JPH0582349A - 渦巻状薄膜コイル - Google Patents
渦巻状薄膜コイルInfo
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- JPH0582349A JPH0582349A JP26815791A JP26815791A JPH0582349A JP H0582349 A JPH0582349 A JP H0582349A JP 26815791 A JP26815791 A JP 26815791A JP 26815791 A JP26815791 A JP 26815791A JP H0582349 A JPH0582349 A JP H0582349A
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- Japan
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- thin
- thin film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高周波での表皮効果を抑えつつ直流抵抗分を
小さくして高周波でのＱ値の大幅改善を図る。 【構成】 絶縁基板１上に複数の薄膜コイル導体２Ａ,
２Ｂ,２Ｃをその厚み方向に絶縁層３Ａ,３Ｂを介し重ね
て多層化して設け、少なくとも前記薄膜コイル導体の巻
き始め端部４と巻き終わり端部４でそれぞれ各薄膜コイ
ル導体２Ａ，２Ｂ，２Ｃを電気的に接続した構成であ
る。
小さくして高周波でのＱ値の大幅改善を図る。 【構成】 絶縁基板１上に複数の薄膜コイル導体２Ａ,
２Ｂ,２Ｃをその厚み方向に絶縁層３Ａ,３Ｂを介し重ね
て多層化して設け、少なくとも前記薄膜コイル導体の巻
き始め端部４と巻き終わり端部４でそれぞれ各薄膜コイ
ル導体２Ａ，２Ｂ，２Ｃを電気的に接続した構成であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用のチップイン
ダクタ、トランス等に使用される渦巻状薄膜コイルに関
する。
ダクタ、トランス等に使用される渦巻状薄膜コイルに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チップインダクタやトランス等に
使用される高周波用コイルとして、絶縁基板上に真空蒸
着やスパッタ等により導体薄膜を形成し、ホトリソグラ
フィ技術によって該絶縁基板上にコイル導体を形成して
なる渦巻状薄膜コイルが知られている。この渦巻状薄膜
コイルは、小型で高精度の低インダクタンスが容易に得
られ、高周波用コイルとして期待されているが、巻線型
コイルに比べ同等のインダクタンス値を得る場合でも抵
抗成分が大きいため、Ｑ値が低く実用的でなかった。
使用される高周波用コイルとして、絶縁基板上に真空蒸
着やスパッタ等により導体薄膜を形成し、ホトリソグラ
フィ技術によって該絶縁基板上にコイル導体を形成して
なる渦巻状薄膜コイルが知られている。この渦巻状薄膜
コイルは、小型で高精度の低インダクタンスが容易に得
られ、高周波用コイルとして期待されているが、巻線型
コイルに比べ同等のインダクタンス値を得る場合でも抵
抗成分が大きいため、Ｑ値が低く実用的でなかった。
【０００３】上記欠点を改善するためにコイル導体の幅
を大きくし直流抵抗を下げることが考えられる。しか
し、この場合は低周波のＱ値は大きくなるが、コイル導
体内での渦電流損により高周波ではかえってＱ値が劣化
してしまうとともに、コイル面積が大きくなってしまう
欠点がある。
を大きくし直流抵抗を下げることが考えられる。しか
し、この場合は低周波のＱ値は大きくなるが、コイル導
体内での渦電流損により高周波ではかえってＱ値が劣化
してしまうとともに、コイル面積が大きくなってしまう
欠点がある。
【０００４】また、コイル導体を厚くした場合も直流抵
抗が小さくなるため低周波のＱ値は大きくなるが、表皮
効果により高周波でのＱは劣化する。
抗が小さくなるため低周波のＱ値は大きくなるが、表皮
効果により高周波でのＱは劣化する。
【０００５】一般に、コイル導体中を高周波電流が流れ
る場合、表皮効果により導体表面に電流が集中し、実効
的な抵抗成分が上昇してＱ値が劣化することが知られて
いる。電流密度が導体表面の自然対数分の１となる導体
表面からの深さδは次式で与えられる。
る場合、表皮効果により導体表面に電流が集中し、実効
的な抵抗成分が上昇してＱ値が劣化することが知られて
いる。電流密度が導体表面の自然対数分の１となる導体
表面からの深さδは次式で与えられる。
【数１】 ただし、fは周波数、κは導体の導電率、μは導体の透
磁率である。この（１）式で、例えばコイル導体をＣu
とした場合は、１ＧＨzにおいてδ＝２.３μmとなり、
１ＧＨzでの表皮効果を抑えるためにはコイル導体をδ
より薄くしなければならない。しかし、コイル導体を薄
くすると直流抵抗成分が増大し、かえってＱ値の低下を
招いてしまうという矛盾がある。
磁率である。この（１）式で、例えばコイル導体をＣu
とした場合は、１ＧＨzにおいてδ＝２.３μmとなり、
１ＧＨzでの表皮効果を抑えるためにはコイル導体をδ
より薄くしなければならない。しかし、コイル導体を薄
くすると直流抵抗成分が増大し、かえってＱ値の低下を
招いてしまうという矛盾がある。
【０００６】そこで、Ｑ値を上げるための工夫として、
図３に示すようなコイル導体を幅方向に多重化した構成
の渦巻状薄膜コイルが先に提案されている。これは、絶
縁基板２１上に、Ｃu等の２個の薄膜コイル導体２２Ａ,
２２Ｂを並列的に形成したものである。これらの薄膜コ
イル導体２２Ａ,２２Ｂは、導体の幅方向に平行にして
渦巻状に形成されており、両者を巻き始めと巻き終わり
の端部で連絡（電気的に接続）した入出力端部２３が形
成されている。
図３に示すようなコイル導体を幅方向に多重化した構成
の渦巻状薄膜コイルが先に提案されている。これは、絶
縁基板２１上に、Ｃu等の２個の薄膜コイル導体２２Ａ,
２２Ｂを並列的に形成したものである。これらの薄膜コ
イル導体２２Ａ,２２Ｂは、導体の幅方向に平行にして
渦巻状に形成されており、両者を巻き始めと巻き終わり
の端部で連絡（電気的に接続）した入出力端部２３が形
成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
例のように、薄膜コイル導体を幅方向に多重化した場
合、絶縁基板２１の面積を増大させないためには個々の
薄膜コイル導体２２Ａ,２２Ｂの導体幅は狭くなり、ま
た薄膜コイル導体においては導体幅に対してコイル導体
厚は充分小さいので高周波電流を流すのに寄与する導体
表面積を有効に増加させることができないので表皮効果
を改善することができず、上記従来例による改善では充
分でない。
例のように、薄膜コイル導体を幅方向に多重化した場
合、絶縁基板２１の面積を増大させないためには個々の
薄膜コイル導体２２Ａ,２２Ｂの導体幅は狭くなり、ま
た薄膜コイル導体においては導体幅に対してコイル導体
厚は充分小さいので高周波電流を流すのに寄与する導体
表面積を有効に増加させることができないので表皮効果
を改善することができず、上記従来例による改善では充
分でない。
【０００８】本発明は、上記の点に鑑み、高周波での表
皮効果を抑えつつ直流抵抗分を小さくして高周波でのＱ
値の大幅改善を図った渦巻状薄膜コイルを提供すること
を目的とする。
皮効果を抑えつつ直流抵抗分を小さくして高周波でのＱ
値の大幅改善を図った渦巻状薄膜コイルを提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の渦巻状薄膜コイルは、絶縁基板上に複数の
薄膜コイル導体をその厚み方向に絶縁層を介し重ねて多
層化して設け、少なくとも前記薄膜コイル導体の巻き始
め端部と巻き終わり端部でそれぞれ各薄膜コイル導体を
電気的に接続した構成としている。
に、本発明の渦巻状薄膜コイルは、絶縁基板上に複数の
薄膜コイル導体をその厚み方向に絶縁層を介し重ねて多
層化して設け、少なくとも前記薄膜コイル導体の巻き始
め端部と巻き終わり端部でそれぞれ各薄膜コイル導体を
電気的に接続した構成としている。
【００１０】
【作用】本発明の渦巻状薄膜コイルは、絶縁基板上に使
用最高周波数でのδより薄い複数の薄膜コイル導体をそ
の厚み方向に絶縁層を介して所望の層数積層して設け、
少なくとも前記薄膜コイル導体の巻き始め端部と巻き終
わり端部でそれぞれ各コイル導体を連絡（電気的に接
続）することにより、導体幅を大きくすることなく直流
抵抗を小さくし、高周波での表皮効果を抑えかつコイル
導体内での渦電流損も小さく抑えることができるので、
高周波でのＱ値を大幅に改善することができる。
用最高周波数でのδより薄い複数の薄膜コイル導体をそ
の厚み方向に絶縁層を介して所望の層数積層して設け、
少なくとも前記薄膜コイル導体の巻き始め端部と巻き終
わり端部でそれぞれ各コイル導体を連絡（電気的に接
続）することにより、導体幅を大きくすることなく直流
抵抗を小さくし、高周波での表皮効果を抑えかつコイル
導体内での渦電流損も小さく抑えることができるので、
高周波でのＱ値を大幅に改善することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係る渦巻状薄膜コイルの実施
例を図面に従って説明する。
例を図面に従って説明する。
【００１２】図１及び図２において、１は低誘電率の絶
縁材のガラス、又はアルミナ等のセラミックで形成され
ている０.５mm厚の絶縁基板であり、その絶縁基板１上
には、４ターンの渦巻状の薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２
Ｃが絶縁層３Ａ,３Ｂを介して３層に積層されて設けら
れており、各層の薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃの巻き
始め端部と巻き終わりが入出力端部４を構成している。
前記薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃは、真空蒸着やスパ
ッタ等により形成した厚さ２μmのＣu導体薄膜をホトリ
ソグラフィ技術によって幅６８μmの渦巻状に形成した
ものであり、その薄膜コイル導体を含む面上に低誘電率
で耐熱性に優れたポリイミド樹脂を塗布して厚さ２μm
の絶縁層を形成し、さらにその絶縁層上に薄膜コイル導
体を同様に形成することを繰り返して積層することで多
層化されている。この際、前記絶縁層３Ａ，３Ｂの少な
くとも巻き始め端部と巻き終わり端部の部分はエッチン
グ等の手段で穴をあけ、それら巻き始め端部及び巻き終
わり端部では絶縁層を介さずに薄膜コイル導体２Ａ,２
Ｂ,２Ｃのみを直接積層することで薄膜コイル導体２Ａ,
２Ｂ,２Ｃ相互を電気的に接続した前記入出力端部４を
構成している。
縁材のガラス、又はアルミナ等のセラミックで形成され
ている０.５mm厚の絶縁基板であり、その絶縁基板１上
には、４ターンの渦巻状の薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２
Ｃが絶縁層３Ａ,３Ｂを介して３層に積層されて設けら
れており、各層の薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃの巻き
始め端部と巻き終わりが入出力端部４を構成している。
前記薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２Ｃは、真空蒸着やスパ
ッタ等により形成した厚さ２μmのＣu導体薄膜をホトリ
ソグラフィ技術によって幅６８μmの渦巻状に形成した
ものであり、その薄膜コイル導体を含む面上に低誘電率
で耐熱性に優れたポリイミド樹脂を塗布して厚さ２μm
の絶縁層を形成し、さらにその絶縁層上に薄膜コイル導
体を同様に形成することを繰り返して積層することで多
層化されている。この際、前記絶縁層３Ａ，３Ｂの少な
くとも巻き始め端部と巻き終わり端部の部分はエッチン
グ等の手段で穴をあけ、それら巻き始め端部及び巻き終
わり端部では絶縁層を介さずに薄膜コイル導体２Ａ,２
Ｂ,２Ｃのみを直接積層することで薄膜コイル導体２Ａ,
２Ｂ,２Ｃ相互を電気的に接続した前記入出力端部４を
構成している。
【００１３】図４において、上記実施例による渦巻状薄
膜コイルのＱ値の周波数特性を(イ)で示し、比較例とし
て同一平面形状の渦巻状の薄膜コイル導体を厚さ６μm
で１層だけ設けた構成（その他は実施例と同じもの）の
渦巻状薄膜コイルのＱ値の周波数特性を(ロ)に示す。こ
れによると、上記実施例では１ＧＨz付近でのＱ値が大
幅に改善されていることがわかる。
膜コイルのＱ値の周波数特性を(イ)で示し、比較例とし
て同一平面形状の渦巻状の薄膜コイル導体を厚さ６μm
で１層だけ設けた構成（その他は実施例と同じもの）の
渦巻状薄膜コイルのＱ値の周波数特性を(ロ)に示す。こ
れによると、上記実施例では１ＧＨz付近でのＱ値が大
幅に改善されていることがわかる。
【００１４】なお、上記実施例では薄膜コイル導体を３
層としたが、ホトリソグラフィ技術の許す限り、任意の
層数で構成することが可能である。また、絶縁基板１は
ガラス、アルミナ以外の他の低誘電率の絶縁材で構成し
てもよく、薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２ＣはＣu以外の
導電率の大きな金属も採用でき、さらに絶縁層３Ａ,３
Ｂの材質についても耐熱性で低誘電率のものであれば、
ポリイミド樹脂以外の材質であってもよい。また、薄膜
コイル導体の幅、ターン数はコイルの大きさ、インダク
タンス値から適当な値に決められ、薄膜コイル導体の厚
みは最高使用周波数から適当な値で決められる（すなわ
ち、最高使用周波数で求めた（１）式のδよりも薄い膜
厚が望ましい。）。
層としたが、ホトリソグラフィ技術の許す限り、任意の
層数で構成することが可能である。また、絶縁基板１は
ガラス、アルミナ以外の他の低誘電率の絶縁材で構成し
てもよく、薄膜コイル導体２Ａ,２Ｂ,２ＣはＣu以外の
導電率の大きな金属も採用でき、さらに絶縁層３Ａ,３
Ｂの材質についても耐熱性で低誘電率のものであれば、
ポリイミド樹脂以外の材質であってもよい。また、薄膜
コイル導体の幅、ターン数はコイルの大きさ、インダク
タンス値から適当な値に決められ、薄膜コイル導体の厚
みは最高使用周波数から適当な値で決められる（すなわ
ち、最高使用周波数で求めた（１）式のδよりも薄い膜
厚が望ましい。）。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の渦巻状薄
膜コイルによれば、絶縁基板上に複数の薄膜コイル導体
をその厚み方向に絶縁層を介し重ねて多層化して設けた
ので、高周波での表皮効果を抑えかつ直流抵抗を小さく
し、さらにコイル導体内での渦電流損を小さく抑えるこ
とができ、高周波でのＱ値を大幅に改善することができ
る。
膜コイルによれば、絶縁基板上に複数の薄膜コイル導体
をその厚み方向に絶縁層を介し重ねて多層化して設けた
ので、高周波での表皮効果を抑えかつ直流抵抗を小さく
し、さらにコイル導体内での渦電流損を小さく抑えるこ
とができ、高周波でのＱ値を大幅に改善することができ
る。
【図１】本発明に係る渦巻状薄膜コイルの実施例を示す
正断面図である。
正断面図である。
【図２】同平面図である。
【図３】従来例を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施例と１層の薄膜コイル導体を持つ
比較例とによるＱ値の周波数特性を示したグラフであ
る。
比較例とによるＱ値の周波数特性を示したグラフであ
る。
１ 絶縁基板 ２Ａ,２Ｂ,２Ｃ 薄膜コイル導体 ３Ａ,３Ｂ 絶縁層 ４ 入出力端部
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板上に複数の薄膜コイル導体をそ
の厚み方向に絶縁層を介し重ねて多層化して設け、少な
くとも前記薄膜コイル導体の巻き始め端部と巻き終わり
端部でそれぞれ各薄膜コイル導体を電気的に接続したこ
とを特徴とする渦巻状薄膜コイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26815791A JPH0582349A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 渦巻状薄膜コイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26815791A JPH0582349A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 渦巻状薄膜コイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582349A true JPH0582349A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17454697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26815791A Withdrawn JPH0582349A (ja) | 1991-09-21 | 1991-09-21 | 渦巻状薄膜コイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582349A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0226877A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 粒子分散強化した繊維強化セラミックス複合材およびその製造方法 |
| EP0716434A1 (en) * | 1994-12-06 | 1996-06-12 | AT&T Corp. | High Q intergrated inductor |
| JP2005116647A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Tdk Corp | コモンモードチョークコイル及びその製造方法並びにコモンモードチョークコイルアレイ |
| JP2012165017A (ja) * | 2012-04-27 | 2012-08-30 | Tdk Corp | 積層型インダクタ及び積層型インダクタのインダクタンス調整方法 |
| JP2013008859A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ワイヤレス給電又は受電用コイルと、それを用いたユニット |
| JP2014207458A (ja) * | 2011-04-27 | 2014-10-30 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 無接点電力伝送装置及びこれを備える電子機器 |
| US10868444B2 (en) | 2016-12-09 | 2020-12-15 | Nucurrent, Inc. | Method of operating a system having a substrate configured to facilitate through-metal energy transfer via near field magnetic coupling |
| US10879705B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-12-29 | Nucurrent, Inc. | Wireless connector receiver module with an electrical connector |
| US10903688B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-01-26 | Nucurrent, Inc. | Wireless electrical energy transmission system with repeater |
-
1991
- 1991-09-21 JP JP26815791A patent/JPH0582349A/ja not_active Withdrawn
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10897140B2 (en) | 2016-08-26 | 2021-01-19 | Nucurrent, Inc. | Method of operating a wireless connector system |
| US11011915B2 (en) | 2016-08-26 | 2021-05-18 | Nucurrent, Inc. | Method of making a wireless connector transmitter module |
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| US11418063B2 (en) | 2016-12-09 | 2022-08-16 | Nucurrent, Inc. | Method of fabricating an antenna having a substrate configured to facilitate through-metal energy transfer via near field magnetic coupling |
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| US11177695B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-11-16 | Nucurrent, Inc. | Transmitting base with magnetic shielding and flexible transmitting antenna |
| US11223234B2 (en) | 2017-02-13 | 2022-01-11 | Nucurrent, Inc. | Method of operating a wireless electrical energy transmission base |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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