JP2007050410A - レーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 改質領域77〜712を形成する際のレーザ光Lの照射条件は、シリコンウェハ11の表面3からの深さが335μm〜525μmの領域でのレーザ光Lの球面収差が補正されるように、改質領域713〜719を形成する際のレーザ光Lの照射条件に対して変化させられる。そのため、改質領域71〜719を切断の起点としてシリコンウェハ11及び機能素子層16を半導体チップに切断しても、深さが335μm〜525μmの領域ではツイストハックルが顕著に現れず、パーティクルが発生し難くなる。
【選択図】 図11
Description
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
Claims (6)
- 厚さt(500μm<t)のシリコンウェハの内部に集光用レンズによりレーザ光を集光させることで、前記シリコンウェハの切断予定ラインに沿って、切断の起点となる複数列の改質領域を前記シリコンウェハの内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記シリコンウェハのレーザ光入射面からの深さが350μm〜500μmの第1の領域に、前記切断予定ラインに沿って第1の改質領域を形成する工程と、
前記レーザ光入射面からの深さが0μm〜250μmの第2の領域に、前記切断予定ラインに沿って第2の改質領域を形成する工程と、を備え、
前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光の照射条件は、前記第1の領域でのレーザ光の球面収差が補正されるように、前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光の照射条件に対して変化させられることを特徴とするレーザ加工方法。 - 厚さt(350μm<t≦500μm)のシリコンウェハの内部に集光用レンズによりレーザ光を集光させることで、前記シリコンウェハの切断予定ラインに沿って、切断の起点となる複数列の改質領域を前記シリコンウェハの内部に形成するレーザ加工方法であって、
前記シリコンウェハのレーザ光入射面からの深さが350μm〜tμmの第1の領域に、前記切断予定ラインに沿って第1の改質領域を形成する工程と、
前記レーザ光入射面からの深さが0μm〜250μmの第2の領域に、前記切断予定ラインに沿って第2の改質領域を形成する工程と、を備え、
前記第1の改質領域を形成する際のレーザ光の照射条件は、前記第1の領域でのレーザ光の球面収差が補正されるように、前記第2の改質領域を形成する際のレーザ光の照射条件に対して変化させられることを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1及び前記第2の改質領域は溶融処理領域であることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域を形成する際に前記集光用レンズに入射するレーザ光の広がり角は、前記第2の改質領域を形成する際に前記集光用レンズに入射するレーザ光の広がり角より大きいことを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域を形成する際の前記集光用レンズの出射NAは、前記第2の改質領域を形成する際の前記集光用レンズの出射NAより大きいことを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の改質領域を形成する際には、前記集光用レンズと前記シリコンウェハとの間に球面収差補正部材を配置させることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
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