CN115276597A - 声表面波器件及声表面波滤波器 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种声表面波器件及声表面波滤波器。该声表面波器件包括：压电衬底；叉指电极结构，被配置为设置在压电衬底的表面；以及温度补偿层，被配置为覆盖叉指电极结构和压电衬底的表面；其中，叉指电极结构被配置为自压电衬底向上依次包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层之间被配置为具有中空区域。

Description

声表面波器件及声表面波滤波器

技术领域

本公开涉及声波器件技术领域，更具体地，涉及一种声表面波器件及声表面波滤波器。

背景技术

声表面波可以指在固体半空间表面存在的一种沿表面传播，能量集中于表面附近的弹性波，因其能量密度高、传播速度慢等特点，基于声表面波制作的声表面波器件在谐振器、滤波器、传感器等产品中得到了广泛应用。

由于声表面波是一种声波，基于其自身的特点，声表面波器件无可避免地会产生较多的横向寄生模式。在实现本公开构思的过程中，发明人发现相关技术中至少存在如下问题：相关技术中对于声表面波器件的改进无法有效抑制横向寄生模式。

发明内容

有鉴于此，本公开提供了一种声表面波器件及声表面波滤波器。

本公开的一个方面提供了一种声表面波器件，包括：

压电衬底；

叉指电极结构，被配置为设置在上述压电衬底的表面；以及

温度补偿层，被配置为覆盖上述叉指电极结构和上述压电衬底的表面；

其中，上述叉指电极结构被配置为自上述压电衬底向上依次包括第一电极层和第二电极层，上述第一电极层和上述第二电极层之间被配置为具有中空区域。

根据本公开的实施例，上述中空区域被配置为在沿声波传播方向上的宽度与上述第一电极层在沿声波传播方向上的宽度相等。

根据本公开的实施例，上述叉指电极结构的每个电极包括与上述叉指电极结构的母线连接的第一端部、与上述第一端部相对的第二端部、和位于上述第一端部和上述第二端部之间的中间部；

其中，上述第一电极层和上述第二电极层之间位于上述中间部的区域形成有上述中空区域。

根据本公开的实施例，上述中空区域被配置为填充有介质材料，上述介质材料包括AlN，SiON和SiN。

根据本公开的实施例，上述中间部被配置为形成沿声波传播方向延伸的中间区域，上述中间区域中位于上述压电衬底的区域被配置为填充有上述介质材料。

根据本公开的实施例，上述第一电极层被配置为嵌入上述压电衬底，上述第一电极层被配置为表面与上述压电衬底的表面齐平。

根据本公开的实施例，上述第一电极层被配置为由Mo、W、Cu、Fe、Pt、Cr、Ag和Ta中的任意一种金属材料，或多种金属材料组成的合金构成。

根据本公开的实施例，上述第二电极层被配置为由Al、Cu和Ag中的任意一种金属材料，或多种金属材料组成的合金构成。

根据本公开的实施例，上述温度补偿层被配置为由SiO2、多孔硅、掺杂F或N的SiO2、和掺杂F或N的多孔硅中的任意一种构成。

本公开的另一个方面提供了一种声表面波滤波器，包括至少一个如上所述的声表面波器件。

根据本公开的实施例，通过在第一电极层和第二电极层之间设置中空区域，可以使得在中空区域中，第一电极层和第二电极层不会直接接触，从而可以使得该中空区域所处的区域与其他区域的声速存在区别，进而可以将非活塞波形的其余波形滤除，使得声波波形的传播模式符合活塞波形的模式。通过上述结构设置，可以至少部分地克服相关技术中存在的无法有效抑制横向寄生模式的技术问题，进而有效减少了声表面波器件的寄生模式。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示意性示出了根据本公开实施例的声表面波器件的正视截面图。

图2示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的正视截面图。

图3A示意性示出了根据本公开实施例的声表面波器件的俯视图。

图3B示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的俯视图。

图3C示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的俯视图。

图4A示意性示出了根据本公开实施例的声表面波器件的侧视截面图。

图4B示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的侧视截面图。

图4C示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的侧视截面图。

图5A示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的正视截面图。

图5B示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件在中空区域填充不同材料时的横向色散特性示意图。

图6示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的俯视图。

图7示意性示出了根据本公开实施例的声表面波谐振器的示意图。

图8示意性示出了根据本公开实施例的声表面波滤波器的示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。

在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。

在使用类似于“A、B和C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B和C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。在使用类似于“A、B或C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B或C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。

声表面波可以指在固体半空间表面存在的一种沿表面传播，能量集中于表面附近的弹性波，因其能量密度高、传播速度慢等特点，基于声表面波制作的声表面波器件在谐振器、滤波器、传感器等产品中得到了广泛应用。例如，基于声表面波器件可以制成能够在高频电路中作为带通滤波器使用的声表面波滤波器；再例如，基于声表面波器件的兰姆波、瑞利波、拉夫波、水平剪切波等模式可以制成谐振器，并且可以通过将多个该谐振器构成梯型或晶格型拓扑结构来设计滤波器或双工器。

随着声波器件技术的发展，声表面波器件向着小型化、高频化和宽带化的方向发展，同时对于声表面波器件的功率承受能力的要求也越来越高。据此，相关技术中在声表面波器件的基础上，提出了一系列的改进器件，如掩埋型温度补偿声表面波器件(Temperature Compensated Surface Acoustic Wave，TC-SAW)、基于绝缘衬底上的压电材料的声表面波器件(POI-SAW)等。而由于声表面波是一种声波，基于其自身的特点，声表面波器件无可避免地会产生较多的横向寄生模式。相关技术中对于声表面波器件的改进无法在满足上述需求的同时，对横向寄生模式进行有效地抑制。

例如，掩埋型温度补偿声表面波器件是在压电衬底和电极表面铺一层温度补偿层，因而相较于常规的声表面波器件具有更佳的频率温度系数(Temperature Coefficientof Frequency，TCF)和品质因数(Q值)。然而该器件表现出强烈的横向模式，使得该器件的通带有较大的波纹，整体插损下降。

再例如，基于绝缘衬底上的压电材料的声表面波器件是通过将LiNbO₃和LiTaO₃制作成薄膜材料以应用在声表面波器件中，相较于常规的声表面波器件具有更佳的工作频率、等效耦合系数(Equivalent Coupling Coefficient，k2eff)和品质因数。然而，由于该器件的压电层的频率温度系数较差，在工业温度(-20～85℃)范围内会产生较大的频偏，使其插损恶化。

有鉴于此，本公开的实施例提供了一种声表面波器件及声表面波滤波器，以至少部分地克服相关技术中存在的上述技术问题。具体地，声表面波器件包括：压电衬底；叉指电极结构，被配置为设置在压电衬底的表面；以及温度补偿层，被配置为覆盖叉指电极结构和压电衬底的表面；其中，叉指电极结构被配置为自压电衬底向上依次包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层之间被配置为具有中空区域。

图1示意性示出了根据本公开实施例的声表面波器件的正视截面图。

如图1所示，声表面波器件可以包括压电衬底100、叉指电极结构200和温度补偿层300。

根据本公开的实施例，压电衬底100可以指由压电材料制作而成的衬底。

根据本公开的实施例，制成压电衬底100的压电材料可以包括但不限于SiO2(二氧化硅)、AlN(氮化铝)、Al2O3(氧化铝)、LiNbO3(铌酸锂)、LiTaO3(钽酸锂)，或者掺杂有其它元素的上述材料等。制成压电衬底100所采用的具体压电材料可以根据应用场景进行选择，在此不作限定。

根据本公开的实施例，压电衬底100可以具有正压电效应和逆压电效应。具体地，正压电效应可以指当压电衬底100在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，压电衬底100的内部会产生极化现象，即压电衬底100的两个相对表面上会出现正负相反的电荷，当外力去掉后，压电衬底100可以恢复到不带电的状态。逆压电效应可以指当在压电衬底100的极化方向上施加电场，压电衬底100会发生形变，而当施加的电场消除后，该形变会随之消失。

根据本公开的实施例，基于压电衬底100的正压电效应和逆压电效应，压电衬底100可以实现声电转换。具体地，可以通过对压电衬底100施加变化的电压，如交流电压的方式，使得压电衬底100发生振动，从而在压电衬底100的表面产生声波。在压电衬底100因接收到的声波产生振动后，因极化现象，压电衬底100可以产生变化的电压。

根据本公开的实施例，叉指电极结构200可以被配置为设置在压电衬底100的表面。

根据本公开的实施例，叉指电极结构200被配置为自压电衬底100向上依次包括第一电极层210和第二电极层220。即叉指电极结构200可以是由第一电极层210和第二电极层220构成的复合电极结构，且第一电极层210可以直接和压电衬底100连接，第二电极层220可以通过第一电极层210来间接地连接压电衬底100。

根据本公开的实施例，第一电极层210和第二电极层220可以由相同的金属材料制成，也可以由不同的金属材料制成。具体地，可以用于制成第一电极层210和第二电极层220的金属材料可以是具有良好导电性的金属，其具体为可以与半导体工艺兼容的Al(铝)、Mo(钼)、Cu(铜)、Au(金)、Pt(铂)、Ag(银)、Ni(镍)、Cr(铬)、钨(W)、Ta(钽)、Fe(铁)等，也可以为上述金属所组成的合金，还可以为上述金属与其他金属或非金属材料所组成的复合材料，在此不作限定。

根据本公开的实施例，第一电极层210和第二电极层220之间可以被配置为具有中空区域230，该中空区域230可以是一个未填充有任何材料的空腔。通过该中空区域230，第一电极层210和第二电极层220的连接面之间可以至少有一部分区域不直接相连。

根据本公开的实施例，在进行叉指电极结构200的制备时，可以在完成第一电极层210的生长后，或者，在第一电极层210的生长过程中，对为中空区域230预留的区域进行填充，以在第一电极层210和第二电极层220的生长过程中，维持中空区域230的形状的稳定；并在完成第一电极层210和第二电极层220的生长后，释放该中空区域230的填充材料，已完成叉指电极结构200的制备。

根据本公开的实施例，温度补偿层300可以被配置为覆盖叉指电极结构200和压电衬底100的表面。即温度补偿层300可以生长在第二电极层220的表面，叉指电极结构200中电极与母线之间的空隙区域，以及相邻的两个电极之间的空隙区域。

根据本公开的实施例，空隙区域处的温度补偿层300在相对于压电衬底100垂直方向的高度可以大于叉指电极结构200在相对于压电衬底100垂直方向的高度，即温度补偿层300可以完全包裹该叉指电极结构200。

根据本公开的实施例，温度补偿层300可以用于实现对叉指电极结构200的温度补偿，从而提高声表面波器件的频率温度系数(Temperature Coefficient of Frequency，TCF)。

根据本公开的实施例，通过在第一电极层和第二电极层之间设置中空区域，可以使得在中空区域中，第一电极层和第二电极层不会直接接触，从而可以使得该中空区域所处的区域与其他区域的声速存在区别，进而可以将非活塞波形的其余波形滤除，使得声波波形的传播模式符合活塞波形的模式。通过上述结构设置，可以至少部分地克服相关技术中存在的无法有效抑制横向寄生模式的技术问题，进而有效减少了声表面波器件的寄生模式。

下面参考图2、图3A～图3C、图4A～图4C、图5A～图5B和图6，结合具体实施例对图1所示的声表面波器件做进一步说明。

根据本公开的实施例，温度补偿层300可以被配置为由SiO2、多孔硅、掺杂F或N的SiO2、和掺杂F或N的多孔硅中的任意一种构成。备选地，温度补偿层300可以由SiO2构成，以进一步地提高声表面波器件的频率温度系数。

根据本公开的实施例，第一电极层210和第二电极层220可以由不同金属材料制成。其中，第一电极层210可以由具有较大密度的金属材料或合金制成，第二电极层220可以由具有较高导电率的金属材料或合金制成。具体地，第一电极层210可以被配置为由Mo(钼)、W(W)、Cu(铜)、Fe(铁)、Pt(铂)、Cr(铬)、Ag(银)和Ta(钽)中的任意一种金属材料，或多种金属材料组成的合金构成。第二电极层220可以被配置为由Al(铝)、Cu(铜)和Ag(银)中的任意一种金属材料，或多种金属材料组成的合金构成。

根据本公开的实施例，通过如上所述的对第一电极层210和第二电极层220的组成材料的配置，可以有效地减小叉指的电极损耗。

需要注意的是，第一电极层210或第二电极层220也可以由除上述金属材料之外的其他金属材料构成，只要满足其较大密度或较高导电率的需求即可，在此不作限定。

根据本公开的实施例，中空区域230可以被包裹在第一电极层210和第二电极层220的内部，或者，中空区域230的边界也可以和第一电极层210的边界齐平，在此不作限定。

图2示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的正视截面图。

如图2所示，中空区域230可以被配置为在沿声波传播方向上的宽度与第一电极层210在沿声波传播方向上的宽度相等。即中空区域230在沿声波传播方向上的边界可以和第一电极层210在沿声波传播方向上的边界齐平。

根据本公开的实施例，声波传播方向可以指压电衬底100的表面上，与叉指电极结构200中的电极的延伸方向垂直的方向。

图3A示意性示出了根据本公开实施例的声表面波器件的俯视图。

如图3A所示，叉指电极结构200可以包括至少两个电极240。每个电极240可以包括与叉指电极结构200的母线250连接的第一端部241、与第一端部241相对的第二端部242、和位于第一端部和第二端部之间的中间部243。

根据本公开的实施例，第二端部242与叉指电极结构200的另一条母线250之间可以存在间隙，该间隙可以被配置为形成有沿声波传播方向延伸的间隙区域。第二端部242可以被配置为形成有沿声波传播方向延伸的边缘区域。中间部243可以被配置为形成有沿声波传播方向延伸的中间区域。

根据本公开的实施例，第一电极层210和第二电极层220之间位于中间部243的区域可以形成有中空区域230。

根据本公开的实施例，通过在第一电极层210和第二电极层220之间位于中间部243的区域形成中空区域230，处于中间区域的第一电极层210和第二电极层220不会直接接触，第一电极层210和第二电极层220不会降低声波在中间区域的声速，从而使得中间区域的声速大于边缘区域的声速，而由于间隙区域的声速可以大于中间区域的声速，因此，器件激发的声波的谐振模式为活塞振动模式，进而可以有效地抑制声波向电极延伸方向的传播，即抑制横向模型的产生。

根据本公开的实施例，中空区域230也可以部分地位于第一端部241或第二端部242中，在此不作限定。

图3B示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的俯视图。

如图3B所示，第一电极层210和第二电极层220之间位于第一端部241、第二端部242和中间部243的部分区域也可以形成有中空区域230。

根据本公开的实施例，中空区域230也可以由多个空腔共同组成，每个空腔可以分别位于电极240的不同端部。

图3C示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的俯视图。

如图3C所示，第一电极层210和第二电极层220之间位于第一端部241、第二端部242和中间部243的区域可以分别形成有一个或多个空腔，三个端部的所有空腔共同构成该中空区域230。

根据本公开的实施例，通过调整中空区域的位置，可以调整声波在中间区域和边缘区域的声速，即调整声波的谐振模式，从而可以实现对具体应用场景中需要滤除的横向模式进行针对性地抑制，进而有效提高声表面波器件的适用程度。

图4A示意性示出了根据本公开实施例的声表面波器件的侧视截面图。

如图4A所示，中空区域230可以被配置为设置在第一电极210的表面。

根据本公开的实施例，在进行叉指电极结构200的制备时，可以在完成第一电极层210的生长后，利用填充材料在第一电极层210的表面上生长填充层，再完成填充层的生长后，或者，在该填充层的生长过程中，进行第二电极层220的生长；并在完成第二电极层220的生长后，将该填充层内的填充材料释放，以得到中空区域230。

根据本公开的实施例，由于中空区域230的存在，在第二电极层220的生长过程中，第二电极层220中覆盖中空区域230的部分区域可以形成有背向压电衬底100方向的凸起结构，从而使得第二电极220层的表面呈山丘状。

图4B示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的侧视截面图。

如图4B所示，第一电极层210在背向压电衬底100的表面可以具有凹槽，中空区域230可以被配置为设置在第一电极层210的凹槽内。

根据本公开的实施例，在进行叉指电极结构200的制备时，为了确保第一电极层210具有一定的厚度，在生长第一电极层210之前，可以在压电衬底100上对应于中空区域230的位置制备凹槽。

图4C示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的侧视截面图。

如图4C所示，第一电极层210可以被配置为嵌入压电衬底100，且第一电极层210可以被配置为其表面与压电衬底100的表面齐平。

根据本公开的实施例，在进行叉指电极结构200的制备时，可以先在压电衬底100上制备凹槽，并在凹槽中生长第一电极层210；在完成第一电极层210的生长后，可以对该第一电极层210的表面作磨平抛光处理，之后再生长并图形化第二电极层220，以形成中空区域230。

图5A示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的正视截面图。

如图5A所示，中空区域230中还可以被配置为填充有介质材料。

根据本公开的实施例，介质材料可以是任意的高声速材料，包括但不限于AlN(氮化铝)、SiON(氮氧化硅)SiN(氮化硅)等。

根据本公开的实施例，该介质材料可以是在叉指电极结构200的制备过程中，填充至相应区域以形成中空区域230所使用的填充材料，即在中空区域230中被配置为填充有介质材料的情况下，叉指电极结构200的制备过程不需要进行填充材料的释放的步骤。或者，该介质材料也可以是在完成叉指电极结构200的制备后再填充至中空区域230的，在此不作限定。

图5B示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件在中空区域填充不同材料时的横向色散特性示意图。

如图5B所示，第一电极层210可以由Pt(铂)构成，第二电极层可以由Al(铝)构成。“。”号构成的离散曲线可以是在中空区域填充Pt(铂)时的横向色散特性曲线，“+”号构成的离散曲线可以是在中空区域填充Al(铝)时的横向色散特性曲线，“*”号构成的离散曲线可以是在中空区域填充SiN(氮化硅)时的横向色散特性曲线。

由图5B可见，在中空区域230填充入高声速材料，如SiN(氮化硅)后，声表面波器件在该区域的谐振频率及高阶模式得到了明显的增大，使叉指电极结构200的中间区域、边缘区域及间隙区域形成声速差，从而可以有效地抑制横向模式的产生。

图6示意性示出了根据本公开另一实施例的声表面波器件的俯视图。

如图6所示，在向中空区域230填充入介质材料的基础上，还可以在压电衬底100上的其他区域中填充该介质材料。具体地，该中空区域230可以处于第一电极层210和第二电极层220之间位于中间部243的区域，中间部243可以被配置为形成沿声波传播方向延伸的中间区域。该中间区域中位于压电衬底100的区域可以被配置为填充有介质材料。

根据本公开的实施例，在叉指电极结构200的制备过程中，可以在生长并图形化完成第一电极层210之后，将介质材料生长至整个中间区域，即包括第一电极层210的表面和压电衬底100的表面，之后再进行第二电极层220的生长和图形化。

根据本公开的实施例，通过在中间区域填充该介质材料，可以有效地提升中间区域的声速，以加大中间区域和边缘区域的声速差，从而可以更好地抑制横向寄生模式。备选地，中空区域230中填充的介质材料的厚度可以和压电衬底上填充的介质材料的厚度相等，以进一步地提高中间区域的声速。

图7示意性示出了根据本公开实施例的声表面波谐振器的示意图。

如图7所示，声表面波谐振器可以由声表面波器件及两侧的反射栅构成，声表面波器件和两侧的反射栅可以共用一个压电衬底。

根据本公开的实施例，声表面波器件可以是如图1、图2、图3A～图3C、图4A～图4C、图5A～图5B和图6中任意一图所示的声表面波器件，该声表面波器件的描述具体参考上述实施例中关于声表面波器件的描述，在此不再赘述。

根据本公开的实施例，通过将声表面波器件的叉指电极配置为多层复合结构，并在电极中间设置中空区域，可以有效地调节电极各个区域的声速，以将声表面波器件的横向模式充分抑制，提高声表面波器件的品质因数，降低了电极损耗，从而提高声表面波谐振器的整体性能。

根据本公开的实施例，如图7所示的声表面波谐振器可以是构成滤波器、传感器等器件的基本单元，通过采用串联、并联和/或级联的方式来连接多个声表面波谐振器，可以构建不同的拓扑结构，以得到具有不同功能的滤波器、传感器等器件。例如，可以通过连接多个声表面波谐振器构成梯型或晶格型拓扑结构来设计滤波器。

图8示意性示出了根据本公开实施例的声表面波滤波器的示意图。

如图8所示，该滤波器可以是由多个声表面波谐振器通过级联的方式构建得到的梯型滤波器。每个声表面波谐振器可以由本公开实施例提供的声表面波器件和两侧的反射栅组成。

需要注意的是，利用本公开实施例提供的声表面波器件也可以制成其他滤波器、传感器等器件，将其他滤波器、传感器等器件中的原声表面波器件替换为本公开实施例提供的声表面波器件即可，在此不再赘述。

本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。

以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (10)

1.一种声表面波器件，包括：

压电衬底；

叉指电极结构，被配置为设置在所述压电衬底的表面；以及

温度补偿层，被配置为覆盖所述叉指电极结构和所述压电衬底的表面；

其中，所述叉指电极结构被配置为自所述压电衬底向上依次包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层之间被配置为具有中空区域。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其中，所述中空区域被配置为在沿声波传播方向上的宽度与所述第一电极层在沿声波传播方向上的宽度相等。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其中，所述叉指电极结构的每个电极包括与所述叉指电极结构的母线连接的第一端部、与所述第一端部相对的第二端部、和位于所述第一端部和所述第二端部之间的中间部；

其中，所述第一电极层和所述第二电极层之间位于所述中间部的区域形成有所述中空区域。

4.根据权利要求3所述的声表面波器件，其中，所述中空区域被配置为填充有介质材料，所述介质材料包括AlN，SiON和SiN。

5.根据权利要求4所述的声表面波器件，其中，所述中间部被配置为形成沿声波传播方向延伸的中间区域，所述中间区域中位于所述压电衬底的区域被配置为填充有所述介质材料。

6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其中，所述第一电极层被配置为嵌入所述压电衬底，所述第一电极层被配置为表面与所述压电衬底的表面齐平。

7.根据权利要求1所述的声表面波器件，其中，所述第一电极层被配置为由Mo、W、Cu、Fe、Pt、Cr、Ag和Ta中的任意一种金属材料，或多种金属材料组成的合金构成。

8.根据权利要求1所述的声表面波器件，其中，所述第二电极层被配置为由Al、Cu和Ag中的任意一种金属材料，或多种金属材料组成的合金构成。

9.根据权利要求1所述的声表面波器件，其中，所述温度补偿层被配置为由SiO2、多孔硅、掺杂F或N的SiO2、和掺杂F或N的多孔硅中的任意一种构成。

10.一种声表面波滤波器，包括至少一个权利要求1～9中任一项所述的声表面波器件。

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