JP2021034477A - レーザー加工方法 - Google Patents

レーザー加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021034477A
JP2021034477A JP2019151333A JP2019151333A JP2021034477A JP 2021034477 A JP2021034477 A JP 2021034477A JP 2019151333 A JP2019151333 A JP 2019151333A JP 2019151333 A JP2019151333 A JP 2019151333A JP 2021034477 A JP2021034477 A JP 2021034477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
modified layer
wafer
division line
intersection
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019151333A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7420508B2 (ja
Inventor
中村　勝
Masaru Nakamura
勝 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2019151333A priority Critical patent/JP7420508B2/ja
Priority to KR1020200086622A priority patent/KR20210023684A/ko
Priority to CN202010842959.5A priority patent/CN112404703A/zh
Publication of JP2021034477A publication Critical patent/JP2021034477A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7420508B2 publication Critical patent/JP7420508B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

【課題】デバイスチップのコーナーに欠けが生じるのを防止することができるレーザー加工方法を提供する。【解決手段】レーザー加工方法は、第一の方向Ｄ１に延在する複数の第一の分割予定ライン４ａの内部に改質層１６を形成する第一の改質層形成工程と、第一の方向Ｄ１に交差する第二の方向Ｄ２に延在する複数の第二の分割予定ライン４ｂの内部に改質層２２を形成する第二の改質層形成工程とを含む。第二の改質層形成工程において、第二の分割予定ライン４ｂおよび既に改質層１６が形成された第一の分割予定ライン４ａの交差点Ｃ１と隣接する交差点Ｃ２とで規制された第二の分割予定ライン４ｂの中央領域１８からそれぞれの交差点Ｃ１、Ｃ２の近傍までレーザー光線ＬＢを照射して改質層２２を形成する。【選択図】図４

Description

本発明は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、ウエーハをチップに分割するための起点となる改質層を分割予定ラインの内部に形成するレーザー加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが、第一の方向に延在する複数の第一の分割予定ラインと第一の方向に交差する第二の方向に延在する複数の第二の分割予定ラインとによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、ウエーハを保持する保持手段と、保持手段に保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を第一および第二の分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、ウエーハをデバイスチップに分割するための起点となる改質層を第一および第二の分割予定ラインの内部に形成するレーザー光線照射手段と、保持手段とレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、ウエーハを透過して撮像する撮像手段と、制御手段と、を含み構成されていて、ウエーハを高精度に分割することができる（たとえば特許文献１参照）。
特許第３４０８８０５号公報
しかし、第一の分割予定ラインの内部に改質層を形成した後、第二の分割予定ラインの内部に改質層を形成すると、デバイスチップのコーナーに欠けが生じるという問題がある。具体的には、デバイスチップのコーナーのうち、第二の分割予定ラインにおけるレーザー光線の集光点の移動方向上流側に位置するチップのコーナーに欠けが生じることが多い。
特に、ウエーハの表面に保護部材を配設してウエーハの裏面を研削ホイールで研削しウエーハを薄化すると共に、改質層に沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する場合に前記した問題が生じやすい。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、デバイスチップのコーナーに欠けが生じるのを防止することができるレーザー加工方法を提供することである。
本発明は上記課題を解決するために以下のレーザー加工方法を提供する。すなわち、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、ウエーハをチップに分割するための起点となる改質層を分割予定ラインの内部に形成するレーザー加工方法であって、第一の方向に延在する複数の第一の分割予定ラインの内部に改質層を形成する第一の改質層形成工程と、該第一の方向に交差する第二の方向に延在する複数の第二の分割予定ラインの内部に改質層を形成する第二の改質層形成工程と、を含み、該第二の改質層形成工程において、第二の分割予定ラインおよび既に改質層が形成された第一の分割予定ラインの交差点と隣接する交差点とで規制された第二の分割予定ラインの中央領域からそれぞれの交差点の近傍までレーザー光線を照射して改質層を形成するレーザー加工方法を本発明は提供する。
本発明のレーザー加工方法は、第一の方向に延在する複数の第一の分割予定ラインの内部に改質層を形成する第一の改質層形成工程と、該第一の方向に交差する第二の方向に延在する複数の第二の分割予定ラインの内部に改質層を形成する第二の改質層形成工程と、を含み、該第二の改質層形成工程において、第二の分割予定ラインおよび既に改質層が形成された第一の分割予定ラインの交差点と隣接する交差点とで規制された第二の分割予定ラインの中央領域からそれぞれの交差点の近傍までレーザー光線を照射して改質層を形成することから、第二の分割予定ラインの内部に改質層を形成する際、第一の分割予定ラインの内部に形成された改質層にレーザー光線が照射されることがないため、デバイスチップのコーナーに欠けが生じるのを防止することができる。
（ａ）裏面が粘着テープ貼り付けられているウエーハの斜視図、（ｂ）表面が粘着テープに貼り付けられているウエーハの斜視図。 （ａ）ウエーハの表面を上に向けて第一の改質層形成工程を実施している状態を示す斜視図、（ｂ）ウエーハの表面を上に向けて第一の改質層形成工程を実施している状態を示す断面図。 ウエーハの裏面を上に向けて第一の改質層形成工程を実施している状態を示す斜視図。 第二の改質層形成工程におけるレーザー光線の集光点の軌跡を示すウエーハの一部平面図。 （ａ）第二の改質層形成工程において、隣接する交差点間で規制された第二の分割予定ラインの中央領域から第二の方向の片側に向かって移動したレーザー光線の集光点の軌跡を示すウエーハの一部平面図、（ｂ）第二の改質層形成工程において、隣接する交差点間で規制された第二の分割予定ラインの中央領域から第二の方向の他側に向かって移動したレーザー光線の集光点の軌跡を示すウエーハの一部平面図。 分割工程を実施している状態を示す斜視図。 改質層に沿ってウエーハが個々のデバイスチップに分割された状態を示す斜視図。
以下、本発明のレーザー加工方法の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１には、本発明のレーザー加工方法によって加工が施される円板状のウエーハ２が示されている。ウエーハ２はシリコン等から形成され得る。ウエーハ２の表面２ａは格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域に区画されており、複数の矩形領域のそれぞれにはＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイス６が形成されている。格子状の分割予定ライン４は、第一の方向Ｄ１に延在する複数の第一の分割予定ライン４ａと、第一の方向Ｄ１に交差する第二の方向Ｄ２に延在する複数の第二の分割予定ライン４ｂとを有する。なお、図示の実施形態の第一の分割予定ライン４ａと第二の分割予定ライン４ｂとは直交している。
ウエーハ２は、周縁が環状フレーム８に固定された粘着テープ１０に貼り付けられており、粘着テープ１０を介して環状フレーム８に支持されている。図１（ａ）に示すとおり、ウエーハ２の裏面２ｂが粘着テープ１０に貼り付けられていてもよく、あるいは図１（ｂ）に示すとおり、ウエーハ２の表面２ａが粘着テープ１０に貼り付けられていてもよい。
図示の実施形態のレーザー加工方法では、まず、第一の方向Ｄ１に延在する複数の第一の分割予定ライン４ａの内部に改質層を形成する第一の改質層形成工程を実施する。第一の改質層形成工程は、たとえば図２に一部を示すレーザー加工装置１２を用いて実施することができる。
図２に示すとおり、レーザー加工装置１２は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器１４と、チャックテーブルに吸引保持されたウエーハ２を撮像する撮像手段（図示していない。）とを備える。
上面においてウエーハ２を吸引保持するチャックテーブルは、上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されていると共に、図２（ａ）に矢印Ｘで示すＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図２（ａ）に矢印Ｙで示す方向）とに移動自在に構成されている。集光器１４は、レーザー加工装置１２のパルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光してウエーハ２に照射するための集光レンズ（図示していない。）を含む。撮像手段は、可視光線によりウエーハ２を撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、ウエーハ２に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。
図２（ａ）を参照して説明を続けると、第一の改質層形成工程では、まず、ウエーハ２を上側にし、かつ粘着テープ１０を下側にして、チャックテーブルの上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、撮像手段で上方からウエーハ２を撮像し、撮像手段で撮像したウエーハ２の画像に基づいて、第一の分割予定ライン４ａをＸ軸方向に整合させると共に、Ｘ軸方向に整合させた第一の分割予定ライン４ａを集光器１４の下方に位置づける。
次いで、レーザー加工装置１２の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器１４を昇降させ、第一の分割予定ライン４ａの内部に集光点ＦＰを位置づける。次いで、集光器１４に対してチャックテーブルを相対的に所定の送り速度でＸ軸方向に加工送りしながら、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器１４から照射することによって、第一の分割予定ライン４ａに沿ってウエーハ２の内部に、周囲よりも強度が小さい改質層１６を形成する。
次いで、第一の分割予定ライン４ａのＹ軸方向の間隔の分だけ、集光器１４に対してチャックテーブルを相対的にＹ軸方向に割り出し送りする。そして、パルスレーザー光線ＬＢの照射と割り出し送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に整合させた第一の分割予定ライン４ａのすべてに沿ってウエーハ２の内部に改質層１６を形成する。
図２に示す例では第一の改質層形成工程においてウエーハ２の表面２ａ側からパルスレーザー光線ＬＢをウエーハ２に照射しているが、第一の改質層形成工程においては、図３に示すとおり、ウエーハ２の裏面２ｂ側からパルスレーザー光線ＬＢをウエーハ２に照射してもよい。上記のとおり、レーザー加工装置１２の撮像手段は、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含むので、ウエーハ２の裏面２ｂが上を向いている場合でも、ウエーハ２の裏面２ｂから透かして表面２ａの分割予定ライン４をウエーハ２の上方から撮像することができる。
第一の改質層形成工程を実施した後、第一の方向Ｄ１に交差する第二の方向Ｄ２に延在する複数の第二の分割予定ライン４ｂの内部に改質層を形成する第二の改質層形成工程を実施する。第二の改質層形成工程も上記レーザー加工装置１２を用いて実施することができる。
第二の改質層形成工程では、まず、ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブルを９０度回転させる。次いで、第一の改質層形成工程において撮像したウエーハ２の画像に基づいて、第二の分割予定ライン４ｂをＸ軸方向に整合させると共に、Ｘ軸方向に整合させた第二の分割予定ライン４ｂを集光器１４の下方に位置づける。
次いで、第二の分割予定ライン４ｂの内部であって、第二の分割予定ライン４ｂおよび既に改質層１６が形成された第一の分割予定ライン４ａの交差点と隣接する交差点とで規制された第二の分割予定ライン４ｂの中央領域に集光点ＦＰを位置づける。
図４を参照して説明すると、第二の分割予定ライン４ｂおよび既に改質層１６が形成された第一の分割予定ライン４ａの交差点とは、たとえば符号Ｃ１で示す交差点であり、この交差点Ｃ１に隣接する交差点とは、第二の方向Ｄ２において隣接する交差点であり、たとえば符号Ｃ２で示す交差点である。また、交差点Ｃ１と交差点Ｃ２とで規制された第二の分割予定ライン４ｂの中央領域とは、たとえば図４に符号１８で示すとおり、デバイス６の一辺の長さに相当する領域である。図示の実施形態では中央領域１８における任意の開始位置２０に集光点ＦＰを位置づける。なお、開始位置２０は、中央領域１８における中間位置でなくてもよく、いずれかの交差点の方に片寄っていてもよい。
次いで、開始位置２０から交差点Ｃ１の近傍まで、集光器１４に対してチャックテーブルを相対的に所定の送り速度でＸ軸方向に加工送りしながら、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器１４から照射することにより、第二の分割予定ライン４ｂに沿ってウエーハ２の内部に改質層２２ａを形成する。この改質層２２ａの先端（開始位置２０の反対側の端部）は、第一の分割予定ライン４ａの改質層１６とは連結しておらず、改質層２２ａの先端と改質層１６との間には改質層が形成されていない領域が存在する。すなわち、改質層２２ａを形成する際、パルスレーザー光線ＬＢが改質層１６に照射されることはない。
次いで、チャックテーブルを移動させて集光点ＦＰを開始位置２０に再度位置づける。そして、開始位置２０から交差点Ｃ２の近傍まで、集光器１４に対してチャックテーブルを相対的に所定の送り速度でＸ軸方向に加工送りしながら、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器１４から照射することにより、第二の分割予定ライン４ｂに沿ってウエーハ２の内部に改質層２２ｂを形成する。改質層２２ｂの先端も改質層１６とは連結しておらず、改質層２２ｂの先端と改質層１６との間には改質層が形成されていない領域が存在する。改質層２２ｂを形成する際も、改質層２２ａを形成する際と同様に、パルスレーザー光線ＬＢが改質層１６に照射されることはない。
このようにして、交差点Ｃ１と交差点Ｃ２とで規制された第二の分割予定ライン４ｂの中央領域１８から、それぞれの交差点Ｃ１、Ｃ２の近傍までパルスレーザー光線ＬＢを照射して、開始位置２０から交差点Ｃ１の近傍まで延びる改質層２２ａと、開始位置２０から交差点Ｃ２の近傍まで延びる改質層２２ｂとを有する改質層２２を形成する。なお、改質層２２の性質は、改質層１６の性質と実質上同一であり、改質層２２の強度は周囲よりも強度が小さい。
次いで、最初に集光点ＦＰを位置づけた第二の分割予定ライン４ｂにおいて、隣接する交差点と交差点とで規制される各領域に改質層２２を順次形成する。そして、割り出し送りをしつつ、Ｘ軸方向に整合させた第二の分割予定ライン４ｂのすべてに沿ってウエーハ２の内部に改質層２２を形成する。これによって、ウエーハ２をデバイス６ごとのチップに分割するための起点となる改質層１６、２２を分割予定ライン４に沿ってウエーハ２の内部に形成することができる。
第二の改質層形成工程においては、上記のとおり、隣接する交差点と交差点とで規制される第二の分割予定ライン４ｂの各領域に改質層２２を順次形成してもよいが、パルスレーザー光線ＬＢを断続的に照射しながら第二の分割予定ライン４ｂの一端部から他端部まで集光点ＦＰを相対的に移動させてもよい。図５（ａ）に示すとおり、第二の分割予定ライン４ｂにおいてパルスレーザー光線ＬＢの照射区間と非照射区間とを交互に設けることによって、隣接する交差点と交差点とで規制される第二の分割予定ライン４ｂの各領域に、開始位置２０から図５の右側に延びる改質層２２ａを形成した後、図５（ｂ）に示すとおり、開始位置２０から図５の左側に延びる改質層２２ｂを形成するようにしてもよい。
上述したとおりの第一・第二の改質層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．２Ｗ
送り速度 ：７００ｍｍ／ｓ
第二の改質層形成工程を実施した後、粘着テープ１０を拡張してウエーハ２をデバイスチップに分割してもよいが、本実施形態においては、ウエーハ２の表面２ａに保護部材を配設してウエーハ２の裏面２ｂを研削ホイールで研削しウエーハ２を薄化すると共に、改質層１６、２２に沿ってウエーハ２を個々のデバイス６ごとのチップに分割する分割工程を実施する。分割工程は、たとえば図６に一部を示す研削装置２４を用いて実施することができる。研削装置２４は、ウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル２６と、チャックテーブル２６に吸引保持されたウエーハ２を研削する研削手段２８とを備える。
上面においてウエーハ２を吸引保持するチャックテーブル２６は上下方向に延びる軸線を中心として回転自在に構成されている。研削手段２８は、上下方向に延びるスピンドル３０と、スピンドル３０の下端に固定された円板状のホイールマウント３２とを含む。ホイールマウント３２の下面にはボルト３４によって環状の研削ホイール３６が固定されている。研削ホイール３６の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石３８が固定されている。
分割工程では、まず、デバイス６を保護するための保護部材４０をウエーハ２の表面２ａに配設する。次いで、図６に示すとおり、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、チャックテーブル２６の上面でウエーハ２を吸引保持する。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル２６を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル３０を回転させる。次いで、研削装置２４の昇降手段（図示していない。）でスピンドル３０を下降させ、ウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石３８を接触させた後、所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル３０を下降させる。これによって、ウエーハ２の裏面２ｂを研削してウエーハ２を所望の厚みに薄化することができる。
ウエーハ２の研削時には、研削送りによる所定の押圧力がウエーハ２に作用するため、ウエーハ２の内部に形成された改質層１６、２２からクラック（図示していない。）がウエーハ２の厚み方向に成長し、図７に示すとおり、改質層１６、２２に沿ってウエーハ２が個々のデバイス６ごとのチップに分割される。
以上のとおりであり、図示の実施形態のレーザー加工方法においては、第二の分割予定ライン４ｂの内部に改質層２２を形成する際、第一の分割予定ライン４ａの内部に形成された改質層１６にパルスレーザー光線ＬＢが照射されることがないため、デバイスチップのコーナーに欠けが生じるのを防止することができる。
２：ウエーハ
２ａ：ウエーハの表面
２ｂ：ウエーハの裏面
４：分割予定ライン
４ａ：第一の分割予定ライン
４ｂ：第二の分割予定ライン
１６：第一の分割予定ラインの内部に形成された改質層
１８：中央領域
２２：第二の分割予定ラインの内部に形成された改質層
２２ａ：開始位置から交差点Ｃ１の近傍まで延びる改質層
２２ｂ：開始位置から交差点Ｃ２の近傍まで延びる改質層
Ｄ１：第一の方向
Ｄ２：第二の方向
ＬＢ：パルスレーザー光線
ＦＰ：集光点
Ｃ１、Ｃ２：交差点

Claims (1)

  1. ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、ウエーハをチップに分割するための起点となる改質層を分割予定ラインの内部に形成するレーザー加工方法であって、
    第一の方向に延在する複数の第一の分割予定ラインの内部に改質層を形成する第一の改質層形成工程と、
    該第一の方向に交差する第二の方向に延在する複数の第二の分割予定ラインの内部に改質層を形成する第二の改質層形成工程と、
    を含み、
    該第二の改質層形成工程において、第二の分割予定ラインおよび既に改質層が形成された第一の分割予定ラインの交差点と隣接する交差点とで規制された第二の分割予定ラインの中央領域からそれぞれの交差点の近傍までレーザー光線を照射して改質層を形成するレーザー加工方法。
JP2019151333A 2019-08-21 2019-08-21 レーザー加工方法 Active JP7420508B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019151333A JP7420508B2 (ja) 2019-08-21 2019-08-21 レーザー加工方法
KR1020200086622A KR20210023684A (ko) 2019-08-21 2020-07-14 레이저 가공 방법
CN202010842959.5A CN112404703A (zh) 2019-08-21 2020-08-20 激光加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019151333A JP7420508B2 (ja) 2019-08-21 2019-08-21 レーザー加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021034477A true JP2021034477A (ja) 2021-03-01
JP7420508B2 JP7420508B2 (ja) 2024-01-23

Family

ID=74676046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019151333A Active JP7420508B2 (ja) 2019-08-21 2019-08-21 レーザー加工方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7420508B2 (ja)
KR (1) KR20210023684A (ja)
CN (1) CN112404703A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014033163A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2018063987A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018098295A (ja) * 2016-12-09 2018-06-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP5545648B2 (ja) 2010-06-22 2014-07-09 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体ウエハの劈開方法
JP6045361B2 (ja) 2013-01-17 2016-12-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014033163A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP2018063987A (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2018098295A (ja) * 2016-12-09 2018-06-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112404703A (zh) 2021-02-26
KR20210023684A (ko) 2021-03-04
JP7420508B2 (ja) 2024-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102519860B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6124547B2 (ja) 加工方法
TWI657495B (zh) 晶圓的加工方法
JP6147982B2 (ja) ウエーハの加工方法
TW202300265A (zh) 加工方法
KR20160075326A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
TWI736760B (zh) 晶圓加工方法
KR102513056B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
CN109411412B (zh) 晶片的加工方法
JP7027234B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7420508B2 (ja) レーザー加工方法
JP6808525B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2023002418A (ja) ウエーハの確認方法
JP6808526B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7401372B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2020061398A (ja) ウエーハの加工方法
US11367656B2 (en) Wafer processing method
JP7208062B2 (ja) デバイスチップの形成方法
JP2021068872A (ja) ウエーハの加工方法
KR20200053427A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2021136298A (ja) ウエーハの加工方法
TW202238711A (zh) 層積晶圓的加工方法
JP2018190833A (ja) ウェーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220617

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230728

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20230728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7420508

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150