JP2019091945A - 半田ボール付き半導体チップの製造装置及び作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半田ボール付き半導体チップを好適に作製できる方法を提供する。【解決手段】当該作製方法が、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなるとともに、分割によってそれぞれが別個のチップとなる単位領域が形成されるように複数の分割予定位置が定められてなる貼り合わせ基板の一方主面をなすガラス基板の一主面における分割予定位置にスクライブラインが形成され、貼り合わせ基板の他方主面をなすシリコン基板の一主面における分割予定位置において、シリコン基板の一主面から溝部が形成されてなる貼り合わせ基板におけるシリコン基板の一主面側の上面に対し単位領域ごとに半田ボールを形成する工程と、半田ボールが形成されてなる貼り合わせ基板を、スクライブラインと溝部との間でブレイクする工程と、を備えるようにした。【選択図】図８

Description

本発明は、半導体チップの製造装置及び作製方法に関し、特に、シリコン基板層とガラス基板層とを接着層にて貼り合わせてなる構成を有するとともに半田ボールを備える半導体チップの製造装置及び作製方法に関する。

シリコン基板は半導体素子（半導体チップ）用の基板として広く用いられるが、基板の複合化その他の目的で、シリコン基板とガラス基板とを接着層（接着剤）にて貼り合わせてなる（接着させてなる）貼り合わせ基板が用いられることがある。また、シリコン基板を用いた半導体素子の製造プロセスにおいては通常、多数個の素子パターンを２次元的に形成してなる母基板たるシリコン基板を分割して個々のチップを得るという手法が採用されるが、母基板として上述したシリコン基板とガラス基板との貼り合わせ基板を用いる場合も、同様の手順が採用される。係る場合、ガラス基板とシリコン基板と接着層とはそれぞれ、貼り合わせ基板の分割によって得られる半導体チップにおいて、ガラス基板層とシリコン基板層と接着層とを構成することになる。

また、脆性材料基板の主面に熱硬化性樹脂を付着させてなる樹脂付き脆性材料基板を分割する手法もすでに公知である（例えば、特許文献１参照）。

特許第５１７０１９５号公報

多数個の素子パターンを２次元的に形成してなる母基板たるシリコン基板を分割して個々のチップを得る場合、分割の手法として、ダイサーによるダイシングが採用されることがある。母基板として上述したシリコン基板とガラス基板との貼り合わせ基板を用いる場合も、同様の手法が採用され得る。

しかしながら、ガラス基板の性質上、加工速度を高めることが困難であり、また、ガラス基板にチッピング（カケ）が生じやすいため、生産性が悪いという問題がある。また、レジンブレードなど、特殊なダイシングブレードを用いる必要があるが、摩耗が早く、コスト高の要因となっている、という問題もある。さらには、ダイシング時に冷却等の目的で使用する水が、接着層とガラスとの間に侵入しやすい、という問題もある。

また、シリコン基板層とガラス基板層とを接着層にて貼り合わせてなる構成を有する半導体チップの一種として、シリコン基板層の上に（より詳細には、シリコン基板上に形成した上部層の上に）半田ボールを備えるものがある。サイズが微小な個々の半導体チップに半田ボールを形成することは必ずしも容易ではなく、非効率的であることから、係る半田ボールの形成は、従来、母基板を分割する工程に先立って行われていた。しかしながら、係る場合、ダイシングの際に切削片の除去などに用いられる水によって半田ボールが腐食される場合があるなどの問題がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、シリコン基板層とガラス基板層とを接着層にて貼り合わせてなる構成を有するとともに半田ボールを備える半導体チップを好適に作製する方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせられ、複数の分割予定位置が定められてなる貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブ手段によってスクライブラインが形成され、前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から溝部が形成されてなる前記貼り合わせ基板における前記シリコン基板の前記一主面側の上面に対し前記単位領域ごとに半田ボールを形成する、半田ボール形成装置と、前記半田ボールが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクすることによって複数の半田ボール付き半導体チップを得るブレイク装置と、を備えることを特徴とする。

請求項２の発明は、半田ボール付き半導体チップを作製する方法であって、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなるとともに、分割がなされることによってそれぞれが別個の半導体チップとなる単位領域が形成されるように複数の分割予定位置が定められてなる貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブ手段によってスクライブラインが形成され、前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から溝部が形成されてなる前記貼り合わせ基板における前記シリコン基板の前記一主面側の上面に対し前記単位領域ごとに半田ボールを形成する、半田ボール形成工程と、前記半田ボールが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクすることによって複数の半田ボール付き半導体チップを得るブレイク工程と、を備えることを特徴とする。

前記ブレイク工程においては、前記貼り合わせ基板を、前記シリコン基板の側が最上部となり、前記ガラス基板の側が最下部となるように、弾性体からなる支持部の上面に載置した状態で、前記シリコン基板の上方から前記分割予定位置に対しブレイク刃を当接させ、さらに押し下げることによって、前記貼り合わせ基板を分断する、こととしてもよい。

前記ブレイク工程においては、前記ブレイク刃を前記溝部の底部に当接させたうえでさらに押し下げることによって、前記ブレイク刃によって前記接着層を切り裂きつつ前記スクライブラインから垂直クラックを伸展させることで前記貼り合わせ基板を分断する、こととしてもよい。

前記ブレイク工程においては、前記ブレイク刃の刃先側面を前記シリコン基板の前記一主面における前記溝部の開口端部に当接させたうえでさらに押し下げることによって、前記接着層を引き裂くとともに前記スクライブラインから垂直クラックを伸展させることで前記貼り合わせ基板を分断する、こととしてもよい。

前記所定のスクライブ手段がスクライビングホイールであり、前記スクライブライン形成工程においては、前記分割予定位置に沿って前記スクライビングホイールを圧接転動させることによって前記スクライブラインを形成する、こととしてもよい。

前記所定のスクライブ手段がレーザー光であり、前記スクライブライン形成工程においては、前記貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に前記レーザー光を照射することによって前記ガラス基板に対し前記分割予定位置に沿った変質または蒸発を生じさせることによって前記スクライブラインを形成する、こととしてもよい。

前記所定の溝部形成手段がダイサーである、こととしてもよい。

本発明によれば、ガラス基板層とシリコン基板層とが接着層によって接着された構成を有し、かつ、シリコン基板層の一主面側の上面に半田ボールが設けられてなる構成の半導体チップを好適に作製することができる。

半導体チップ１０Ａの構成を概略的に示す断面図である。 貼り合わせ基板１０の構成を概略的に示す断面図である。 貼り合わせ基板１０を分割予定位置Ａにて分割する手順について説明する図である。 スクライブラインＳＬの形成及び装置の要部を説明するための図である。 ダイシング溝ＤＧの形成及び装置の要部を説明するための図である。 ダイシング溝ＤＧの形成及び装置の要部を説明するための図である。 半田ボールＳＢが形成された後の貼り合わせ基板１０を例示する図である。 ブレイク装置３００を用いて貼り合わせ基板１０をブレイクする様子を概略的に示す図である。 第１のブレイク手法及び装置の要部を示すための図である。 第２のブレイク手法及び装置の要部を示すための図である。 第２の実施の形態におけるスクライブラインＳＬの形成及び装置の要部を説明するための図である。

＜第１の実施の形態＞
＜半導体チップおよび貼り合わせ基板＞
図１は、本実施の形態において作製の対象とされる半導体チップ１０Ａの構成を概略的に示す断面図である。半導体チップ１０Ａは、概略、ガラス基板層１Ａとシリコン基板層２Ａとが接着層３Ａによって接着された構成を有するとともに、シリコン基板層２Ａの、接着層３Ａとの接着面との反対面に上部層４Ａを有してなり、さらに、該上部層４Ａの上に半田ボールＳＢが設けられてなるものである。本実施の形態において、半導体チップ１０Ａは、貼り合わせ基板１０の分割によって作製される。以下、この点について順次に説明する。

図２は、本実施の形態において分割の対象とされる貼り合わせ基板１０の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態において、貼り合わせ基板１０とは、ガラス基板１とシリコン基板２とを接着層３によって接着することで貼り合わせ、全体として一の基板としてなるものである。ガラス基板１とシリコン基板２と接着層３とはそれぞれ、貼り合わせ基板１０の分割によって得られる半導体チップ１０Ａにおいて、ガラス基板層１Ａとシリコン基板層２Ａと接着層３Ａとを構成する。

貼り合わせ基板１０は、分割を行う位置としてあらかじめ定められてなる分割予定位置Ａにおいて後述する手法により厚み方向に沿って分断されることで分割される。分割予定位置Ａは、貼り合わせ基板１０の主面に沿って線状（例えば直線状）に規定される。図２においては、図面に垂直な方向に分割予定位置Ａが定められてなる場合を例示している。なお、図２においては貼り合わせ基板１０の両主面たるガラス基板１の主面１ａとシリコン基板２の主面２ａとの双方に分割予定位置Ａを示しているが、当然ながら、貼り合わせ基板１０の主面を平面視（平面透過視）した場合においてそれぞれの主面における分割予定位置Ａは同一である。換言すれば、一方主面における分割予定位置Ａを貼り合わせ基板１０の厚み方向に平行移動させると他方主面における分割予定位置Ａと一致する。

図２においては図示を省略しているが、通常は、一の貼り合わせ基板１０に対して複数の分割予定位置Ａが格子状に定められ、全ての分割予定位置Ａにおいて分割がなされることで、多数個の半導体チップ１０Ａが得られる。個々の分割予定位置Ａ同士の間隔は、後述する手順での分割が好適に行える範囲において、作製しようとする半導体チップ１０Ａのサイズに応じて適宜に定められてよい。

図２にはさらに、分割に際して実際に分断が進行する予定の位置である分断進行予定位置Ｂも示している。分断進行予定位置Ｂは、貼り合わせ基板１０の両主面たるガラス基板１の主面１ａとシリコン基板２の主面２ａとのそれぞれにおける分割予定位置Ａの間の、厚み方向に沿う面として観念される。図２に例示する場合においては、分断進行予定位置Ｂは図面視垂直な方向に延在してなる。

ガラス基板１の材質としては、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス等のアルカリガラスなどといった種々のガラスが例示される。接着層３の材質としては、熱硬化型エポキシ樹脂などが例示される。

ガラス基板１、シリコン基板２、および、接着層３の厚み、さらには貼り合わせ基板１０の総厚は、後述する手法にて貼り合わせ基板１０を分割するに際して分割を好適に行える限りにおいて特段の制限はないが、それぞれ、１００μｍ〜１０００μｍ、５０μｍ〜１０００μｍ、１０μｍ〜２００μｍ、１５０μｍ〜１５００μｍという範囲が例示される。また、貼り合わせ基板１０の平面サイズについても特段の制限はないが、直径が６インチ〜１０インチ程度のものが例示される。分割によって得られる半導体チップ１０Ａの平面サイズについても特段の制限はなく、縦１〜３ｍｍ程度×横１〜３ｍｍ程度という範囲が例示される。

また、図２においては、シリコン基板２の一方主面であって、接着層３との隣接面とは反対側の主面である、図面視上面側の主面２ａに上部層４が設けられてなる場合を例示している。上部層４は、貼り合わせ基板１０の分割によって得られる半導体チップ１０Ａにおいて、上部層４Ａを構成する。図２（ａ）は、シリコン基板２の主面２ａのうち、分割予定位置Ａの近傍領域が非形成領域ＲＥとされる場合の上部層４の形成態様を例示しており、図２（ｂ）は、主面２ａの全面に上部層４の形成態様を例示している。図１に例示した半導体チップ１０Ａの構成は、前者に準じている。

なお、図２においては簡単のため、上部層４は単一の層であるかのように図示されているが、上部層４は、単一層であってもよいし、同質のあるいは異なる材質の複数の層から構成されていてもよい。上部層４の構成材料としては、種々の金属層、セラミックス層、半導体層、アモルファス層、樹脂層など、種々の材質のものが例示される。

ただし、以降の説明においては、上部層４を省略し、シリコン基板２と上部層４とを単にシリコン基板２と総称することがあり、また、厳密に言えば上部層４の上面をなしている面をシリコン基板２の主面２ａと称することがある。

＜分割の手順＞
次に、上述した構成を有する貼り合わせ基板１０を分割予定位置Ａにて分割する手順について説明する。図３は、係る分割の手順を示す図である。

まず、図２に例示したような貼り合わせ基板１０を用意する（ステップＳ１）。すなわち、ガラス基板１とシリコン基板２とが接着層３によって貼り合わされてなり、かつ、分割がなされることによってそれぞれが別個の半導体チップ１０Ａとなる単位領域が形成されるように分割予定位置Ａが定められた貼り合わせ基板１０を用意する。

そして、用意した貼り合わせ基板１０のガラス基板１側の分割予定位置Ａにおいて、スクライブラインＳＬ（図４）を形成する（ステップＳ２）。図４は、係るスクライブラインＳＬの形成を説明するための図である。なお、図４においては、複数の分割予定位置Ａがそれぞれ図面に垂直な方向に直線状に延在する場合を例示している（図５〜図８および図１１においても同様）。

スクライブラインＳＬは、後述する工程においてクラック（垂直クラック）伸展の起点となる部位である。スクライブラインＳＬの形成は、図４（ａ）に示すように、ガラス基板１が最上部となり、シリコン基板２が最下部となる水平姿勢で貼り合わせ基板１０を保持して行う。その際、貼り合わせ基板１０は直接にステージに保持するようにしてもよいし、これに代わり、シリコン基板２の主面２ａ側を例えばダイシングリングなどの環状の保持部材に張設保持させたダイシングテープなどの保持テープに貼り付け、それら保持部材および保持テープごと貼り合わせ基板１０をステージにて保持する態様であってもよい。

概略的にいえば、スクライブラインＳＬの形成は、所定のスクライブツールを備える図示しない公知のスクライブ装置のステージに貼り合わせ基板１０を当該姿勢にて保持した状態で、当該スクライブツールをガラス基板１の主面１ａにおいて分割予定位置Ａに対して相対的に移動させることによって行う。

図４（ｂ）においては、スクライブツールとして公知のスクライビングホイール１０１を用いてスクライブラインＳＬを形成する様子を示している。スクライビングホイール１０１は、２つの円錐台をそれぞれの下底面（大きい方の底面）側にて接続したような形状を有してなる円盤形状（算盤珠形状）をなしているとともにその外周部分が刃先となっているツールである。スクライブラインＳＬは、係るスクライビングホイール１０１が（より詳細にはその刃先が）ガラス基板１の主面１ａにおいて分割予定位置Ａに沿って圧接転動させられることによって形成される。なお、刃先はスクライビングホイール１０１の全周にわたって一様であってもよいし、周期的に凹部を有する態様であってもよい。

図４（ｂ）において矢印ＡＲ１およびＡＲ２にて示すように、個々の分割予定位置Ａに対して順次にスクライビングホイール１０１が圧接転動させられてスクライブラインＳＬが形成され、最終的には、図４（ｃ）に示すように全ての分割予定位置ＡにおいてスクライブラインＳＬが形成される。なお、係るスクライブラインＳＬの形成に伴って、スクライブラインＳＬからガラス基板１の厚み方向に垂直クラックが伸展する態様であってもよい。

また、スクライブツールとして、公知のダイヤモンドポイントその他を用いる態様であってもよい。

ガラス基板１側の分割予定位置に対しスクライブラインＳＬが形成されると、続いて、貼り合わせ基板１０のシリコン基板２側の分割予定位置Ａにおいてダイシングを行い、ダイシング溝ＤＧ（図５）を形成する（ステップＳ３）。図５および図６は、係るダイシング溝ＤＧの形成を説明するための図である。ダイシング溝ＤＧは、溝部として形成され、後述する工程においてブレイクの起点となる。

ダイシング溝ＤＧの形成は、図５（ａ）に示すように、シリコン基板２が最上部となり、ガラス基板１が最下部となる水平姿勢で貼り合わせ基板１０を保持して行う。すなわち、スクライブラインＳＬ形成時とは反転させた姿勢にて貼り合わせ基板１０を保持することで行う。その際、貼り合わせ基板１０は直接にステージに保持するようにしてもよいし、これに代わり、ガラス基板１の主面１ａ側を例えばダイシングリングなどの環状の保持部材に張設保持させたダイシングテープなどの保持テープに貼り付け、それら保持部材および保持テープごと貼り合わせ基板１０をステージにて保持する態様であってもよい。

図５（ｂ）に示すように、ダイシング溝ＤＧは、シリコン基板２を貫通して接着層３にまで達する溝部として形成される。換言すれば、ダイシング溝ＤＧは、その深さｈが、シリコン基板２の厚みよりも大きく、シリコン基板２と接着層３の厚みの総和よりも小さくなるように形成される。なお、詳細は後述するが、ダイシング溝ＤＧのサイズ（深さｈ、幅ｗ）と、ダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１と接着層３との距離ｄとは、接着層３の材質に応じて選択される、後述するブレイク工程におけるブレイク手法に応じて定められる。

概略的にいえば、ダイシング溝ＤＧの形成は、所定のダイシング手段を備える図示しない公知のダイシング装置（ダイサー）のステージに貼り合わせ基板１０を当該姿勢にて保持した状態で、シリコン基板２の主面２ａ側の分割予定位置Ａにおいて厚み方向および幅方向の所定範囲をダイシング手段によって切削することによってなされる。

図５（ｂ）および図５（ｃ）においては、ダイシング手段として公知のダイシングブレード２０１を備えたダイサーを用いてダイシング溝ＤＧを形成する様子を示している。ダイシングブレード２０１は、円板状（円環状）をなしているとともにその外周部分が刃先となっているツールである。ダイシングブレード２０１を用いてダイシング溝ＤＧを形成する場合は、まず、係るダイシングブレード２０１をその主面が鉛直面と平行となる姿勢にて鉛直面内で回転させながら、その刃先部分が形成しようとするダイシング溝ＤＧの深さｈに応じた目標深さ位置に到達するまで、図５（ｂ）において矢印ＡＲ３にて示すように、さらには図５（ｃ）において矢印ＡＲ４にて示すように下降させる。そして、刃先部分が目標深さ位置に到達すると、当該回転状態を保ちつつ分割予定位置Ａに沿って（つまりは分断進行予定位置Ｂに沿って）ダイシングブレード２０１が貼り合わせ基板１０に対し相対移動させられることによって、ダイシング溝ＤＧが形成される。

図５（ｂ）において矢印ＡＲ５およびＡＲ６にて示すように、あるいは図５（ｃ）において矢印ＡＲ７およびＡＲ８にて示すように、個々の分割予定位置Ａに対して順次にダイシングブレード２０１が移動させられてダイシング溝ＤＧが形成さると、最終的には、図６に示すように全ての分割予定位置Ａにおいてダイシング溝ＤＧが形成される。

ダイシング溝ＤＧが形成されると、貼り合わせ基板１０は、全ての分割予定位置Ａにおいて、一方主面側にスクライブラインＳＬが形成されており、他方主面側にダイシング溝ＤＧが形成された状態が、実現されたものとなっている。

なお、スクライブラインＳＬの形成と、ダイシング溝ＤＧの形成の順序は、反対であってもよい。

続いて、シリコン基板２の主面２ａ上に、より厳密には図４ないし図６において図示を省略している上部層４の上に、半田ボールＳＢを形成する（ステップＳ４）。図７は、半田ボールＳＢが形成された後の貼り合わせ基板１０を例示する図である。半田ボールＳＢは、シリコン基板２の主面２ａ上の（より詳細には上部層４の主面上の）、最終的に分割がなされることによってそれぞれに別個の半導体チップ１０Ａとなる単位領域ごとに形成される。半田ボールＳＢの形成は、例えば、公知の半田ボール搭載装置による搭載処理とこれに引き続いて行う公知のリフロー炉によるリフロー処理とによって実現される。

なお、半田ボールＳＢを、スクライブラインＳＬ形成前の時点で、つまりは、最初に貼り合わせ基板を用意した時点で、あるいは、スクライブラインＳＬ形成の形成後であってダイシング溝ＤＧ形成前の時点で形成する態様を採用したとしても、半導体チップ１０Ａの作製は可能である。しかしながら、前者の場合は、スクライブラインＳＬの形成時に半田ボールＳＢが形成された凹凸のあるシリコン基板２の主面２ａ側を下方に向けて貼り合わせ基板１０を保持する必要があり、後者の場合は、ダイシングの際に切削片の除去やダイシング溝ＤＧの洗浄などに用いられる水によって半田ボールＳＢが腐食される場合があるなど、それぞれに留意すべき点がある。しかしながら、本実施の形態のように、ダイシング溝ＤＧ形成後のタイミングで半田ボールＳＢを形成する態様は、そのような留意点が無関係となり、それゆえプロセスが簡素なものとなって生産性が高くなる点で好適である。

半田ボールＳＢを形成した後、ブレイク装置３００を用いたブレイクを行い、スクライブラインＳＬとダイシング溝ＤＧとの間で、分断進行予定位置Ｂに沿った分断を進行させる（ステップＳ５）。

図８は、ブレイク装置３００を用いて貼り合わせ基板１０をブレイクする様子を概略的に示す図である。

ブレイク装置３００は、弾性体からなり、上面３０１ａに貼り合わせ基板１０が載置される支持部３０１と、所定の刃渡り方向に延在してなる断面視三角形状の刃先を有し、鉛直方向に昇降自在とされてなるブレイク刃３０２とを、主として備える。

支持部３０１は、硬度が６５°〜９５°、好ましくは７０°〜９０°、例えば８０°である材質の弾性体にて形成されるのが好適である。係る支持部３０１としては、例えばシリコーンゴムなどを好適に用いることができる。なお、支持部３０１はさらにその下方を図示しない硬質の（弾性を有していない）支持体によって支持されていてもよい。

図８に示すように、ブレイクに際し、貼り合わせ基板１０は、ダイシング溝ＤＧが形成されてなるシリコン基板２の側が最上部となり、スクライブラインＳＬが形成されてなるガラス基板１の側が最下部となるように、支持部３０１の上面３０１ａ上に載置される。なお、図８においては、分割予定位置Ａが（それゆえスクライブラインＳＬとダイシング溝ＤＧとが）図面に垂直な方向に延在するように、貼り合わせ基板１０が支持部３０１の上面３０１ａに載置されてなるとともに、係る分割予定位置Ａの鉛直上方に、ブレイク刃３０２が（より詳細にはその刃先が）、分割予定位置Ａの延在方向に沿って配置されてなる場合を示している。

係るブレイク装置３００を用いたブレイクは、概略的にいえば、ブレイク刃３０２を、矢印ＡＲ９に示すように鉛直方向においてシリコン基板２側の分割予定位置Ａ（つまりはダイシング溝ＤＧの形成位置）に対し下降させ、ブレイク刃３０２が貼り合わせ基板１０に当接した後もブレイク刃３０２を押し下げることによって実現される。そして、矢印ＡＲ１０にて示すように、全ての分割予定位置Ａに対して順次にブレイクがなされることで、貼り合わせ基板１０は、所望のサイズおよび個数の半導体チップ１０Ａに分割される。

より詳細には、本実施の形態においては、接着層３の材質に応じて、原理の異なる２通りのブレイク手法を使い分けるようにする。係る場合においては、選択するブレイク手法によって、ブレイク刃３０２の刃先３０２ａ（図９、図１０参照）の形状や、ダイシング溝ＤＧのサイズを、それぞれ違える。以下、２通りのブレイク手法を順次に説明する。

（第１のブレイク手法及び装置）
図９は、第１のブレイク手法及び装置の要部を示すための図である。第１のブレイク手法は、図８において矢印ＡＲ９にて示したようにブレイク刃３０２を鉛直方向において下降させていくことでやがて生じる、ダイシング溝ＤＧに対するブレイク刃３０２の当接が、まず最初に図９（ａ）に示すように刃先３０２ａの先端とダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１との間でなされるようにしたうえで、分断を進行させるというものである。

具体的には、図９（ｂ）において矢印ＡＲ１１として示すように、刃先３０２ａの先端がダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１に当接した後もブレイク刃３０２を所定の力で鉛直下方に押し下げると、矢印ＡＲ１２にて示すように、刃先３０２ａは接着層３から抵抗力を受けつつも分断進行予定位置Ｂに沿って接着層３を切り裂きながら下降していく。これにより、接着層３における分断が進行する。

また、その際、ブレイク刃３０２を鉛直下方に押し下げる力は、貼り合わせ基板１０を弾性体たる支持部３０１に対し分割予定位置Ａに沿って押し込む力としても作用するため、貼り合わせ基板１０は支持部３０１から、矢印ＡＲ１３にて示すような上向きの反発力を、スクライブラインＳＬに対して対称に受けることになる。すると、係る反発力と、ブレイク刃３０２から作用する鉛直下向きの力とが加わる結果として、貼り合わせ基板１０のガラス基板１側においては、いわゆる３点曲げの状況が実現され、矢印ＡＲ１４にて示すように、垂直クラックＣＲが、スクライブラインＳＬから分断進行予定位置Ｂに沿って鉛直上方へと伸展していく。

ブレイク刃３０２による鉛直上方からの接着層３の分断（切り裂き）と、鉛直下方からのガラス基板１における垂直クラックＣＲの伸展とは、いずれも分断進行予定位置Ｂに沿って進行する。最終的に、両者がともに接着層３とガラス基板１との界面に到達すると、分断は完了する。図９（ｃ）には、図９（ｂ）に対応させて、分断の結果として図面視左右２つの半導体チップ１０Ａが得られる場合を例示している。実際には係る分断を全ての分割予定位置Ａにおいて繰り返すことで、貼り合わせ基板１０は多数個の半導体チップ１０Ａに分割される。

以上のような第１のブレイク手法でのブレイクを行う場合、ブレイク刃３０２を下降させた際に少なくとも刃先３０２ａの先端とダイシング溝ＤＧとの底部ＤＧ１とが当接するまでは、刃先３０２ａがダイシング溝ＤＧと接触することのないように、ダイシング溝ＤＧのサイズを定めるとともに刃渡り方向に垂直な断面における刃先３０２ａのなす角である刃先角θを定める必要がある。通常は、後述する第２のブレイク手法に比して、ダイシング溝ＤＧのサイズを相対的に大きく、かつ、刃先角θを相対的に小さくすることになる。

（第２のブレイク手法及び装置）
図１０は、第２のブレイク手法及び装置の要部を示すための図である。第２のブレイク手法は、図８において矢印ＡＲ９にて示したようにブレイク刃３０２を鉛直方向において下降させていくことでやがて生じる、ダイシング溝ＤＧに対するブレイク刃３０２の当接が、まず最初に図１０（ａ）に示すように刃先３０２ａの２つの側面３０２ｂのそれぞれとダイシング溝ＤＧの対応する開口端部ＤＧ２との間でなされるようにしたうえで、分断を進行させるというものである。ここで、ダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２とは、シリコン基板２の表面におけるダイシング溝ＤＧのエッジ部分である。

具体的には、図１０（ｂ）において矢印ＡＲ２１として示すように、刃先３０２ａの側面３０２ｂがダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２に当接した後もブレイク刃３０２を所定の力で鉛直下方に押し下げていくと、刃先３０２ａの２つの側面３０２ｂのそれぞれが、矢印ＡＲ２２にて示すように、斜め方向において接触しているダイシング溝ＤＧの対応する開口端部ＤＧ２に対し、分割予定位置Ａに対して対称でかつ互いに離反する向きの力を作用させる。

係る態様にて開口端部ＤＧ２が力を受けると、矢印ＡＲ２３にて示すように、接着層３のダイシング溝ＤＧが形成されていない箇所において、分断進行予定位置Ｂに対して対称に、相反する向きの力が生じる。ブレイク刃３０２の押し下げが進むほど係る力は大きくなり、やがて、接着層３はダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１から矢印ＡＲ２４に示す鉛直下方に向けて引き裂かれていく。その結果、接着層３には分断進行予定位置Ｂに沿った亀裂ＣＲ１が形成される。亀裂ＣＲ１は、最終的には接着層３とガラス基板１との界面にまで到達する。

係る亀裂ＣＲ１の形成の後も、ブレイク刃３０２を鉛直下方に押し下げていくと、ブレイク刃３０２が貼り合わせ基板１０に対し与える力は、貼り合わせ基板１０を弾性体たる支持部３０１に対し分割予定位置Ａに沿って押し込む力として作用する。それゆえ、第１のブレイク手法の場合と同様、貼り合わせ基板１０は、矢印ＡＲ２５にて示すように支持部３０１から鉛直上向きの反発力を受けることになる。従って、貼り合わせ基板１０のガラス基板１側においては、３点曲げの状況が実現され、矢印ＡＲ２６にて示すように、垂直クラックＣＲ２が、スクライブラインＳＬから分断進行予定位置Ｂに沿って鉛直上方へと伸展していく。最終的に、垂直クラックＣＲ２が接着層３とガラス基板１との界面に到達すると、分断は完了する。図１０（ｃ）には、図１０（ｂ）に対応させて、分断の結果として図面視左右２つの半導体チップ１０Ａが得られる場合を例示している。実際には係る分断を全ての分割予定位置Ａにおいて繰り返すことで、貼り合わせ基板１０は多数個の半導体チップ１０Ａに分割される。

以上のような第２のブレイク手法でのブレイクを行う場合、ブレイク刃３０２を下降させた際に刃先３０２ａの先端とダイシング溝ＤＧとの底部ＤＧ１とが当接するよりも先に、刃先３０２ａの側面３０２ｂとダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２とが接触するように、ダイシング溝ＤＧのサイズを定めるとともに刃先角θを定める必要がある。通常は、上述した第１のブレイク手法に比して、ダイシング溝ＤＧのサイズを相対的に小さく、かつ、刃先角θを相対的に大きくすることになる。加えて、ダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１と接着層３との距離ｄについても、ブレイク刃３０２の押し込み量とのバランスを考慮して定める必要がある。距離ｄが大きすぎると、亀裂ＣＲ１が接着層３とガラス基板１との界面まで到達しなくなる可能性があるためである。

なお、第１のブレイク手法と第２のブレイク手法の使い分けは、接着層３の材質（組成、粘性、弾性など）を考慮して選択するのが好適である。例えば、接着層３の粘性が高い場合には、ブレイク刃３０２による切り裂きが好適に進行しにくい傾向があるため、第１のブレイク手法よりも第２のブレイク手法を適用した方が、分断は好適に行える可能性が高い。

あるいは、ブレイク当初は第１のブレイク手法に相当する手法にて分断を進行させ、その後、刃先３０２ａの側面３０２ｂをダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２に当接させる状態についても実現しつつ、ブレイクを進行させるようにしてもよい。

以上、説明したように、本実施の形態によれば、ガラス基板層とシリコン基板層とが接着層によって接着された構成を有するとともに、シリコン基板層の、接着層との接着面との反対面に上部層を有してなり、さらに、該上部層の上に半田ボールが設けられてなる構成の半導体チップを得ようとする場合において、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板のガラス基板側の分割予定位置にスクライブラインを形成し、当該貼り合わせ基板のシリコン基板側の分割予定位置には接着層にまで達するダイシング溝を形成したうえで、半田ボールをシリコン基板の上に設けられてなる上部層の上の所定位置に形成するようにする。そして、係る半田ボールの形成後に、ブレイクによってスクライブラインとダイシング溝との間において分断を進行させるようにする。

係る手順にて半田ボール付き半導体チップを作製する場合、ガラス基板をダイシングすることがないので、ガラス基板にチッピングが生じることが抑制され、また、生産性の向上やコストの低減が実現される。さらには、接着層とガラス基板との間に水が侵入することや、半田ボールが水によって腐食されることもない。すなわち、本実施の形態によれば、品質の優れた半田ボール付き半導体チップを従来よりも効率的かつ低コストに得ることができる。

＜第２の実施の形態＞
上述した第１の実施の形態においては、スクライブラインＳＬの形成を、スクライビングホイール１０１などのスクライブツールを用いて行うものとなっていたが、スクライブラインＳＬの形成態様はこれに限られるものではない。図１１は、本実施の形態において行うスクライブラインＳＬの形成手法について説明するための図である。

図１１（ａ）に示すように、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様、スクライブラインＳＬの形成は、ガラス基板１が最上部となり、シリコン基板２が最下部となる水平姿勢で貼り合わせ基板１０を保持して行う。

概略的にいえば、本実施の形態におけるスクライブラインＳＬの形成は、図示しない公知のレーザー加工装置のステージに貼り合わせ基板１０を当該姿勢にて保持した状態で、図１１（ｂ）に示すように該レーザー加工装置に備わる出射源４０１からガラス基板１の主面１ａに対しレーザー光ＬＢを照射し、該レーザー光ＬＢを分割予定位置Ａに沿って走査することによって行う。

係る場合において、スクライブラインＳＬは、レーザー光ＬＢの照射による加熱とその後の冷却とによって生じた変質領域であってもよいし、レーザー光ＬＢの被照射領域に存在する物質が蒸発することで形成される断面視Ｖ字状、Ｕ字状その他の形状を有する溝部であってもよい。レーザー光源の種類（ＣＯ_２レーザー、ＵＶレーザー、ＹＡＧレーザーなど）や照射条件、照射光学系等は、実際に形成しようとするスクライブラインＳＬの種別に応じて適宜に定められてよい。

あるいは、図１１（ｂ）および図１１（ｃ）においては、ガラス基板１の主面１ａにスクライブラインＳＬが形成されてなる場合が例示されているが、いわゆるステルスダイシング技術によって、ガラス基板１の内部にのみ融解改質領域を形成し、当該融解改質領域をスクライブラインＳＬとする態様であってもよい。

図１１（ｂ）において矢印ＡＲ３１およびＡＲ３２にて示すように、個々の分割予定位置Ａに沿って順次にレーザー光ＬＢを照射していくことで、スクライブラインＳＬが形成され、最終的には、図１１（ｃ）に示すように全ての分割予定位置ＡにおいてスクライブラインＳＬが形成される。

スクライブラインＳＬを形成した後の手順は、第１の実施の形態と同様でよい。それゆえ、本実施の形態の場合も、第１の実施の形態と同様、品質の優れた半田ボール付き半導体チップを従来よりも効率的かつ低コストに得ることができる。

１ ガラス基板
１Ａ ガラス基板層
１ａ （ガラス基板の）主面
２ シリコン基板
２Ａ シリコン基板層
２ａ （シリコン基板の）主面
３、３Ａ 接着層
４、４Ａ 上部層
１０ 貼り合わせ基板
１０Ａ 半導体チップ
１０１ スクライビングホイール
２０１ ダイシングブレード
３００ ブレイク装置
３０１ 支持部
３０１ａ （支持部の）上面
３０２ ブレイク刃
３０２ａ （ブレイク刃の）刃先
３０２ｂ （刃先の）側面
４０１ 出射源
Ａ 分割予定位置
Ｂ 分断進行予定位置
ＣＲ、ＣＲ２ 垂直クラック
ＣＲ１ 亀裂
ＤＧ ダイシング溝
ＤＧ１ （ダイシング溝の）底部
ＤＧ２ （ダイシング溝）開口端部
ＬＢ レーザー光
ＳＢ 半田ボール
ＳＬ スクライブライン

Claims (2)

1. シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせられ、複数の分割予定位置が定められてなる貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブ手段によってスクライブラインが形成され、
   前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から溝部が形成されてなる前記貼り合わせ基板における前記シリコン基板の前記一主面側の上面に対し前記単位領域ごとに半田ボールを形成する、半田ボール形成装置と、
   前記半田ボールが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクすることによって複数の半田ボール付き半導体チップを得るブレイク装置と、
   を備えることを特徴とする、半田ボール付き半導体チップの製造装置。
2. 半田ボール付き半導体チップを作製する方法であって、
   シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなるとともに、分割がなされることによってそれぞれが別個の半導体チップとなる単位領域が形成されるように複数の分割予定位置が定められてなる貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブ手段によってスクライブラインが形成され、
   前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から溝部が形成されてなる前記貼り合わせ基板における前記シリコン基板の前記一主面側の上面に対し前記単位領域ごとに半田ボールを形成する、半田ボール形成工程と、
   前記半田ボールが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクすることによって複数の半田ボール付き半導体チップを得るブレイク工程と、
   を備えることを特徴とする、半田ボール付き半導体チップの作製方法。

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