JP2007165848A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板21の裏面21bに近い改質領域Kほど、集光点Fからの拡がりRが大きくなるようにレーザ光Lの強度を制御するため、クラック進展の起点となる裏面21bに近い改質領域Kほど拡がりRが大きくなり、分割に要する力が小さくなる。そのため、小さな力で改質領域Kからクラックを進展させることができ、半導体基板21を確実に分割することができる。更に、クラック進展の起点となる裏面21b近傍に形成される改質領域K1から基板面21a近傍に形成される改質領域K8に向かって順番にクラックを進展させて分割することができるので、クラックの偏向などによる半導体基板21の分割不良が生じるおそれがない。
【選択図】 図3
Description
分割する予定のラインの加工方法として、近年では、レーザ光を用いた加工方法(レーザダイシング)の検討や研究が進められており、例えば、下記特許文献1にレーザによる半導体基板の加工技術が開示されている。図10は、従来のレーザ光を用いたダイシング工程を示す説明図である。図10(A)は、レーザ光の照射による改質領域形成工程の説明図であり、図10(B)は、半導体基板の分割工程の説明図である。
レーザ光Lを照射するレーザヘッドHは、レーザ光Lを集光する集光レンズCVを備えており、レーザ光Lを所定の焦点距離で集光させる。改質領域形成工程では、レーザ光Lの集光点Fが半導体基板Wの表面から深さdの箇所に形成されるように設定したレーザ光照射条件で、半導体基板Wを分割する分割予定ラインDL上に沿って(図中手前方向)レーザヘッドHを移動させ、レーザ光Lを半導体基板Wの表面から照射する。これにより、レーザ光Lの集光点Fが走査された深さdの経路には、多光子吸収による改質領域Kが形成される。
ここで、多光子吸収とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいう。その多光子吸収により、半導体基板Wの集光点Fおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した層、つまり改質領域Kが形成される。
続いて、図10(B)に示すように、半導体基板Wの面内方向(図中矢印F1、F2で示す方向)に応力を負荷することにより、改質領域Kを起点にして、基板厚さ方向にクラックを進展させて、半導体基板Wを分割予定ラインDLに沿って分割し、半導体チップCを得る(特許文献1)。
即ち、集光点Fの深さdが大きくなる程、集光点Fにおいて集光されるレーザ光の強度が減衰するため、形成される改質領域Kの集光点Fからの拡がりが小さくなる。換言すれば、改質領域Kが形成される領域の寸法が小さくなる。半導体基板Wの裏面近傍に形成される改質領域Kは分割の起点となるため、この位置に十分な大きさの改質領域Kが形成されないと、分割するために大きな力が必要となる。そのため、改質領域Kからクラックを進展させることができないことがあるので、半導体基板Wの割り残しの原因になり、半導体チップの歩留まりが低下するという問題があった。
つまり、小さな力でクラックを確実に進展させることができる改質領域を形成することができるため、半導体基板を確実に分割することができ、半導体チップの歩留まりを向上させることができる半導体チップの製造方法を実現することができる。
つまり、半導体基板を確実に分割することができ、半導体チップの歩留まりを向上させることができる半導体チップの製造方法を実現することができる。
つまり、小さな力でクラックを確実に進展させることができる改質領域を形成することができるため、半導体基板を確実に分割することができ、半導体チップの歩留まりを向上させることができる半導体チップの製造方法を実現することができる。
この発明に係る半導体チップの製造方法の第1実施形態について、図を参照して説明する。図1は、半導体基板の構成を示す説明図である。図1(A)は、半導体基板の平面説明図であり、図1(B)は、図1(A)の1A−1A矢視断面図である。図2は、半導体基板にレーザ光の照射を行う方法を示す説明図である。図3は、第1実施形態に係る半導体チップの製造方法により形成された改質領域の模式図である。図4は、シミュレーションにより求めたレーザパワーと改質領域を形成する深さと集光点の温度との関係の説明図である。
なお、いずれの図においても、説明のために一部を拡大して誇張して示している。
図1(A)に示すように、シリコンからなる薄板円盤形状の半導体基板21を用意する。図1(B)に示すように、半導体基板21の裏面21bには接着層52を介して樹脂製のシート41に接着されている。シート41は、延伸性を有しており、接着層52は、接着剤などによりシート41の全面に形成されている。シート41は、シート41が張った状態になるようにその外周部が円環状のフレーム42により保持されている。
半導体基板21の外周の一部には、結晶方位を示すオリエンテーションフラットOFが形成されている。半導体基板21の基板面21aには、拡散工程等を経て形成された半導体素子24が碁盤の目のように整列配置されている。
各半導体素子24間の基板面21aには、半導体基板21を厚さ方向に分割する予定のラインである分割予定ラインDL1〜DL14が、裏面21bに向かって半導体基板21の厚さ方向に設定されている。分割予定ラインDL1〜DL7は、オリエンテーションフラットOFに略垂直方向に設けられ、それぞれが相互に平行になるように設定されている。分割予定ラインDL8〜DL14は、オリエンテーションフラットOFに略平行方向に設けられ、それぞれが相互に平行になるように設定されている。つまり、分割予定ラインDL1〜DL7と分割予定ラインDL8〜DL14とは相互に垂直に交差している。
なお、以下の説明において、半導体基板21から分割されておらず、本来、分割された後に半導体チップとなる部分についても半導体チップと呼ぶ。これらの半導体チップ22は、ダイシング工程により分割予定ラインDLに沿って厚さ方向にそれぞれ分割された後、マウント工程、ボンディング工程、封入工程等といった各工程を経ることによってパッケージされたICやLSIとして完成する。
図2に示すように、半導体チップの製造装置1には、レーザ光Lを照射するレーザヘッド31が設けられている。レーザヘッド31は、レーザ光Lを集光する集光レンズ32を備えており、レーザ光Lを所定の焦点距離で集光させることができる。ここでは、レーザ光Lの集光点Fが半導体基板21の基板面21aから深さdの箇所に形成されるように設定されている。
ここで、照射するレーザ光Lとしては、半導体基板21の構造、材質に合わせて、適当なレーザ種、波長を選択することができ、例えば、YAGレーザ、炭酸ガスレーザ、半導体レーザなどを用いることができる。
続いて、図2に示すように、レーザヘッド31を分割予定ラインDL4に沿って走査し(図中F4方向)、レーザ光Lを基板面21aから照射することにより、レーザ光Lの集光点Fが走査された深さdの経路に、多光子吸収による改質領域Kが適正に形成される。
以下では、改質領域Kの半導体基板21の厚さ方向への拡がりを「縦拡がりR1」、面方向への拡がりを「横拡がりR2」として説明に用いる。また、改質領域Kの大きさを示す場合には、縦拡がりR1と横拡がりR2とを総称して「拡がりR」として説明に用いる。
したがって、改質領域KがK1からK8の順に形成されるように、レーザヘッド31のレーザ光Lの出射面から基板面21aまでの距離M(図2)を制御して、レーザ光Lを照射する。
集光点Fの温度Tは、レーザパワーPに比例して上昇しており、その傾きは焦点(深さd)が大きいほど緩やかである。つまり、焦点(深さd)が大きいほど、温度Tを上昇させるために大きなレーザパワーPが必要である。
焦点(深さd)が620μmの場合には、温度Tがシリコンの融点に到達するためには、レーザパワーPは約0.9W必要である。同様に、焦点(深さd)が410μmの場合には、レーザパワーPは約0.7W必要であり、焦点(深さd)が140μmの場合には、レーザパワーPは約0.5W必要である。
これらより、温度Tが融点に到達するときの、レーザパワーPと深さdとの間に最小自乗法で求めた次式の関係が得られる。
P:レーザパワー(W)、d:集光点Fの深さ(μm)
改質領域Kの拡がりRは、温度Tに応じて変化するため、レーザパワーPを一定にしてレーザ光を照射した場合には、深さdが大きくなるほど、改質領域Kの拡がりRは小さくなる。
例えば、レーザパワーPを1.2Wに設定し、レーザ光Lを照射した場合、基板面21a近傍の改質領域K8は、縦拡がりR1が約40μm、横拡がりR2が4〜6μm程度に形成されるのに対し、裏面21b近傍の改質領域K1は、縦拡がりR1が約20μm、横拡がりR2が2〜3μm程度に形成される。つまり、この条件では、改質領域K1は、改質領域K8の寸法が1/2倍の相似形状を呈する。
まず、最も裏面21bに近い改質領域K1を形成し、続いて、基板面21aに向かって改質領域K2〜K8を順番に形成する。改質領域K1〜K8は、この順で拡がりRが小さくなるように形成される。
例えば、改質領域K1の縦拡がりR1が40μm、改質領域K8の縦拡がりR1が20μmに形成されるように、照射するレーザ光Lの強度を設定し、改質領域K1〜K8の拡がりRが深さdに比例するように、レーザ光Lの強度を制御する。このとき、改質領域K1は深さdが最も大きい位置に形成され、拡がりRが最も大きくなるように形成するため、照射するレーザ光Lの強度は最大となる。
他の分割予定ラインDLについても、分割予定ラインDL4と同様に改質領域K1〜K8を形成する。
続いて、シート41を面方向に拡張することにより、半導体基板21に応力を負荷し、改質領域Kを起点にしてクラックを進展させて、半導体基板21を分割予定ラインDLに沿って厚さ方向に分割する。
シート41を拡張する方法としては、例えば、フレーム42を固定した状態で、半導体基板21の裏面21bとほぼ同じ大きさの平坦面を有する図示しない押圧装置を用いて、シート41の裏側から半導体基板21を押し上げるように押圧することにより、シート41を面方向に拡張して半導体基板21の面内方向に応力を負荷するという公知の方法を用いることができる。
(1)改質領域Kの集光点Fからの拡がりRおよび改質領域Kを形成する半導体基板21の深さdに応じて、レーザ光Lの強度を制御するため、所定の深さdに半導体基板21を確実に分割するために適した所望の拡がりRを有する改質領域Kを形成することができる。
つまり、半導体基板21の分割のために有効に作用する改質領域Kを形成することができるため、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる半導体チップ22の製造方法を実現することができる。
つまり、半導体基板21の分割のために有効に作用する改質領域Kを形成することができるため、半導体チップ22の歩留まりを向上させることができる半導体チップ22の製造方法を実現することができる。
この発明に係る半導体チップの製造方法の第2実施形態について、図を参照して説明する。図5(A)は、隣り合った改質領域が一部を共有する場合の改質領域の模式図である。図5(B)は、第2実施形態に係る半導体チップの製造方法により形成された改質領域の模式図である。
なお、第1実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
ここで、図5(B)では、改質領域Kの拡がりRが略同一の場合を例示したが、裏面21bに近い改質領域Kほど拡がりRを大きく形成する構成を用いてもよい。
また、レーザ光Lの照射時間(スピード、周波数)を制御することにより、隣接する改質領域Kが重ならないようにすることもできる。
(1)隣り合った改質領域K同士が一部を共有しないようにレーザ光Lの強度を制御するため、隣り合った改質領域Kが重なった部分Kwが再結晶化や再溶融などにより強固に結合してしまい、半導体基板21を分割しにくくなることを防止することができる。また、レーザ光Lの照射時間(スピード、周波数)を制御することにより、隣接する改質領域Kが重ならないようにすることもできる。
(1)改質領域K1〜K8は、半導体基板21の裏面21bの近傍に形成される改質領域Kの集光点Fからの拡がりRが、基板面21aの近傍に形成される改質領域Kの集光点Fからの拡がりRより大きくなるようにレーザ光Lの強度を制御して形成してもよい。第1実施形態では、裏面21bに近い改質領域Kほど、集光点Fからの拡がりRが大きくなるようにレーザ光Lの強度を制御するのに対し、例えば、図6に示すように、裏面21bの近傍に形成される改質領域K1〜K3の縦拡がりR1が40μm、改質領域K4〜K8の縦拡がりR1が20μmとなるようにレーザ光Lの強度を制御してもよい。
また、改質領域K4〜K8を同じ強度のレーザ光Lで形成して、改質領域K4〜K8の拡がりRがK4〜K8の順に大きくなるようにしてもよい。
この構成を使用した場合にも、半導体基板21の裏面21bの近傍に、分割に有効に作用する改質領域Kが形成されるため、第1実施形態の(1)及び(2)の効果を奏することができる。なお、本実施形態は、請求項2に記載の発明に相当する。
この構成を使用した場合にも、半導体基板21の裏面21bの近傍に、分割に有効に作用する改質領域Kが形成されるため、第1実施形態の(1)の効果を奏することができる。なお、本実施形態は、請求項4に記載の発明に相当する。
例えば、図8に示すように、レーザ光Lを透過可能な材質で形成されたシート41を用いて、半導体基板21を接着し、半導体基板21の裏面21b側からシート41を介してレーザ光Lを照射する。ここで、レーザ光Lの改質領域Kにおける散乱の影響を避けるために、改質領域KがK8からK1の順に形成されるように、レーザヘッド31の位置を裏面21bから遠ざけるように制御して、レーザ光Lを照射する。レーザパワーPを制御することにより、所定の深さdに所望の拡がりRを有する改質領域Kを形成することができる。図8では、改質領域K1〜K8は、各集光点Fからの拡がりRが略同一となるように形成されているが、半導体基板21の裏面21bに近いほど、集光点Fからの拡がりRが大きくなるように、改質領域Kを形成してもよい。
例えば、図9(A)に示すように、基板面21a側からレーザ光Lを照射し、各集光点Fからの拡がりRが略同一となるように改質領域K5からK8をこの順に形成する。次に、図9(B)に示すように、半導体基板21をシート41に接着したまま、レーザヘッド31に対して反転させ、裏面21b側からレーザ光Lを照射し、各集光点Fからの拡がりRが略同一となるように改質領域K4からK1をこの順に形成してもよい。
この構成を用いると、レーザ光Lを照射する深さdを小さくすることができるので、レーザパワーPを広いレンジで制御する必要がない。
なお、改質領域K1〜K4と改質領域K5〜K8はどちらを先に形成してもよい。また、半導体基板21の裏面21bに近いほど、集光点Fからの拡がりRが大きくなるように、改質領域Kを形成してもよい。
そこで、分割予定ラインDLにおける深さdに対する不純物濃度プロファイルに応じて、レーザパワーPを制御することにより、所望の寸法の改質層を得ることができる。例えば、不純物濃度が高く、レーザ光Lの減衰が大きくなる領域では、照射するレーザ光Lの強度を強くするようにレーザパワーPを制御すればよい。
この構成を用いると、厚さ方向において不純物濃度が変化する半導体基板21についても、所定の深さdに所望の拡がりRを有する改質領域Kを形成することができる。
また、不純物層であるゲッタリング層においても、不純物濃度プロファイルに応じて、レーザパワーPを制御することにより改質領域Kを適正に形成することができる。
半導体チップ22の分割面に表れている改質領域Kが、裏面21bに近いほど、集光点Fからの拡がりRが大きくなるように形成されている場合は、その半導体チップ22は請求項3に記載の半導体チップの製造方法によって作製された半導体チップであると推定することができる。
半導体チップ22の分割面に表れている改質領域Kが、各集光点Fからの拡がりRが略同一となるように形成されている場合は、その半導体チップ22は請求項4に記載の半導体チップの製造方法によって作製された半導体チップであると推定することができる。
半導体チップ22の分割面に表れている改質領域Kが、隣り合った改質領域K同士が一部を共有しないように形成されている場合は、その半導体チップ22は請求項5に記載の半導体チップの製造方法によって作製された半導体チップであると推定することができる。
上記のように、半導体チップ22の分割面に表れている改質領域Kが、集光点Fからの拡がりRを制御されて形成されている場合は、その半導体チップ22は請求項1に記載の半導体チップの製造方法によって作製された半導体チップであると推定することができる。
裏面21bが請求項1に記載の一方の基板面に、拡がりR、縦拡がりR1及び横拡がりR2が集光点からの拡がりにそれぞれ対応する。また、基板面21aが請求項2に記載の他方の基板面にそれぞれ対応する。
21 半導体基板
21a 基板面(他方の基板面)
21b 裏面(一方の基板面)
22、22a〜22f 半導体チップ
24 半導体素子
DL、DL1〜DL14 分割予定ライン
K、K1〜K8 改質領域
L レーザ光
F 集光点
R 拡がり(集光点からの拡がり)
R1 縦拡がり(集光点からの拡がり)
R2 横拡がり(集光点からの拡がり)
Claims (6)
- 半導体基板をその厚さ方向に分割するための分割予定ラインに沿って、レーザ光を前記半導体基板に対して相対移動させながら、前記半導体基板の内部に集光点を合わせて照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
この改質領域形成工程を経た前記半導体基板の一方の基板面が接着されたシートを拡張することにより、前記半導体基板を、前記改質領域を起点にして、前記分割予定ラインに沿って厚さ方向に分割して半導体チップを得る分割工程と、を備えた半導体チップの製造方法において、
前記改質領域の前記集光点からの拡がりおよび前記半導体基板の前記改質領域を形成する厚さ方向の位置に応じて、前記レーザ光の強度を制御することを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 前記一方の基板面の近傍に形成される前記改質領域の前記集光点からの拡がりが、他方の基板面の近傍に形成される前記改質領域の前記集光点からの拡がりより大きくなるように前記レーザ光の強度を制御することにより、前記改質領域を前記半導体基板の厚さ方向の複数箇所に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記一方の基板面に近いほど、前記集光点からの拡がりが大きくなるように前記レーザ光の強度を制御することにより、前記改質領域を前記半導体基板の厚さ方向の複数箇所に形成することを特徴とする請求項2に記載の半導体チップの製造方法。
- 前記各改質領域の前記集光点からの拡がりが略同一となるように前記レーザ光の強度を制御することにより、前記改質領域を前記半導体基板の厚さ方向の複数箇所に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの製造方法。
- 隣り合った前記改質領域同士が一部を共有しないように前記レーザ光の強度を制御することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1つに記載の半導体チップの製造方法。
- 請求項1ないし請求項5のいずれか1つに記載の半導体チップの製造方法により製造されることを特徴とする半導体チップ。
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