JPH0758579A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH0758579A JPH0758579A JP19760293A JP19760293A JPH0758579A JP H0758579 A JPH0758579 A JP H0758579A JP 19760293 A JP19760293 A JP 19760293A JP 19760293 A JP19760293 A JP 19760293A JP H0758579 A JPH0758579 A JP H0758579A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電磁遮蔽を充分とり、周波数特性に優れた弾性
表面波装置を得る。 【構成】弾性表面波素子部１３を形成した第１の基板１
１と、凹部を設けた第２の基板１２とを、前記弾性表面
波素子部１３と前記凹部が対向するように直接接合ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合させて、前記
弾性表面波素子部１３を実質的に気密封止し、前記第２
の基板１２の凹部に導電性膜１６を形成し、前記導電性
膜１６を接地端子１５と接続した構成となっている。
表面波装置を得る。 【構成】弾性表面波素子部１３を形成した第１の基板１
１と、凹部を設けた第２の基板１２とを、前記弾性表面
波素子部１３と前記凹部が対向するように直接接合ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合させて、前記
弾性表面波素子部１３を実質的に気密封止し、前記第２
の基板１２の凹部に導電性膜１６を形成し、前記導電性
膜１６を接地端子１５と接続した構成となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信装置等に用
いられる弾性表面波装置に関する。
いられる弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信の発展にともない、各種移動
体通信機器に用いられるデバイスに対する小型、軽量化
の要求はますます高まってきている。また、使用周波数
帯の高周波数化にともない、周波数特性に対する要求も
ますます厳しくなってきている。
体通信機器に用いられるデバイスに対する小型、軽量化
の要求はますます高まってきている。また、使用周波数
帯の高周波数化にともない、周波数特性に対する要求も
ますます厳しくなってきている。
【０００３】以下に、従来の弾性表面波装置について説
明する。図５は、従来の弾性表面波装置の構成の断面を
示す概略図である。図５において、構成要素として５１
は圧電性基板からなる第１の基板、５２は前記第１の基
板５１と同じ圧電性基板からなる第２の基板、５３は弾
性表面波素子部、５４は入出力電極端子、５５は接地端
子、５６は絶縁性樹脂である。
明する。図５は、従来の弾性表面波装置の構成の断面を
示す概略図である。図５において、構成要素として５１
は圧電性基板からなる第１の基板、５２は前記第１の基
板５１と同じ圧電性基板からなる第２の基板、５３は弾
性表面波素子部、５４は入出力電極端子、５５は接地端
子、５６は絶縁性樹脂である。
【０００４】従来の弾性表面波装置では、前記第１の基
板５１上に弾性表面波素子部５３を形成し、前記弾性表
面波素子部５３に対応する凹部を形成した前記第２の基
板５２を前記第１の基板と直接接合することにより、実
質的に気密封止を行い、弾性表面波装置を形成してい
た。
板５１上に弾性表面波素子部５３を形成し、前記弾性表
面波素子部５３に対応する凹部を形成した前記第２の基
板５２を前記第１の基板と直接接合することにより、実
質的に気密封止を行い、弾性表面波装置を形成してい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置においては、電磁遮蔽を充分行うことが
できず、良好な周波数特性、特に充分な帯域外減衰量を
得ることができない等の問題があった。
弾性表面波装置においては、電磁遮蔽を充分行うことが
できず、良好な周波数特性、特に充分な帯域外減衰量を
得ることができない等の問題があった。
【０００６】本発明は、前記従来の問題点を解決するも
のであり、電磁遮蔽を充分にとることができ、周波数特
性に優れた弾性表面波装置を提供することを目的とす
る。
のであり、電磁遮蔽を充分にとることができ、周波数特
性に優れた弾性表面波装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の弾性表面波装置は、弾性表面波素子部を形
成した第１の基板と、凹部を設けた第２の基板とを、前
記弾性表面波素子部と前記凹部が対向するように直接接
合させ、あるいは、酸化物もしくは窒化物を介して接合
させて、前記弾性表面波素子部を実質的に気密封止し、
前記第２の基板の凹部、あるいは凹部を有さない面に導
電性膜を形成し、さらに、前記導電性膜を接地端子と接
続した構成を有する。
に、本発明の弾性表面波装置は、弾性表面波素子部を形
成した第１の基板と、凹部を設けた第２の基板とを、前
記弾性表面波素子部と前記凹部が対向するように直接接
合させ、あるいは、酸化物もしくは窒化物を介して接合
させて、前記弾性表面波素子部を実質的に気密封止し、
前記第２の基板の凹部、あるいは凹部を有さない面に導
電性膜を形成し、さらに、前記導電性膜を接地端子と接
続した構成を有する。
【０００８】
【作用】前記弾性表面波装置の構成において、弾性表面
波素子部が気密封止され、第２の基板における導電性膜
により弾性表面波素子部が覆われ、弾性表面波装置の電
磁遮蔽を充分とることができ、周波数特性に優れた弾性
表面波装置を得ることができる。
波素子部が気密封止され、第２の基板における導電性膜
により弾性表面波素子部が覆われ、弾性表面波装置の電
磁遮蔽を充分とることができ、周波数特性に優れた弾性
表面波装置を得ることができる。
【０００９】
【実施例】（実施例１）以下、本発明の第１の実施例に
ついて、図面を参照しながら詳細に説明する。
ついて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図１は、本発明の第１の実施例の弾性表面
波装置の構成の断面を示す概略図である。図１におい
て、構成要素として１１は第１の基板、１２は第２の基
板、１３は弾性表面波素子部、１４は入出力端子、１５
は接地端子、１６は導電性膜、１７は絶縁性樹脂であ
る。
波装置の構成の断面を示す概略図である。図１におい
て、構成要素として１１は第１の基板、１２は第２の基
板、１３は弾性表面波素子部、１４は入出力端子、１５
は接地端子、１６は導電性膜、１７は絶縁性樹脂であ
る。
【００１１】本実施例では、第１の基板１１および第２
の基板１２として３６゜Ｙ−Ｘタンタル酸リチウムを用
いた。前記第１の基板１１上にアルミニウムからなる櫛
形電極を通常のフォトリソグラフィプロセスにより形成
し、弾性表面波素子部１３を形成した。本実施例では、
９００ＭＨｚ帯の共振器型弾性表面波フィルタを用い
た。第２の基板１２には、前記第１の基板１１と同じく
３６゜Ｙ−Ｘタンタル酸リチウムを用い、第１の基板１
１と第２の基板１２を直接接合する際に発生する熱応力
の影響を排除した。前記第２の基板１２の片面にサンド
ブラスト工法により、弾性表面波素子部１３の上面に空
隙を保つために、深さ約１０μｍの凹部を形成し、その
内面に導電性膜１６を形成した。この際、導電性膜１６
と第１の基板１１の接地端子１５との接続を良好に行う
ために、凹部にテーパ加工を施した。導電性膜１６の成
膜は、櫛形電極材料と同じアルミニウムを用いてＥＢ蒸
着装置により行った。第１の基板１１と第２の基板１２
の表面を親水化処理し、重ね合わせた後、熱処理するこ
とにより直接接合し、前記導電性膜１６と第１の基板１
１上の接地端子１５と接触させ実質的に気密封止を行っ
た。なお、入出力端子１４および接地端子１５の引出し
電極部は、第１の基板１１および第２の基板１２が直接
接触しないため、あらかじめ前記引出し電極部に対応す
る第２の基板１２に溝を設けておいた。直接接合を行っ
た後、前記引出し電極部の溝をシリコン系の絶縁性樹脂
１７を用いて気密封止を完全に行った。
の基板１２として３６゜Ｙ−Ｘタンタル酸リチウムを用
いた。前記第１の基板１１上にアルミニウムからなる櫛
形電極を通常のフォトリソグラフィプロセスにより形成
し、弾性表面波素子部１３を形成した。本実施例では、
９００ＭＨｚ帯の共振器型弾性表面波フィルタを用い
た。第２の基板１２には、前記第１の基板１１と同じく
３６゜Ｙ−Ｘタンタル酸リチウムを用い、第１の基板１
１と第２の基板１２を直接接合する際に発生する熱応力
の影響を排除した。前記第２の基板１２の片面にサンド
ブラスト工法により、弾性表面波素子部１３の上面に空
隙を保つために、深さ約１０μｍの凹部を形成し、その
内面に導電性膜１６を形成した。この際、導電性膜１６
と第１の基板１１の接地端子１５との接続を良好に行う
ために、凹部にテーパ加工を施した。導電性膜１６の成
膜は、櫛形電極材料と同じアルミニウムを用いてＥＢ蒸
着装置により行った。第１の基板１１と第２の基板１２
の表面を親水化処理し、重ね合わせた後、熱処理するこ
とにより直接接合し、前記導電性膜１６と第１の基板１
１上の接地端子１５と接触させ実質的に気密封止を行っ
た。なお、入出力端子１４および接地端子１５の引出し
電極部は、第１の基板１１および第２の基板１２が直接
接触しないため、あらかじめ前記引出し電極部に対応す
る第２の基板１２に溝を設けておいた。直接接合を行っ
た後、前記引出し電極部の溝をシリコン系の絶縁性樹脂
１７を用いて気密封止を完全に行った。
【００１２】図２（ａ）は従来の構成による弾性表面波
フィルタの周波数特性を、同図ｂは本実施例の弾性表面
波フィルタの周波数特性を示したものである。前記本実
施例の構成により、従来の弾性表面波フィルタの周波数
特性に比べ、その帯域外減衰量において、約１０ｄＢの
改善効果がみられた。
フィルタの周波数特性を、同図ｂは本実施例の弾性表面
波フィルタの周波数特性を示したものである。前記本実
施例の構成により、従来の弾性表面波フィルタの周波数
特性に比べ、その帯域外減衰量において、約１０ｄＢの
改善効果がみられた。
【００１３】本実施例では、第１の基板１１および第２
の基板１２に３６゜Ｙ−Ｘタンタル酸リチウムを用いた
が、第１の基板１１として弾性表面波素子部１３を形成
し、動作させ得る基板であれば同様の効果が得られるこ
とは言うまでもない。また、第２の基板１２としては、
熱応力等の観点から第１の基板１１と同一材料が好まし
いが、前記第１の基板１１と同等の熱膨張係数を有する
ガラス等でも問題はない。
の基板１２に３６゜Ｙ−Ｘタンタル酸リチウムを用いた
が、第１の基板１１として弾性表面波素子部１３を形成
し、動作させ得る基板であれば同様の効果が得られるこ
とは言うまでもない。また、第２の基板１２としては、
熱応力等の観点から第１の基板１１と同一材料が好まし
いが、前記第１の基板１１と同等の熱膨張係数を有する
ガラス等でも問題はない。
【００１４】また、本実施例では第１の基板１１と第２
の基板１２を直接接合したが、接合領域に酸化珪素等の
酸化物や、窒化珪素等の窒化物を介在させた場合におい
ても同様の効果が確認された。
の基板１２を直接接合したが、接合領域に酸化珪素等の
酸化物や、窒化珪素等の窒化物を介在させた場合におい
ても同様の効果が確認された。
【００１５】さらに、本実施例では、引出し電極部に溝
を設けて第１の基板１１と第２の基板１２を接合した
が、第１の基板１１にサンドブラスト加工やエッチング
加工によりスルーホールを設けておき、弾性表面波素子
部１３の入出力端子１４および接地端子１５から直接第
１の基板１１の裏面に電極を引出し、第１の基板１１と
第２の基板１２の接合部に電極が介在しないようにして
もよい。
を設けて第１の基板１１と第２の基板１２を接合した
が、第１の基板１１にサンドブラスト加工やエッチング
加工によりスルーホールを設けておき、弾性表面波素子
部１３の入出力端子１４および接地端子１５から直接第
１の基板１１の裏面に電極を引出し、第１の基板１１と
第２の基板１２の接合部に電極が介在しないようにして
もよい。
【００１６】以上のように、第１の基板１１上に弾性表
面波素子部１３を形成し、凹部を設けた第２の基板１２
を、前記凹部と前記弾性表面波素子部１３が対向するよ
うに、第１の基板１１と直接接合することにより、ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合することによ
り、前記弾性表面波素子部１３を実質的に気密封止し、
前記第２の基板１２の凹部に導電性膜１６を形成し、さ
らに、前記導電性膜１６を接地端子と接続することによ
り、電磁遮蔽を充分にとることができ、周波数特性に優
れた弾性表面波装置を得ることができる。
面波素子部１３を形成し、凹部を設けた第２の基板１２
を、前記凹部と前記弾性表面波素子部１３が対向するよ
うに、第１の基板１１と直接接合することにより、ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合することによ
り、前記弾性表面波素子部１３を実質的に気密封止し、
前記第２の基板１２の凹部に導電性膜１６を形成し、さ
らに、前記導電性膜１６を接地端子と接続することによ
り、電磁遮蔽を充分にとることができ、周波数特性に優
れた弾性表面波装置を得ることができる。
【００１７】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら詳細に説明する。図３
は、本発明の第２の実施例における弾性表面波装置を示
す概略図である。図３において、構成要素として３１は
第１の基板、３２は第２の基板、３３は弾性表面波素子
部、３４は入出力端子、３５は接地端子、３６は導電性
膜、３７は絶縁性樹脂、３８は酸化物膜である。
について、図面を参照しながら詳細に説明する。図３
は、本発明の第２の実施例における弾性表面波装置を示
す概略図である。図３において、構成要素として３１は
第１の基板、３２は第２の基板、３３は弾性表面波素子
部、３４は入出力端子、３５は接地端子、３６は導電性
膜、３７は絶縁性樹脂、３８は酸化物膜である。
【００１８】本実施例では、第１の実施例と同様、第１
の基板３１および第２の基板３２として３６゜Ｙ−Ｘタ
ンタル酸リチウムを用い、前記第１の基板３１上にアル
ミニウムからなる櫛形電極を通常のフォトリソグラフィ
プロセスにより形成し、弾性表面波素子部３３を形成し
た。本実施例においても、９００ＭＨｚ帯の共振器型弾
性表面波フィルタを用いた。前記第２の基板３２の片面
にサンドブラスト工法により、弾性表面波素子部３３の
上面に空隙を保つために、深さ約１０μｍの凹部を形成
した。酸化物膜３８として酸化珪素を用い、接合に先立
ち第１の基板３１および第２の基板３２の接合部に約１
μｍの酸化珪素をスパッタ法により形成した。第１の基
板３１と第２の基板３２の表面を親水化処理し、重ね合
わせ熱処理により直接接合し、実質的に気密封止を行っ
た。本実施例においても、第１の基板３１の引出し電極
に対応する第２の基板３２に溝を設けておき、直接接合
を行った後、シリコン系の絶縁性樹脂３７により気密を
完全なものにした。次に、第２の基板３２の上方からＥ
Ｂ蒸着装置により、第１の基板３１上の接地端子３５と
接続されるように、アルミニウムからなる導電性膜３６
を成膜した。
の基板３１および第２の基板３２として３６゜Ｙ−Ｘタ
ンタル酸リチウムを用い、前記第１の基板３１上にアル
ミニウムからなる櫛形電極を通常のフォトリソグラフィ
プロセスにより形成し、弾性表面波素子部３３を形成し
た。本実施例においても、９００ＭＨｚ帯の共振器型弾
性表面波フィルタを用いた。前記第２の基板３２の片面
にサンドブラスト工法により、弾性表面波素子部３３の
上面に空隙を保つために、深さ約１０μｍの凹部を形成
した。酸化物膜３８として酸化珪素を用い、接合に先立
ち第１の基板３１および第２の基板３２の接合部に約１
μｍの酸化珪素をスパッタ法により形成した。第１の基
板３１と第２の基板３２の表面を親水化処理し、重ね合
わせ熱処理により直接接合し、実質的に気密封止を行っ
た。本実施例においても、第１の基板３１の引出し電極
に対応する第２の基板３２に溝を設けておき、直接接合
を行った後、シリコン系の絶縁性樹脂３７により気密を
完全なものにした。次に、第２の基板３２の上方からＥ
Ｂ蒸着装置により、第１の基板３１上の接地端子３５と
接続されるように、アルミニウムからなる導電性膜３６
を成膜した。
【００１９】本実施例においても第１の実施例と同様、
その周波数特性（帯域外減衰量）において約１０ｄＢの
改善効果が確認された。本実施例では、第１の実施例と
同様、第１の基板３１および第２の基板３２に３６゜Ｙ
−Ｘタンタル酸リチウムを用いたが、第１の基板３１と
して弾性表面波素子部３３を形成し、動作させ得る基板
であれば同様の効果が得られることは言うまでもない。
また、第２の基板３２としては、熱応力等の観点から第
１の基板３１と同一材料が好ましいが、前記第１の基板
３１と同等の熱膨張係数を有するガラス等でも問題はな
い。
その周波数特性（帯域外減衰量）において約１０ｄＢの
改善効果が確認された。本実施例では、第１の実施例と
同様、第１の基板３１および第２の基板３２に３６゜Ｙ
−Ｘタンタル酸リチウムを用いたが、第１の基板３１と
して弾性表面波素子部３３を形成し、動作させ得る基板
であれば同様の効果が得られることは言うまでもない。
また、第２の基板３２としては、熱応力等の観点から第
１の基板３１と同一材料が好ましいが、前記第１の基板
３１と同等の熱膨張係数を有するガラス等でも問題はな
い。
【００２０】また、本実施例では第１の基板３１と第２
の基板３２の間に酸化珪素を介在させたが、窒化珪素等
の窒化物を介在させた場合や、前記第１および第２の基
板３１，３２を直接接合した場合においても同等の効果
が確認された。
の基板３２の間に酸化珪素を介在させたが、窒化珪素等
の窒化物を介在させた場合や、前記第１および第２の基
板３１，３２を直接接合した場合においても同等の効果
が確認された。
【００２１】以上のように、第１の基板３１上に弾性表
面波素子部３３を形成し、凹部を設けた第２の基板３２
を、前記凹部と前記弾性表面波素子部３３が対向するよ
うに、第１の基板３１と直接接合することにより、ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合することによ
り、前記弾性表面波素子部３３を実質的に気密封止し、
前記第２の基板３２の凹部を有さない面に導電性膜３６
を形成し、さらに、前記導電性膜３６を接地端子３５と
接続することにより、電磁遮蔽を充分にとることができ
周波数特性に優れた弾性表面波装置を得ることができ
る。
面波素子部３３を形成し、凹部を設けた第２の基板３２
を、前記凹部と前記弾性表面波素子部３３が対向するよ
うに、第１の基板３１と直接接合することにより、ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合することによ
り、前記弾性表面波素子部３３を実質的に気密封止し、
前記第２の基板３２の凹部を有さない面に導電性膜３６
を形成し、さらに、前記導電性膜３６を接地端子３５と
接続することにより、電磁遮蔽を充分にとることができ
周波数特性に優れた弾性表面波装置を得ることができ
る。
【００２２】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について、図面を参照しながら詳細に説明する。図４
は、本発明の第３の実施例における弾性表面波装置を示
す概略図である。図４において、構成要素として４１は
第１の基板、４２は第２の基板、４３は弾性表面波素子
部、４４は入出力端子、４５は接地端子、４６は導電性
膜、４７は絶縁性樹脂、４８は下部導電性膜である。
について、図面を参照しながら詳細に説明する。図４
は、本発明の第３の実施例における弾性表面波装置を示
す概略図である。図４において、構成要素として４１は
第１の基板、４２は第２の基板、４３は弾性表面波素子
部、４４は入出力端子、４５は接地端子、４６は導電性
膜、４７は絶縁性樹脂、４８は下部導電性膜である。
【００２３】本実施例では、第１の実施例における弾性
表面波フィルタを用いて、第１の基板４１裏面に弾性表
面波素子部４３と対応するように下部導電性膜４８を形
成し、前記下部導電性膜４８を接地端子４５と接続し
た。
表面波フィルタを用いて、第１の基板４１裏面に弾性表
面波素子部４３と対応するように下部導電性膜４８を形
成し、前記下部導電性膜４８を接地端子４５と接続し
た。
【００２４】本実施例の構成によれば、前記第１および
第２の実施例と同様、電磁遮蔽を充分とることができ、
さらに第１の基板４１の弾性表面波素子部４３の裏面を
接地することにより、より周波数特性に優れた弾性表面
波装置を得ることができる。
第２の実施例と同様、電磁遮蔽を充分とることができ、
さらに第１の基板４１の弾性表面波素子部４３の裏面を
接地することにより、より周波数特性に優れた弾性表面
波装置を得ることができる。
【００２５】以上のように、第１の基板４１上に弾性表
面波素子部４３を形成し、凹部を設けた第２の基板４２
を、前記凹部と前記弾性表面波素子部４３が対向するよ
うに、第１の基板４１と直接接合することにより、ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合することによ
り、前記弾性表面波素子部４３を実質的に気密封止し、
前記第２の基板４２の凹部、または凹部を有さない面に
導電性膜４６を形成し、前記導電性膜４６を接地端子４
５と接続し、さらに、第１の基板４１の裏面に弾性表面
波素子部４３と対応するように下部導電性膜４８を形成
し、前記下部導電性膜４８を接地端子４５と接続するこ
とにより、電磁遮蔽を充分にとることができ周波数特性
に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
面波素子部４３を形成し、凹部を設けた第２の基板４２
を、前記凹部と前記弾性表面波素子部４３が対向するよ
うに、第１の基板４１と直接接合することにより、ある
いは、酸化物もしくは窒化物を介して接合することによ
り、前記弾性表面波素子部４３を実質的に気密封止し、
前記第２の基板４２の凹部、または凹部を有さない面に
導電性膜４６を形成し、前記導電性膜４６を接地端子４
５と接続し、さらに、第１の基板４１の裏面に弾性表面
波素子部４３と対応するように下部導電性膜４８を形成
し、前記下部導電性膜４８を接地端子４５と接続するこ
とにより、電磁遮蔽を充分にとることができ周波数特性
に優れた弾性表面波装置を得ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の実施例の説明より明らかなよう
に、本発明は弾性表面波素子部を形成した第１の基板
と、凹部を設けた第２の基板とを、前記弾性表面波素子
部と前記凹部が対向するように直接接合し、あるいは、
酸化物もしくは窒化物を介して接合させて、前記弾性表
面波素子部を実質的に気密封止し、前記第２の基板の凹
部、または凹部を有さない面に導電性膜を形成し、さら
に、前記導電性膜を接地端子と接続することにより、電
磁遮蔽を充分とり周波数特性、特に帯域外減衰量に優れ
た弾性表面波装置を得ることができる。
に、本発明は弾性表面波素子部を形成した第１の基板
と、凹部を設けた第２の基板とを、前記弾性表面波素子
部と前記凹部が対向するように直接接合し、あるいは、
酸化物もしくは窒化物を介して接合させて、前記弾性表
面波素子部を実質的に気密封止し、前記第２の基板の凹
部、または凹部を有さない面に導電性膜を形成し、さら
に、前記導電性膜を接地端子と接続することにより、電
磁遮蔽を充分とり周波数特性、特に帯域外減衰量に優れ
た弾性表面波装置を得ることができる。
【００２７】さらに、前記弾性表面波装置において、第
１の基板の弾性表面波素子部が形成された部分の裏面
に、下部導電性膜を形成し、前記下部導電性膜を接地端
子と接続することにより、より周波数特性に優れた弾性
表面波装置を得ることができる。
１の基板の弾性表面波素子部が形成された部分の裏面
に、下部導電性膜を形成し、前記下部導電性膜を接地端
子と接続することにより、より周波数特性に優れた弾性
表面波装置を得ることができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例の弾性表面波装
置の構成を示す分解斜視図 （ｂ）は同弾性表面波装置の断面図
置の構成を示す分解斜視図 （ｂ）は同弾性表面波装置の断面図
【図２】（ａ）は従来の弾性表面波フィルタの周波数特
性図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における弾性表面波フィ
ルタの周波数特性図
性図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における弾性表面波フィ
ルタの周波数特性図
【図３】本発明の第２の実施例の弾性表面波装置の断面
図
図
【図４】本発明の第３の実施例の弾性表面波装置の断面
図
図
【図５】従来の弾性表面波装置の断面図
１１ 第１の基板 １２ 第２の基板 １３ 弾性表面波素子部 １４ 入出力端子 １５ 接地端子 １６ 導電性膜 １７ 絶縁性樹脂
フロントページの続き (72)発明者 江田 和生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 弾性表面波素子部を形成した第１の基板
と、凹部を設けた第２の基板とを、前記弾性表面波素子
部と前記凹部が対向するように直接接合あるいは、酸化
物もしくは窒化物を介して接合させて、前記弾性表面波
素子部を実質的に気密封止し、前記第２の基板の凹部に
導電性膜を形成し、前記導電性膜を接地端子と接続した
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 弾性表面波素子部を形成した第１の基板
と、凹部を設けた第２の基板とを、前記弾性表面波素子
部と前記凹部が対向するように、直接接合あるいは、酸
化物もしくは窒化物を介して接合させて、前記弾性表面
波素子部を実質的に気密封止し、前記第２の基板の凹部
を有さない面に導電性膜を形成し、前記導電性膜を接地
端子と接続したことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項３】 第１の基板が、タンタル酸リチウム、ニ
オブ酸リチウム、ホウ酸リチウムあるいは水晶であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項４】 第１の基板がガラスなどの非圧電性基板
上に圧電性薄膜を形成した基板であることを特徴とする
請求項１または２記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 第２の基板が、タンタル酸リチウム、ニ
オブ酸リチウム、ホウ酸リチウムあるいは水晶であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項６】 第２の基板がガラスであることを特徴と
する請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項７】 第１の基板の弾性表面波素子部が形成さ
れた部分の裏面に導電性膜を形成し、前記導電性膜を接
地端子と接続したことを特徴とする請求項１ないし６の
いずれかに記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760293A JPH0758579A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760293A JPH0758579A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758579A true JPH0758579A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16377210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19760293A Pending JPH0758579A (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013123070A (ja) * | 2006-05-01 | 2013-06-20 | Kla-Tencor Corp | シールドを備えるプロセス条件測定素子 |
| WO2016208287A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP19760293A patent/JPH0758579A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013123070A (ja) * | 2006-05-01 | 2013-06-20 | Kla-Tencor Corp | シールドを備えるプロセス条件測定素子 |
| WO2016208287A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
| US10601399B2 (en) | 2015-06-24 | 2020-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter apparatus |
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