JP2013165229A - 光デバイスウェーハの分割方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 139
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 62
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000006261 foam material Substances 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の分割方法は、表面に形成された分割予定ライン(301)に沿って光デバイスウェーハ(W)を個々のチップに分割する方法であり、外周領域(307)を残すように分割予定ライン(301)に沿ってレーザビームを照射して、光デバイスウェーハ(W)の内部に改質層(304)を形成する改質層形成工程と、光デバイスウェーハ(W)を仕上げ厚さまで研削し、研削加工中の研削負荷によって改質層(304)を起点として外周領域(307)に囲まれた領域を分割する研削工程とを有する構成とした。
【選択図】図6
Description
105 レーザ加工ユニット
106 チャックテーブル(保持手段)
131 加工ヘッド
201 研削装置
205 研削ユニット
206 チャックテーブル(保持手段)
224 研削ホイール
301 分割予定ライン
303 粘着シート
304 改質層
306 改質部
307 外周領域
308 内周縁
309 改質層形成領域
311 外周エッジ
312 樹脂
W 光デバイスウェーハ
W1 表面
W2 裏面
C1 チップ
C2 三角チップ
Claims (2)
- 表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する光デバイスウェーハの分割方法であって、
光デバイスウェーハの表面に粘着シートを貼着する貼着ステップと、
前記貼着ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを前記分割予定ラインに沿って照射して、光デバイスウェーハの外周領域を残し前記分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
前記改質層形成ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から研削手段により研削し所定厚さへと薄化するとともに研削動作により前記改質層を起点として光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する研削ステップと、を備えること
を特徴とする光デバイスウェーハの分割方法。 - 前記貼着ステップ実施後であって前記研削ステップ実施前に、前記粘着シートから光デバイスウェーハの外周エッジの露呈する裏面にかけて樹脂を光デバイスウェーハの前記外周エッジ全周にリング状に塗布する樹脂塗布ステップを更に備える、
ことを特徴とする請求項1記載の光デバイスウェーハの分割方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012028574A JP5988601B2 (ja) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | 光デバイスウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012028574A JP5988601B2 (ja) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | 光デバイスウェーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013165229A true JP2013165229A (ja) | 2013-08-22 |
JP5988601B2 JP5988601B2 (ja) | 2016-09-07 |
Family
ID=49176397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012028574A Active JP5988601B2 (ja) | 2012-02-13 | 2012-02-13 | 光デバイスウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5988601B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016025188A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
KR20160072775A (ko) | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
KR20160075326A (ko) | 2014-12-19 | 2016-06-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
US9627242B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-04-18 | Disco Corporation | Wafer processing method |
US9640420B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-05-02 | Disco Corporation | Wafer processing method |
KR20180133214A (ko) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩의 제조 방법 |
JP2018206941A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206970A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206971A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206943A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206945A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206969A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2019061986A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021068872A (ja) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2021158194A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7545027B2 (ja) | 2020-07-28 | 2024-09-04 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法及びシステム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003077295A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
JP2004079951A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2009032970A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2009246195A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | 接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法 |
-
2012
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003077295A1 (en) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
JP2004079951A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2009032970A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP2009246195A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | 接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9627242B2 (en) | 2014-06-05 | 2017-04-18 | Disco Corporation | Wafer processing method |
JP2016025188A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
KR20160072775A (ko) | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
US9685377B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-06-20 | Disco Corporation | Wafer processing method |
KR20160075326A (ko) | 2014-12-19 | 2016-06-29 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
US9490155B2 (en) | 2014-12-19 | 2016-11-08 | Disco Corporation | Wafer processing method using adhesive layer UV curing step and laser modified layer forming step to singulate individual device chips |
US9640420B2 (en) | 2015-06-12 | 2017-05-02 | Disco Corporation | Wafer processing method |
JP2018206971A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
KR102553014B1 (ko) | 2017-06-05 | 2023-07-06 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩의 제조 방법 |
JP2018206970A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
KR20180133214A (ko) * | 2017-06-05 | 2018-12-13 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩의 제조 방법 |
JP2018206943A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206945A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206969A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2018206941A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
JP2019061986A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7043124B2 (ja) | 2017-09-22 | 2022-03-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021068872A (ja) * | 2019-10-28 | 2021-04-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7358193B2 (ja) | 2019-10-28 | 2023-10-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2021158194A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7401372B2 (ja) | 2020-03-26 | 2023-12-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7545027B2 (ja) | 2020-07-28 | 2024-09-04 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法及びシステム |
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