TWI743244B - 中介載板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種中介載板的製造方法，能夠提高使用了玻璃基板之中介載板的耐熱性。 一種從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於玻璃基板的第1面或和第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，包含：切削溝形成工程，沿著分割預定線對層積體的露出之面令切削刀切入，而在層積體形成不到達玻璃基板之深度的切削溝；及改質層形成工程，將對於玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著切削溝定位於玻璃基板的內部而形成改質層；及分割工程，對玻璃基板賦予外力，沿著改質層將玻璃基板分割，製造複數個中介載板。
Description
[0001] 本發明有關使用了玻璃基板之中介載板(interposer)的製造方法。
[0002] 為了實現半導體裝置的更加小型化、高度積體化，將半導體晶片於厚度方向重疊而以貫通電極(TSV：Through Silicon Via)連接之3D組裝技術趨向實用化。然而，此3D組裝技術中，是將複數個半導體晶片於厚度方向重疊，故散熱性容易降低，也無法使用尺寸相異的半導體晶片。再者，隨著形成將半導體晶片予以貫通之貫通電極，還會有製造成本容易變高這一問題。 [0003] 近年來，亦有人提出透過使用矽晶圓而形成之中介載板(中繼用基板)來組裝複數個半導體晶片之組裝技術(例如參照專利文獻1)。此組裝技術，亦被稱為2.5D組裝技術等，例如具有記憶體功能之半導體晶片、和具有演算功能之半導體晶片以不重疊之方式連接至中介載板。2.5D組裝技術中，至少一部分的半導體晶片於厚度方向不重疊，故變得容易消弭上述的3D組裝技術的各問題。 [0004] 另一方面，在使用了矽晶圓之中介載板，有著高頻區域下的損失大，價格亦高這一問題。鑑此，有人提出將有利於高頻區域下的損失減低且低價格之玻璃基板用於中介載板之技術(例如參照專利文獻2)。此中介載板，例如是在玻璃基板的至少一方的主面形成包含絕緣層與配線層之層積體，再沿著預先設定好的分割預定線將玻璃基板分割，藉此獲得。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0005] [專利文獻1]日本特表2003-503855號公報 [專利文獻2]日本特開2015-198212號公報
[發明所欲解決之問題] [0006] 玻璃基板的分割，通常是以令旋轉的切削刀沿著分割預定線切入之方法來進行。不過，以此方法製造的中介載板，在耐熱性這一點有著問題。具體而言，例如若對此中介載板進行溫度循環試驗(TCT：Temperature Cycling Test)，則會在玻璃基板發生裂痕、或層積體從玻璃基板剝離，導致不良率變高。 [0007] 本發明係有鑑於該問題點而研發，其目的在於提供一種中介載板的製造方法，能夠提高使用了玻璃基板之中介載板的耐熱性。 [解決問題之技術手段] [0008] 按照本發明之一態樣，提供一種中介載板的製造方法，係從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於該玻璃基板的第1面或和該第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，包含：切削溝形成工程，沿著該分割預定線對該層積體的露出之面令切削刀切入，而在該層積體形成不到達該玻璃基板之深度的切削溝；及改質層形成工程，將對於該玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著該切削溝定位於該玻璃基板的內部而形成改質層；及分割工程，對該玻璃基板賦予外力，沿著該改質層將該玻璃基板分割，製造複數個中介載板。 [0009] 此外，按照本發明之另一態樣，提供一種中介載板的製造方法，係從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於該玻璃基板的第1面或和該第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，包含：切削溝形成工程，沿著該分割預定線對該層積體的露出之面令切削刀切入，而在該層積體形成不到達該玻璃基板之深度的切削溝；及潛盾隧道形成工程，將對於該玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著該切削溝定位於該玻璃基板的內部，而形成具有朝該玻璃基板的厚度方向延伸之細孔及圍繞該細孔之非晶質區域的潛盾隧道；及分割工程，對該玻璃基板賦予外力，沿著該潛盾隧道將該玻璃基板分割，製造複數個中介載板。 [0010] 此外，按照本發明之另一態樣，提供一種中介載板的製造方法，係從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於該玻璃基板的第1面或和該第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，包含：雷射加工溝形成工程，沿著該分割預定線對該層積體的露出之面照射對於該層積體而言具有吸收性的波長之雷射射束，而在該層積體形成不到達該玻璃基板之深度的雷射加工溝；及改質層形成工程，將對於該玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著該雷射加工溝定位於該玻璃基板的內部而形成改質層；及分割工程，對該玻璃基板賦予外力，沿著該改質層將該玻璃基板分割，製造複數個中介載板。 [0011] 此外，按照本發明之另一態樣，提供一種中介載板的製造方法，係從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於該玻璃基板的第1面或和該第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，包含：雷射加工溝形成工程，沿著該分割預定線對該層積體的露出之面照射對於該層積體而言具有吸收性的波長之雷射射束，而在該層積體形成不到達該玻璃基板之深度的雷射加工溝；及潛盾隧道形成工程，將對於該玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著該雷射加工溝定位於該玻璃基板的內部，而形成具有朝該玻璃基板的厚度方向延伸之細孔及圍繞該細孔之非晶質區域的潛盾隧道；及分割工程，對該玻璃基板賦予外力，沿著該潛盾隧道將該玻璃基板分割，製造複數個中介載板。 [發明之功效] [0012] 按照本發明之中介載板的製造方法，是沿著分割預定線在層積體形成不到達玻璃基板之深度的溝(切削溝或雷射加工溝)，其後將對於玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著此溝定位於玻璃基板的內部而形成作為分割的起點之結構(改質層或潛盾隧道)，故在將玻璃基板分割而製造之中介載板的端部，會留下薄的層積體。 [0013] 端部的層積體較厚之習知的中介載板若受到加熱，則由玻璃基板與層積體之熱膨脹係數的差異所引發之很大的力會作用於端部，層積體容易從玻璃基板剝離。相對於此，以本發明製造的中介載板中，端部的層積體顯得薄，故相較於以習知的方法製造的中介載板而言，足以將層積體剝離之很大的力難以作用於端部。 [0014] 也就是說，以本發明製造的中介載板即使受到加熱，層積體仍難以從玻璃基板剝離。像這樣，按照本發明之中介載板的製造方法，能夠提高使用了玻璃基板之中介載板的耐熱性。
[0016] 參照所附圖面，說明本發明一態樣之實施形態。本實施形態之中介載板的製造方法，係用來從具備玻璃基板與層積體之材料基板製造出複數個中介載板的方法，包含切削溝形成工程(參照圖2(A)及圖2(B))、改質層形成工程(參照圖3(A))、及分割工程(參照圖3(B))。 [0017] 切削溝形成工程中，沿著在玻璃基板設定好的分割預定線對層積體的露出之面令切削刀切入，而在層積體形成不到達玻璃基板之深度的切削溝。改質層形成工程中，將對於玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著切削溝定位於玻璃基板的內部，而形成作為分割的起點之改質層。 [0018] 分割工程中，對玻璃基板賦予外力，藉此沿著改質層將玻璃基板分割，製造複數個中介載板。以下，詳述本實施形態之中介載板的製造方法。 [0019] 圖1(A)為本實施形態中使用之材料基板1的構成例模型示意立體圖，圖1(B)為將材料基板1的一部分(區域A)擴大之截面圖。本實施形態之材料基板1，例如是使用由鈉鈣(soda-lime)玻璃、無鹼玻璃、石英玻璃等玻璃所成之圓盤狀的玻璃基板11來構成，藉由設定成格子狀之複數個分割預定線(切割道(street))13而被區隔成複數個區域。 [0020] 在玻璃基板11的第1面(表面)11a及和第1面11a相反側的第2面(背面)11b，各自設有由複數個層(膜)被層積而成之層積體15。此層積體15，例如包含由金屬等導體所成之配線層17、及由樹脂等絕緣體所成之絕緣層19，鄰接的配線層17之間藉由絕緣層19而被絕緣。 [0021] 此外，在玻璃基板11，形成有從第1面11a朝向第2面11b貫通之貫通孔11c。在貫通孔11c，埋入有由金屬等導體所成之電極21。第1面11a側的配線層17和第2面11b側的配線層17，透過此電極21而連接。 [0022] 另，本實施形態中，示例了在玻璃基板11的第1面11a及第2面11b雙方具有層積體15之材料基板1，但層積體15亦可僅設於第1面11a及第2面11b的一方。在該情形下，亦能省略貫通孔11c或電極21等。此外，層積體15(配線層17、絕緣層19)、貫通孔11c、電極21等的構成、形成方法等亦無特別的限制。 [0023] 將像這樣構成的材料基板1沿著分割預定線13分割，藉此便能製造複數個中介載板3(參照圖3(B))。本實施形態之中介載板的製造方法中，首先，進行切削溝形成工程，即，沿著分割預定線13對層積體15的露出之面令切削刀切入，而在層積體形成不到達玻璃基板11之深度的切削溝。 [0024] 圖2(A)及圖2(B)為用來針對切削溝形成工程說明之一部分截面側面圖。此切削溝形成工程中，例如使用將鑽石等研磨粒以樹脂或金屬等結合材予以固定而形成為規定的寬幅(水平方向的長度、厚度)之環狀的切削刀2。 [0025] 構成切削刀2之研磨粒或樹脂的材質，是配合層積體15的材質等而適當地設定。切削刀2中含有之研磨粒的粒徑沒有特別的限制，惟例如訂為20μm～40μm程度、較佳為25μm～35μm程度(代表性者為30μm程度)。切削刀2的寬幅亦沒有特別的限制，惟例如訂為150μm～500μm、較佳為200μm～300μm程度。 [0026] 此切削刀2，裝配於相對於水平方向而言大致平行之作為旋轉軸的心軸(spindle)(未圖示)的一端側。在心軸的另一端側，連結有馬達等旋轉驅動源(未圖示)，裝配於心軸的切割刀2藉由從此旋轉驅動源傳達的力而旋轉。 [0027] 切削溝形成工程中，首先，以玻璃基板11的第1面11a側面向上方之方式來保持材料基板1。材料基板1的保持，例如能夠使用夾盤平台(chuck table)(未圖示)等來進行。接著，調整材料基板1與切削刀2之相對位置，將切削刀2對齊任意的分割預定線13的延長線上。 [0028] 此外，將切削刀2的下端對齊比第1面11a側的層積體15的露出之面15a還低，而比玻璃基板11的第1面11a還高之位置。其後，令切削刀2旋轉，沿著相對於對象的分割預定線13而言平行之方向使材料基板1和切削刀2相對地移動。 [0029] 如此一來，如圖2(A)所示，便能沿著對象的分割預定線13對第1面11a側的層積體15的露出之面15a令切削刀2切入，而在第1面11a側的層積體15形成不到達玻璃基板11之深度的切削溝15b。 [0030] 另，切削刀2的下端的位置，係被調整成使得從切削溝15b的底部至玻璃基板11的第1面11a之距離例如成為1μm～30μm程度、較佳為2μm～20μm程度。也就是說，沿著分割預定線13，例如留下1μm～30μm程度、較佳為2μm～20μm程度之厚度的層積體15。如此一來，便會適當地減緩由熱所引發而在中介載板3的端部產生之力，能夠防止層積體15的剝離。 [0031] 沿著對象的分割預定線13對第1面11a側的層積體15形成了切削溝15b後，反覆上述的動作，沿著所有的分割預定線13在第1面11a側的層積體15形成切削溝15b。其後，令材料基板1的上下反轉，如圖2(B)所示，以同樣的手續在第2面11b側的層積體15形成切削溝15b。若沿著所有的分割預定線13在第2面11b側的層積體15形成切削溝15b，則切削溝形成工程結束。 [0032] 另，本實施形態中，是在第1面11a側的層積體15形成了切削溝15b後，再在第2面11b側的層積體15形成切削溝15b，但亦可在第2面11b側的層積體15形成了切削溝15b後，再在第1面11a側的層積體15形成切削溝15b。 [0033] 於切削溝形成工程後，進行改質層形成工程，即，將對於玻璃基板11具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著切削溝15b定位於玻璃基板11的內部，而在玻璃基板11的內部形成作為分割的起點之改質層。圖3(A)為用來針對改質層形成工程說明之一部分截面側面圖。 [0034] 此改質層形成工程中，例如使用用來照射適合形成改質層的雷射射束L1之雷射照射單元4。雷射照射單元4，具備聚光用的透鏡(未圖示)，將藉由雷射振盪器(未圖示)脈波振盪出的雷射射束L1照射、聚光至規定的位置。雷射振盪器，係構成為能夠脈波振盪出對於玻璃基板11具有穿透性的波長(難被吸收的波長)之雷射射束L。 [0035] 改質層形成工程中，首先，以玻璃基板11的第1面11a側面向上方之方式來保持材料基板1。材料基板1的保持，例如能夠使用夾盤平台(chuck table)(未圖示)等來進行。接著，調整材料基板1與雷射照射單元4之相對位置，將雷射照射單元4對齊任意的切削溝15b(分割預定線13)的延長線上。此外，將雷射射束L1被聚光之聚光點的位置(高度)，對齊玻璃基板11的內部。 [0036] 然後，一面從雷射照射單元4令雷射射束L1照射，一面沿著相對於對象的切削溝15b(分割預定線13)而言平行之方向使材料基板1與雷射照射單元4相對地移動。如此一來，如圖3(A)所示，便能沿著對象的切削溝15b(分割預定線13)照射雷射射束L1，將玻璃基板11的內部以多光子吸收予以改質而形成作為分割的起點之改質層23。 [0037] 雷射射束L1的聚光點的位置(高度)、雷射射束L1的點徑、雷射射束L1的輸出等條件，是在能夠將玻璃基板11的內部以多光子吸收予以適當地改質而形成改質層23之範圍內受到調整。反覆上述這樣的動作，若沿著所有的切削溝15b(分割預定線13)形成分割所必要之改質層23，則改質層形成工程結束。 [0038] 另，本實施形態中，如圖3(A)所示，是對於各切削溝15b(分割預定線13)，形成於玻璃基板11的厚度方向重疊之3個改質層23，但對於各切削溝15b(分割預定線13)形成之改質層23的數量並無限制。例如，對於各切削溝15b(分割預定線13)，亦可形成1個改質層23，亦可形成於玻璃基板11的厚度方向重疊之2個或4個以上的改質層23。 [0039] 此外，本實施形態中，是從第1面11a側對玻璃基板11照射雷射射束L1，但亦可以第2面11b側面向上方之方式來保持材料基板1，而從第2面11b側對玻璃基板11照射雷射射束L1。 [0040] 於改質層形成工程後，進行分割工程，即，將玻璃基板11沿著改質層23分割，製造複數個中介載板3。此分割工程，例如是以將貼附於材料基板1的擴張膠帶(expand tape)予以擴張之方法來進行。藉由在材料基板1貼附擴張膠帶而予以擴張，能夠將擴張膠帶擴張之方向的力(外力)賦予至玻璃基板11。其結果，玻璃基板11，會沿著作為分割的起點之改質層23被分割。 [0041] 若將玻璃基板11沿著改質層23分割，完成複數個中介載板3，則分割工程結束。另，本實施形態中，是以將貼附於材料基板1的擴張膠帶予以擴張之方法來分割玻璃基板11，但亦可以其他方法來分割玻璃基板11。例如亦能以輥子或棒狀的推壓構件施加力(外力)來分割玻璃基板11。 [0042] 圖3(B)為經分割工程而製造的中介載板3的構成例模型示意立體圖。如圖3(B)所示，以本實施形態製造的中介載板3的端部中，相較於其他區域而言層積體15顯得薄。如此一來，會將由於玻璃基板11與層積體15之熱膨脹係數的差異而在端部產生之力(例如內部應力)抑制得較小，能夠防止層積體15的剝離。 [0043] 如以上般，按照本實施形態之中介載板的製造方法，是沿著分割預定線(切割道)13在層積體15形成不到達玻璃基板11之深度的切削溝15b，其後將對於玻璃基板11具有穿透性的波長的雷射射束L1之聚光點沿著此切削溝15b定位於玻璃基板11的內部而形成作為分割的起點之改質層23，故在將玻璃基板11分割而製造之中介載板3的端部，會留下薄的層積體15。 [0044] 端部的層積體較厚之習知的中介載板若受到加熱，則由玻璃基板與層積體之熱膨脹係數的差異所引發之很大的力會作用於端部，層積體容易從玻璃基板剝離。相對於此，以本實施形態製造的中介載板3中，端部的層積體15顯得薄，故相較於以習知的方法製造的中介載板而言，足以將層積體15剝離之很大的力難以作用於端部。 [0045] 也就是說，以本實施形態製造的中介載板3即使受到加熱，層積體15仍難以從玻璃基板11剝離。像這樣，按照本實施形態之中介載板3的製造方法，能夠提高使用了玻璃基板11之中介載板3的耐熱性。 [0046] 為了確認此耐熱性，進行了將低溫處理( -55℃15分)與高溫處理(125℃15分)各自重複500次之溫度循環試驗(TCT：Temperature Cycling Test)，結果本實施形態之中介載板6中，在30個樣本全部未觀察到層積體15的剝離。另一方面，端部的層積體較厚之習知的中介載板中，在30個樣本全部都觀察到層積體的剝離。 [0047] 另，本發明並不受限於上述實施形態之記載，可做各種變更而實施。例如，亦可進行潛盾隧道(shield tunnel)形成工程，即，形成具有朝玻璃基板11的厚度方向延伸之細孔、及圍繞此細孔之非晶質區域的潛盾隧道，來取代形成改質層23之改質層形成工程。 [0048] 圖4(A)及圖4(B)為用來針對第1變形例之中介載板的製造方法說明之一部分截面側面圖。第1變形例之中介載板的製造方法，包含切削溝形成工程(參照圖4(A))、潛盾隧道形成工程(參照圖4(B))、及分割工程。 [0049] 切削溝形成工程，是以和上述實施形態之切削溝形成工程同樣的裝置、手續來進行。具體而言，如圖4(A)所示，是沿著對象的分割預定線13對層積體15的露出之面15a令切削刀2切入，而在層積體15形成不到達玻璃基板11之深度的切削溝15b。若沿著所有的分割預定線13在第1面11a側的層積體15與第2面11b側的層積體15形成切削溝15b，則切削溝形成工程結束。 [0050] 於切削溝形成工程後，進行在玻璃基板11形成潛盾隧道之潛盾隧道形成工程。潛盾隧道形成工程中使用的裝置、或潛盾隧道形成工程的基本的手續等，和上述實施形態之改質層形成工程同樣。惟，此潛盾隧道形成工程中，作為雷射照射單元4的聚光用的透鏡，是使用將數值孔徑(NA)除以玻璃基板11的折射率而得之值成為0.05～0.8者。 [0051] 如此一來，便能沿著對象的切削溝15b(分割預定線13)照射雷射射束L2，形成由朝玻璃基板11的厚度方向延伸之細孔25a、及圍繞細孔25a之非晶質區域25b所構成的潛盾隧道25。雷射射束L2的聚光點的位置(高度)、雷射射束L2的點徑、雷射射束L2的輸出等條件，是在能夠將玻璃基板11的內部以多光子吸收予以適當地改質而形成潛盾隧道25之範圍內受到調整。 [0052] 若沿著所有的切削溝15b(分割預定線13)形成分割所必要之潛盾隧道25，則潛盾隧道形成工程結束。另，此處是從第1面11a側對玻璃基板11照射雷射射束L2，但亦可以第2面11b側面向上方之方式來保持材料基板1，而從第2面11b側對玻璃基板11照射雷射射束L2。於潛盾隧道形成工程後，進行分割工程。分割工程，是以和上述實施形態之分割工程同樣的裝置、手續來進行。 [0053] 此外，例如，亦可進行藉由雷射射束來形成雷射加工溝之雷射加工溝形成工程，來取代形成切削溝15b之切削溝形成工程。圖5(A)及圖5(B)為用來針對第2變形例之中介載板的製造方法說明之一部分截面側面圖。第2變形例之中介載板的製造方法，包含雷射加工溝形成工程(參照圖5(A))、改質層形成工程(參照圖5(B))、及分割工程。 [0054] 雷射加工溝形成工程中，例如使用用來照射雷射射束L3之雷射照射單元6。雷射照射單元6，具備聚光用的透鏡(未圖示)，將藉由雷射振盪器(未圖示)脈波振盪出的雷射射束L3照射、聚光至規定的位置。雷射振盪器，係構成為能夠脈波振盪出對於層積體15(特別是絕緣層19)而言具有吸收性的波長(易被吸收的波長)之雷射射束L3。 [0055] 雷射加工溝形成工程中，首先，以玻璃基板11的第1面11a側面向上方之方式來保持材料基板1。材料基板1的保持，例如能夠使用夾盤平台(chuck table)(未圖示)等來進行。接著，調整材料基板1與雷射照射單元6之相對位置，將雷射照射單元6對齊任意的分割預定線13的延長線上。 [0056] 然後，一面從雷射照射單元6令雷射射束L照射，一面沿著相對於對象的分割預定線13而言平行之方向使材料基板1與雷射照射單元6相對地移動。如此一來，如圖5(A)所示，便會沿著對象的分割預定線13對第1面11a側的層積體15的露出之面15a照射雷射射束L3，能夠將此第1面11a側的層積體15做燒蝕加工而形成雷射加工溝15c。 [0057] 另，令雷射射束L3聚光之聚光點的位置、雷射射束L3的點徑、雷射射束L3的輸出等條件，是於能夠在第1面11a側的層積體15形成不到達玻璃基板11之深度的雷射加工溝15c之範圍內受到調整。具體而言，是以沿著分割預定線13，例如留下1μm～30μm程度、較佳為2μm～20μm程度之厚度的層積體15之條件來照射雷射射束L3。如此一來，便能防止由熱所引發之層積體15的剝離。 [0058] 沿著對象的分割預定線13對第1面11a側的層積體15形成了雷射加工溝15c後，反覆上述的動作，沿著所有的分割預定線13在第1面11a側的層積體15形成雷射加工溝15c。其後，令材料基板1的上下反轉，以同樣的手續在第2面11b側的層積體15形成雷射加工溝15c。若沿著所有的分割預定線13在第2面11b側的層積體15形成雷射加工溝15c，則雷射加工溝形成工程結束。 [0059] 另，此處，是在第1面11a側的層積體15形成了雷射加工溝15c後，再在第2面11b側的層積體15形成雷射加工溝15c，但亦可在第2面11b側的層積體15形成了雷射加工溝15c後，再在第1面11a側的層積體15形成雷射加工溝15c。 [0060] 於雷射加工溝形成工程後，進行改質層形成工程，即，在玻璃基板11的內部形成作為分割的起點之改質層23。改質層形成工程，是以和上述實施形態之改質層形成工程同樣的裝置、手續來進行。此外，於改質層形成工程後，進行分割工程。分割工程，是以和上述實施形態之分割工程同樣的裝置、手續來進行。 [0061] 圖6(A)及圖6(B)為用來針對第3變形例之中介載板的製造方法說明之一部分截面側面圖。第3變形例之中介載板的製造方法，包含雷射加工溝形成工程(參照圖6(A))、潛盾隧道形成工程(參照圖6(B))、及分割工程。 [0062] 雷射加工溝形成工程，是以和上述第2變形例之雷射加工溝形成工程同樣的裝置、手續來進行。於雷射加工溝形成工程後，進行潛盾隧道形成工程，即，在玻璃基板11形成作為分割的起點之潛盾隧道25。潛盾隧道形成工程，是以和上述第1變形例之潛盾隧道形成工程同樣的裝置、手續來進行。此外，於潛盾隧道形成工程後，進行分割工程。分割工程，是以和上述實施形態之分割工程同樣的裝置、手續來進行。 [0063] 其他上述實施形態之構造、方法等，凡是不脫離本發明目的之範圍，均能適當變更而實施。
[0064]1‧‧‧材料基板3‧‧‧中介載板11‧‧‧玻璃基板11a‧‧‧第1面(表面)11b‧‧‧第2面(背面)11c‧‧‧貫通孔13‧‧‧分割預定線(切割道)15‧‧‧層積體15a‧‧‧露出之面15b‧‧‧切削溝15c‧‧‧雷射加工溝17‧‧‧配線層19‧‧‧絕緣層21‧‧‧電極23‧‧‧改質層25‧‧‧潛盾隧道25a‧‧‧細孔25b‧‧‧非晶質區域2‧‧‧切削刀4‧‧‧雷射照射單元6‧‧‧雷射照射單元L1、L2、L3‧‧‧雷射射束
[0015] [圖1]圖1(A)為本實施形態中使用之材料基板的構成例模型示意立體圖，圖1(B)為將材料基板的一部分(區域A)擴大之截面圖。 [圖2]圖2(A)及圖2(B)為用來針對切削溝形成工程說明之一部分截面側面圖。 [圖3]圖3(A)用來針對於切削溝形成工程之後進行的改質層形成工程說明之一部分截面側面圖，圖3(B)為經分割工程而製造的中介載板的構成例模型示意立體圖。 [圖4]圖4(A)及圖4(B)為用來針對第1變形例之中介載板的製造方法說明之一部分截面側面圖。 [圖5]圖5(A)及圖5(B)為用來針對第2變形例之中介載板的製造方法說明之一部分截面側面圖。 [圖6]圖6(A)及圖6(B)為用來針對第3變形例之中介載板的製造方法說明之一部分截面側面圖。
1‧‧‧材料基板
2‧‧‧切削刀
11‧‧‧玻璃基板
11a‧‧‧第1面(表面)
11b‧‧‧第2面(背面)
15‧‧‧層積體
15a‧‧‧露出之面
15b‧‧‧切削溝
19‧‧‧絕緣層
Claims (2)
- 一種中介載板的製造方法，係從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於該玻璃基板的第1面或和該第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，其特徵為，包含：切削溝形成工程，沿著該分割預定線對該層積體的露出之面令切削刀切入，而在該層積體形成不到達該玻璃基板之深度的切削溝；及改質層形成工程，將對於該玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著該切削溝定位於該玻璃基板的內部而形成改質層；及分割工程，對該玻璃基板賦予外力，沿著該改質層將該玻璃基板分割，製造複數個中介載板。
- 一種中介載板的製造方法，係從材料基板製造複數個中介載板之中介載板的製造方法，該材料基板具備藉由被設定成格子狀的複數個分割預定線而被區隔成複數個區域之玻璃基板、及被層積於該玻璃基板的第1面或和該第1面相反側的第2面而包含絕緣層與配線層之層積體，其特徵為，包含：切削溝形成工程，沿著該分割預定線對該層積體的露 出之面令切削刀切入，而在該層積體形成不到達該玻璃基板之深度的切削溝；及潛盾隧道形成工程，將對於該玻璃基板具有穿透性的波長的雷射射束之聚光點沿著該切削溝定位於該玻璃基板的內部，而形成具有朝該玻璃基板的厚度方向延伸之細孔及圍繞該細孔之非晶質區域的潛盾隧道；及分割工程，對該玻璃基板賦予外力，沿著該潛盾隧道將該玻璃基板分割，製造複數個中介載板。
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