JP7406305B2 - 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ - Google Patents
弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7406305B2 JP7406305B2 JP2019046394A JP2019046394A JP7406305B2 JP 7406305 B2 JP7406305 B2 JP 7406305B2 JP 2019046394 A JP2019046394 A JP 2019046394A JP 2019046394 A JP2019046394 A JP 2019046394A JP 7406305 B2 JP7406305 B2 JP 7406305B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support substrate
- region
- insulating layer
- rough surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 207
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
図3(a)から図6(c)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図3(a)に示すように、表面が平坦な支持基板10を準備する。支持基板10の表面の算術平均粗さは例えば1nm以下である。図3(b)に示すように、支持基板10上に付加膜32を形成する。付加膜32上に開口を有するマスク層38を形成する。平坦領域52となる領域はマスク層38の開口であり、粗面領域50となる領域にマスク層38およびその開口が形成される。マスク層38は例えばフォトレジストである。矢印39のように、マスク層38をマスクに付加膜32をエッチング法またはサンドブラスト法を用いパターニングする。図3(c)に示すように、平坦領域52には付加膜32は残存せず、粗面領域50に付加膜32の凸部が形成される。凸部の断面形状は図1(b)のように錘状でもよいし、図3(c)のように柱状でもよい。
図8(a)から図9(b)は、実施例1の変形例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図8(a)に示すように、支持基板10上に開口を有するマスク層38を形成する。平坦領域52となる領域はマスク層38であり、粗面領域50となる領域にマスク層38およびその開口が形成される。マスク層38は例えばフォトレジストである。矢印39のように、マスク層38をマスクに支持基板10をエッチング法またはサンドブラスト法を用いパターニングする。図8(b)に示すように、平坦領域52の上面は平坦であり、粗面領域50に凸部10aと凹部10bが形成される。
比較例を用い粗面30を設ける理由を説明する。支持基板10と絶縁層11との界面の表面粗さが異なる弾性波共振器を作製した。作製条件は以下である。
支持基板10:サファイア基板
絶縁層11:厚さが0.4λの酸化シリコン膜
圧電基板12:厚さが0.4λの42°回転Yカットタンタル酸リチウム基板
サンプルA:約100nm
サンプルB:約10nm
サンプルC:1nm以下(ほぼ鏡面)
図13は、実施例2の変形例1に係るフィルタの平面図である。図13に示すように、直列共振器S1以外の弾性波共振器20は粗面領域50に設けられ、直列共振器S1は平坦領域52に設けられている。その他の構成は実施例2と同じであり説明を省略する。
図14は、実施例2の変形例2に係るデュプレクサの回路図である。図14に示すように、共通端子Antと送信端子Txとの間に送信フィルタ40が接続されている。共通端子Antと受信端子Rxとの間に受信フィルタ42が接続されている。送信フィルタ40は、送信端子Txから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Antに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ42は、共通端子Antから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Rxに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ40および受信フィルタ42の少なくとも一方を実施例2およびその変形例1のフィルタとすることができる。
11 絶縁層
12 圧電基板
13 接合層
15 電極指
18 櫛型電極
20 弾性波共振器
22 IDT
30 粗面
31 平坦面
32 付加膜
33 レーザ光
50 粗面領域
52 平坦領域
Claims (9)
- 単結晶基板である支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、粗面領域において前記支持基板との間に算術平均粗さが10nm以上である第1面が設けられ、前記粗面領域を囲み前記支持基板の側面に沿った領域を少なくとも含む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の算術平均粗さは1nm以下である絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、平面視において少なくとも一部が前記粗面領域に重なる一対の櫛型電極と、
を備え、
前記支持基板の側面には前記支持基板の構成元素を主成分としアモルファスまたは多結晶である複数の改質領域が平面方向に設けられている弾性波デバイス。 - 多結晶基板または単結晶基板である支持基板と、
前記支持基板上に設けられ、粗面領域において前記支持基板との間に算術平均粗さが10nm以上である第1面が設けられ、前記粗面領域を囲み前記支持基板の側面に沿った領域を少なくとも含む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の算術平均粗さは1nm以下である絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、平面視において少なくとも一部が前記粗面領域に重なる一対の櫛型電極と、
を備え、
前記支持基板の側面には前記支持基板の構成元素を主成分としアモルファスである複数の改質領域が平面方向に設けられている弾性波デバイス。 - 前記第1面は前記支持基板と前記絶縁層との界面である請求項1または2に記載の弾性波デバイス。
- 前記粗面領域において前記支持基板と前記絶縁層との間に複数の島状に設けられた付加膜を備え、
前記第1面は前記付加膜および前記支持基板と前記絶縁層との界面を含む請求項1または2に記載の弾性波デバイス。 - 前記絶縁層および前記圧電基板は透光性を有する請求項1から4のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 前記支持基板は単結晶基板である請求項1から5のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。
- 請求項7に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
- 支持基板と、前記支持基板上に設けられ、複数の粗面領域において前記支持基板との間に算術平均粗さが10nm以上である第1面が設けられ、前記複数の粗面領域を各々囲む平坦領域において前記支持基板との界面である第2面の算術平均粗さは1nm以下であり、前記平坦領域は少なくとも格子状に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた圧電基板と、を備え、前記圧電基板上に少なくとも一部が前記粗面領域に重なる一対の櫛型電極が設けられた複合基板における前記平坦領域に前記圧電基板側からレーザ光を照射し前記支持基板内に改質領域を形成する工程と、
前記改質領域に沿って前記複合基板を割断する工程と、
を含む弾性波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019046394A JP7406305B2 (ja) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019046394A JP7406305B2 (ja) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020150414A JP2020150414A (ja) | 2020-09-17 |
JP7406305B2 true JP7406305B2 (ja) | 2023-12-27 |
Family
ID=72430917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019046394A Active JP7406305B2 (ja) | 2019-03-13 | 2019-03-13 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7406305B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023013741A1 (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2024106120A1 (ja) * | 2022-11-14 | 2024-05-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008396A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2006067258A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置および通信装置 |
JP2007165848A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Denso Corp | 半導体チップの製造方法 |
JP2012015767A (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP2015115870A (ja) | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイス |
JP2015126381A (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2015216525A (ja) | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03165116A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2001053579A (ja) * | 1999-06-02 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子と移動体通信機器 |
JP2002135076A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
CN104365019B (zh) * | 2012-06-13 | 2017-08-25 | 日本碍子株式会社 | 复合基板 |
JP6621384B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2019-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波デバイス用複合基板の製造方法 |
-
2019
- 2019-03-13 JP JP2019046394A patent/JP7406305B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008396A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2006067258A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置および通信装置 |
JP2007165848A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Denso Corp | 半導体チップの製造方法 |
JP2012015767A (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波デバイス |
JP2015115870A (ja) | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイス |
JP2015126381A (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
JP2015216525A (ja) | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020150414A (ja) | 2020-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7169083B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
US11533040B2 (en) | Elastic wave device | |
US7202590B2 (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
US10938372B2 (en) | Acoustic wave resonator, acoustic wave device, and filter | |
US11336259B2 (en) | Acoustic wave device, filter, and multiplexer | |
JP6360847B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
CN112929004B (zh) | 声波谐振器、滤波器、多路复用器和晶片 | |
JP7406305B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
WO2019009246A1 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP2023060058A (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2019201345A (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7397573B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2020182130A (ja) | フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7374629B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7403960B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
JP2022176790A (ja) | 弾性波デバイス、ウエハ、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7441010B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
CN114070257A (zh) | 声波装置、滤波器及多路复用器 | |
JP6886264B2 (ja) | 弾性波デバイス並びに複合基板およびその製造方法 | |
US20230208395A1 (en) | Acoustic wave device, wafer, and method of manufacturing wafer | |
JP2021158553A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ、マルチプレクサおよびウエハ | |
JP2019192994A (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7456734B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP2022172569A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
JP7037439B2 (ja) | 弾性波素子、分波器および通信装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230908 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7406305 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |