KR20200053427A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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마사루 나카무라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성할 때에, 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 확실하게 발생시킬 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)의 집광점을 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로부터 미리 정해진 내부에 위치시켜 조사하여 개질층(100)과 개질층(100)으로부터 표면(10a)으로 연장되는 크랙(110)을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인(14)을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 분할 기점 형성 공정 후, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 보호 테이프(T)를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과, 연삭 지석(78)을 환형으로 구비한 연삭 휠(76)로 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하여 웨이퍼(10)를 박화하고 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(12’)으로 분할하는 분할 공정을 적어도 구비하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 다이싱 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되어, 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 이용된다.
또한, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 위치시켜 조사하고 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하며, 그 후, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 성장시켜 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
또한, 분할 예정 라인을 따라 형성된 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 효과적으로 형성하기 위해, 개질층이 형성된 웨이퍼를 가열하는 기술이 본 출원인에 의해 제안되어 있다(특허문헌 2를 참조).
일본 특허 공개 제2009-290148호 공보 일본 특허 공개 제2016-213318호 공보
상기한 특허문헌 2에 기재된 웨이퍼의 가공 방법에 따르면, 개질층을 형성하면서 크랙도 발생시킨다. 이와 같이 하여 개질층 및 크랙을 형성한 웨이퍼에 대하여 외력을 부여하여 분할 예정 라인을 따라 개개의 디바이스 칩으로 분할하면, 개질층만을 형성한 경우에 비하여, 양호하게 분할할 수 있다.
그러나, 웨이퍼에 대하여 개질층을 형성할 때에, 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 발생시키려 해도, 확실히 크랙을 발생시키는 것은 용이하지 않고, 크랙의 발생 상태에 따라서는, 확실히 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 없어, 개개의 디바이스 칩의 품질이 고르지 않다고 하는 문제도 있다.
본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성할 때에, 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 확실히 발생시켜, 분할 공정에 있어서, 웨이퍼를 확실히 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 미리 정해진 내부에 위치시켜 조사하여 개질층과 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 상기 분할 기점 형성 공정 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과, 연삭 지석을 환형으로 구비한 연삭 휠로 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 적어도 구비하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
상기 분할 기점 형성 공정에 있어서 웨이퍼의 표면측을 유지하는 유지 테이블의 표면에, 웨이퍼의 표면을 보호하는 보호 부재가 배치되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼 가공 방법은, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 미리 정해진 내부에 위치시켜 조사하여 개질층과 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 상기 분할 기점 형성 공정 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과, 연삭 지석을 환형으로 구비한 연삭 휠로 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 적어도 구비하고 있고, 분할 기점 형성 공정 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하도록 하고 있다. 이것에 의해, 분할 기점 형성 공정은, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프가 배치되어 있지 않은 상태에서 실시되기 때문에, 분할 기점 형성 공정을 실시할 때에, 테이프의 수축력이 웨이퍼에 작동하지 않아, 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 적정하게 성장시킬 수 있고, 분할 공정을 실시함으로써, 웨이퍼를 확실히 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 레이저 가공 장치의 전체 사시도이다.
도 2는 도 1에 의해 가공되는 피가공물로서의 웨이퍼, 및, 웨이퍼를 유지 테이블에 배치하는 양태를 나타낸 도면이다.
도 3의 (a)는 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 의해 분할 기점 형성 공정을 실시하는 양태, 및, (b)는 웨이퍼 내부에 형성되는 개질층, 크랙을 나타낸 일부 확대 단면도이다.
도 4는 본 실시형태의 보호 테이프 배치 공정의 실시양태를 나타낸 도면이다.
도 5의 (a)는 본 실시형태의 분할 공정의 실시양태를 나타낸 도면, (b)는 (a)에 도시된 분할 공정이 실시됨으로써, 웨이퍼가 개개의 디바이스 칩으로 분할된 상태를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 적합한 레이저 가공 장치(1)에 대해서, 첨부 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다.
도 1에는, 레이저 가공 장치(1)의 전체 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(1)는, 원형을 띠는 피가공물(웨이퍼)을 유지하는 유지 수단(20)과, 유지 수단(20)을 이동시키는 이동 수단(30)과, 유지 수단(20)에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(50)과, 유지 수단(20)에 유지되는 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(55)과, 표시 장치(M)를 구비하고 있다.
유지 수단(20)은, 레이저 가공 장치(1)의 베이스가 되는 기대(基臺; 2) 상에 배치되어 있고, 도면 중에 화살표 X로 나타내는 X축 방향에 있어서 이동 가능하게 배치되는 직사각 형상의 X축 방향 가동판(21)과, 도면 중에 화살표 Y로 나타내는 Y축 방향에 있어서 이동 가능하게 X축 방향 가동판(21)에 배치되는 직사각 형상의 Y축 방향 가동판(22)과, Y축 방향 가동판(22)의 상면에 배치되고, 도시하지 않은 구동 수단에 의해 화살표로 나타내는 방향에서 회전 가능하게 구성되는 유지 테이블(24)과, 유지 테이블(24)의 표면을 구성하는 발포 우레탄 등의 통기성을 갖는 연질의 수지 시트로 형성된 흡착 척(26)을 구비하고 있다. 이 흡착 척(26)의 하면측에는, 도시하지 않은 통기성을 갖는 다공질 세라믹이 배치되어 있다. 유지 테이블(24)은, 도시하지 않은 흡인 수단에 접속되어 있고, 상기 다공질 세라믹 및 흡착 척(26)을 통해, 유지 테이블(24)에 배치되는 판형 부재를 흡인 유지한다.
이동 수단(30)은, 유지 수단(20)을 X축 방향으로 가공 이송하는 X축 이송 수단(31)과, 유지 수단(20)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하는 Y축 이송 수단(32)을 구비하고 있다. X축 이송 수단(31)은, 펄스 모터(33)의 회전 운동을, 볼나사(34)를 통해 직선 운동으로 변환하여 X축 방향 가동판(21)에 전달하고, 기대(2) 상의 안내 레일(2a, 2a)을 따라 X축 방향 가동판(21)을 X축 방향에 있어서 진퇴시킨다. Y축 이송 수단(32)은, 펄스 모터(35)의 회전 운동을, 볼나사(36)를 통해 직선 운동으로 변환하여 Y축 방향 가동판(22)에 전달하고, X축 방향 가동판(21) 상의 안내 레일(21a, 21a)을 따라 Y축 방향 가동판(22)을 Y축 방향에 있어서 진퇴시킨다. 이동 수단(30)에는, 도시하지 않은 위치 검출 수단이 배치되어 있고, 유지 테이블(24)의 X축 방향, Y축 방향, 회전 방향의 위치를 검출하여, 도시하지 않은 제어 수단에 피드백함으로써, 유지 테이블(24)을 원하는 위치로 이동시킬 수 있다.
이동 수단(30)의 측방에는, 프레임체(4)가 세워진다. 프레임체(4)는, 기대(2) 상에 배치되는 수직 벽부(4a), 및 수직 벽부(4a)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되는 수평 벽부(4b)를 구비하고 있다. 프레임체(4)의 수평 벽부(4b)의 내부에는, 레이저 광선 조사 수단(50)의 레이저 발진기를 포함하는 도시하지 않은 광학계가 내장되어 있다. 수평 벽부(4b)의 선단부 하면에는, 레이저 광선 조사 수단(50)의 일부를 구성하는 집광기(52)가 배치되고, 집광기(52)의 내부에는, 레이저 광선을 집광하는 도시하지 않은 집광 렌즈가 내장되어 있다. 레이저 광선 조사 수단(50)의 상기 레이저 발진기로부터 발진된 레이저 광선은, 도시하지 않은 광학계를 지나 집광기(52)에 의해 집광되고, 유지 수단(20)의 유지 테이블(24)에 유지되는 피가공물의 미리 정해진 내부에 집광 스폿을 형성한다.
촬상 수단(55)은, 수평 벽부(4b)의 선단부 하면에 있어서, 집광기(52)의 X축 방향에서 인접하는 위치에 배치되고, 유지 수단(20)에 유지되는 피가공물을, 유지 수단(20)에 대향하는 방향으로부터 촬상한다. 촬상 수단(55)은, 도시하지 않은 적외선에 의해 촬상하는 적외선 촬상 소자(적외선 CCD)와, 피가공물에 적외선을 조사하는 도시하지 않은 적외선 조사 수단을 구비하고, 레이저 가공 장치(1)의 각 작동부를 제어하는 도시하지 않은 제어 수단에 접속되어 있다. 촬상 수단(55)에 의해 촬상된 화상의 신호는, 상기 제어 수단으로 보내진다. 또한, 피가공물의 종류에 따라, 촬상 수단(55)에 가시광선 조사 수단, 및 가시광선을 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD)를 포함하여도 좋다.
표시 장치(M)는, 수평 벽부(4b) 상에 배치되어, 도시하지 않은 제어 수단에 접속되어 있고, 제어 수단으로부터 출력되는 각종 가공 정보, 예컨대, 레이저 광선의 파장, 반복 주파수, 집광점 위치, 스폿 직경, 및 촬상 수단(55)에 의해 촬상된 웨이퍼의 화상 정보 등을 표시하고, 오퍼레이터의 조작을 접수하여 제어 수단에 송신하는 터치 패널 기능을 구비하고 있다.
레이저 가공 장치(1)는, 대략 상기한 바와 같은 구성을 구비하고 있고, 이하에 레이저 가공 장치(1)를 이용하여 실시되는 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 설명한다.
우선, 도 2의 상단에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼의 가공 방법에 있어서 가공이 행해지는 웨이퍼(10)를 준비한다. 웨이퍼(10)는, 예컨대, 실리콘 기판 등을 포함하는 원 형상의 반도체 웨이퍼이다. 웨이퍼(10)는, 복수의 디바이스(12)가 분할 예정 라인(14)에 의해 구획되어 표면에 형성되어 있다.
상기한 웨이퍼(10)를 준비했다면, 표면(10a) 측을 아래쪽으로, 이면(10b) 측을 위쪽으로 하여 레이저 가공 장치(1)의 유지 테이블(24)의 흡착 척(26) 상에 배치한다. 이때, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 보호 테이프 등의 보호 부재를 접착하지 않고, 유지 테이블(24) 상에 표면(10a)을 직접 접촉하는 상태로 배치한다. 여기서, 흡착 척(26)은, 상기한 바와 같이, 발포 우레탄 등의 통기성을 갖는 연질의 수지 시트로 형성되어 있음으로써, 흡착 척(26) 상에 배치되는 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 보호하는 보호 부재로서 기능한다. 이와 같이 하여 웨이퍼(10)를 유지 테이블(24)에 배치했다면, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시켜, 유지 테이블(24)에 흡인 유지한다.
(분할 기점 형성 공정)
유지 테이블(24)에 웨이퍼(10)를 흡인 유지했다면, 레이저 가공 장치(1)에 구비된 레이저 광선 조사 수단(50)으로부터 레이저 광선(LB)을 조사하여, 웨이퍼(10)의 내부에, 분할 예정 라인(12)을 따라, 개질층과 함께 개질층으로부터 표면(10a)으로 연장되는 크랙에 의해 구성되는 분할 기점을 형성하는 분할 기점 형성 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 우선, 촬상 수단(55)으로부터 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 적외선을 조사하여 촬상함으로써, 레이저 광선(LB)이 조사되는 위치와, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(12)의 위치를 맞춰, 분할 예정 라인(14)을 X축 방향, Y축 방향에 일치시키는 얼라인먼트를 실시한다. 상기 얼라인먼트를 실시했다면, 레이저 가공 장치(1)의 레이저 광선 조사 수단(50)을 기동시켜, 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측으로부터, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)을 조사한다. 레이저 광선(LB)의 집광점은, 레이저 광선 조사 수단(50)에 배치된 집광기(52)를 통해 웨이퍼(10)의 미리 정해진 내부에 위치되어, 분할 예정 라인(12)을 따라 조사되는 것으로서, 집광기(52)로부터 레이저 광선(LB)을 조사하면서, 척 테이블(24)을 화살표 X로 나타내는 X축 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 레이저 광선 조사 수단(50)과, 척 테이블(24)을 이동시키는 X축 이송 수단(31), Y축 이송 수단(32), 및 척 테이블(24)을 회전시키는 도시하지 않은 회전 수단 등을 제어하여, 웨이퍼(10) 상의 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성한다. 이와 같이 하여 조사되는 레이저 광선(LB)은, 도 3의 (b)에 웨이퍼(10)의 일부 단면을 확대하여 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(10)의 내부에 개질층(100)을 형성하고, 개질층(100)으로부터 표면(10a) 방향으로 연장되는 크랙(110)을 발생시켜 분할 기점(개질층(100)+크랙(110))을 형성하는 레이저 가공 조건으로 설정된다. 이상에 의해 분할 기점 형성 공정이 완료된다.
상기한 바와 같이, 본 실시형태에 있어서 분할 기점 형성 공정을 실시하는 에 반하여, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 보호 테이프 등은 배치되어 있지 않고, 유지 테이블(24) 상에 표면(10a) 측을 직접 배치하여 흡인 유지하고 있다. 이것은, 이 상태에서 개질층(100)을 형성하기 위해 레이저 가공을 실시하면, 보호 테이프 등의 수축력이 웨이퍼(10)에 작용하지 않고, 개질층(100)으로부터 표면(10a) 측으로 연장되는 크랙(110)이 양호하게 형성되는 것을 본 발명의 발명자들이 발견한 것에 따른다. 또한, 본 실시형태에서는, 유지 테이블(24)의 흡착 척(26)이, 발포 우레탄 등의 통기성을 갖는 연질의 수지 시트를 포함하는 보호 부재에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 디바이스(12)가 형성된 웨이퍼(10)의 표면(10a)을, 보호 테이프 등을 개재하지 않고 유지 테이블(24)에 직접 배치하여 분할 기점 형성 공정을 실시하여도, 디바이스(12)를 손상시키는 일이 없다.
또한, 상기한 분할 기점 형성 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공 조건은, 예컨대 이하와 같이 설정된다.
파장 : 1342 ㎚
반복 주파수 : 60 kHz
평균 출력 : 1 W
가공 이송 속도 : 600 ㎜/초
(보호 테이프 배치 공정)
상기한 분할 기점 형성 공정이 완료되었으면, 유지 테이블(24)로부터 웨이퍼(10)를 반출하여, 도 4의 상단에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a) 측에 보호 테이프(T)를 배치한다. 보호 테이프(T)에는, 점착력이 부여되어 있고, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 접착된다. 보호 테이프(T)는, 예컨대, 폴리염화비닐이나 폴리올레핀 등의 신장 가능한 합성 수지 시트로부터 선택된다.
(분할 공정)
상기한 보호 테이프 배치 공정이 완료되었으면, 도 4, 도 5에 도시된 연삭 장치(60)(전체 도면은 생략함)에 반송하여, 웨이퍼(10)의 보호 테이프(T) 측, 즉, 표면(10a) 측을 밑으로 하여, 도 4에 도시된 연삭 장치(60)의 척 테이블(62) 상에 배치한다. 척 테이블(62)의 표면을 구성하는 흡착 척(63)은, 통기성을 갖는 다공질 세라믹을 포함하고, 도시하지 않은 흡인 수단에 접속되어 있다. 척 테이블(62)에 웨이퍼(10)를 배치했다면, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시켜, 척 테이블(62) 상에 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 연삭 장치(60)는, 척 테이블(62) 상에 배치된 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하여 박화하기 위한 연삭 수단(70)을 구비하고 있다. 연삭 수단(70)은, 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(72)과, 회전 스핀들(72)의 하단에 장착된 마운터(74)와, 마운터(74)의 하면에 부착된 연삭 휠(76)을 구비하고, 연삭 휠(76)의 하면에는 연삭 지석(78)이 환형으로 배치되어 있다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)를 척 테이블(62) 상에 흡인 유지했다면, 회전 스핀들(72)을, 도 5의 (a)에 있어서 화살표 R1로 나타내는 방향으로 예컨대, 3000 rpm으로 회전시키고, 척 테이블(62)을, 도 5의 (a)에 있어서 화살표 R2로 나타내는 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시킨다. 그리고, 연삭 지석(78)을 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접촉시켜, 예컨대 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 아래쪽, 즉, 척 테이블(62)에 대하여 수직인 방향으로 연삭 이송한다. 이때, 도시하지 않은 측정 게이지에 의해 웨이퍼(10)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있다. 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 이면(10b) 측이 연삭되어, 개질층(100)에 도달할 정도의 두께까지 웨이퍼(10)를 박화함으로써, 웨이퍼(10)는, 분할선(120)에 의해 개개의 디바이스 칩(12’)으로 완전히 분할된다. 상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)는, 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100) 및 양호한 크랙(110)을 포함하는 분할 기점이 형성된 상태로 연삭되기 때문에, 상기 두께까지 연삭을 진행시키는 결과, 디바이스(12)의 품질이 손상되지 않고, 개개의 디바이스 칩(12’)으로 확실히 분할되어 분할 공정이 완료된다. 상기 분할 공정이 완료되었으면, 보호 테이프(T)에 의해 웨이퍼(10)가 유지된 상태에서 다음 공정, 예컨대, 개개의 디바이스 칩(12’)을 픽업하는 공정 등으로 보내진다.
1 : 레이저 가공 장치 2 : 기대
10 : 웨이퍼 10a : 표면
10b : 이면 12 : 디바이스
12’: 디바이스 칩 14 : 분할 예정 라인
20 : 유지 수단 21 : X축 방향 가동판
22 : Y축 방향 가동판 24 : 유지 테이블
26 : 흡착 척(보호 부재) 30 : 이동 수단
31 : X축 이송 수단 32 : Y축 이송 수단
50 : 레이저 광선 조사 수단 52 : 집광기
55 : 촬상 수단 60 : 연삭 장치
62 : 척 테이블 70 : 연삭 수단
72 : 회전 스핀들 78 : 연삭 지석
100 : 개질층 110 : 크랙
120 : 분할선 T : 보호 테이프

Claims (2)

  1. 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 미리 정해진 내부에 위치시켜 조사하여 개질층과 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과,
    상기 분할 기점 형성 공정 후, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과,
    연삭 지석을 환형으로 구비한 연삭 휠로 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정
    을 적어도 포함하는 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분할 기점 형성 공정에 있어서 웨이퍼의 표면측을 유지하는 유지 테이블의 표면에, 웨이퍼의 표면을 보호하는 보호 부재가 배치되어 있는 것인 웨이퍼의 가공 방법.
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