ウエーハ100を吸引保持するように構成されている。また、保持テーブル31は、回転軸31Aを中心に回転可能に構成されている。
次に、改質層120が形成されるとともに、所定厚みに薄化されたウエーハ100をエキスパンドテープに貼着する。図8は、エキスパンドテープを介して環状フレームに支持されたウエーハを示す斜視図である。ウエーハ100の表面101側に貼着された保護テープ110(図4)を剥がすとともに、ウエーハ100の裏面104および環状フレーム106にエキスパンドテープ105を貼着する。このエキスパンドテープ105は、図2に示すエキスパンドテープ10を所定長さおよび所定形状に切断したものである。ウエーハ100は、エキスパンドテープ105により環状フレーム106の内側に支持される。
エキスパンドテープ貼着ステップS3の後には、ウエーハ100に貼着したエキスパンドテープ105を拡張してウエーハ100をデバイスチップへと分割しながらデバイスチップ間の間隔を広げる分割ステップS4を実施する。図9は、ウエーハを分割する前の構成を示す側断面図であり、図10は、ウエーハを分割した後の構成を示す側断面図である。図11は、ウエーハを分割する前の構成を示す部分拡大平面図であり、図12は、ウエーハを分割した後の構成を示す部分拡大平面図である。ウエーハ100の分割は、図9及び図10に示すように、拡張分割装置40を用いて行われる。拡張分割装置40は、ウエーハ100および環状フレーム106を支持するための支持構造41と、エキスパンドテープ105を拡張するための円筒状の拡張ドラム42とを備えている。拡張ドラム42の内径は、ウエーハ100の直径より大きく、拡張ドラム42の外径は、環状フレーム106の内径より小さい。
13 第1の方向
14 第2の方向
20 レーザー加工装置
21 チャックテーブル
22 レーザー照射ユニット
22C レーザー光線
30 研削装置
31 保持テーブル
32 研削ユニット
40 拡張分割装置
100 ウエーハ
100A 縁部(外周)
101 表面
102 分割予定ライン
103 デバイス
104 裏面
105 エキスパンドテープ
106 環状フレーム
110 保護テープ
120、220、320 改質層
121、221、321 未加工領域
130 デバイスチップ
140 隙間
Claims (2)
- 表面に複数の分割予定ラインで区画された複数のデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハ内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
第1の方向が該第1の方向と直交する第2の方向より伸びやすいエキスパンドテープをウエーハに貼着する貼着ステップと、
該エキスパンドテープを拡張してチップへと分割しながらチップ間の間隔を広げる分割ステップと、を備え、
該改質層形成ステップにおいて、
該第1の方向と平行な該分割予定ラインにはウエーハの外周まで改質層を形成し、
該第2の方向と平行な該分割予定ラインには任意の未加工領域を残して改質層を形成して、
該第1の方向と平行な該分割予定ラインに形成される改質層は、該第2の方向と平行な該分割予定ラインに形成される改質層より多いことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 表面に複数の分割予定ラインで区画された複数のデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハ内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
第1の方向が該第1の方向と直交する第2の方向より伸びやすいエキスパンドテープをウエーハに貼着する貼着ステップと、
該エキスパンドテープを拡張してチップへと分割しながらチップ間の間隔を広げる分割ステップと、を備え、
該改質層形成ステップにおいて、
該第1の方向と平行な該分割予定ラインは、該第2の方向と平行な該分割予定ラインより照射されるレーザー光線のパワーが大きい、ウエーハの厚み方向に形成される該改質層の本数が多い、又はレーザー光線の照射痕の重なり率が高い、の少なくともいずれか一つの条件を含んで、
該第1の方向と平行な該分割予定ラインに形成される改質層は、該第2の方向と平行な該分割予定ラインに形成される改質層より多いことを特徴とするウエーハの分割方法。
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JP2008213024A (ja) | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 加工対象物切断方法 |
JP2009272611A (ja) | 2008-04-11 | 2009-11-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チップの製造方法及びダイシングテープ |
JP2012204747A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップ分割離間装置、及びチップ分割離間方法 |
JP2014033163A (ja) | 2012-08-06 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
JP2014239192A (ja) | 2013-06-10 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | チップ間隔維持方法 |
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