JP6935257B2 - ウエーハの加工方法及びウエーハの加工に用いる補助具 - Google Patents

ウエーハの加工方法及びウエーハの加工に用いる補助具 Download PDF

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Description

本発明は、ウエーハの表面側に形成されたデバイスを傷つけることなく加工するウエーハの加工方法及び該ウエーハの加工に用いる補助具に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）、ＬＥＤ等のデバイスが分割予定ラインによって区画され、表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
レーザー加工装置は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、加工すべき領域を検出する撮像手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から概ね構成されていて、分割予定ラインの内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って改質層を形成し、ウエーハを個々のデバイスに分割することができる（例えば、特許文献１を参照。）。
上記した特許文献１に記載された技術によれば、ウエーハの分割予定ラインに沿って改質層を形成し、該ウエーハを個々のデバイスに分割することができる。しかし、ウエーハの表面側には、複数の機能層が積層されており、分割予定ラインが形成されたウエーハの表面側からレーザー光線の集光点を内部に位置付けることが困難な場合がある。その場合は、ウエーハの裏面側からレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けてウエーハの内部に改質層を形成することになる。
特許第３４０８８０５号公報
上記したように、ウエーハの表面からレーザー光線の集光点を内部に位置付けることが困難な場合、ウエーハの裏面側からレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けてウエーハの内部に改質層を形成することで、ウエーハを個々のデバイスに分割することができる。しかし、ウエーハの表面側を直接チャックテーブルで吸引保持すると、チャックテーブルの吸着チャックとの接触によりウエーハの表面側に形成されたデバイスを傷付けるおそれがある。また、デバイスを傷付けないように、ウエーハの表面側に保護テープを貼着してチャックテーブルに保持して加工する方法も考えられるが、保護テープをウエーハの表面側に貼着して分割工程を実施した後、該保護テープを表面側から剥離する際に保護テープを構成している粘着層の一部がデバイスに付着して取れずに、その後の工程において加工不良を生じさせる等、品質の低下を招くことがある。さらに、ＭＥＭＳウエーハでは各デバイスが微細な構造体で形成されているため、保護テープを剥離する際に該デバイスを損傷させるという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの表面に傷を付けることなく、また、微細な構造体により形成されたデバイスを損傷させることなくウエーハの裏面からレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて改質層を形成することができるウエーハの加工方法、及び該ウエーハの加工に用いる補助具を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外径と略同形でウエーハを収容する第一の開口部と、該第一の開口部の底部に形成され該デバイス領域との接触を避けると共に該外周余剰領域を支持する支持部と、該第一
の開口部の底部であって該支持部の内側に形成された第二の開口部と、を備えた補助具を準備する補助具準備工程と、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口を有するフレームでウエーハを収容した状態でダイシングテープに貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、吸引保持手段を備えたチャックテーブルに該補助具を載置すると共に該補助具の第一の開口部に該ウエーハの表面側を収容し、該チャックテーブルに吸引力を作用させるチャックテーブル載置工程と、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、該ダイシングテープを介して該ウエーハの裏面から内部に位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ダイシングテープを介してフレームに保持されたウエーハに外力を付与してウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、から少なくとも構成され、該補助具準備工程で準備される補助具は、該第一の開口部の外周の表面が粗面に加工され、該改質層形成工程で使用されるレーザー光線を散乱させるウエーハの加工方法が提供される。
該補助具準備工程で準備される補助具は、該第二の開口部の底と該支持部との段差が、１０μｍ〜２０μｍに設定されていることが好ましい。
該ウエーハの該デバイス領域に形成されるデバイスがＭＥＭＳである場合に、本発明は特に好適である。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画でされ表面に形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを支持する補助具であって、ウエーハの外形と略同形でウエーハを収容する第一の開口部と、該第一の開口部の底に形成され、該デバイス領域との接触を避けると共に外周余剰領域を支持する支持部を有する第二の開口部と、を備え、該第一の開口部の外周の表面が粗面に形成され、レーザー光線を散乱させる補助具が提供される。
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外径と略同形でウエーハを収容する第一の開口部と、第一の開口部の底部に形成されデバイス領域との接触を避けると共に外周余剰領域を支持する支持部と、第一の開口部の底部であって支持部の内側に形成された第二の開口部と、を備えた補助具を準備する補助具準備工程と、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口を有するフレームでウエーハを収容した状態でダイシングテープに貼着してウエーハをフレームで支持するフレーム支持工程と、吸引保持手段を備えたチャックテーブルに補助具を載置すると共に補助具の第一の開口部にウエーハの表面側を収容し、チャックテーブルに吸引力を作用させるチャックテーブル載置工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、ダイシングテープを介してウエーハの裏面から内部に位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ダイシングテープを介してフレームに保持されたウエーハに外力を付与してウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、から少なくとも構成され、該補助具準備工程で準備される補助具は、該第一の開口部の外周の表面が粗面に加工され、該改質層形成工程で使用されるレーザー光線を散乱させることにより、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射してレーザー加工を施す場合であっても、デバイスの表面に傷を付けることがなく、ウエーハの内部に改質層を形成することができる。また、ウエーハの表面に粘着層を備えた保護テープ等を貼着する必要がないので、粘着層の一部がデバイスに付着して品質を低下させたり、剥離時にデバイスを損傷させたりするという問題を解消することができる。
本発明により、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画でされ表面に形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを支持する補助具であって、ウエーハの外形と略同形でウエーハを収容する第一の開口部と、該第一の開口部の底に形成され、該デバイス領域との接触を避けると共に外周余剰領域を支持する支持部を有する第二の開口部と、を備え、該第一の開口部の外周の表面が粗面に形成され、レーザー光線を散乱させる補助具が提供される。該補助具をレーザー加工方法に用いることにより、ウエーハの裏面側からレーザー光線を照射してレーザー加工を施す場合であっても、デバイスの表面に傷を付けることがなく、ウエーハの内部に改質層を形成することができる。また、ウエーハの表面に粘着層を備えた保護テープ等を貼着する必要がないので、粘着層の一部がデバイスに付着して品質を低下させたり、剥離時にデバイスを損傷させたりするという問題を解消することができる。
本発明に基づき構成された補助具の全体斜視図、及び概略断面図である。 本発明のフレーム支持工程を説明するための概念図である。 本発明のレーザー加工方法を実施すべく構成されたレーザー加工装置の全体斜視図である。 本発明のチャックテーブル載置工程を説明するための概念図である。 本発明の改質層形成工程を説明するための概念図である。 本発明の分割工程を説明するための概念図である。
以下、本発明に基づいて構成されたウエーハの加工方法、及び該ウエーハの加工に用いられる補助具ついて添付図面を参照して、詳細に説明する。
（補助具準備工程）
図１（ａ）には、本発明に基づくウエーハの加工方法の補助具準備工程で準備される補助具１００の全体斜視図を示し、図１（ｂ）には、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図を示している。補助具１００は、例えば、ウエーハの直径＋１０ｍｍ程度の直径を有するＳｉ（シリコン）から構成され、後述する被加工物であるウエーハの外径と略同形でウエーハを収容する第一の開口部１２０を備えている。また、第一の開口部１２０の底部には、ウエーハをデバイスが形成された面を下にして収容した場合に、デバイスが形成されているデバイス領域との接触を避けると共にデバイスが形成されていない外周余剰領域を支持する支持部１２２と、第一の開口部１２０の底部であって支持部１２２の内側領域に形成された第二の開口部１３０と、を備え、第二の開口部１３０の底部には、底壁１３２が形成されている。上記した補助具１００は、例えば、以下のような手順で製造することができる。
まず、加工すべきウエーハの直径に対して＋１０ｍｍの直径を有すると共に、加工すべきウエーハの厚みに対して＋０．６ｍｍの厚みを有するＳｉ基板を用意する。次いで、粒径が５０μｍ程度のダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めて形成された研削砥石を環状に備えた研削ホイールでＳｉ基板の上面を０．１ｍｍ研削し粗面を形成する。次いで、粒径２０μｍ程度のダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めて形成された研削砥石を加工すべきウエーハの直径の１／２程度の直径で環状に備えた研削ホイールをＳｉ基板の外周端から５ｍｍ弱内側に位置付けて５００μｍの深さまで研削し、ウエーハと略同形となる第一の開口部１２０を形成する。さらに、第一の開口部１２０を形成した研削ホイールを、第一の開口部１２０の底部であって、加工すべきウエーハの外周余剰領域の幅（２〜３ｍｍ）に対応させた幅（２〜３ｍｍ）だけ内側に位置付けて支持部１２２を残し、２０μｍの深さまで研削して第二の開口部１３０を形成する。以上により補助具１００が完成する。
上記した手順により製造されることで、補助具１００の第一の開口部１２０を囲繞する外周１１２は、後述するウエーハの加工時に照射されるレーザー光線が散乱されるように粗面に形成される。なお、外周１１２は、上記した条件により研削されることに限定されず、加工時に照射されるレーザー光線を散乱させる程度の粗面に形成されればよい。
補助具１００の第一の開口部１２０の深さは、加工されるウエーハの厚みに合わせて設定され、本実施形態では例えば５００μｍ程度の深さとされる。また、第二の開口部１３０の深さ、すなわち、底部１３２から支持部１２２までの段差は２０μｍに設定される。なお、該段差は、第一の開口部１２０に収容されるウエーハのデバイス形成面が接触しない程度の段差であればよく、１０〜２０μｍ程度で設定されることが好ましい。なお、図１は、補助具１００の構成を分かり易く説明する都合上、実際の寸法に沿ったものではない。
以上に示した補助具１００を、被加工物であるウエーハに加工を施す前に準備しておくことで、補助具準備工程が完了する。
（フレーム支持工程）
次に、フレーム支持工程を実施する。フレーム支持工程を実施するに際し、まず、図２（ａ）に示すように、被加工物である略円形状のウエーハ１０を準備する。ウエーハ１０は、例えば、Ｓｉ（シリコン）からなるウエーハにフォトリソグラフィープロセス及びエッチングを含む加工を施し、表面１０ａ上に互いに直交する複数の分割予定ライン１２で区画されるデバイス領域に複数のデバイス（ＭＥＭＳ）１４を形成したものである。該デバイス１４が形成された該デバイス領域を囲繞する外周には、デバイス１４が形成されない外周余剰領域１０ｃが形成される。ウエーハ１０の裏面１０ｂをダイシングテープＴに貼着すると共にウエーハ１０を収容する開口を有するフレームＦでウエーハ１０を収容した状態でダイシングテープＴに貼着して該ウエーハ１０を該フレームＦで支持する。以上でフレーム支持工程が完了する（図２（ｂ）を参照。）。
上記したフレーム支持工程が完了したならば、レーザー加工装置のチャックテーブルにウエーハ１０を保持させるチャックテーブル載置工程を実施する。図３を参照しながら、本発明のウエーハの加工方法を実現すべく構成されたレーザー加工装置２について説明する。
図３に示すレーザー加工装置２は、被加工物を保持する保持手段２２と、静止基台２ａ上に配設され保持手段２２を移動させる移動手段２３と、保持手段２２に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２４と、静止基台２ａ上の移動手段２３の側方に矢印Ｚで示すＺ方向に立設される垂直壁部５１、及び垂直壁部５１の上端部から水平方向に延びる水平壁部５２からなる枠体５０とを備えている。枠体５０の水平壁部５２内部には、本発明のレーザー加工装置２の主要部を構成するレーザー光線照射手段２４の光学系が内蔵されており、水平壁部５２の先端部下面側には、レーザー光線照射手段２４を構成する集光器２４１が配設されると共に、集光器２４１に対して図中矢印Ｘで示す方向で隣接する位置に撮像手段２６が配設される。該撮像手段２６は、可視光線により撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む。
保持手段２２は、図中に矢印Ｘで示すＸ方向において移動自在に基台２ａに搭載された矩形状のＸ方向可動板３０と、図中に矢印Ｙで示すＹ方向において移動自在にＸ方向可動板３０に搭載された矩形状のＹ方向可動板３１と、Ｙ方向可動板３１の上面に固定された円筒状の支柱３２と、支柱３２の上端に固定された矩形状のカバー板３３とを含む。カバー板３３には該カバー板３３上に形成された長穴を通って上方に延びる円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成されたチャックテーブル３４が配設されている。チャックテーブル３４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック３５からなる吸引保持手段が配置されている。吸着チャック３５は、支柱３２を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されており、吸着チャック３５の周囲には、被加工物をチャックテーブル３４に固定する際にウエーハ１０を保持するフレームＦを把持するためのクランプ３６が均等に４つ配置されている。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。
移動手段２３は、Ｘ方向移動手段４０と、Ｙ方向移動手段４２と、を含む。Ｘ方向移動手段４０は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してＸ方向可動板３０に伝達し、基台２ａ上の案内レールに沿ってＸ方向可動板３０をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段４２は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換し、Ｙ方向可動板３１に伝達し、Ｘ方向可動板３０上の案内レールに沿ってＹ方向可動板３１をＹ方向において進退させる。なお、図示は省略するが、Ｘ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル３４のＸ方向の位置、Ｙ方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、後述する制御手段から指示される信号に基づいてＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２、及び図示しない回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル３４を正確に位置付けることが可能になっている。なお、上記したレーザー加工装置２全体、及び移動手段２３等は、通常の加工状態では、説明の都合上省略された図示しないカバー、蛇腹等により覆われており、内部に粉塵や埃等が入らないように構成される。
本実施形態のレーザー加工装置２は、概ね以上のように構成されており、以下に、上述したフレーム支持工程に続き実施されるチャックテーブル載置工程について説明する。
（チャックテーブル載置工程）
チャックテーブル載置工程は、図４（ａ）に示すように、チャックテーブル３４の吸着チャック３５上に補助具１００を載置すると共に補助具１００の第一の開口部１２０にデバイス１４が形成されたウエーハ１０の表面１０ａ側を下にして収容し、４つのクランプ３６を、ウエーハ１０を保持したフレームＦに作用させることにより固定する。さらに、チャックテーブル３４の吸着チャック３５に吸引力を作用させることにより補助具１００を吸引保持する。この際、補助具１００の支持部１２２には、ウエーハ１０の表面１０ａのデバイス１４が形成されたデバイス領域を囲繞する外周余剰領域１０ｃが当接させられ保持される。これにより、図４（ｂ）に概略断面図で示すように、ダイシングテープＴが最も上面に位置し、ウエーハ１０が補助具１００を介してチャックテーブル３４の吸着チャック３５上に保持されると共に、ウエーハ１０のデバイス１４が形成されたデバイス領域と補助具１００の底壁１３２との間に空間（約２０μｍ）が確保される。以上によりチャックテーブル載置工程が完了する。
（改質層形成工程）
上記したように、チャックテーブル載置工程が完了したならば、ウエーハ１０の内部に改質層を形成するための改質層形成工程を実施する。改質層形成工程は具体的には以下の手順により実施される。
チャックテーブル３４上に補助具１００と共にウエーハ１０が保持されたならば、加工送り手段２３を作動してチャックテーブル３４を撮像手段２６の直下に位置付ける。チャックテーブル３４が撮像手段２６の直下に位置付けられると、撮像手段２６および図示しない制御手段によってウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段２６および制御手段は、ウエーハ１０の分割予定ライン１２に沿ってレーザー光線ＬＢを照射するレーザー光線照射手段２４の集光器２４１と加工領域との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメント工程を遂行する。このとき、ウエーハ１０の分割予定ライン１２が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段２６が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、ダイシングテープＴ及びウエーハ１０を透かして表面１０ａ側の分割予定ライン１２を撮像することができる。
上述したアライメント工程を実施したならば、図５（ａ）に示すように、ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢをダイシングテープＴ越しに、すなわちダイシングテープＴを介して分割予定ライン１２に沿って照射し、ウエーハ１０の内部に改質層２００を形成する改質層形成工程を実施する。より具体的には、チャックテーブル３４を、レーザー光線ＬＢを照射するレーザー光線照射手段２４の集光器２４１が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１２の一端をレーザー光線照射手段２４の集光器２４１直下に位置付ける。次に、集光器２４１から照射されるレーザー光線ＬＢの集光点をウエーハ１０の内部に位置付け、集光器２４からウエーハ１０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを照射しつつチャックテーブル３４を図中矢印Ｘで示す方向に所定の加工送り速度で移動させ、分割予定ライン１２の他端まで移動させる。このような加工を、保持手段２２、移動手段２３を作動させながら、全ての分割予定ライン１２に沿って改質層を形成するレーザー加工を実施する（図５（ｂ）を参照。）。なお、図５（ｂ）は、補助部１００からウエーハ１０を取り出して表面１０ａ側を上方に向けた状態を示す図である。
上記したレーザー加工において実施されるレーザー加工条件は、例えば以下のように設定される。
波長 ：１０３０ｎｍ
パルス幅 ：１０ｐｓ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
集光レンズ（開口数） ：０．８
平均出力 ：０．５Ｗ
デフォーカス ：−２９０μｍ
スポット径 ：φ５μｍ
加工送り速度 ：１０００ｎｍ／秒
本発明においては、ウエーハ１０のデバイス１４が形成された表面１０ａ側を保護する粘着テープ等を貼着することなく、上記したような補助具を用いてレーザー加工を実施する。したがって、レーザー加工を実施した後に、粘着性のテープを剥離する等の必要がなく、ＭＥＭＳデバイスのように、微細で複雑な回路が形成されたデバイスであっても、損壊する等の問題が生じない。
上述したレーザー加工を実施する際、所定の分割予定ライン１２に対してレーザー光線ＬＢの照射を開始する開始位置、及びレーザー光線ＬＢの照射を終了する終了位置は、いずれもウエーハ１０上の分割予定ライン１２の端部から僅かに補助具１００の外周１１２側に位置付けられる。ここで、本発明では上述したように、補助具１００の外周１１２の表面が、レーザー光線ＬＢが照射された際に散乱するように粗面に加工されており、補助具１００の外周１１２にレーザー光線が照射されても劣化することが防止される。なお、補助具１００の外周１１２の幅は、３〜５ｍｍ程度が好ましい。以上により、改質層形成工程が完了する。
（分割工程）
上述したように、改質層形成工程が完了したならば、分割工程を実施する。本実施形態において分割工程を実施すべく構成された分割装置７０について、図６を参照しながら説明する。
図示の分割装置７０は、ウエーハ１０を保持する環状のフレームＦを保持するフレーム保持部材７１と、フレーム保持部材７１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ７２とによりフレーム保持手段を構成している。また、該フレーム保持手段に保持された環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張すべく、フレーム保持部材７１の内側に配設される拡張ドラム７５を備えている。この拡張ドラム７５は、環状のフレームＦの内径より小さく該環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されるウエーハ１０の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７５は、下端部に径方向に突出して形成された支持フランジを備え（図示は省略する。）、該支持フランジ上には、フレーム保持部材７１を上下方向に進退させるべく複数のエアシリンダ７３が配設され、エアシリンダ７３によって上下方向に進退させられるピストンロッド７４がフレーム保持部材７１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７３、ピストンロッド７４からなる支持手段は、図６（ａ）にて実線で示すように環状のフレーム保持部材７１を拡張ドラム７５の上端と略同一高さとなる基準位置と、２点鎖線で示すように環状のフレーム保持部材７１を拡張ドラム７５の上端から所定量下方の拡張位置に選択的に移動させ得るように構成されている。
上述した分割装置７０の作用について説明する。分割予定ライン１２に沿って改質層２００が形成されたウエーハ１０を、ダイシングテープＴを介して支持した環状のフレームＦをフレーム保持部材７１の載置面上に載置し、クランプ７２によってフレーム保持部材７１に固定する。このとき、フレーム保持部材７１は図６の（ａ）にて実線で示す基準位置に位置付けられている。
図中実線で示す基準位置に位置付けられているフレーム保持部材７１に、ダイシングテープＴを介しウエーハ１０を支持した環状のフレームＦを固定したならば、テープ拡張手段を構成する複数のエアシリンダ７３を作動して、環状のフレーム保持部材７１を下降させる。これにより、フレーム保持部材７１の載置面上に固定されている環状のフレームＦも下降するため、図中２点鎖線で示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴは相対的に上昇する拡張ドラム７５の上端縁に当接して拡張させられる。この結果、ダイシングテープＴに貼着されているウエーハ１０には放射状に引張力が作用し、図６（ｂ）に示すように、分割予定ライン１２に沿って形成された改質層２００が分割起点となり、個々のデバイス１４に沿って分割ライン２１０が形成される。以上により、分割工程が完了する。
上述した分割工程が完了したならば、適宜ピックアップ手段を適用して、ダイシングテープＴから、個々に分割されたデバイス１４をピックアップし、次工程に搬送される。
本発明は、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる限り、種々の変形例を想定することができる。上記した実施形態では、デバイス１４がＭＥＭＳである場合を示したが、本発明はこれに限定されず、ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等、他のデバイスが形成されたウエーハを加工する際に適用することができる。
２：レーザー加工装置
１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１０ｃ：外周余剰領域
１２：分割予定ライン
１４：デバイス
２２：保持手段
２３：移動手段
３４：チャックテーブル
３５：吸着チャック
３６：クランプ
４０：Ｘ方向移動手段
４２：Ｙ方向移動手段
７０：分割装置
１００：補助具
１１２：外周
１２０：第一の開口部
１２２：支持部
１３０：第二の開口部
１３２：底壁

Claims (5)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの外径と略同形でウエーハを収容する第一の開口部と、該第一の開口部の底部に形成され該デバイス領域との接触を避けると共に該外周余剰領域を支持する支持部と、
    該第一の開口部の底部であって該支持部の内側に形成された第二の開口部と、を備えた補助具を準備する補助具準備工程と、
    ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口を有するフレームでウエーハを収容した状態でダイシングテープに貼着して該ウエーハを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
    吸引保持手段を備えたチャックテーブルに該補助具を載置すると共に該補助具の第一の開口部に該ウエーハの表面側を収容し、該チャックテーブルに吸引力を作用させるチャックテーブル載置工程と、
    該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、該ダイシングテープを介して該ウエーハの裏面から内部に位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
    ダイシングテープを介してフレームに保持されたウエーハに外力を付与してウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、
    から少なくとも構成され、
    該補助具準備工程で準備される補助具は、該第一の開口部の外周の表面が粗面に加工され、該改質層形成工程で使用されるレーザー光線を散乱させるウエーハの加工方法。
  2. 該補助具準備工程で準備される補助具は、該第二の開口部の底と該支持部との段差が、１０μｍ〜２０μｍに設定される請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. 該ウエーハの該デバイス領域に形成されるデバイスは、ＭＥＭＳである請求項１、又は２に記載されたウエーハの加工方法
  4. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画でされ表面に形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを支持する補助具であって、
    ウエーハの外形と略同形でウエーハを収容する第一の開口部と、該第一の開口部の底に形成され、該デバイス領域との接触を避けると共に外周余剰領域を支持する支持部を有する第二の開口部と、を備え、該第一の開口部の外周の表面が粗面に形成され、レーザー光線を散乱させる補助具。
  5. 該補助具は、該第二の開口部の底と該支持部との段差が、１０μｍ〜２０μｍに設定されている請求項４に記載された補助具。
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