JP2020150414A - 弾性波デバイスおよびその製造方法、ウエハ、フィルタ並びにマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
Description
図3(a)から図6(c)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図3(a)に示すように、表面が平坦な支持基板10を準備する。支持基板10の表面の算術平均粗さは例えば1nm以下である。図3(b)に示すように、支持基板10上に付加膜32を形成する。付加膜32上に開口を有するマスク層38を形成する。平坦領域52となる領域はマスク層38の開口であり、粗面領域50となる領域にマスク層38およびその開口が形成される。マスク層38は例えばフォトレジストである。矢印39のように、マスク層38をマスクに付加膜32をエッチング法またはサンドブラスト法を用いパターニングする。図3(c)に示すように、平坦領域52には付加膜32は残存せず、粗面領域50に付加膜32の凸部が形成される。凸部の断面形状は図1(b)のように錘状でもよいし、図3(c)のように柱状でもよい。
図8(a)から図9(b)は、実施例1の変形例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図8(a)に示すように、支持基板10上に開口を有するマスク層38を形成する。平坦領域52となる領域はマスク層38であり、粗面領域50となる領域にマスク層38およびその開口が形成される。マスク層38は例えばフォトレジストである。矢印39のように、マスク層38をマスクに支持基板10をエッチング法またはサンドブラスト法を用いパターニングする。図8(b)に示すように、平坦領域52の上面は平坦であり、粗面領域50に凸部10aと凹部10bが形成される。
比較例を用い粗面30を設ける理由を説明する。支持基板10と絶縁層11との界面の表面粗さが異なる弾性波共振器を作製した。作製条件は以下である。
支持基板10:サファイア基板
絶縁層11:厚さが0.4λの酸化シリコン膜
圧電基板12:厚さが0.4λの42°回転Yカットタンタル酸リチウム基板
サンプルA:約100nm
サンプルB:約10nm
サンプルC:1nm以下(ほぼ鏡面)
図13は、実施例2の変形例1に係るフィルタの平面図である。図13に示すように、直列共振器S1以外の弾性波共振器20は粗面領域50に設けられ、直列共振器S1は平坦領域52に設けられている。その他の構成は実施例2と同じであり説明を省略する。
図14は、実施例2の変形例2に係るデュプレクサの回路図である。図14に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ40が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ42が接続されている。送信フィルタ40は、送信端子Txから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Antに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ42は、共通端子Antから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Rxに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ40および受信フィルタ42の少なくとも一方を実施例2およびその変形例1のフィルタとすることができる。
11 絶縁層
12 圧電基板
13 接合層
15 電極指
18 櫛型電極
20 弾性波共振器
22 IDT
30 粗面
31 平坦面
32 付加膜
33 レーザ光
50 粗面領域
52 平坦領域
Claims (10)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、粗面領域において前記支持基板との間に粗面である第1面が設けられ、前記粗面領域を囲み前記支持基板の側面に沿った領域を少なくとも含む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の表面粗さが前記第1面の表面粗さより小さい絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、平面視において少なくとも一部が前記粗面領域に重なる一対の櫛型電極と、
を備える弾性波デバイス。 - 前記第1面は前記支持基板と前記絶縁層との界面である請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記粗面領域において前記支持基板と前記絶縁層との間に設けられた付加膜を備え、
前記第1面は前記付加膜と前記絶縁層との界面を含む請求項1に記載の弾性波デバイス。 - 前記第1面の算術平均粗さは10nm以上であり、前記第2面の算術平均粗さは1nm以下である請求項1から3のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 前記絶縁層および前記圧電基板は透光性を有する請求項1から4のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 前記支持基板は多結晶基板または単結晶基板であり、
前記支持基板の側面には前記支持基板の構成元素を主成分とする複数の改質領域が平面方向に設けられている請求項1から5のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。
- 請求項7に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、複数の粗面領域において前記支持基板との間に粗面である第1面が設けられ、前記複数の粗面領域を各々囲む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の表面粗さが前記第1面の表面粗さより小さく、前記平坦領域は少なくとも格子状に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、
を備えるウエハ。 - 支持基板と、前記支持基板上に設けられ、複数の粗面領域において前記支持基板との間に粗面である第1面が設けられ、前記複数の粗面領域を各々囲む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の表面粗さが前記第1面の表面粗さより小さく、前記平坦領域は少なくとも格子状に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、を備え、前記圧電基板上に少なくとも一部が前記粗面領域に重なる一対の櫛型電極が設けられた複合基板における前記平坦領域に前記圧電基板側からレーザ光を照射し前記支持基板内に改質領域を形成する工程と、
前記改質領域に沿って前記複合基板を割断する工程と、
を含む弾性波デバイスの製造方法。
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