KR100371573B1 - 전극 패턴을 피복하는 수지막을 갖는 표면탄성파 장치 - Google Patents

전극 패턴을 피복하는 수지막을 갖는 표면탄성파 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 전단 수평 타입(shear horizontal type) 표면탄성파 장치는, 압전 기판; 상기 압전 기판상에 위치하는 적어도 하나의 인터디지탈 트랜스듀서를 갖는 전극 패턴; 및 상기 전극 패턴의 인출 전극의 부위를 제외하는 상기 압전 기판의 표면의 전체 영역상에 위치하는 수지막;을 포함한다. 수지막은 바람직하게는 스크린 인쇄에 의하여 형성된다. 수지막은 쇼어 경도(shore hardness)가 약 30이하인 수지 및 비중이 약 1.0이하인 절연성 분말의 혼합물을 포함한다.

Description

전극 패턴을 피복하는 수지막을 갖는 표면탄성파 장치{Surface Acoustic Wave Device Having a Resinous Film to Cover an Electrode Pattern}
본 발명은 압전 기판상에 위치하는 전극 패턴을 피복하도록 수지막이 배치된 표면탄성파 장치 및 이 장치를 형성하는 방법에 관한 것이다.
종래의 전단 수평(Shear Horizontal; SH) 타입의 표면탄성파 장치는, 인터디지탈 트랜스듀서의 형성면상에 수지막이 위치한다. 예를 들면, 이러한 장치가 미국 특허 5,260,913호 및 일본국 특허공개 5-152888호에 개시되어 있다. 수지막은 압전 기판상에 위치하는 인터디지탈 트랜스듀서 및 다른 소자의 전극 패턴의 기계적인 보호 및 금속 분말 등에 기인하는 단락을 방지하거나, 또는 벌크파 및 표면탄성파 장치의 단면에서의 불필요한 반사파(표면탄성파)를 방지하기 위한 것이다. 종래에는, 필요로 하는 표면탄성파가 수지막에 의하여 감쇠되는 것을 감소시키기 위하여, 겔형상 수지 또는 쇼어 경도(shore hardness)가 낮은 수지 등의 저점도의 수지 재료가 사용되며, 이 수지 재료를 디스펜서 또는 다른 적절한 장치를 사용하여 포팅함으로써 수지막을 형성하고 있다. 인터디지탈 트랜스듀서의 일부에는 인출 전극이 배치되며, 이 인출 전극에 장치에의 입출력용의 접속 와이어가 본딩된다.
일반적으로, 상술한 표면탄성파 장치는, 복수개의 표면탄성파 장치가 형성된 압전 마더 기판을 다이서 등의 절단기에 의하여 절단하여 제조된다. 절단에 의하여 제조된 각 독립 장치는, 베이스부와 캡부를 포함하는 하우징내에 수납된다. 또는, 각 독립 장치는 리드 단자를 제외하는 주요부를 피복하도록 보호 코팅 수지에 의하여 코팅된다.
그러나, 상술한 종래의 표면탄성파 장치에 있어서는, 수지막은 디스펜서를 사용하여 포팅하여 형성되어 있으므로, 수지막의 형성 비용이 높아진다고 하는 문제가 있었다. 게다가, 종래의 수지 재료는 점도가 낮으므로, 압전 기판상의 소정의 부위에 수지막을 선택적으로 형성하기가 어렵고, 따라서 제조 비용이 높아진다고 하는 문제가 있었다.
즉 인출 전극 부위만을 노출시키도록 압전 기판상에 수지막을 형성하는 것이 곤란하므로, 베이스 기판상에 놓여진 개개의 분리된 압전 기판상에 와이어 본딩한 후에 수지막을 형성해야 하며, 따라서 생산성이 매우 저하된다.
상술한 문제 때문에, 겔형상의 수지와 절연성 분말을 혼합하여 점도를 증가시킨 수지 재료를 사용하여 수지막을 형성하는 것이 제안되어 있다. 그러나 비중이 높은 절연성 분말을 혼합하는 경우에는, 필요로 하는 표면파도 억압되어, 소망의 공진 특성 및 필터 특성을 얻을 수 없다고 하는 문제가 있었다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시 형태는 수지막의 형성 비용 및 표면탄성파 장치의 제조 비용을 매우 저감할 수 있으며, 또한 우수한 특성을 갖는 전단 수평 타입의 표면탄성파 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 표면탄성파 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 표면탄성파 장치의 X-X선을 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 세로 방향 결합 표면탄성파 필터 및 비교예의 주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 표면탄성파 공진자 및 비교예의 공진 특성을 나타낸 그래프이다.
도 5는 절연성 분말의 비중과 절연성 분말이 분산된 수지막을 갖는 표면탄성파 공진자의 임피던스비 간의 관계를 나타낸 도이다.
도 6은 절연성 분말의 비중과 절연성 분말이 분산된 수지막을 갖는 표면탄성파 필터의 삽입 손실 간의 관계를 나타낸 도이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
2: 압전 기판 3, 4: 빗형상 전극
3c, 4c: 인출 전극 5: 인터디지탈 트랜스듀서
11: 수지막
본 발명의 한 바람직한 실시 형태에 따르면, SH타입 표면탄성파 장치는, 압전 기판; 상기 압전 기판상에 위치하는 적어도 하나의 인터디지탈 트랜스듀서를 갖는 전극 패턴; 및 상기 전극 패턴의 인출 전극의 부위를 제외하는 상기 압전 기판의 전체 표면상에 배치되는 스크린 인쇄된 수지막;을 포함하는 것이 바람직하다. 수지막은 바람직하게는 쇼어 경도가 약 30이하인 수지 및 비중(d)이 약 1.0이하인 절연성 분말의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시 형태에 따르면, 표면탄성파 장치의 형성 방법은, 마더 기판을 제공하는 단계, 상기 마더 기판에 복수개의 인터디지탈 트랜스듀서를 형성하는 단계, 전극 패턴의 인출 전극의 부위를 제외하는 상기 마더 기판의 표면상에 수지막을 형성하는 단계 및 상기 마더 기판을 절단하여 복수개의 독립된 표면탄성파 장치를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 수지막을 형성하는 단계는, 상기 마더 기판의 표면상에 상기 수지막을 스크린 인쇄하는 단계를 포함한다.
이와 같은 독특한 구조 및 방법에 따르면, 수지막이 스크린 인쇄에 의하여 형성되므로, 복수개의 표면탄성파 장치를 위한 수지막이 동시에 형성된다. 따라서, 수지막의 형성 비용이 감소하며, 또한 제조 공정이 매우 간소화되며, 따라서 표면탄성파 장치의 제조 비용이 감소한다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에서는, 수지막이 비중이 약 1.0이하이며 수지와 혼합되는 절연성 분말을 포함하는 경우, 수지막에 기인하는 장치의 성능 및 특성의 열화를 피할 수 있다. 게다가, 이러한 수지막에 의하여 불필요한 표면파가 억제되며, 따라서 우수한 특성을 갖는 표면탄성파 장치가 얻어진다.
본 발명을 도시하기 위하여, 도면에 있어서 바람직한 몇가지 형태를 나타내었으나, 본 발명은 도시된 구체적인 배치 및 수단에 의하여 한정되지 않는다는 것을 알 것이다.
(바람직한 실시 형태의 상세한 설명)
본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 SH타입의 표면탄성파 장치는, 압전 기판; 및 상기 압전 기판상에 형성되는 적어도 하나의 인터디지탈 트랜스듀서를 갖는 전극 패턴;을 포함하는 것이 바람직하다. 표면탄성파 장치에 있어서, 수지막은 전극 패턴의 인출 전극의 부위를 제외하는 상기 압전 기판상에 스크린 인쇄에 의하여 형성되는 것이 바람직하다. 수지막은 쇼어 경도가 약 30이하인 수지 또는 겔 형상의 수지와 비중(d)이 약 1.0이하인 절연성 분말의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 따르면, 점도가 낮은 수지에 바람직하게는 절연성 분말을 혼합함으로써 스크린 인쇄에 사용할 수 있도록 점도를 높이고, 이 수지 재료를 스크린 인쇄함으로써 압전 기판상에 수지막을 형성한다. 게다가, 혼합하는 절연성 분말은, 수지막에 의하여 특성 열화가 생기지 않도록, 비중이 약 1.0이하인 것이 바람직하다. 사용되는 수지 재료는 주 성분으로서 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에스테르계 수지 또는 폴리이미드계 수지가 사용될 수 있으며, 쇼어 경도가 약 30이하인 것이 바람직하다. 절연성 분말로서는, 비중이 약 1.0이하인, 실리카, 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 카본 블랙, 실리카 아에로겔 또는 다른 적절한 재료가 사용된다.
상술한 구성에 따르면, 스크린 인쇄에 의하여 수지막을 형성하고 있으므로, 종래의 포팅에 의해 수지막을 형성하는 방법에 비하여, 수지막의 형성 비용이 현저하게 저감된다. 또한, 수지막은 전극 패턴의 인출 전극 부위를 제외하고 기판상에 형성될 수 있다. 또한, 절단전에 마더 기판상의 복수개의 표면탄성파를 피복하도록 스크린 인쇄에 의하여 하나의 단일 수지막이 형성되며, 이에 따라서 각각의 독립된 표면탄성파 장치에 대하여 개별적인 수지막을 형성할 필요가 없어진다. 따라서, 수지막의 형성 비용을 매우 저감함과 아울러, 표면탄성파 장치의 제조 공정을 매우 간략화하여, 표면탄성파 장치의 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 바람직하게는 비중이 약 1.0이하인 절연성 분말을 수지 재료와 혼합하고 있으므로, 절연성 분말의 특성이 수지막에 의하여 열화되지 않는다. 절연성 분말의 비중이 작아짐에 따라서 표면탄성파의 억압 작용이 감소하므로, 비중이 적은 절연성 분말의 체적비는 비중이 큰 절연성 분말의 체적비보다 크고, 스크린 인쇄를 행하기에 적합한 점도를 더욱 용이하게 얻을 수가 있다.
또한, 수지막에 의하여 벌크파 및 장치의 단면에서의 불필요한 반사판(표면탄성파)가 억제되어, 스퓨리어스 레벨 및 리플이 저감되며, 따라서 표면탄성파 장치의 특성이 매우 향상된다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 SH 타입의 표면파는, BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimuzu)파 및 러브파와 같이, 변위가 표면파 전파 방향과 실질적으로 수직이고, 또한 표면탄성파의 주 성분이 기판의 표면과 실질적으로 평행한 표면탄성파이다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 표면탄성파 장치는, 표면탄성파 공진자, 표면탄성파 필터 등의 표면탄성파를 이용한 일반적인 장치를 포함한다. 장치의 종류 및 용도에 따라서, 1개 이상의 임의의 수의 인터디지탈 트랜스듀서가압전 기판상에 형성될 수 있다.
겔 형상이란, 쇼어 경도 측정법에 의하여 측정할 수 없을 정도의 점도가 낮은 재료이며, 더욱 구체적으로는, JIS(Japanese Industrial Standard) K 2220의 침입도(針入度) 측정법에 의거하여 측정된 침입도가 대략 100∼20인 재료이다. 쇼어 경도는 ASTM(American Society for Testing and Materials) D676에 따라서 측정된 경도, 또는 그와 유사한 방법에 의하여 측정된 경도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 도 1은 표면탄성파 장치의 사시도, 도 2는 도 1에 나타낸 표면탄성파 장치의 X-X선을 따른 단면도이다.
본 바람직한 실시 형태의 표면탄성파 장치는 압전 기판(2)을 포함하는 단면 반사형 표면탄성파 공진자이며, 이 압전 기판(2)은 실질적으로 장방형의 형상을 가지는 것이 바람직하며, 다른 적절한 형상도 가능하다. 압전 기판(2)은 티탄산 지르콘산납계 압전 세라믹, LiNbO3단결정 및 LiTaO3단결정 등의 압전 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
압전 기판(2)의 한쪽 주면상에는 한쌍의 빗형상 전극(3, 4)을 포함하는 인터디지탈 트랜스듀서(5)(이하, IDT라 함)가 위치하며, IDT(5)의 인출 전극(3c, 4c)이 위치하는 부위를 제외하고, IDT(5)가 위치하는 전 표면상에는 수지막(11)이 배치된다.
빗형상 전극(3)은 복수개의 전극지(3a)를 가지며, 빗형상 전극(4)은 복수개의 전극지(4a)를 갖는다. 개개의 빗형상 전극의 버스바(3b, 4b)의 위치에는 각각 인출 전극(3c, 4c)이 위치한다. 본 바람직한 실시 형태에서는, 인출 전극(3c, 4c)은 각각 버스바(3b, 4b)로부터 연장되는 부위에 형성된다. 그러나, 인출 전극의 형상 및 위치는 도면에 도시된 것 및 상술한 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 소망의 폭을 갖는 버스바의 일부를 인출 전극으로 구성해도 된다.
쇼어 경도가 약 30이하 또는 겔 형상의 실리콘계 수지(실리콘 고무)와 비중이 약 0.03인 실리카 분말의 혼합물을 바람직하게 포함하는 수지 재료를, 압전 기판(2)의 인출 전극(3c, 4c)이 위치하는 부위를 제외하는 전체 주면에 스크린 인쇄에 의하여 코팅하여, 수지막(11)을 형성한다. 이 수지막(11)은 제조 과정에서 사용되는 금속 분말의 부착에 의하여 IDT(5) 등의 전극 패턴이 손상되거나 오염되는 것을 방지하기 위하여 형성된다. 게다가, 수지막(11)은 벌크파 및 표면탄성파 장치의 단면에서의 불필요한 반사파를 억제하기 위하여 배치된다.
도면에 도시하지 않았으나, 이 표면탄성파 장치는 패키지를 구성하는 베이스 부재상에 탑재되며, 인출 전극(3c, 4c)은 바람직하게는 본딩 와이어에 의하여 베이스 부재의 단자 전극에 접속되며, 베이스 부재 및 캡 부재는 용접 또는 솔더링에 의하여 접합되어 밀봉된다. 캡 부재를 사용하는 대신에, 베이스 부재에 보호 수지가 코팅된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 세로 방향 결합(longitudinally coupled) 표면탄성파 필터의 주파수 특성을 나타낸 그래프이며, 이 세로 방향 결합 표면탄성파 필터의 IDT에 위치하는 수지막에서는 비중(d)이약 0.03인 절연성 분말이 사용된다. 또한 도 3은 세로 방향 표면탄성파 필터를 사용하여 측정된 비교예의 주파수 특성을 나타내며, 수지막에 있어서 비중(d)이 약 1.2인 절연성 분말이 사용된다. 도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 비중이 약 0.03인 절연성 분말을 사용하는 경우, 통과대역에서의 삽입 손실이 매우 향상된다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 표면탄성파 공진자의 공진 특성 및 비교예에 따른 표면탄성파 공진자의 공진 특성을 나타낸 그래프이다. 본 발명의 바람직한 실시 형태에서는, 수지막에 비중(d)이 약 1.0 및 약 0.03인 절연성 분말이 각각 사용되며, 비교예에서는 비중(d)이 약 1.5인 절연성 분말이 사용된다. 도시된 것으로부터, 수지막에 사용되는 절연성 분말의 비중이 작아질 수록, 임피던스 비(Za/Zr)가 커진다는 것을 알 수 있다.
도 5 및 도 6은 각각 절연성 분말의 비중과 임피던스비 간의 관계 및 절연성 분말의 비중과 삽입 손실 간의 관계를 나타낸 도이다. 이들 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 절연성 분말의 비중이 약 1.0이하이면, 임피던스 비 및 삽입 손실이 실질적으로 열화되지 않는다. 우수한 공진 특성 또는 필터 특성을 얻기 위하여, 절연성 분말의 비중이 약 0.5이하인 것이 바람직하다. 예를 들면, 비중이 약 0.5인 절연성 분말에 관해서는, 예를 들면 비중이 약 0.03 내지 약 0.1인 실리카 아에로겔 분말 및 비중이 약 0.03 내지 약 0.5인 카본 블랙 분말이 상업적으로 이용가능하다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 표면탄성파 장치의 제조 방법에 대하여 설명하겠다.
먼저, 큰 압전 마더 기판의 한쪽 주면상에, 표면탄성파 장치인 도 1에 나타낸 복수개의 IDT를 배열하여 형성한다. IDT의 형성은 증착, 스퍼터링 또는 도금 등의 박막 형성법에 의하여 Al 또는 Au 등의 바람직하게는 도전성 전극 재료로 이루어지는 전극막을 형성한 후에, 전극막을 노광, 에칭함으로써 행해진다, 또 다른 IDT(5)의 형성 방법은, 마스크를 사용하여 증착 또는 스퍼터링에 의하여 전극 패턴을 형성하는 것이다.
다음으로, 전극 패턴이 형성된 압전 마더 기판의 거의 전 표면에, 절연성의 수지 재료를 #200 메시 또는 다른 적절한 메시 사이즈의 스크린 패턴을 사용하여 인쇄하는 것이 바람직하다. 이 인쇄된 수지 재료 및 기판을 베이킹하여 수지막(11)을 형성한다. 이 수지 재료(수지막(11))는, 쇼어 경도가 약 30이하 또는 겔 형상의 수지 및 비중이 약 1.0이하인 절연성 분말의 혼합물을 충분히 교반함으로써 제조된다. 예를 들면, 겔형상의 실리콘 고무에 비중이 약 0.05이고 입자 직경이 대략 0.1㎛∼약 5㎛인 실리카 분말을 혼합한 것이 사용된다. 이 경우에 사용되는 스크린 패턴은 개개의 전극 패턴의 인출 전극(3c, 4c)의 부위에 대응하는 부분이 마스크에 의하여 피복되어 있으며, 수지막(11)은 개개의 전극 패턴의 인출 전극(3c, 4c)의 부위를 제외하고 마더 기판상에 형성된다. 스크린 인쇄를 행하기에 적합하도록 설정되는 절연성 분말의 혼합 비율은 약 30중량%∼약 60중량%이다. 수지 재료의 주 성분으로서는, 실리콘계 수지뿐만 아니라, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 및 폴리에스테르계 수지가 사용될 수 있으며, 절연성 분말로서는, 실리카뿐만 아니라, 비중이 약 1.0이하인 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 또는 다른 적절한 재료를 사용할수 있다.
다음으로, 압전 마더 기판을 다이서 등의 절단기에 의하여 절단하여, 도 1 및 도 2에 나타낸 표면탄성파 장치가 얻어진다. 그 후, 베이스 부재상 또는 실장 기판상에 표면탄성파 장치를 배치하여, 인출 전극(3c, 4c)에 와이어를 본딩하여 입출력용의 접속이 행해진다.
상술한 바와 같이, 본 바람직한 실시 형태의 표면탄성파 장치에 있어서는, 점도가 낮은 수지 재료에 절연성 분말을 혼합하여 수지 재료의 점도를 높이고, 스크린 인쇄에 의하여 수지막을 형성한다. 즉, 절단전에 마더 기판상에 형성된 복수개의 표면탄성파 장치를 피복하는 수지막을 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 수지막의 형성 비용이 현저히 감소한다. 게다가, 와이어 본딩을 행하기 전에 수지막을 형성하고 있으므로, 와이어 본딩 등의 작업을 용이하게 행할 수 있으며, 따라서 제조 비용을 감소할 수 있다.
또한, 혼합하는 절연성 분말은 비중이 약 1.0이하인 것이 바람직하므로, 수지 재료의 적정한 점도를 용이하게 얻을 수 있음과 아울러, 수지막에 기인하는 절연성 분말 특성의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 수지막은 압전 기판의 전 표면을 피복하도록 형성되어 있으므로, 벌크파 및 불필요한 반사파(표면파)가 억압되어, 스퓨리어스 레벨 및 리플이 감소한다.
상술한 바람직한 실시 형태에서는, 하나의 IDT를 포함하는 단면 반사형 표면탄성파 공진자를 예로 설명하였으나, 본 발명에 따른 표면탄성파 장치의 구성은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 래더 네트워크로 접속된 복수개의 IDT를 포함하는표면탄성파 장치, 또는 IDT 및 반사기를 포함하는 전극 패턴을 갖는 표면탄성파 장치에 본 발명을 적용할 수가 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시 형태를 개시하였으나, 여기에 개시된 원리를 실행하기 위한 여러가지 모드가 다음의 특허청구범위의 범위내에서 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 청구범위에 의해서만 한정된다는 것을 알 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 표면탄성파 장치에 따르면, 수지막이 스크린 인쇄에 의하여 형성되므로, 복수개의 표면탄성파 장치를 위한 수지막이 동시에 형성된다. 따라서, 수지막의 형성 비용이 감소하며, 또한 제조 공정이 매우 간소화되며, 따라서 표면탄성파 장치의 제조 비용이 감소한다.
또한 본 발명의 표면탄성파 장치에서는, 수지막이 비중이 약 1.0이하이며 수지와 혼합되는 절연성 분말을 포함하는 경우, 수지막에 기인하는 장치의 성능 및 특성의 열화를 피할 수 있다. 게다가, 이러한 수지막에 의하여 불필요한 표면파가 억제되며, 따라서 우수한 특성을 갖는 표면탄성파 장치가 얻어진다.

Claims (20)

  1. 압전 기판;
    상기 압전 기판상에 위치하는 적어도 하나의 인터디지탈 트랜스듀서 및 인출전극을 갖는 전극 패턴; 및
    상기 전극 패턴의 인출전극의 위치를 제외하는 상기 압전 기판상에 배치되는 스크린 인쇄된 수지막을 포함하고,
    상기 수지막은 비중이 1.0 이하인 절연성 분말 및 겔 형상인 수지의 혼합물을 포함하고,
    상기 수지는 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지 및 폴리에스테르계 수지 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전단 수평타입(shear horizotal type) 표면 탄성파 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서, 상기 절연성 분말은 실리카, 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 카본 블랙 및 실리카 아에로겔 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전단 수평 타입 표면탄성파 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 수지막은 비중이 0.05이고 입자 직경이 0.1㎛ 내지 5㎛인 실리카 분말과 겔형상의 실리콘 고무를 혼합한 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 전단 수평 타입 표면탄성파 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 수지막은 비중(d)이 1.0 내지 0.03인 절연성 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 전단 수평 타입 표면 탄성파 장치.
  11. 마더 기판을 제공하는 단계;
    상기 마더 기판상에 적어도 하나의 인터지디털 트랜스듀서를 형성하는 단계;
    전극 패턴의 인출 전극 부위를 제외하는 상기 마더 기판의 표면상에 수지막을 형성하는 단계로서, 상기 수지막을 형성하는 단계는, 상기 마더 기판의 표면상에 상기 수지막을 스크린 인쇄하는 단계를 포함하는 단계; 및
    상기 마더 기판을 절단하여 복수개의 독립된 표면탄성파 장치를 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 수지막은 비중이 1.0 이하인 절연성 분말 및 겔 형상인 수지의 혼합물을 포함하고,
    상기 수지는 실리콘계수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지 및 폴리에스테르계 수지 중의 하나를 포함하는것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치의 형성 방법.
  12. 삭제
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  15. 삭제
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  18. 제 11항에 있어서, 상기 절연성 분말은 실리카, 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 카본 블랙 및 실리카 아에로겔 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치의 형성 방법.
  19. 제 11항에 있어서, 상기 수지막은 비중이 0.05이고 입자 직경이 0.1㎛ 내지 5㎛인 실리카 분말과 겔형상의 실리콘 고무를 혼합한 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치의 형성 방법.
  20. 제 11항에 있어서, 상기 수지막은 비중(d)이 1.0 내지 0.03인 절연성 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면탄성파 장치의 형성 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100856218B1 (ko) * 2006-03-07 2008-09-03 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성 경계파 디바이스
KR101433655B1 (ko) 2013-08-28 2014-08-25 주식회사 네미센스 Pet 압전 섬유 복합재를 이용한 구조물 결함 감지용 플레시블 패치 센서

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4581099B2 (ja) * 2006-01-31 2010-11-17 国立大学法人 千葉大学 弾性表面波装置
US11050011B2 (en) 2017-12-18 2021-06-29 Raytheon Technologies Corporation Sensor assembly for gas turbine engines
CN112383287A (zh) * 2020-11-27 2021-02-19 广东省科学院半导体研究所 声表面波谐振器及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897673A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
JPH08162880A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Toshiba Corp 弾性表面波素子
JPH09199966A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Murata Mfg Co Ltd 端面反射型表面波装置の製造方法
JPH10200371A (ja) * 1996-10-23 1998-07-31 Mitsubishi Materials Corp 弾性表面波装置
KR19990019503A (ko) * 1997-08-29 1999-03-15 구자홍 표면 탄성파 필터의 패키지

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0126909B1 (ko) * 1991-01-11 1998-10-01 무라따 야스따가 표면파 장치
JPH05152888A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置
JPH09214279A (ja) * 1996-02-02 1997-08-15 Murata Mfg Co Ltd 表面波装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897673A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
JPH08162880A (ja) * 1994-12-02 1996-06-21 Toshiba Corp 弾性表面波素子
JPH09199966A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Murata Mfg Co Ltd 端面反射型表面波装置の製造方法
JPH10200371A (ja) * 1996-10-23 1998-07-31 Mitsubishi Materials Corp 弾性表面波装置
KR19990019503A (ko) * 1997-08-29 1999-03-15 구자홍 표면 탄성파 필터의 패키지

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100856218B1 (ko) * 2006-03-07 2008-09-03 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 탄성 경계파 디바이스
US7830067B2 (en) 2006-03-07 2010-11-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Elastic boundary wave device
KR101433655B1 (ko) 2013-08-28 2014-08-25 주식회사 네미센스 Pet 압전 섬유 복합재를 이용한 구조물 결함 감지용 플레시블 패치 센서

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