JP2015216525A - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】チッピング及びクラックの発生を抑制した弾性波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ１６が形成され且つ第１方向と第１方向に交差する第２方向とで線膨張係数が異なる圧電基板１２を含む接合基板１４に第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光を照射することにより、接合基板１４内に第１方向及び第２方向に沿って改質領域２０を形成する工程と、接合基板１４を改質領域２０において第１方向及び第２方向に切断する工程と、を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関する。

弾性波デバイスの切断にレーザ光を用いることが知られている。例えば、ベース基板とリッド基板とが接合された接合基板に対し、リッド基板にレーザ光を照射することで切り目を形成した後、ベース基板側から押圧することで、接合基板を切断する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、支持基板と圧電基板とが接合された接合基板に対し、支持基板にレーザ光を照射することにより改質領域を形成した後、改質領域において接合基板を切断する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１２−２０９６１７号公報 特開２０１４−２２９６６号公報

特許文献２のように、基板にレーザ光を照射することにより改質領域を形成し、改質領域において基板を切断することで、チッピング及びクラックの発生を抑制することができる。しかしながら、未だ改善の余地が残されている。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、チッピング及びクラックの発生を抑制することが可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、ＩＤＴが形成され且つ第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とで線膨張係数が異なる圧電基板を含む基板に前記第１方向と前記第２方向とで異なる条件でレーザ光を照射することにより、前記基板内に前記第１方向及び前記第２方向に沿って改質領域を形成する工程と、前記基板を前記改質領域において前記第１方向及び前記第２方向に切断する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、チッピング及びクラックの発生を抑制することができる。

上記構成において、前記改質領域を形成する工程は、前記第１方向に沿って形成される前記改質領域と前記第２方向に沿って形成される前記改質領域とが前記基板の厚さ方向で異なる高さに位置するように前記改質領域を形成する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板の前記第１方向の線膨張係数は前記第２方向の線膨張係数よりも大きく、前記改質領域を形成する工程は、前記第１方向に沿って形成される前記改質領域が前記第２方向に沿って形成される前記改質領域よりも前記基板の上面及び下面から離れて位置するように前記改質領域を形成する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記改質領域を形成する工程は、前記基板の厚さ方向に複数の前記改質領域を形成し、前記第２方向に沿って形成される前記改質領域のうち前記基板の厚さ方向で両端に位置する改質領域の間隔が前記第１方向に沿って形成される前記改質領域のうち前記基板の厚さ方向で両端に位置する改質領域の間隔よりも広くなるように前記改質領域を形成する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記基板を切断する工程は、前記第２方向で前記基板を切断した後に、前記第１方向で前記基板を切断する工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記基板を切断する工程は、前記基板にブレードを押し当てることにより、前記基板をブレイクする工程を含む構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、前記第１方向は、前記タンタル酸リチウム基板又は前記ニオブ酸リチウム基板の結晶方位のＸ軸方向である構成とすることができる。

上記構成において、前記基板は、前記圧電基板の単体基板又は支持基板の上面に前記圧電基板の下面が接合された接合基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板である構成とすることができる。

本発明は、ＩＤＴが形成され且つ第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とで線膨張係数が異なる圧電基板を含む基板と、前記第１方向及び前記第２方向に沿った前記基板の側面にレーザ光が照射されたことにより形成された改質領域と、を備え、前記第１方向に沿った前記側面に形成された前記改質領域と前記第２方向に沿った前記側面に形成された前記改質領域とは、前記基板の厚さ方向で異なる高さに位置していることを特徴とする弾性波デバイス

本発明によれば、チッピング及びクラックの発生を抑制することができる。

図１（ａ）から図１（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図３（ａ）は、実施例１における改質領域を形成した直後のウエハの上面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。 図４（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスを示す斜視図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図５（ａ）は、比較例１における改質領域を形成した直後のウエハの上面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。 図６は、クラックを説明するためのチップの斜視図である。 図７は、チッピングを説明するためのチップの斜視図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）から図２（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１（ａ）のように、支持基板１０の上面に圧電基板１２の下面が接合された接合基板１４と、圧電基板１２上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）１６と、を含むウエハ５０を準備する。接合基板１４は、支持基板１０と圧電基板１２との境界１８において、支持基板１０を構成する原子と圧電基板１２を構成する原子とがアモルファス層を形成することにより、支持基板１０と圧電基板１２とが強固に接合されている。支持基板１０は、例えばサファイア基板等の絶縁基板である。圧電基板１２は、例えば回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板である。圧電基板１２は、弾性波デバイスの性能の観点から、３６°〜４８°ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板の場合が好ましい。ＩＤＴ１６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜等の金属膜である。支持基板１０の厚さは、例えば１００μｍ〜３００μｍである。圧電基板１２の厚さは、例えば２０μｍ〜１００μｍである。

図１（ｂ）のように、ウエハ５０の下面をダイシングテープ３０に貼り付ける。ダイシングテープ３０は、ダイシングリング３２に固定されている。

図１（ｃ）のように、レーザ照射装置３４を用い、圧電基板１２を介して支持基板１０内にレーザ光３６を照射する。レーザ光３６の熱により、支持基板１０内に支持基板１０の材料が改質した改質領域２０が形成される。改質領域２０は、支持基板１０の厚さ方向に１又は複数形成される。改質領域２０は、圧電基板１２内に形成されてもよい。改質領域２０は、ウエハ５０を切断する切断領域（スクライブライン）に形成される。切断領域は、ウエハ５０を上から見て、第１方向と第１方向に交差する方向（例えば、直交する方向）である第２方向とに形成される。なお、実施例１においては、第１方向を回転ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板からなる圧電基板１２の結晶方位のＸ軸方向とし、第２方向をＸ軸方向に交差する方向（例えば、直交する方向）とする。したがって、第１方向と第２方向とでは、圧電基板１２の線膨張係数が異なり、第１方向における圧電基板１２の線膨張係数は、第２方向における線膨張係数よりも大きい。

レーザ光３６は、例えばグリーンレーザ光であり、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波である。波長が５００ｎｍ程度のレーザ光を用いることにより、支持基板１０内に効率よく改質領域２０を形成することができる。なお、レーザ光３６の波長は、支持基板１０及び圧電基板１２の材料に応じ適宜設定することができる。

ここで、図３を用いて、改質領域について説明する。図３（ａ）は、実施例１における改質領域を形成した直後のウエハの上面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。なお、図３（ａ）においては、図の簡略化のために、ＩＤＴ１６の図示は省略している。図３（ａ）から図３（ｃ）のように、第１方向と第２方向とのそれぞれに沿ってレーザ光３６を照射して改質領域２０を形成する際、第１方向と第２方向とで条件を異ならせてレーザ光３６を照射する。例えば、レーザ光の出力パワー、焦点位置、移動速度、照射周波数の少なくとも１つを第１方向と第２方向とで異ならせてレーザ光３６を照射する。出力パワーによって改質領域の大きさが変わり、焦点位置によって高さ方向における改質領域の形成位置が変わり、移動速度及び／又は照射周波数によって隣接する改質領域の間隔が変わる。

第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光３６を照射することで、例えば、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａと第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂとが、接合基板１４の厚さ方向で異なる高さに位置して形成される。例えば、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａが第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂよりも接合基板１４の上面及び下面から離れて形成される。例えば、第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂのうち接合基板１４の厚さ方向で両端に位置する改質領域の間隔が、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａにおける間隔よりも広く形成される。

図２（ａ）のように、ウエハ５０の上下を反転させる。支持ステージ４０上に保護シート４２を介してウエハ５０を配置する。ウエハ５０の圧電基板１２側の面が保護シート４２で保護される。改質領域２０下の支持ステージ４０には溝４４が設けられている。ダイシングテープ３０の上から、ブレード３８をウエハ５０に押し当て、改質領域２０と重なる領域において接合基板１４に切断面２２を形成して、ウエハ５０を第１方向及び第２方向にブレイクする。例えば、第２方向にブレイクしてウエハ５０を複数の短冊とした後、第１方向にブレイクして個片化する。なお、溝４４の位置はブレード３８の位置と連動する。

図２（ｂ）のように、ウエハ５０を支持ステージ４０から離脱させる。ウエハ５０の上下を反転させる。ウエハ５０には切断面２２が形成され、ウエハ５０は複数のチップ５２に個片化されている。チップ５２をダイシングテープ３０からピックアップする。

図４（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスを示す斜視図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。なお、図４（ａ）においては、図の簡略化のために、ＩＤＴ１６の図示は省略している。図４（ａ）及び図４（ｂ）のように、弾性波デバイスチップ１００は、接合基板１４の第１方向及び第２方向に沿った側面にレーザ光の照射により改質領域２０が形成されている。接合基板１４の第１方向に沿った側面に形成された改質領域２０ａと第２方向に沿った側面に形成された改質領域２０ｂとは、接合基板１４の厚さ方向で異なる高さに位置して形成されている。例えば、第１方向に沿った側面に形成された改質領域２０ａは第２方向に沿った側面に形成された改質領域２０ｂよりも接合基板１４の上面及び下面から離れて形成されている。

次に、実施例１の弾性波デバイスの効果を説明するに当たり、比較対象となる比較例１の弾性波デバイスについて説明する。図５（ａ）は、比較例１における改質領域を形成した直後のウエハの上面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ間の断面図である。図５（ａ）から図５（ｃ）のように、比較例１においても、実施例１と同様に、支持基板１０内に改質領域２０を形成する。この際、実施例１とは異なり、第１方向と第２方向とで条件を変えずにレーザ光３６を照射する。このため、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａと第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂとは、接合基板１４の厚さ方向で同じ高さに形成される。その後、実施例１の図２（ａ）及び図２（ｂ）と同じ方法で個片化する。

ここで、発明者が行った実験について説明する。発明者は、実施例１及び比較例１について、ウエハ５０を切断してチップ５２にした後のチッピング及びクラックの発生状況を調べた。実験には、実施例１及び比較例１共に、厚さ１１０μｍのサファイア基板からなる支持基板１０と厚さ４０μｍの４２°ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板からなる圧電基板１２とが接合された接合基板１４を用いた。また、接合基板１４の厚さ方向に３つの改質領域２０を形成した。３つの改質領域２０を、圧電基板１２に近い方から順に、第１改質領域、第２改質領域、第３改質領域と称すこととする。また、チップ５２への個片化は、第２方向にウエハ５０をブレイクして複数の短冊にした後、第１方向にブレイクしてチップ５２に個片化した。個片化した後のチップ５２の第１方向に沿った側面の長さは０．７５ｍｍ、第２方向に沿った側面の長さは１．０ｍｍであった。なお、第１方向は４２°ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板の結晶方位のＸ軸方向で、第２方向はＸ軸方向に直交する方向である。

実施例１及び比較例１（サンプル１及びサンプル２）の改質領域の形成条件及び形成位置を表１〜表３に示す。

表１のように、実施例１では、第１方向（Ｘ軸方向）において、１８０ｍｍ／ｓｅｃで移動させつつ０．１Ｗの出力パワーでレーザ光を照射して第１改質領域を形成した。３６０ｍｍ／ｓｅｃで移動させつつ０．１４Ｗの出力パワーでレーザ光を第１改質領域よりも深い位置に照射して第２改質領域を形成した。３６０ｍｍ／ｓｅｃで移動させつつ０．１６Ｗの出力パワーでレーザ光を第２改質領域よりも深い位置に照射して第３改質領域を形成した。なお、レーザ光の照射周波数は５０Ｈｚとした。これにより、第１改質領域は、圧電基板１２の上面からの深さが９０μｍで、互いの間隔が３．６ｍｍで形成された。第２改質領域は、圧電基板１２の上面からの深さが１０５μｍで、互いの間隔が７．２ｍｍで形成された。第３改質領域は、圧電基板１２の上面からの深さが１２０μｍで、互いの間隔が７．２ｍｍで形成された。

第２方向（Ｘ軸方向に直交する方向）においても、第１方向と同じ移動速度及び出力パワーでレーザ光を照射させて第１改質領域〜第３改質領域を形成したが、レーザ光の焦点位置を第１方向とは異ならせた。このため、第２方向においては、第１改質領域は圧電基板１２の上面から７０μｍの深さに形成され、第２改質領域は圧電基板１２の上面から１００μｍの深さに形成され、第３改質領域は圧電基板１２の上面から１３０μｍの深さに形成された。

したがって、第１方向に沿って形成された改質領域は、第２方向に沿って形成された改質領域よりも、接合基板１４の上面及び下面から離れている。また、第２方向に沿って形成された改質領域のうち接合基板１４の厚さ方向で両端に位置する第１改質領域と第３改質領域との間隔は、第１方向に沿って形成された改質領域のうちの第１改質領域と第３改質領域との間隔よりも広くなっている。

比較例１のサンプル１では、実施例１と同じ移動速度及び出力パワーでレーザ光を照射させて第１改質領域〜第３改質領域を形成したが、実施例１と異なり、レーザ光の焦点位置を第１方向と第２方向とで同じにした。このため、第１方向及び第２方向共に、第１改質領域は圧電基板１２の上面から７０μｍの深さに形成され、第２改質領域は圧電基板１２の上面から１００μｍの深さに形成され、第３改質領域は圧電基板１２の上面から１３０μｍの深さに形成された。

比較例１のサンプル２では、比較例１のサンプル１と同様に、レーザ光の焦点位置を第１方向と第２方向とで同じにしたが、焦点位置を比較例１のサンプル１とは異ならせた。このため、第１方向及び第２方向共に、第１改質領域は圧電基板１２の上面から９０μｍの深さに形成され、第２改質領域は圧電基板１２の上面から１０５μｍの深さに形成され、第３改質領域は圧電基板１２の上面から１２０μｍの深さに形成された。

実施例１及び比較例１のサンプル１、サンプル２のチッピング発生率及びクラック発生率は以下であった。なお、チッピング発生率及びクラック発生率は、作製した７０００個のチップの中でチッピング及びクラックの発生しているチップの割合を示す。
比較例１のサンプル１：チッピング発生率０．１％、クラック発生率８％
比較例１のサンプル２：チッピング発生率３％、クラック発生率０．１％
実施例１ ：チッピング発生率０．２％、クラック発生率０．１％

比較例１のサンプル１では、チッピング発生率は低かったが、クラック発生率が高かった。図６は、クラックを説明するためのチップの斜視図である。図６のように、クラック６０は、チップの第１方向（Ｘ軸方向）に沿った側面から第２方向（Ｘ軸方向に直交する方向）に伸びて発生する。これは、ＬＴ基板においては、Ｘ軸方向の線膨張係数はＸ軸に直交する方向よりも大きいため、Ｘ軸方向（第１方向）に沿った側面には歪みによる応力がかかる。第１改質領域及び第３改質領域が接合基板１４の上面及び下面の近くに設けられていることで、歪みによる応力によって、第１改質領域及び第３改質領域を起点とするクラックが発生したものと考えられる。このことから、クラックの発生を抑制するには、改質領域は接合基板１４の上面及び下面から離れて、接合基板１４の厚さ方向の中心側に寄せて設けられることが好ましいことが言える。なお、このような歪みによる応力は、第１方向の線膨張係数が第２方向よりも大きい場合に限らず、第１方向と第２方向とで線膨張係数が異なる場合に発生し、この場合に、クラックが発生すると考えられる。

比較例１のサンプル２では、第１改質領域〜第３改質領域が接合基板１４の上面及び下面から離れて設けられているためにクラック発生率は低かったが、チッピング発生率が高かった。図７は、チッピングを説明するためのチップの斜視図である。図７のように、チッピング６２は、チップの第２方向に沿った側面に発生する。これは、第１改質領域〜第３改質領域が接合基板１４の上面及び下面から離れて、接合基板１４の厚さ方向の中心側に寄せて設けられているため、分割性が悪くなってチッピング６２が発生したものと考えられる。また、第１方向に沿った側面でチッピング６２が発生していないのは、第２方向に切断して短冊化した後に、第１方向に沿って切断したことによるものと考えられる。このことから、チッピングの発生を抑制するには、改質領域は接合基板１４の厚さ方向で広範囲に設けられることが好ましいことが言える。

そこで、実施例１では、第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光を照射することで、第１方向に沿って形成される第１改質領域〜第３改質領域が接合基板１４の上面及び下面から離れるようにした。第２方向に沿って形成される第１改質領域〜第３改質領域が接合基板１４の厚さ方向で広範囲に形成されるようにした。この結果、チッピング発生率、クラック発生率共に低くなった。

実施例１によれば、第１方向と第２方向とで線膨張係数が異なる圧電基板１２を含む接合基板１４に、第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光３６を照射して改質領域２０を形成する。例えば、図３（ａ）から図３（ｃ）のように、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａと第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂとが接合基板１４の厚さ方向で異なる高さに位置するように形成する。その後、接合基板１４を改質領域２０において第１方向及び第２方向に切断する。これにより、チッピング及びクラックの発生を抑制することができる。

なお、第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光を照射して形成する改質領域は、第１方向と第２方向とで異なる高さに位置するように形成する場合に限られるものではない。例えば、第１方向と第２方向とで接合基板の厚さ方向の改質領域の個数を異ならせる場合でもよい。例えば、第１方向と第２方向とで改質領域の大きさを異ならせる場合でもよい。例えば、第１方向と第２方向とで接合基板の上面に平行な方向で隣接する改質領域の間隔を異ならせる場合でもよい。

図６で説明したように、圧電基板１２の第１方向の線膨張係数が第２方向よりも大きい場合、第１方向に沿った側面から第２方向に伸びるクラックが発生する。クラックの発生を抑制するには、図３（ａ）から図３（ｃ）のように、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａが第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂよりも接合基板１４の上面及び下面から離れて位置するように形成することが好ましい。

図７で説明したように、チッピング６２はウエハ５０を短冊に切断する際に発生し、チッピング６２を抑えるには、短冊に切断する切断面における改質領域を接合基板の厚さ方向で広範囲に設けることが有効である。例えば、線膨張係数の大きい第１方向にウエハ５０を切断して短冊化する場合、チッピング６２を抑えるには、第１方向に沿って形成される改質領域２０ａを接合基板１４の厚さ方向で広範囲に設けることが好ましい。しかしながら、これでは、第１方向に沿った側面にクラック６０が発生してしまう。一方、線膨張係数の小さい第２方向に沿った側面からはクラック６０が発生し難いため、第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂを接合基板１４の厚さ方向で広範囲に設けることができる。このようなことから、第１方向の線膨張係数が第２方向の線膨張係数よりも大きい場合、第２方向に沿って形成される改質領域２０ｂのうち接合基板１４の厚さ方向で両端に位置する改質領域の間隔が第１方向に沿って形成される改質領域２０ａのそれよりも広くなるように形成することが好ましい。また、ウエハ５０の切断は、第２方向に切断して短冊にした後、第１方向に切断して個片化することが好ましい。

図２（ａ）のように、接合基板１４にブレード３８を押し当てることにより、接合基板１４をブレイクする場合、チッピング及びクラックが発生し易い。したがって、この場合に、第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光３６を照射して改質領域２０を形成することが有効である。また、他の方法で基板を切断する場合であっても、チッピング及びクラックの発生が起こり得るので、他の方法の場合でも、第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光３６を照射して改質領域２０を形成することが好ましい。

支持基板１０が圧電基板１２よりも硬い場合、圧電基板１２にチッピング及びクラックが発生し易い。例えば、支持基板１０がサファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板である場合、圧電基板１２にチッピング及びクラックが発生し易い。したがって、この場合に、第１方向と第２方向とで異なる条件でレーザ光を照射して改質領域２０を形成することが有効である。

実施例１では、圧電基板１２が回転ＹカットＸ伝搬のＬＴ基板で、第１方向がＬＴ基板の結晶方位のＸ軸方向、第２方向がＸ軸方向に交差する方向である場合を例に示した。しかしながら、圧電基板１２の線膨張係数が第１方向と第２方向とで異なる場合にクラックが発生し易くなることから、圧電基板１２は線膨張係数が第１方向と第２方向とで異なる基板であればよい。例えば、圧電基板１２は回転ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板で、第１方向はＬＮ基板の結晶方位のＸ軸方向の場合でもよい。また、支持基板１０の上面に圧電基板１２の下面が接合された接合基板１４を用いた場合を例に示したが、圧電基板１２の単体基板を用いた場合でもよい。この場合は、当然ではあるが、改質領域２０は圧電基板１２内に形成される。

弾性波デバイスとしては、例えば弾性表面波デバイス、弾性境界波デバイス、ラブ波デバイス等を用いることができる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 支持基板
１２ 圧電基板
１４ 接合基板
１６ ＩＤＴ
１８ 境界
２０〜２０ｂ 改質領域
３６ レーザ光
３８ ブレード
６０ クラック
６２ チッピング
１００ 弾性波デバイスチップ

Claims (10)

1. ＩＤＴが形成され且つ第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とで線膨張係数が異なる圧電基板を含む基板に前記第１方向と前記第２方向とで異なる条件でレーザ光を照射することにより、前記基板内に前記第１方向及び前記第２方向に沿って改質領域を形成する工程と、
   前記基板を前記改質領域において前記第１方向及び前記第２方向に切断する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
2. 前記改質領域を形成する工程は、前記第１方向に沿って形成される前記改質領域と前記第２方向に沿って形成される前記改質領域とが前記基板の厚さ方向で異なる高さに位置するように前記改質領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
3. 前記圧電基板の前記第１方向の線膨張係数は前記第２方向の線膨張係数よりも大きく、
   前記改質領域を形成する工程は、前記第１方向に沿って形成される前記改質領域が前記第２方向に沿って形成される前記改質領域よりも前記基板の上面及び下面から離れて位置するように前記改質領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の弾性波デバイスの製造方法。
4. 前記改質領域を形成する工程は、前記基板の厚さ方向に複数の前記改質領域を形成し、前記第２方向に沿って形成される前記改質領域のうち前記基板の厚さ方向で両端に位置する改質領域の間隔が前記第１方向に沿って形成される前記改質領域のうち前記基板の厚さ方向で両端に位置する改質領域の間隔よりも広くなるように前記改質領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
5. 前記基板を切断する工程は、前記第２方向で前記基板を切断した後に、前記第１方向で前記基板を切断する工程を含むことを特徴とする請求項３又は４記載の弾性波デバイスの製造方法。
6. 前記基板を切断する工程は、前記基板にブレードを押し当てることにより、前記基板をブレイクする工程を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
7. 前記圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、
   前記第１方向は、前記タンタル酸リチウム基板又は前記ニオブ酸リチウム基板の結晶方位のＸ軸方向であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
8. 前記基板は、前記圧電基板の単体基板又は支持基板の上面に前記圧電基板の下面が接合された接合基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
9. 前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板であることを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイスの製造方法。
10. ＩＤＴが形成され且つ第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とで線膨張係数が異なる圧電基板を含む基板と、
    前記第１方向及び前記第２方向に沿った前記基板の側面にレーザ光が照射されたことにより形成された改質領域と、を備え、
    前記第１方向に沿った前記側面に形成された前記改質領域と前記第２方向に沿った前記側面に形成された前記改質領域とは、前記基板の厚さ方向で異なる高さに位置していることを特徴とする弾性波デバイス。

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