KR20200039559A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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KR20200039559A
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마사루 나카무라
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 적정하게 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)의 집광점을 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로부터 정해진 내부에 위치시켜 레이저 광선을 조사해서, 개질층(100)과, 개질층(100)으로부터 표면으로 연장되는 크랙(102)을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인(12)을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 복수의 연삭 지석(65)을 환형으로 구비한 연삭휠(64)로 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 연삭하여 웨이퍼(10)를 박화하고 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(14')으로 분할하는 분할 공정을 포함한다. 상기 분할 기점 형성 공정에서, 척테이블(24)은 정해진 온도로 가열되고, 웨이퍼(10)의 내부에 형성된 개질층(100)으로부터 표면에 이르는 크랙(102)을 성장시킨다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WAFER}
본 발명은, 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 다이싱 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 이용된다.
또한, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 내부에 위치시켜 조사하고, 분할 예정 라인을 따라 개질층을 형성하며, 그 후, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고, 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 성장시켜, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술이 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 1을 참조).
또한, 분할 예정 라인을 따라 형성된 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 효과적으로 형성하기 위해, 웨이퍼에 개질층을 형성한 후, 그 웨이퍼를 가열하는 기술이 본 출원인에 의해 제안되어 있다(예컨대, 특허문헌 2를 참조).
일본 특허 공개 제2009-290148호 공보 일본 특허 공개 제2016-213318호 공보
상기한 특허문헌 1 및 2에 기재된 기술에 의해 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 것이 시도되고 있지만, 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙이 적정하게 형성되지 않는 경우가 있어, 크랙이 적정하게 형성되어 있지 않은 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하려고 해도, 원하는 품질의 디바이스 칩을 얻을 수 있다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 적정하게 분할할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 복수의 디바이스가 교차되는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과, 웨이퍼를 유지하여 가열하는 척테이블에 보호 테이프측을 대면시켜 웨이퍼를 유지하고 웨이퍼의 이면을 노출시키는 웨이퍼 유지 공정과, 웨이퍼 유지 공정을 실시한 후, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 정해진 내부에 위치시켜 레이저 광선을 조사해서, 개질층과, 상기 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과, 상기 분할 기점 형성 공정을 실시한 후, 복수의 연삭 지석을 환형으로 구비한 연삭휠로 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 포함하고, 상기 분할 기점 형성 공정에서, 상기 척테이블은 정해진 온도로 가열되고, 웨이퍼의 내부에 형성된 상기 개질층으로부터 표면에 이르는 상기 크랙을 성장시키는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 분할 기점 형성 공정에서, 상기 정해진 온도는 40℃∼120℃이다.
본 발명의 웨이퍼의 가공 방법에 따르면, 분할 기점 형성 공정에 있어서, 척테이블은 정해진 온도로 가열되고, 웨이퍼의 내부에 형성된 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 성장시키도록 구성되어 있기 때문에, 웨이퍼의 표면에 배치된 보호테이프의 수축력이 가열에 의해 개방되고, 레이저 광선에 의해 개질층이 형성될 때에, 상기 개질층으로부터 표면에 이르는 크랙을 적정하게 성장시킬 수 있다.
도 1은 레이저 가공 장치의 전체 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에서 가공되는 웨이퍼, 및 보호 테이프의 사시도이다.
도 3은 도 1의 레이저 가공 장치의 척테이블에 웨이퍼를 유지하는 양태를 나타낸 사시도이다.
도 4의 (a)는 도 1에 도시된 레이저 가공 장치에 의해 분할 기점 형성 공정을 실시하는 양태를 나타낸 사시도, (b)는 척테이블에 유지된 웨이퍼의 일부 확대 단면도, (c)는 분할 기점 형성 공정이 완료된 웨이퍼의 사시도이다.
도 5의 (a)는 웨이퍼에 대하여 분할 공정을 실시하는 양태를 나타낸 사시도, (b)는 분할 공정에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할된 상태를 나타낸 사시도, (c)는 분할 공정이 완료된 상태의 웨이퍼의 사시도이다.
이하, 본 발명에 기초하여 실시되는 웨이퍼의 가공 방법의 일 실시형태에 대해서 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 1에는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법에 적합한 레이저 가공 장치(1)의 전체 사시도가 도시되어 있다.
도 1에 도시된 레이저 가공 장치(1)는, 원형을 띠는 피가공물(웨이퍼)을 유지하는 유지 유닛(20)과, 유지 유닛(20)을 이동시키는 이동 기구(30)와, 유지 유닛(20)에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 유닛(50)과, 유지 유닛(20)에 유지되는 피가공물을 촬상하는 촬상 유닛(55)과, 표시 장치(M)를 구비하고 있다.
유지 유닛(20)은, 레이저 가공 장치(1)의 베이스가 되는 기대(基臺)(2) 상에 배치되어 있고, 도면 중에 화살표 X로 나타낸 X축 방향에 있어서 자유자재로 이동할 수 있도록 얹혀지는 직사각 형상의 X축 방향 가동판(21)과, 도면 중에 화살표 Y로 나타낸 Y축 방향에 있어서 자유자재로 이동할 수 있도록 X축 방향 가동판(21)에 얹혀지는 직사각 형상의 Y축 방향 가동판(22)과, Y축 방향 가동판(22)의 상면에 설치되고, 도시하지 않은 구동 수단에 의해 회전 가능하게 구성되는 척테이블(24)과, 척테이블(24)의 상면을 구성하고, 통기성을 갖는 다공질의 포러스 세라믹스 등의 소재로 형성된 흡착척(26)을 구비하고 있다. 척테이블(24)의 내부에는, 후술하는 히터 등의 가열 수단이 내장되어 있고, 흡착척(26)의 표면을 정해진 온도로 가열하는 기능을 구비하고 있다.
이동 기구(30)는, 유지 유닛(20)을 X축 방향으로 가공 이송하는 X축 이송 기구(31)와, 유지 유닛(20)을 Y축 방향으로 인덱싱 이송하는 Y축 이송 기구(32)를 구비하고 있다. X축 이송 기구(31)는, 펄스 모터(33)의 회전 운동을, 볼나사(34)를 통해 직선 운동으로 변환하여 X축 방향 가동판(21)에 전달하고, 기대(2) 상의 안내 레일(2a, 2a)을 따라 X축 방향 가동판(21)을 X축 방향으로 진퇴시킨다. Y축 이송 기구(32)는, 펄스 모터(35)의 회전 운동을, 볼나사(36)를 통해 직선 운동으로 변환하여 Y축 방향 가동판(22)에 전달하고, X축 방향 가동판(21) 상의 안내 레일(21a, 21a)을 따라 Y축 방향 가동판(22)을 Y축 방향으로 진퇴시킨다. 이동 기구(30)에는, 도시하지 않은 위치 검출 수단이 설치되어 있고, 척테이블(24)의 X축 방향, Y축 방향, 회전 방향의 위치를 검출하여, 도시하지 않은 제어 유닛에 피드백함으로써, 척테이블(24)을 원하는 위치로 이동시킬 수 있다.
이동 기구(30)의 측방에는, 프레임체(4)가 세워져 설치된다. 프레임체(4)는, 기대(2) 상에 설치되는 수직 벽부(4a), 및 수직 벽부(4a)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되는 수평 벽부(4b)를 구비하고 있다. 프레임체(4)의 수평 벽부(4b)의 내부에는, 레이저 광선 조사 유닛(50)의 레이저 발진기를 포함하는 도시하지 않은 광학계가 내장되어 있다. 수평 벽부(4b)의 선단부 하면에는, 레이저 광선 조사 유닛(50)의 일부를 구성하는 집광기(52)가 설치되고, 집광기(52)의 내부에는, 레이저 광선을 집광하는 도시하지 않은 집광 렌즈가 내장되어 있다. 레이저 광선 조사 유닛(50)의 상기 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 광선은, 도시하지 않은 광학계를 지나, 집광기(52)에 의해 집광되고, 유지 유닛(20)의 척테이블(24)에 유지되는 피가공물의 원하는 위치에 집광 스폿을 형성한다.
촬상 유닛(55)은, 수평 벽부(4b)의 선단부 하면에 있어서, 집광기(52)의 X축 방향에서 인접하는 위치에 설치되고, 유지 유닛(20)에 유지되는 피가공물을, 유지 유닛(20)에 대향하는 방향으로부터 촬상한다. 촬상 유닛(55)은, 도시하지 않은 적외선에 의해 촬상하는 적외선 촬상 소자(적외선 CCD)와, 피가공물에 적외선을 조사하는 도시하지 않은 적외선 조사 수단을 구비하고, 레이저 가공 장치(1)의 각 작동부를 제어하는 도시하지 않은 제어 유닛에 접속되어 있다. 촬상 유닛(55)에 의해 촬상된 화상의 신호는, 상기 제어 유닛에 보내진다. 또한, 피가공물의 종류에 따라, 촬상 유닛(55)에 가시 광선 조사 수단, 및 가시 광선을 촬상하는 통상의 촬상 소자(CCD)를 포함하여도 좋다.
표시 장치(M)는, 수평 벽부(4b) 상에 설치되고, 도시하지 않은 제어 유닛에 접속되어 있고, 제어 유닛으로부터 출력되는 각종 가공 정보, 예컨대, 레이저 광선의 파장, 반복 주파수, 집광점 위치, 스폿 직경, 및 촬상 유닛(55)에 의해 촬상된 웨이퍼의 화상 정보 등을 표시하는데다, 오퍼레이터의 조작을 접수하여 제어 유닛에 송신하는 터치 패널 기능을 구비하고 있다.
레이저 가공 장치(1)는, 대략 상기한 바와 같은 구성을 갖추고 있고, 이하에 레이저 가공 장치(1)를 이용하여 실시되는 본 발명 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법에 대해서 설명한다.
(보호 테이프 배치 공정)
우선, 본 실시형태의 웨이퍼의 가공 방법을 실시하는 데 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 디바이스(14)가 서로 교차하는 복수의 분할 예정 라인(12)에 의해 구획되어 표면(10a)에 형성된 반도체, 예컨대 실리콘(Si)을 포함하는 웨이퍼(10)를 준비한다. 웨이퍼(10)를 준비했다면, 표면(10a)측에, 보호 테이프(16)를 배치한다. 보호 테이프(16)는, 가요성을 갖는 필름형 기재와, 상기 기재의 한쪽 면에 형성된 글루층에 의해 구성되고, 상기 글루층을 통해 웨이퍼(10)의 표면(10a)측에 접착된다. 상기 기재에는, 예컨대, PO(폴리올레핀)이 이용되지만, PO에 한정되지 않고, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트), 폴리염화비닐, 폴리스티렌 등이 이용되어도 좋다. 글루층에는, 예컨대, 실리콘 고무, 아크릴계 재료, 에폭시계 재료 등이 이용된다. 또한, 보호 테이프(16)는, 상기한 기재를 글루층을 포함하는 것에 한정되지 않고, 용융 온도 근방까지 가열함으로써 점착력을 발휘하는 폴리올레핀계의 소재를 포함하는 시트, 또는 폴리에스테르계의 소재를 포함하는 시트를 채용하여도 좋다. 폴리올레핀계 소재를 포함하는 시트, 폴리에스테르계의 소재를 포함하는 시트를 보호 테이프(16)로서 채용하는 경우에는, 글루층을 생략할 수 있다. 이상에 의해, 보호 테이프 배치 공정이 완료된다.
(웨이퍼 유지 공정)
상기한 바와 같이, 보호 테이프 배치 공정을 완료했다면, 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 장치(1)의 척테이블(24)에 보호 테이프(16)측을 대면시켜 얹고, 도시하지 않은 흡인 수단을 작동시켜 흡인 유지하고, 웨이퍼의 이면(10b)을 상측으로 노출시킨다. 이상에 의해 웨이퍼 유지 공정이 완료된다.
(분할 기점 형성 공정)
웨이퍼 유지 공정이 완료되었다면, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 레이저 가공 장치(1)에 구비된 레이저 광선 조사 유닛(50)으로부터 레이저 광선(LB)을 조사하여, 웨이퍼(10)의 내부에, 분할 예정 라인(12)을 따른 분할 기점이 되는 개질층을 형성하는 분할 기점 형성 공정을 실시한다. 보다 구체적으로는, 우선, 촬상 유닛(55)으로부터 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 적외선을 조사하여 촬상함으로써, 레이저 광선(LB)이 조사되는 위치와, 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(12)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트를 실시한다. 상기 얼라인먼트를 실시했다면, 도 4의 (b)에 도시된 척테이블(24)에 내장된 가열 수단(40)을 작동시킨다. 가열 수단(40)은, 전기 히터와 온도 센서를 구비하고 있고, 척테이블(24)의 상면을 구성하는 흡착척(26)을 도시하지 않은 제어 유닛에 설정된 정해진 온도(예컨대 80℃)로 가열하여 유지한다. 척테이블(24)을 상기 온도로 가열했다면, 레이저 가공 장치(1)의 레이저 광선 조사 유닛(50)을 기동하고, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측으로부터, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)을 레이저 광선 조사 유닛(50)에 설치된 레이저 발진기(도시는 생략)로부터 출사하고, 집광기(52)를 통해 웨이퍼(10) 내부의 정해진 높이 위치에 집광점을 위치시켜, 분할 예정 라인(12)을 따라 레이저 광선(LB)을 조사하고, 척테이블(24)을 화살표 X로 나타낸 X축 방향으로 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 레이저 광선 조사 유닛(50)과, 척테이블(24)을 이동시키는 X축 이송 기구(31), Y축 이송 기구(32), 척테이블(24)을 회전시키는 도시하지 않은 회전 수단 등을 제어하여, 도 4의 (b) 및 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10) 상의 모든 분할 예정 라인(12)을 따라 분할 기점이 되는 개질층(100), 및 크랙(102)을 형성한다. 이상에 의해 분할 기점 형성 공정이 완료된다.
또한, 상기한 분할 기점 형성 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공 조건은, 예컨대 이하와 같이 설정된다.
파장 : 1342 ㎚
반복 주파수 : 60 kHz
평균 출력 : 1 W
가공 이송 속도 : 600 ㎜/초
(분할 공정)
상기한 바와 같이, 분할 기점 형성 공정이 완료되었다면, 웨이퍼(10)의 이면을 연삭하여 웨이퍼(10)를 박화하고, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩(14')으로 분할하는 분할 공정을 실시한다. 도 5를 참조하면서, 보다 구체적으로 설명한다.
상기 분할 기점 형성 공정이 완료되었다면, 레이저 가공 장치(1)의 척테이블(24)로부터 웨이퍼(10)를 반출하여, 도 5의 (a)에 도시된 연삭 장치(6)(전체 도면은 생략함)에 반송하고, 연삭 장치(6)에 구비된 척테이블(61)에 대하여 웨이퍼(10)의 이면(10b)측을 위쪽으로 노출시킨 상태로 얹고, 척테이블(61)의 유지면에 도시하지 않은 흡인 수단의 흡인력을 작용시켜, 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 연삭 장치(6)는, 척테이블(61) 상에 얹혀진 웨이퍼(10)를 연삭하여 박화하기 위한 연삭 유닛(60)을 구비하고 있다. 연삭 유닛(60)은, 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(62)과, 회전 스핀들(62)의 하단에 장착된 마운터(63)와, 마운터(63)의 하면에 부착된 연삭휠(64)을 구비하고, 연삭휠(64)의 하면에는 복수의 연삭 지석(65)이 환형으로 설치되어 있다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)를 척테이블(61) 상에 흡인 유지했다면, 회전 스핀들(62)을, 도 5의 (a)에 있어서 화살표 R1로 나타낸 방향으로 예컨대, 3000 rpm으로 회전시키고, 척테이블(61)을 도 5의 (a)에 있어서 화살표 R2로 나타낸 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시킨다. 그리고, 연삭 지석(65)을 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접촉시켜, 예컨대 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 아래쪽, 즉, 척테이블(61)에 대하여 수직인 방향으로 연삭 이송한다. 이때, 도시하지 않은 측정 게이지에 의해 웨이퍼(10)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있고, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측이 연삭되어, 개질층(100)이 제거되는 정도, 예컨대, 웨이퍼(10)의 두께가 60 ㎛가 될 때까지 연삭을 진행시켜, 개개의 디바이스 칩(14')으로 완전히 분할하는 분할선(110)이 형성된다. 상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)는, 모든 분할 예정 라인(12)을 따라 개질층(100), 및 크랙(102)이 형성된 상태로 연삭되기 때문에, 상기 두께까지 연삭을 진행시키는 결과, 품질이 손상되지 않고 개개의 디바이스 칩(14')으로 적정히 분할되어, 분할 공정이 완료된다(도 5의 (c)를 참조). 상기 분할 공정이 완료되었다면, 보호 테이프(16)에 의해 웨이퍼(10)가 유지된 상태로 개개의 디바이스 칩(14')을 픽업하는 공정 등으로 보내진다.
본 실시형태에 있어서는, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 척테이블(24)에 가열 수단(30)을 구비하여, 흡착척(26)을 80℃로 가열하고 있고, 레이저 광선(LB)을 조사함으로써 형성되는 개질층(100)으로부터 바로 아래를 향해 크랙(102)이 양호하게 형성된다. 이것은, 척테이블(24)에 의해 웨이퍼(10)와 보호 테이프(16)가 가열됨으로써, 보호 테이프(16)의 수축력이 가열에 의해 개방되고, 레이저 광선(LB)에 의해 웨이퍼(10)의 내부에 개질층(100)이 형성될 때에, 개질층(100)으로부터 표면(10a)측에 이르는 크랙(102)이 성장하기 쉬운 환경이 형성되기 때문이라고 추정된다. 이와 같이, 레이저 광선(LB)을 조사하는 데 맞춰 웨이퍼(10)에 접착된 보호 테이프(16)를 가열하는 방법에 따르면, 가열하지 않은 상태에서 웨이퍼(10)에 개질층(100)을 형성한 후에, 웨이퍼(10)를 가열하는 경우보다도 양호하게 크랙(102)을 성장시킬 수 있다. 또한, 척테이블(24)을 가열할 때의 온도는, 상기한 80℃에 한정되지 않고, 웨이퍼(10), 보호 테이프(16)의 소재나 두께 등을 고려하여 적절하게 조정할 수 있다. 그때의 온도는, 40℃∼120℃ 사이에서 설정하는 것이 바람직하다.
1 : 레이저 가공 장치 2 : 기대
4 : 프레임체 6 : 연삭 장치
10 : 웨이퍼 12 : 분할 예정 라인
14 : 디바이스 14' : 디바이스 칩
20 : 유지 유닛 24 : 척테이블
26 : 흡착척 30 : 이동 기구
31 : X축 이송 기구 32 : Y축 이송 기구
50 : 레이저 광선 조사 유닛 52 : 집광기
55 : 촬상 유닛 60 : 연삭 유닛
64 : 연삭휠 65 : 연삭 지석
100 : 개질층 102 : 크랙
110 : 분할선

Claims (2)

  1. 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법에 있어서,
    웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 배치하는 보호 테이프 배치 공정과,
    웨이퍼를 유지하여 가열하는 척테이블에 보호 테이프측을 대면시켜 웨이퍼를 유지하고 웨이퍼의 이면을 노출시키는 웨이퍼 유지 공정과,
    웨이퍼 유지 공정을 실시한 후, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 웨이퍼의 이면으로부터 정해진 내부에 위치시켜 레이저 광선을 조사해서, 개질층과, 상기 개질층으로부터 표면으로 연장되는 크랙을 포함하는 분할 기점을 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 기점 형성 공정과,
    상기 분할 기점 형성 공정을 실시한 후, 복수의 연삭 지석을 환형으로 구비한 연삭휠로 웨이퍼의 이면을 연삭하여 웨이퍼를 박화하고, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정
    을 포함하고,
    상기 분할 기점 형성 공정에서, 상기 척테이블은 정해진 온도로 가열되고, 웨이퍼의 내부에 형성된 상기 개질층으로부터 표면에 이르는 상기 크랙을 성장시키는, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분할 기점 형성 공정에서, 상기 정해진 온도는 40℃∼120℃인, 웨이퍼의 가공 방법.
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