JP2001168671A - 弾性表面波デバイスとその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスとその製造方法Info
- Publication number
- JP2001168671A JP2001168671A JP34713099A JP34713099A JP2001168671A JP 2001168671 A JP2001168671 A JP 2001168671A JP 34713099 A JP34713099 A JP 34713099A JP 34713099 A JP34713099 A JP 34713099A JP 2001168671 A JP2001168671 A JP 2001168671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- idt electrode
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、温度特性改善または保護膜として
絶縁膜を弾性表面波素子上に形成するとき、ＩＤＴ電極
と絶縁膜の密着性を高めることができ、製造時に絶縁膜
の剥離を防止し信頼性の高い弾性表面波デバイスとその
製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１上にすだれ状に形成された電
気信号と弾性表面波間の変換を行うＩＤＴ電極２と、前
記ＩＤＴ電極２および前記圧電基板１の弾性表面波の伝
播路上に形成された絶縁膜７とを備えた弾性表面波デバ
イスにおいて、前記ＩＤＴ電極２の断面形状が上面側よ
り下面側の幅が広い台形形状とすることで、ＩＤＴ電極
２の側面に形成される前記絶縁膜７との密着性を高めた
信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。
絶縁膜を弾性表面波素子上に形成するとき、ＩＤＴ電極
と絶縁膜の密着性を高めることができ、製造時に絶縁膜
の剥離を防止し信頼性の高い弾性表面波デバイスとその
製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１上にすだれ状に形成された電
気信号と弾性表面波間の変換を行うＩＤＴ電極２と、前
記ＩＤＴ電極２および前記圧電基板１の弾性表面波の伝
播路上に形成された絶縁膜７とを備えた弾性表面波デバ
イスにおいて、前記ＩＤＴ電極２の断面形状が上面側よ
り下面側の幅が広い台形形状とすることで、ＩＤＴ電極
２の側面に形成される前記絶縁膜７との密着性を高めた
信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電基板上に形成さ
れた電気信号を弾性表面波に変換する変換器あるいは弾
性表面波を電気信号に変換する変換器を有した弾性表面
波デバイスとその製造方法に関するものである。
れた電気信号を弾性表面波に変換する変換器あるいは弾
性表面波を電気信号に変換する変換器を有した弾性表面
波デバイスとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスは圧電基板上に形成
されたすだれ状電極あるいはインターデジタルトランス
デューサ電極（以下ＩＤＴ電極という）と呼ばれるもの
を有し、それによって電気信号と弾性表面波間の変換を
行うものである。特に、弾性表面波フィルタは小型、軽
量という特徴を持ち、移動体通信の小型化、軽量化のキ
ーデバイスとなっている。
されたすだれ状電極あるいはインターデジタルトランス
デューサ電極（以下ＩＤＴ電極という）と呼ばれるもの
を有し、それによって電気信号と弾性表面波間の変換を
行うものである。特に、弾性表面波フィルタは小型、軽
量という特徴を持ち、移動体通信の小型化、軽量化のキ
ーデバイスとなっている。
【０００３】また、製造プロセスに半導体で用いるフォ
トリソ技術、ＲＩＥ技術等の微細加工技術を利用し圧電
基板からなるウェハ上に高密度に作成できるため、量産
性に優れている。近年では弾性表面波フィルタの動作周
波数も、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚと高周波化されるように
なり、設計および製造精度がより厳しくなっており、温
度特性による特性変化も許容できなくなりつつあり、温
度特性に優れることが要求されるようになってきた。
トリソ技術、ＲＩＥ技術等の微細加工技術を利用し圧電
基板からなるウェハ上に高密度に作成できるため、量産
性に優れている。近年では弾性表面波フィルタの動作周
波数も、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚと高周波化されるように
なり、設計および製造精度がより厳しくなっており、温
度特性による特性変化も許容できなくなりつつあり、温
度特性に優れることが要求されるようになってきた。
【０００４】また、実装時の半田またはシーム溶接によ
る封止を行うときのヤニや金属粉末によって弾性表面波
素子の表面が汚染されるため、弾性表面波素子の表面を
保護する保護膜を形成することが要求されるようになっ
てきた。温度特性の改善および弾性表面波素子の表面を
保護する方法として、二酸化シリコンからなる絶縁膜を
弾性表面波素子の表面に形成する方法が知られている。
特許第２７８３５５０号公報では、圧電基板として３６
°Ｙ−Ｘ伝播−リチウムタンタレート基板を用い、その
上にアルミニウムにてＩＤＴ電極を形成し、それを覆う
ように二酸化シリコン膜を形成することで温度特性を改
善する方法が示されている。
る封止を行うときのヤニや金属粉末によって弾性表面波
素子の表面が汚染されるため、弾性表面波素子の表面を
保護する保護膜を形成することが要求されるようになっ
てきた。温度特性の改善および弾性表面波素子の表面を
保護する方法として、二酸化シリコンからなる絶縁膜を
弾性表面波素子の表面に形成する方法が知られている。
特許第２７８３５５０号公報では、圧電基板として３６
°Ｙ−Ｘ伝播−リチウムタンタレート基板を用い、その
上にアルミニウムにてＩＤＴ電極を形成し、それを覆う
ように二酸化シリコン膜を形成することで温度特性を改
善する方法が示されている。
【０００５】しかしこの場合、特開平８−２０４４９３
号公報にも述べられているように、ＩＤＴ電極は通常ア
ルミニウムまたはアルミニウムにシリコンまたは銅を１
〜２ｗｔ％添加したアルミニウム合金にて形成してお
り、ＩＤＴ電極と二酸化シリコン膜との密着性が悪く、
製造時に二酸化シリコン膜が剥離するという問題が発生
する。前記特開平８−２０４４９３号公報では、ＩＤＴ
電極と二酸化シリコン膜の密着性を改善する方法の１つ
として、ＩＤＴ電極上にクロムからなる密着層を形成す
る方法が示されている。
号公報にも述べられているように、ＩＤＴ電極は通常ア
ルミニウムまたはアルミニウムにシリコンまたは銅を１
〜２ｗｔ％添加したアルミニウム合金にて形成してお
り、ＩＤＴ電極と二酸化シリコン膜との密着性が悪く、
製造時に二酸化シリコン膜が剥離するという問題が発生
する。前記特開平８−２０４４９３号公報では、ＩＤＴ
電極と二酸化シリコン膜の密着性を改善する方法の１つ
として、ＩＤＴ電極上にクロムからなる密着層を形成す
る方法が示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構成では次のような課題があった。一般に、図４に示す
ように圧電基板１０上のＩＤＴ電極１１はその側面が圧
電基板１０に対して垂直になるように加工している。ま
た、スパッタまたはＣＶＤという方法によって絶縁膜１
２の形成を行うとき、圧電基板１０に対して垂直に絶縁
膜１２の粒子が飛来し堆積する。このため、従来のよう
にＩＤＴ電極１１の側面が圧電基板１０から垂直になる
ように加工を行っている場合、ＩＤＴ電極１１の側面に
は斜めから回りこんでくるエネルギーの小さい粒子のみ
が付着し成長するため、ＩＤＴ電極１１の側面の絶縁膜
１２は剥離しやすい。ＩＤＴ電極１１の表面にクロムを
形成してもＩＤＴ電極１１の表面に形成される絶縁膜１
２の密着性の向上は可能になるが、もっとも剥離が起こ
りやすいＩＤＴ電極１１の側面の絶縁膜１２の剥離を防
ぐ効果は全くないという問題がある。
構成では次のような課題があった。一般に、図４に示す
ように圧電基板１０上のＩＤＴ電極１１はその側面が圧
電基板１０に対して垂直になるように加工している。ま
た、スパッタまたはＣＶＤという方法によって絶縁膜１
２の形成を行うとき、圧電基板１０に対して垂直に絶縁
膜１２の粒子が飛来し堆積する。このため、従来のよう
にＩＤＴ電極１１の側面が圧電基板１０から垂直になる
ように加工を行っている場合、ＩＤＴ電極１１の側面に
は斜めから回りこんでくるエネルギーの小さい粒子のみ
が付着し成長するため、ＩＤＴ電極１１の側面の絶縁膜
１２は剥離しやすい。ＩＤＴ電極１１の表面にクロムを
形成してもＩＤＴ電極１１の表面に形成される絶縁膜１
２の密着性の向上は可能になるが、もっとも剥離が起こ
りやすいＩＤＴ電極１１の側面の絶縁膜１２の剥離を防
ぐ効果は全くないという問題がある。
【０００７】本発明は温度特性改善または保護膜として
絶縁膜を弾性表面波素子上に形成するとき、弾性表面波
素子のＩＤＴ電極と絶縁膜の密着性を高めることがで
き、製造時に絶縁膜の剥離を防止し信頼性の高い弾性表
面波デバイスとその製造方法を提供することを目的とす
る。
絶縁膜を弾性表面波素子上に形成するとき、弾性表面波
素子のＩＤＴ電極と絶縁膜の密着性を高めることがで
き、製造時に絶縁膜の剥離を防止し信頼性の高い弾性表
面波デバイスとその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板上にすだれ
状に形成された電気信号と弾性表面波間の変換を行うＩ
ＤＴ電極と、このＩＤＴ電極および前記圧電基板の弾性
表面波の伝播路上に形成された絶縁膜とを備えた弾性表
面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の断面形状が、
上面側より下面側の幅が広い台形形状としたもので、Ｉ
ＤＴ電極の側面に形成される前記絶縁膜の密着性を高め
ることができ、製造時に絶縁膜の剥離を防止することが
できる。すなわち、歩留まりが向上するとともに、信頼
性の高い弾性表面波デバイスが得られることになる。
に本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板上にすだれ
状に形成された電気信号と弾性表面波間の変換を行うＩ
ＤＴ電極と、このＩＤＴ電極および前記圧電基板の弾性
表面波の伝播路上に形成された絶縁膜とを備えた弾性表
面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の断面形状が、
上面側より下面側の幅が広い台形形状としたもので、Ｉ
ＤＴ電極の側面に形成される前記絶縁膜の密着性を高め
ることができ、製造時に絶縁膜の剥離を防止することが
できる。すなわち、歩留まりが向上するとともに、信頼
性の高い弾性表面波デバイスが得られることになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、圧電基板上にすだれ状に形成された電気信号と弾性
表面波間の変換を行うＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極お
よび前記圧電基板の弾性表面波の伝播路上に形成された
絶縁膜とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、前記Ｉ
ＤＴ電極の断面形状が上面側より下面側の幅が広い台形
形状としたもので、ＩＤＴ電極の側面に形成される絶縁
膜は圧電基板に対して垂直に飛来する粒子が付着し成長
することが可能となり、もっとも剥離しやすいＩＤＴ電
極の側面に形成される絶縁膜の密着性を高めることがで
き、製造時に絶縁膜の剥離を防止することができるとと
もに、信頼性の高い弾性表面波デバイスを得ることがで
きる。
は、圧電基板上にすだれ状に形成された電気信号と弾性
表面波間の変換を行うＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極お
よび前記圧電基板の弾性表面波の伝播路上に形成された
絶縁膜とを備えた弾性表面波デバイスにおいて、前記Ｉ
ＤＴ電極の断面形状が上面側より下面側の幅が広い台形
形状としたもので、ＩＤＴ電極の側面に形成される絶縁
膜は圧電基板に対して垂直に飛来する粒子が付着し成長
することが可能となり、もっとも剥離しやすいＩＤＴ電
極の側面に形成される絶縁膜の密着性を高めることがで
き、製造時に絶縁膜の剥離を防止することができるとと
もに、信頼性の高い弾性表面波デバイスを得ることがで
きる。
【００１０】請求項２に記載の発明は、ＩＤＴ電極を異
なる２種以上の材料を積層して形成したものであり、通
常異なる材料でＩＤＴ電極を積層形成するとＩＤＴ電極
の側面に凹凸が発生して絶縁膜が剥離しやすくなるのを
防止することができる。
なる２種以上の材料を積層して形成したものであり、通
常異なる材料でＩＤＴ電極を積層形成するとＩＤＴ電極
の側面に凹凸が発生して絶縁膜が剥離しやすくなるのを
防止することができる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、ＩＤＴ電極をア
ルミニウムまたはアルミニウム合金とチタンを２層以上
積層して形成したものであり、請求項２と同じ作用を有
する。
ルミニウムまたはアルミニウム合金とチタンを２層以上
積層して形成したものであり、請求項２と同じ作用を有
する。
【００１２】請求項４に記載の発明は、ＩＤＴ電極の側
面の傾斜角度を８５度から６５度の範囲としたものであ
り、ＩＤＴ電極の側面への絶縁膜の形成が確実に行える
ことになる。
面の傾斜角度を８５度から６５度の範囲としたものであ
り、ＩＤＴ電極の側面への絶縁膜の形成が確実に行える
ことになる。
【００１３】請求項５に記載の発明は、圧電基板上に形
成した金属薄膜上にレジスト膜を形成し、これをＣ
ｌ2、ＢＣｌ3にさらにＮ2を添加したガス中でドライエ
ッチングすることにより断面が上面側より下面側の幅を
広くした形状のＩＤＴ電極を形成し、このＩＤＴ電極お
よび圧電基板の弾性表面波の伝播路上にスパッタまたは
ＣＶＤで絶縁膜を形成する製造方法であり、ＩＤＴ電極
に対して剥離しない絶縁膜を形成することができる。
成した金属薄膜上にレジスト膜を形成し、これをＣ
ｌ2、ＢＣｌ3にさらにＮ2を添加したガス中でドライエ
ッチングすることにより断面が上面側より下面側の幅を
広くした形状のＩＤＴ電極を形成し、このＩＤＴ電極お
よび圧電基板の弾性表面波の伝播路上にスパッタまたは
ＣＶＤで絶縁膜を形成する製造方法であり、ＩＤＴ電極
に対して剥離しない絶縁膜を形成することができる。
【００１４】請求項６に記載の発明は、圧電基板上に形
成した金属薄膜上にレジスト膜を形成し、これをＣ
ｌ2、ＢＣｌ3にさらにＮ2とＡｒを添加したガス雰囲気
中でドライエッチングすることにより断面が上面側より
下面側の幅を広くした形状のＩＤＴ電極を形成し、この
ＩＤＴ電極および圧電基板の弾性表面波の伝播路上にス
パッタまたはＣＶＤにより絶縁膜を形成する製造方法で
あり、ＩＤＴ電極から剥離しない絶縁膜を形成でき信頼
性に富んだ弾性表面波デバイスを得ることができる。
成した金属薄膜上にレジスト膜を形成し、これをＣ
ｌ2、ＢＣｌ3にさらにＮ2とＡｒを添加したガス雰囲気
中でドライエッチングすることにより断面が上面側より
下面側の幅を広くした形状のＩＤＴ電極を形成し、この
ＩＤＴ電極および圧電基板の弾性表面波の伝播路上にス
パッタまたはＣＶＤにより絶縁膜を形成する製造方法で
あり、ＩＤＴ電極から剥離しない絶縁膜を形成でき信頼
性に富んだ弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１５】以下、本発明の実施の形態について図１〜
図３を用いて説明する。
図３を用いて説明する。
【００１６】まず、図１、図２において１は圧電基板で
あり、この圧電基板１の上面中央にはすだれ状に形成さ
れたアルミニウムなどからなるＩＤＴ電極２が設けら
れ、その左右には反射器３、４が設けられている。ま
た、上記ＩＤＴ電極２には引出電極５、６が設けられて
いる。
あり、この圧電基板１の上面中央にはすだれ状に形成さ
れたアルミニウムなどからなるＩＤＴ電極２が設けら
れ、その左右には反射器３、４が設けられている。ま
た、上記ＩＤＴ電極２には引出電極５、６が設けられて
いる。
【００１７】上記ＩＤＴ電極２部の断面を図２に示して
あり、ＩＤＴ電極２は上面側より下面側の幅が広くなる
ような台形形状の断面形状となっており、このＩＤＴ電
極２および圧電基板１の表面弾性波の伝播路上には二酸
化シリコンからなる絶縁膜７が形成されて構成されてい
る。
あり、ＩＤＴ電極２は上面側より下面側の幅が広くなる
ような台形形状の断面形状となっており、このＩＤＴ電
極２および圧電基板１の表面弾性波の伝播路上には二酸
化シリコンからなる絶縁膜７が形成されて構成されてい
る。
【００１８】また、上記ＩＤＴ電極２の断面形状の側面
の傾斜角は８５度から６５度の範囲となるように設定さ
れている。これは８５度以上になると、絶縁膜７をスパ
ッタまたはＣＶＤで形成するときに飛来してくるエネル
ギーの小さい粒子のＩＤＴ電極２の側面への付着のみと
なり、密着性の弱いものとなる。また、６５度以下にす
れば高エルネギーの垂直に飛来する粒子が主となって絶
縁膜７が形成され密着性の優れたものになるが、圧電基
板１に接する電極幅で弾性表面波デバイスの容量が決ま
るため、この幅を設計通りの寸法になるように形成しよ
うとすると、フォトリソで形成する電極幅を細らせて形
成しなければならず、より高価な解像度の高い設備が必
要となり、コストの面で不利となってしまう。
の傾斜角は８５度から６５度の範囲となるように設定さ
れている。これは８５度以上になると、絶縁膜７をスパ
ッタまたはＣＶＤで形成するときに飛来してくるエネル
ギーの小さい粒子のＩＤＴ電極２の側面への付着のみと
なり、密着性の弱いものとなる。また、６５度以下にす
れば高エルネギーの垂直に飛来する粒子が主となって絶
縁膜７が形成され密着性の優れたものになるが、圧電基
板１に接する電極幅で弾性表面波デバイスの容量が決ま
るため、この幅を設計通りの寸法になるように形成しよ
うとすると、フォトリソで形成する電極幅を細らせて形
成しなければならず、より高価な解像度の高い設備が必
要となり、コストの面で不利となってしまう。
【００１９】このようなことからＩＤＴ電極２の側面の
傾斜角は８５度から６５度の範囲とすることが望まし
い。
傾斜角は８５度から６５度の範囲とすることが望まし
い。
【００２０】なお、上記ＩＤＴ電極２としては１種のア
ルミニウムなどの金属材料で構成したものについて説明
したが、図３に示すようにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金層２ａとチタン層２ｂによる２層の構成として
もよい。
ルミニウムなどの金属材料で構成したものについて説明
したが、図３に示すようにアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金層２ａとチタン層２ｂによる２層の構成として
もよい。
【００２１】次に本発明の弾性表面波デバイスの製造方
法について説明する。圧電基板の片面の全面にアルミニ
ウムを蒸着することにより金属薄膜を形成し、この金属
薄膜上にＩＤＴ電極および反射器として残す部分にレジ
スト膜を形成し、ドライエッチングにより不要な部分の
金属材料を除去する。この時、Ｃｌ2、ＢＣｌ3にさらに
Ｎ2を添加したガス雰囲気中でドライエッチングを行う
と、Ｎ2は不活性ガスのため金属材料やレジスト膜とも
化学的な反応はしないが金属材料の種類にかかわらずイ
オン性のエッチング作用を有する。
法について説明する。圧電基板の片面の全面にアルミニ
ウムを蒸着することにより金属薄膜を形成し、この金属
薄膜上にＩＤＴ電極および反射器として残す部分にレジ
スト膜を形成し、ドライエッチングにより不要な部分の
金属材料を除去する。この時、Ｃｌ2、ＢＣｌ3にさらに
Ｎ2を添加したガス雰囲気中でドライエッチングを行う
と、Ｎ2は不活性ガスのため金属材料やレジスト膜とも
化学的な反応はしないが金属材料の種類にかかわらずイ
オン性のエッチング作用を有する。
【００２２】このため、レジスト膜の一部が削られて近
傍の金属材料に付着し、このレジストの付着した部分は
マスクをされた形となり化学的なエッチングは起こらな
くなり、ＩＤＴ電極の側面は下面側になるにしたがって
幅が広くなるようにエッチングされることになり、ＩＤ
Ｔ電極の断面形状は台形形状にすることができる。
傍の金属材料に付着し、このレジストの付着した部分は
マスクをされた形となり化学的なエッチングは起こらな
くなり、ＩＤＴ電極の側面は下面側になるにしたがって
幅が広くなるようにエッチングされることになり、ＩＤ
Ｔ電極の断面形状は台形形状にすることができる。
【００２３】さらに、このドライエッチング時のガスと
して、Ｃｌ2、ＢＣｌ3にＮ2、さらにＡｒを添加する
と、イオン性が高まり、より確実にＩＤＴ電極の断面を
台形形状にエッチングできることになる。
して、Ｃｌ2、ＢＣｌ3にＮ2、さらにＡｒを添加する
と、イオン性が高まり、より確実にＩＤＴ電極の断面を
台形形状にエッチングできることになる。
【００２４】また、このドライエッチングにおいて、下
層にチタン層、上層にアルミニウムまたはアルミニウム
合金層を蒸着した構成のものを用いると、サイドエッチ
ングのレートがアルミニウムまたはアルミニウム合金と
チタンとでは異なり、チタンの方が小さいためＩＤＴ電
極の断面を台形形状にする上でより効率的となる。
層にチタン層、上層にアルミニウムまたはアルミニウム
合金層を蒸着した構成のものを用いると、サイドエッチ
ングのレートがアルミニウムまたはアルミニウム合金と
チタンとでは異なり、チタンの方が小さいためＩＤＴ電
極の断面を台形形状にする上でより効率的となる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、圧電基板上にすだれ状に
形成された電気信号と弾性表面波間の変換を行うＩＤＴ
電極と、前記ＩＤＴ電極および前記圧電基板の弾性表面
波の伝播路上に形成された絶縁膜とを備えた弾性表面波
デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の断面形状が、下面
の幅が広い台形形状を有するようにあらかじめ加工する
ことで、ＩＤＴ電極と絶縁膜の密着性を高めることがで
き、ＩＤＴ電極の側面に形成される絶縁膜は圧電基板に
対して垂直に飛来する粒子が付着し成長することが可能
となり、もっとも剥離しやすいＩＤＴ電極の側面に形成
される絶縁膜の密着性を高めることができ、製造時に絶
縁膜の剥離を防止することができ、歩留まりが向上する
とともに信頼性が向上する。
形成された電気信号と弾性表面波間の変換を行うＩＤＴ
電極と、前記ＩＤＴ電極および前記圧電基板の弾性表面
波の伝播路上に形成された絶縁膜とを備えた弾性表面波
デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の断面形状が、下面
の幅が広い台形形状を有するようにあらかじめ加工する
ことで、ＩＤＴ電極と絶縁膜の密着性を高めることがで
き、ＩＤＴ電極の側面に形成される絶縁膜は圧電基板に
対して垂直に飛来する粒子が付着し成長することが可能
となり、もっとも剥離しやすいＩＤＴ電極の側面に形成
される絶縁膜の密着性を高めることができ、製造時に絶
縁膜の剥離を防止することができ、歩留まりが向上する
とともに信頼性が向上する。
【図１】本発明の弾性表面波デバイスの一実施の形態の
上面図
上面図
【図２】同ＩＤＴ電極部の断面図
【図３】他の例のＩＤＴ電極部の断面図
【図４】従来の弾性表面波デバイスのＩＤＴ電極部の断
面図
面図
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ電極 ３、４ 反射器 ５、６ 引出電極 ７ 絶縁膜
フロントページの続き (72)発明者 村嶋 祐二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA24 AA32 BB02 DD29 FF03 HA02 KK09
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電基板上にすだれ状に形成された電気
信号と弾性表面波間の変換を行うインターデジタルトラ
ンスデューサ電極と、このインターデジタルトランスデ
ューサ電極および前記圧電基板の弾性表面波の伝播路上
に形成された絶縁膜とを備えた弾性表面波デバイスにお
いて、前記インターデジタルトランスデューサ電極の断
面形状が上面側より下面側の幅が広い台形形状とした弾
性表面波デバイス。 - 【請求項２】 インターデジタルトランスデューサ電極
を異なる２種以上の材料を積層して形成した請求項１に
記載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 インターデジタルトランスデューサ電極
をアルミニウムまたはアルミニウム合金とチタンを２層
以上積層して形成した請求項１に記載の弾性表面波デバ
イス。 - 【請求項４】 インターデジタルトランスデューサ電極
の側面の傾斜角度を８５°から６５°とした請求項１記
載の弾性表面波デバイス。 - 【請求項５】 請求項１〜４に記載の表面弾性波デバイ
スにおいて、インターデジタルトランスデューサ電極の
ドライエッチングのプロセスガスにＣｌ2、ＢＣｌ3にさ
らにＮ2を添加してエッチング加工を行い、その後、絶
縁膜をスパッタまたはＣＶＤで形成する弾性表面波デバ
イスの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４に記載の表面弾性波デバイ
スにおいて、インターデジタルトランスデューサ電極の
ドライエッチングのプロセスガスにＣｌ2、ＢＣｌ3にさ
らにＮ2とＡｒを添加してエッチング加工を行い、その
後、絶縁膜をスパッタまたはＣＶＤで形成する弾性表面
波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34713099A JP2001168671A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34713099A JP2001168671A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168671A true JP2001168671A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=18388119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34713099A Pending JP2001168671A (ja) | 1999-12-07 | 1999-12-07 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168671A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217672A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機装置 |
| WO2003058813A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface, composant electronique utilisant ce dispositif et module composite |
| JP2006109287A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| WO2007034832A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| JP2008079275A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-04-03 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| WO2011145449A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| KR101161903B1 (ko) | 2004-06-30 | 2012-07-03 | 파나소닉 주식회사 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| US8222972B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-07-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave element, duplexer, communication module, and communication apparatus |
| WO2012102131A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
| WO2016117483A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置 |
| CN112436815A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-02 | 广东广纳芯科技有限公司 | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 |
| WO2022045086A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
1999
- 1999-12-07 JP JP34713099A patent/JP2001168671A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217672A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機装置 |
| WO2003058813A1 (fr) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface, composant electronique utilisant ce dispositif et module composite |
| US6937114B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
| EP2161836A1 (en) | 2001-12-28 | 2010-03-10 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
| KR101161903B1 (ko) | 2004-06-30 | 2012-07-03 | 파나소닉 주식회사 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| JP2006109287A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| US7504760B2 (en) * | 2004-10-08 | 2009-03-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave element and method of manufacturing the same |
| JP2012034418A (ja) * | 2005-09-20 | 2012-02-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| WO2007034832A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| JP2007282294A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-10-25 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| US7893597B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-02-22 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave element and surface acoustic wave device |
| JP2008079275A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-04-03 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| US8222972B2 (en) | 2007-10-30 | 2012-07-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave element, duplexer, communication module, and communication apparatus |
| WO2011145449A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JPWO2011145449A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2013-07-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US9368712B2 (en) | 2010-05-19 | 2016-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| WO2012102131A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-02 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
| JPWO2012102131A1 (ja) * | 2011-01-27 | 2014-06-30 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置 |
| WO2016117483A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置 |
| CN107112968A (zh) * | 2015-01-22 | 2017-08-29 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置的制造方法以及弹性波装置 |
| US10707825B2 (en) | 2015-01-22 | 2020-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing elastic wave device, and elastic wave device |
| CN107112968B (zh) * | 2015-01-22 | 2020-10-16 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置的制造方法以及弹性波装置 |
| WO2022045086A1 (ja) * | 2020-08-24 | 2022-03-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN112436815A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-03-02 | 广东广纳芯科技有限公司 | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 |
| CN112436815B (zh) * | 2020-11-19 | 2024-03-15 | 广东广纳芯科技有限公司 | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10958238B2 (en) | Elastic wave device | |
| JP5300958B2 (ja) | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 | |
| KR100713966B1 (ko) | 탄성표면파 장치 및 그의 제조방법 | |
| JP3925133B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| JP4314118B2 (ja) | 改善された出力許容性を有する電極構造体及び製造法 | |
| JP3966280B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| EP1729414B1 (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
| US7795788B2 (en) | Surface acoustic wave element and communication device | |
| JP2001168671A (ja) | 弾性表面波デバイスとその製造方法 | |
| WO2005034347A1 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2006513649A (ja) | 改善された温度特性を有するｓａｗ素子 | |
| JP5025963B2 (ja) | 電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器 | |
| WO2007094368A1 (ja) | 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器 | |
| JPH0653768A (ja) | 音波デバイスの製法 | |
| JP2001196896A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP4906536B2 (ja) | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 | |
| JP2001217672A (ja) | 弾性表面波素子およびその製造方法 | |
| JP2555072B2 (ja) | 固体電子装置 | |
| EP1253712A1 (en) | Acoustic wave device | |
| JPH0316409A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JPH10190389A (ja) | Ｓａｗフィルタ及びその製造方法 | |
| JPH07226642A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| US6369673B1 (en) | Surface acoustic wave filter with terminal electrode coating film | |
| JP3820982B2 (ja) | 圧電振動デバイスの処理方法 | |
| JP2007028235A (ja) | 弾性表面波装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061002 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20061114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090324 |