JPH09199966A - 端面反射型表面波装置の製造方法 - Google Patents
端面反射型表面波装置の製造方法Info
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- JPH09199966A JPH09199966A JP486396A JP486396A JPH09199966A JP H09199966 A JPH09199966 A JP H09199966A JP 486396 A JP486396 A JP 486396A JP 486396 A JP486396 A JP 486396A JP H09199966 A JPH09199966 A JP H09199966A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電基板の切断に際してのチッピングが生じ難
く、よって、所望の共振特性を確実に得ることができる
端面反射型表面波装置の製造方法を提供する。 【解決手段】一対のくし歯電極３、４からなるＩＤＴが
形成された圧電母基板１に感光性樹脂膜１１を形成した
後に、一点鎖線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ及びＤ−Ｄに沿
って、ダイサー等の切断機により圧電母基板１を切断し
て、個々の端面反射型表面波装置が切り出される。
く、よって、所望の共振特性を確実に得ることができる
端面反射型表面波装置の製造方法を提供する。 【解決手段】一対のくし歯電極３、４からなるＩＤＴが
形成された圧電母基板１に感光性樹脂膜１１を形成した
後に、一点鎖線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ及びＤ−Ｄに沿
って、ダイサー等の切断機により圧電母基板１を切断し
て、個々の端面反射型表面波装置が切り出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型表面波装置の製造方法に関す
る。
波を利用した端面反射型表面波装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、圧電基板の対向２端面間でＳＨタ
イプの表面波を反射させる端面反射型表面波装置が知ら
れている。ＳＨタイプの表面波とは、ＢＧＳ波やラブ波
などのように、変位が表面波伝搬方向と垂直で基板表面
と平行な成分を主成分とする表面波をいう。
イプの表面波を反射させる端面反射型表面波装置が知ら
れている。ＳＨタイプの表面波とは、ＢＧＳ波やラブ波
などのように、変位が表面波伝搬方向と垂直で基板表面
と平行な成分を主成分とする表面波をいう。
【０００３】従来、この種の端面反射型表面波装置は、
例えば、図３に示すように構成されている。
例えば、図３に示すように構成されている。
【０００４】この端面反射型表面波装置は、矩形状の圧
電基板２を用いて構成されている。圧電基板２は、例え
ば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉＮ
ｂＯ３圧電単結晶、ＬｉＴａＯ3圧電単結晶等の圧電材
料により構成されており、一方主面上には、一対のくし
歯電極３、４からなる１つのインターデジタルトランス
デューサ（以下、ＩＤＴと記す）が形成されている。く
し歯電極３、４は、それぞれ、複数本の電極指３ａ〜３
ｄ，４ａ〜４ｃ及びそれぞれの電極指３ａ〜３ｄ，４ａ
〜４ｃを連接するバスバー３ｅ，４ｅからなり、それぞ
れのバスバー３ｅ，４ｅには所定の箇所に引出電極部３
ｆ，４ｆが形成されている。
電基板２を用いて構成されている。圧電基板２は、例え
ば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉＮ
ｂＯ３圧電単結晶、ＬｉＴａＯ3圧電単結晶等の圧電材
料により構成されており、一方主面上には、一対のくし
歯電極３、４からなる１つのインターデジタルトランス
デューサ（以下、ＩＤＴと記す）が形成されている。く
し歯電極３、４は、それぞれ、複数本の電極指３ａ〜３
ｄ，４ａ〜４ｃ及びそれぞれの電極指３ａ〜３ｄ，４ａ
〜４ｃを連接するバスバー３ｅ，４ｅからなり、それぞ
れのバスバー３ｅ，４ｅには所定の箇所に引出電極部３
ｆ，４ｆが形成されている。
【０００５】引出電極部３ｆ，４ｆは、バスバー３ｅ，
４ｅの一部を所定の幅で端縁側に延設するように形成さ
れている。引出電極部３ｆ，４ｆには入出力接続用のワ
イヤー（図示せず）がボンディングされる。
４ｅの一部を所定の幅で端縁側に延設するように形成さ
れている。引出電極部３ｆ，４ｆには入出力接続用のワ
イヤー（図示せず）がボンディングされる。
【０００６】電極指３ａ〜３ｄと各電極指４ａ〜４ｃと
は互いに間挿し合うように配置されている。隣り合う電
極指の間の間隔は、励振される表面波の波長をλとした
ときに、λ／４とされている。表面波伝搬方向両端に位
置する電極指３ａ，３ｄの幅は、λ／８とされており、
他の電極指３ｂ〜３ｃ，４ａ〜４ｃの幅はλ／４とされ
ている。また、電極指３ａ，３ｄの外側端縁は、圧電基
板２の端面２ａ，２ｂに沿うように形成されている。
は互いに間挿し合うように配置されている。隣り合う電
極指の間の間隔は、励振される表面波の波長をλとした
ときに、λ／４とされている。表面波伝搬方向両端に位
置する電極指３ａ，３ｄの幅は、λ／８とされており、
他の電極指３ｂ〜３ｃ，４ａ〜４ｃの幅はλ／４とされ
ている。また、電極指３ａ，３ｄの外側端縁は、圧電基
板２の端面２ａ，２ｂに沿うように形成されている。
【０００７】端面反射型表面波装置では、くし歯３、４
の引出電極部３ｆ，４ｆに交流電圧を印加することによ
りＢＧＳ波が励振され、該ＢＧＳ波は、上記各電極指３
ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｃと直交する方向に伝搬し、上記圧
電基板２の対向２端面２ａ，２ｂ間で反射されるように
構成されている。
の引出電極部３ｆ，４ｆに交流電圧を印加することによ
りＢＧＳ波が励振され、該ＢＧＳ波は、上記各電極指３
ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｃと直交する方向に伝搬し、上記圧
電基板２の対向２端面２ａ，２ｂ間で反射されるように
構成されている。
【０００８】すなわち、端面反射型表面波装置は、上記
のように励振された表面波を対向２端面２ａ，２ｂ間で
反射させて動作させるものであり、端面反射型表面波装
置において、高性能な共振特性を得るためには、端面２
ａ，２ｂを正確な位置に精度よく形成するとともに、平
滑度のよい端面２ａ，２ｂを形成することが重要であ
る。
のように励振された表面波を対向２端面２ａ，２ｂ間で
反射させて動作させるものであり、端面反射型表面波装
置において、高性能な共振特性を得るためには、端面２
ａ，２ｂを正確な位置に精度よく形成するとともに、平
滑度のよい端面２ａ，２ｂを形成することが重要であ
る。
【０００９】従来、この端面反射型表面波装置を製造す
るにあたっては、図４に示すように、比較的大きな圧電
母基板１を用意し、圧電母基板１の一方主面上に一対の
くし歯電極３、４からなるＩＤＴを多数形成し、しかる
後、ダイサーを用いて図４に示す一点鎖線Ａ−Ａ，Ｂ−
Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄに沿って切断して、図３に示す個々
の端面反射型表面波装置を得ていた。
るにあたっては、図４に示すように、比較的大きな圧電
母基板１を用意し、圧電母基板１の一方主面上に一対の
くし歯電極３、４からなるＩＤＴを多数形成し、しかる
後、ダイサーを用いて図４に示す一点鎖線Ａ−Ａ，Ｂ−
Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄに沿って切断して、図３に示す個々
の端面反射型表面波装置を得ていた。
【００１０】すなわち、従来、図４に示す一点鎖線Ａ−
Ａ，Ｂ−Ｂに沿って電極指３ａ，３ｄとともに圧電母基
板１を切断することにより、電極指３ａ，３ｄを所定の
幅に形成するとともに端面２ａ，２ｂを形成していた。
Ａ，Ｂ−Ｂに沿って電極指３ａ，３ｄとともに圧電母基
板１を切断することにより、電極指３ａ，３ｄを所定の
幅に形成するとともに端面２ａ，２ｂを形成していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方法では、特性に大きな影響を及ぼす端面２
ａ，２ｂにおいてチッピングが生じがちであった。この
チッピングにより、端面２ａ，２ｂの平滑度が大幅に低
下し、不要スプリアスが発生して、所望の共振特性を得
ることができないという問題があった。
来の製造方法では、特性に大きな影響を及ぼす端面２
ａ，２ｂにおいてチッピングが生じがちであった。この
チッピングにより、端面２ａ，２ｂの平滑度が大幅に低
下し、不要スプリアスが発生して、所望の共振特性を得
ることができないという問題があった。
【００１２】チッピングの発生を抑止するためにダイシ
ング速度を極端に遅くする方法もあるが、この場合は、
生産性が大幅に低下するという問題があり、また、チッ
ピングの発生を抑止するには限界があった。
ング速度を極端に遅くする方法もあるが、この場合は、
生産性が大幅に低下するという問題があり、また、チッ
ピングの発生を抑止するには限界があった。
【００１３】そこで、本発明の目的は、圧電基板の切断
に際してのチッピングが生じ難く、よって、所望の共振
特性を確実に得ることができる端面反射型表面波装置の
製造方法を提供することにある。
に際してのチッピングが生じ難く、よって、所望の共振
特性を確実に得ることができる端面反射型表面波装置の
製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、圧電基板の対向２端面間で
ＳＨタイプの表面波を反射させる端面反射型表面波装置
の製造方法であって、圧電母基板上に複数個分の表面波
装置を構成するＩＤＴを形成する工程と、前記圧電母基
板の前記ＩＤＴが形成された面の全面に感光性樹脂膜を
形成する工程と、前記感光性樹脂膜を露光、現像して、
前記ＩＤＴの引出電極部上の感光性樹脂膜を除去する工
程と、前記圧電母基板を切断機により切断して、前記対
向２端面を形成するとともに個々の表面波装置を切り出
す工程とを備えることを特徴とするものである。
に、請求項１に係る発明は、圧電基板の対向２端面間で
ＳＨタイプの表面波を反射させる端面反射型表面波装置
の製造方法であって、圧電母基板上に複数個分の表面波
装置を構成するＩＤＴを形成する工程と、前記圧電母基
板の前記ＩＤＴが形成された面の全面に感光性樹脂膜を
形成する工程と、前記感光性樹脂膜を露光、現像して、
前記ＩＤＴの引出電極部上の感光性樹脂膜を除去する工
程と、前記圧電母基板を切断機により切断して、前記対
向２端面を形成するとともに個々の表面波装置を切り出
す工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１５】請求項２に係る発明は、請求項１に係る端
面反射型表面波装置の製造方法において、前記感光性樹
脂膜が感光性ポリイミド系樹脂からなることを特徴とす
るものである。
面反射型表面波装置の製造方法において、前記感光性樹
脂膜が感光性ポリイミド系樹脂からなることを特徴とす
るものである。
【００１６】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２に係る端面反射型表面波装置の製造方法におい
て、前記感光性樹脂膜をスピンコートにより形成したこ
とを特徴とするものである。
求項２に係る端面反射型表面波装置の製造方法におい
て、前記感光性樹脂膜をスピンコートにより形成したこ
とを特徴とするものである。
【００１７】上記の構成によれば、圧電母基板のＩＤＴ
が形成された面に感光性樹脂膜を形成した後に、圧電母
基板を切断機により切断して、反射面となる圧電基板の
端面が形成されるので、反射面となる端面のチッピング
の発生を大幅に抑制することができる。すなわち、圧電
基板よりも柔らかい感光性樹脂膜で覆われた状態で切断
が行われるので、直接基板に加わる力が緩和され、表面
波が伝搬する表面近傍の端面角部でのチッピングの発生
が大幅に抑制される。したがって、端面精度に起因する
スプリアスが防止され、良好な共振特性を得ることがで
きるとともに、切断時間を短縮することができる。
が形成された面に感光性樹脂膜を形成した後に、圧電母
基板を切断機により切断して、反射面となる圧電基板の
端面が形成されるので、反射面となる端面のチッピング
の発生を大幅に抑制することができる。すなわち、圧電
基板よりも柔らかい感光性樹脂膜で覆われた状態で切断
が行われるので、直接基板に加わる力が緩和され、表面
波が伝搬する表面近傍の端面角部でのチッピングの発生
が大幅に抑制される。したがって、端面精度に起因する
スプリアスが防止され、良好な共振特性を得ることがで
きるとともに、切断時間を短縮することができる。
【００１８】なお、本発明においては、反射面となる端
面の切断と、個々の表面波装置を切り離す切断とを別々
に行うようにしてもよい。また、感光性樹脂膜を用いて
いるので、引出電極部上の感光性樹脂膜をフォトリソグ
ラフィすなわち露光・現像することにより容易に除去す
ることができる。
面の切断と、個々の表面波装置を切り離す切断とを別々
に行うようにしてもよい。また、感光性樹脂膜を用いて
いるので、引出電極部上の感光性樹脂膜をフォトリソグ
ラフィすなわち露光・現像することにより容易に除去す
ることができる。
【００１９】さらに、感光性樹脂膜を生産性のよいスピ
ンコートで形成することにより、低コストで感光性樹脂
膜を形成することができる。
ンコートで形成することにより、低コストで感光性樹脂
膜を形成することができる。
【００２０】なお、感光性樹脂膜としては、特に限定す
るものではないが、耐有機溶剤性が良好で、機械的強度
の強い感光性ポリイミド系樹脂が望ましい。また、感光
性樹脂膜は、金属粉等が直接ＩＤＴへ付着するのを防止
するための保護膜としても機能するものである。
るものではないが、耐有機溶剤性が良好で、機械的強度
の強い感光性ポリイミド系樹脂が望ましい。また、感光
性樹脂膜は、金属粉等が直接ＩＤＴへ付着するのを防止
するための保護膜としても機能するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１及び図２を参照して、本発明
の一実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説
明する。図１及び図２において、従来例と同一または相
当する部分、同一機能のものについては同一符号を付
す。図１は本発明の製造方法により製造された端面反射
型表面波装置の一実施例を示す斜視図であり、図２
（ａ）は本発明の端面反射型表面波装置が形成された圧
電母基板の一部を示す平面図、図２（ｂ）は、図２
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
の一実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説
明する。図１及び図２において、従来例と同一または相
当する部分、同一機能のものについては同一符号を付
す。図１は本発明の製造方法により製造された端面反射
型表面波装置の一実施例を示す斜視図であり、図２
（ａ）は本発明の端面反射型表面波装置が形成された圧
電母基板の一部を示す平面図、図２（ｂ）は、図２
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２２】図１に示すように、本実施例に係る端面反
射型表面波装置は、矩形状の圧電基板２の一方主面上
に、一対のくし歯電極３、４からなる１つのＩＤＴが形
成され、ＩＤＴが形成された面であって、ＩＤＴの引出
電極部３ｆ，４ｆが形成された部分を除く全面には感光
性樹脂膜１１が形成されている。
射型表面波装置は、矩形状の圧電基板２の一方主面上
に、一対のくし歯電極３、４からなる１つのＩＤＴが形
成され、ＩＤＴが形成された面であって、ＩＤＴの引出
電極部３ｆ，４ｆが形成された部分を除く全面には感光
性樹脂膜１１が形成されている。
【００２３】すなわち、本実施例の製造方法により製造
された端面反射型表面波装置は、従来例の図３で示した
端面反射型表面波装置の一方主面上に感光性樹脂膜１１
を形成した構成となっている。感光性樹脂膜１１は、感
光性ポリイミド系樹脂からなり、０．１μｍ〜５０μｍ
の膜厚で形成されている。この感光性樹脂膜１１以外の
構成については、図３で説明したものと同様の構成であ
り、その説明を省略する。
された端面反射型表面波装置は、従来例の図３で示した
端面反射型表面波装置の一方主面上に感光性樹脂膜１１
を形成した構成となっている。感光性樹脂膜１１は、感
光性ポリイミド系樹脂からなり、０．１μｍ〜５０μｍ
の膜厚で形成されている。この感光性樹脂膜１１以外の
構成については、図３で説明したものと同様の構成であ
り、その説明を省略する。
【００２４】この端面反射型表面波装置は、パッケージ
ングされて用いられ、引出電極部３ｆ，４ｆとパッケー
ジ部の端子電極とはワイヤーボンディングにより接続さ
れる。
ングされて用いられ、引出電極部３ｆ，４ｆとパッケー
ジ部の端子電極とはワイヤーボンディングにより接続さ
れる。
【００２５】以下、本実施例の端面反射型表面波装置の
製造方法について具体的に説明する。
製造方法について具体的に説明する。
【００２６】まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、圧電母基板１の一方主面上に一対のくし歯電極
３、４からなるＩＤＴを形成する。ＩＤＴの形成は、圧
電母基板１の全面に、蒸着、スパッタリングもしくはメ
ッキ等の薄膜形成法によりＡｌやＡｕ等の導電性電極材
料からなる電極膜を形成した後、露光、エッチングする
ことにより行われる。なお、圧電母基板１には複数個分
の表面波装置に相当するＩＤＴが複数個配列するように
形成されている。
うに、圧電母基板１の一方主面上に一対のくし歯電極
３、４からなるＩＤＴを形成する。ＩＤＴの形成は、圧
電母基板１の全面に、蒸着、スパッタリングもしくはメ
ッキ等の薄膜形成法によりＡｌやＡｕ等の導電性電極材
料からなる電極膜を形成した後、露光、エッチングする
ことにより行われる。なお、圧電母基板１には複数個分
の表面波装置に相当するＩＤＴが複数個配列するように
形成されている。
【００２７】次に、圧電母基板１のＩＤＴが形成された
面の全面に、感光性ポリイミド系樹脂をスピンコートに
より塗布し、該樹脂をベーキングして、感光性樹脂膜１
１を形成する。
面の全面に、感光性ポリイミド系樹脂をスピンコートに
より塗布し、該樹脂をベーキングして、感光性樹脂膜１
１を形成する。
【００２８】次に、ＩＤＴの引出電極部３ｆ，４ｆ上の
感光性樹脂膜１１をフォトリソグラフィすなわち露光、
現像することにより除去し、引出電極部３ｆ，４ｆを露
出させる。
感光性樹脂膜１１をフォトリソグラフィすなわち露光、
現像することにより除去し、引出電極部３ｆ，４ｆを露
出させる。
【００２９】次に、圧電母基板１を一点鎖線Ａ−Ａ，Ｂ
−Ｂ，Ｃ−Ｃ及びＤ−Ｄに沿って、ダイサーにより切断
する。この切断により、図１に示す端面反射型表面波装
置を得る。すなわち、上記一点鎖線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂに
沿う切断により、ＳＨタイプの表面波の反射面となる端
面２ａ，２ｂが形成される。
−Ｂ，Ｃ−Ｃ及びＤ−Ｄに沿って、ダイサーにより切断
する。この切断により、図１に示す端面反射型表面波装
置を得る。すなわち、上記一点鎖線Ａ−Ａ及びＢ−Ｂに
沿う切断により、ＳＨタイプの表面波の反射面となる端
面２ａ，２ｂが形成される。
【００３０】上記の製造方法においては、圧電母基板１
のＩＤＴが形成された面が感光性樹脂膜１１で覆われた
状態で、反射面となる端面２ａ，２ｂの切断が行われる
ので、端面２ａ，２ｂ、特に特性に大きな影響を及ぼす
端面２ａ，２ｂの表面近傍角部でのチッピングの発生が
大幅に抑制される。したがって、チッピングに起因する
不要なスプリアスが防止され良好な共振特性を有する端
面反射型表面波装置を得ることができる。さらに、切断
時間を短縮することもできる。
のＩＤＴが形成された面が感光性樹脂膜１１で覆われた
状態で、反射面となる端面２ａ，２ｂの切断が行われる
ので、端面２ａ，２ｂ、特に特性に大きな影響を及ぼす
端面２ａ，２ｂの表面近傍角部でのチッピングの発生が
大幅に抑制される。したがって、チッピングに起因する
不要なスプリアスが防止され良好な共振特性を有する端
面反射型表面波装置を得ることができる。さらに、切断
時間を短縮することもできる。
【００３１】また、感光性樹脂膜１１は簡便なスピンコ
ートにより形成されており、引出電極部上の感光性樹脂
膜１１はフォトリソグラフィ（露光、現像）により容易
に除去することができ、感光性樹脂膜１１の成膜及び除
去を低コストで行うことができる。
ートにより形成されており、引出電極部上の感光性樹脂
膜１１はフォトリソグラフィ（露光、現像）により容易
に除去することができ、感光性樹脂膜１１の成膜及び除
去を低コストで行うことができる。
【００３２】なお、上記実施例では、反射面となる端面
の形成と表面波装置の切り離しが１回の切断により行わ
れているが、反射面となる端面の切断と、個々の表面波
装置を切り離す切断とを別々に行うようにしてもよい。
この場合は、表面波装置の表面波伝搬方向の両端面の近
傍には反射面を形成する溝が形成される、あるいは表面
波装置の表面波伝搬方向の両端面は段差状に形成された
ものとなる。
の形成と表面波装置の切り離しが１回の切断により行わ
れているが、反射面となる端面の切断と、個々の表面波
装置を切り離す切断とを別々に行うようにしてもよい。
この場合は、表面波装置の表面波伝搬方向の両端面の近
傍には反射面を形成する溝が形成される、あるいは表面
波装置の表面波伝搬方向の両端面は段差状に形成された
ものとなる。
【００３３】また、上記実施例では、引出電極部３ｆ，
４ｆはバスバー３ｅ，４ｅの一部を延設するように形成
されているが、引出電極部３ｆ，４ｆの形状、形成位置
は特に限定されるものではなく、例えば、一定の幅で形
成されたバスバーの一部を引出電極部としてもよい。
４ｆはバスバー３ｅ，４ｅの一部を延設するように形成
されているが、引出電極部３ｆ，４ｆの形状、形成位置
は特に限定されるものではなく、例えば、一定の幅で形
成されたバスバーの一部を引出電極部としてもよい。
【００３４】また、感光性樹脂膜の形成はスピンコート
に限るものではなく、スプレー等他の方法を用いてもよ
く、また、切断機としてダイサーを用いたが、切断手段
としてワイヤー・ソー等他の切断機を用いてもよい。
に限るものではなく、スプレー等他の方法を用いてもよ
く、また、切断機としてダイサーを用いたが、切断手段
としてワイヤー・ソー等他の切断機を用いてもよい。
【００３５】また、上記実施例では１つのＩＤＴで構成
された端面反射型表面波装置で説明したが、本発明の製
造方法は、複数のＩＤＴで構成される端面反射型表面波
装置、例えば端面反射型表面波フィルタにも適用できる
ことは勿論である。
された端面反射型表面波装置で説明したが、本発明の製
造方法は、複数のＩＤＴで構成される端面反射型表面波
装置、例えば端面反射型表面波フィルタにも適用できる
ことは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る端面
反射型表面波装置の製造方法によれば、圧電母基板のＩ
ＤＴが形成された面に感光性樹脂膜を形成した後に、圧
電母基板を切断機により切断して、反射面となる圧電基
板の端面が形成されるので、反射面となる端面のチッピ
ングの発生を大幅に抑制することができる。
反射型表面波装置の製造方法によれば、圧電母基板のＩ
ＤＴが形成された面に感光性樹脂膜を形成した後に、圧
電母基板を切断機により切断して、反射面となる圧電基
板の端面が形成されるので、反射面となる端面のチッピ
ングの発生を大幅に抑制することができる。
【００３７】したがって、端面精度に起因するスプリア
スが防止され、良好な共振特性を有する端面反射型表面
波装置を得ることができるとともに、切断時間を短縮す
ることもできる。
スが防止され、良好な共振特性を有する端面反射型表面
波装置を得ることができるとともに、切断時間を短縮す
ることもできる。
【００３８】また、感光性樹脂膜は簡便なスピンコート
により形成することができ、引出電極部上の感光性樹脂
膜はフォトリソグラフィにより容易に除去することがで
きるので、感光性樹脂膜の成膜及び除去を低コストで行
うことができる。
により形成することができ、引出電極部上の感光性樹脂
膜はフォトリソグラフィにより容易に除去することがで
きるので、感光性樹脂膜の成膜及び除去を低コストで行
うことができる。
【図１】本発明の製造方法により製造された端面反射型
表面波装置の一実施例を示す斜視図である。
表面波装置の一実施例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は本発明の端面反射型表面波装置が形成
された圧電母基板の一部を示す平面図、（ｂ）は、図２
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
された圧電母基板の一部を示す平面図、（ｂ）は、図２
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】従来の端面反射型表面波装置の斜視図である。
【図４】従来の端面反射型表面波装置が形成された圧電
母基板の一部を示す平面図である。
母基板の一部を示す平面図である。
１ 圧電母基板 ２ 圧電基板 ３、４ くし歯電極 ３ａ〜４ｃ 電極脂 ３ｅ，４ｅ バスバー ３ｆ、４ｆ 引出電極部 １１ 感光性樹脂膜
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板の対向２端面間でＳＨタイプの
表面波を反射させる端面反射型表面波装置の製造方法で
あって、 圧電母基板上に複数個分の表面波装置を構成するＩＤＴ
を形成する工程と、前記圧電母基板の前記ＩＤＴが形成
された面の全面に感光性樹脂膜を形成する工程と、 前記感光性樹脂膜を露光、現像して、前記ＩＤＴの引出
電極部上の感光性樹脂膜を除去する工程と、 前記圧電母基板を切断機により切断して、前記対向２端
面を形成するとともに個々の表面波装置を切り出す工程
と、を備えることを特徴とする端面反射型表面波装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記感光性樹脂膜が感光性ポリイミド系
樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の端面反
射型表面波装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記感光性樹脂膜をスピンコートにより
形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の端面反射型表面波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00486396A JP3458573B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00486396A JP3458573B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199966A true JPH09199966A (ja) | 1997-07-31 |
| JP3458573B2 JP3458573B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=11595518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00486396A Expired - Fee Related JP3458573B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3458573B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371573B1 (ko) * | 1999-02-08 | 2003-02-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전극 패턴을 피복하는 수지막을 갖는 표면탄성파 장치 |
| KR100681692B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2007-02-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 |
| US7554242B2 (en) * | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
-
1996
- 1996-01-16 JP JP00486396A patent/JP3458573B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100371573B1 (ko) * | 1999-02-08 | 2003-02-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전극 패턴을 피복하는 수지막을 갖는 표면탄성파 장치 |
| KR100681692B1 (ko) * | 2002-07-24 | 2007-02-09 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 |
| US7554242B2 (en) * | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3458573B2 (ja) | 2003-10-20 |
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