JP2011517200A - 少なくとも一つの誘電体層を含む電気部品の製造方法、及び少なくとも一つの誘電体層を含む電気部品 - Google Patents

少なくとも一つの誘電体層を含む電気部品の製造方法、及び少なくとも一つの誘電体層を含む電気部品 Download PDF

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Abstract

電気音響部品用の基板が供給されるステップと、前記基板に導電層が付けられるステップと、前記導電層が構造形成されるステップと、前記構造形成された導電層に非導電性層が付けられるステップと、前記非導電性層に基本となる金属被覆が施されるステップと、前記基本となる金属被覆は、電気分解処理法により厚くされて金属層が形成されるステップと、前記金属層が酸化され誘電体層が形成されるステップと、を含む電気音響部品の製造方法。
【選択図】図２ｇ

Description

請求項１に係る少なくとも一つの誘電体層を含む電気部品を製造する方法が詳述される。
広範囲の問題には、例えば、基板表面に１μｍを超える厚い誘電体層を高い費用効率で生成することが含まれる。そのような層は、これまで、例えば蒸着処理、又はスパッタリング処理という手段によって基板上に生成されてきた。
しかし、これらの処理はいずれも堆積率が制限される。そのため、例えばウェーハのような基板は、非常に長い時間、処理チェンバ内にあるため、処理は高価になる。例えばガイドバルク音響波（ＧＢＡＷ＝ｇｕｉｄｅｄ ｂｕｌｋ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ）で動作するデバイスのような、例えば電気音響デバイスの製造の際に、この問題が生じる。
発明の一つの目的は、電気部品の製造の間に、高い費用効率で、基板上に厚い誘電体層を付けることができる方法を提供することである。
この目的は、誘電体層を含む電気部品を製造する方法により達成される。従属請求項は更なる方法の別形、及び電気音響部品にも関係する。
基板上の誘電体層を含む電気部品を製造する方法の別形において、その方法は、方法ステップａ）として基板に金属層を付けること、方法ステップｂ）として、金属層を酸化して誘電体層を形成し、金属層の少なくとも一つの部分領域はその層の厚さ全体にわたって十分に酸化されていること、を含む。
この方法は、誘電体層の蒸着、又はスパッタリングのような既知の方法に対して、速くて費用効率の高い代替方法を構成する。発明に係る方法では、多くの基板が、据え付け状態（所謂バッチ処理）で、同時に処理され得る。そのような方法に適した据え付けにおいては、真空機器は必要でない。
そのような処理の制御は、既知の処理よりも、簡単に構成できる。まず第一に、金属層が十分に酸化されているかどうかを、例えば光学的検査により、確認することが容易であり、第二に、処理は、これ以上酸化対象となる材料がなければ自動的に停止する。
この方法のもう一つの利点は、このようにして生成された誘電体層の特性を酸化処理の処理パラメータにより制御できることである。その結果、金属層を付けた後においても、その層の特性はなお影響を受け得る。このことは、電気部品が、例えば、これまで誘電体層の対応する層厚設定により実施されてきた、例えば、ＧＢＡＷ部品のトリミングのような、精密な調整が必要とされる部品であるときに、特に有利である。音響トランスデューサの周波数位置が今まで通り酸化の前に測定されるならば、正確な周波数位置を達成するために必要な誘電体の組成を計算し、その後、対応する酸化の処理パラメータをセットアップすることができる。
もう一つの方法の別形では、金属層の付着は、まず基板上に比較的薄い閉じたベース金属被覆が堆積され、その後この薄いベース金属被覆は、電気分解法により厚くされる。
この方法の別形の一つの利点は、電気分解法により、非常に厚い金属層を高い費用効率で生成することができるということである。例えば蒸着のような費用のかかる方法が要求されるのは、非常に薄いスタート層に対してだけである。この方法のもう一つの利点は、従来の堆積法に比べてより低温で処理が進行することである。その結果、例えば、圧電性物質、及び／又はパイロ電気物質を含み得る基板は、割れの危険性が減少する結果、ローディングを著しく少なくし得る。この方法により、相当数のμｍ厚の層を生成することができる。
好ましくは、金属層にはアルミニウムを含む材料が使用される。アルミニウム比率９０％以上からなる材料の使用が好ましく、純粋アルミニウムの使用は更に好ましい。
高い比率でアルミニウムを含む材料、又は金属アルミニウム自身は、共に、電気分解法により、非常に良好に厚くすることができ、酸化処理による酸化も良好になされ得るという利点を有する。この場合、相当数のμｍ厚の金属層が全体として十分に酸化され得るということも可能である。この場合、これらの層は、例えばウェーハ又はガラスのような基板上にも付けることができる。この場合において、この酸化処理は自由表面で始めることができ、その後、基板まで進行する。アルミニウムの更なる利点は、アルミニウム、すなわちＡｌ２Ｏ３は、例えばＧＢＡＷ部品の誘電体層のような、電気部品の誘電体層に大変良く適しているということである。その一つの理由は、Ａｌ２Ｏ３中での音響波の伝搬速度が大きく、それにより縦方向の音響波ガイド構造を可能にしているということである。もう一つの理由は、Ａｌ２Ｏ３の熱伝導率が高いことであり、それにより、無駄に発生する熱を良く逃がすことができ、従って局所的な加熱を実質的に避けることができるという効果が生じる。
もう一つの方法の別形は、方法ステップＡ）として、電気音響部品に対して基板を供給し、方法ステップＢ）として、その基板に導電層を付け、方法ステップＣ）として、導電層を構造形成し、方法ステップＤ）として、構造形成された導電層に非導電性層を付け、方法ステップＥ）として、非導電性層にベース金属被覆を付け、方法ステップＦ）として、電気分解法によりベース金属被覆を厚くして金属層を生成し、方法ステップＧ）として、金属層を酸化して誘電体層を生成することを含む。
もう一つの別形では、方法ステップＤ）は、その直後に、引き続き非導電性層の処理を行ってもよい。この処理は層を平坦化することを含んでよいが、トリミング目的で局所的に層の厚さを変えることを含んでも良い。
従って、方法ステップＡ）からＧ）までを含む方法を適用することにより、基板、構造形成された導電層、非導電性層、誘電体層という一連の層を含む電気部品を製造することができる。この場合、非導電性層は、酸化処理を使って生成された金属酸化物を含むことも考えられる。
例として、方法ステップＡ）の基板には、ＬｉＮｂＯ３単結晶ウェーハ又はＬｉＴａＯ３単結晶ウェーハを使用することができる。
方法ステップＢ）の導電層の付着は、例えば蒸着により実施することができる。この目的のために、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、又はこれらの元素の組み合わせから選択された材料を使用することができる。
方法ステップＣ）の導電層の構造形成は、例えばリフトオフ技法と組み合わせた写真技法を使って行われる。
方法ステップＤ）の非導電性層に対しては、例えばＳｉＯ２又はＴｅＯ２が使用され得る。非導電性層は、例えばスパッタリング処理により付けられ得る。
方法ステップＥ）のベース金属被覆は、例えば蒸着処理により実現され得る。
ベース金属被覆、及び電気分解法により生成される金属層に対して、好ましくは、アルミニウム比率が９０％以上の材料が使用される。
方法ステップＡ）の基板に対しては、好ましくは圧電性材料が使用される。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＨ）として、非導電性層の部分領域にレジストを塗布することを含む。この方法ステップは好ましくは方法ステップＤ）とＥ）の間で実行される。
方法ステップＨ）によれば、まず、非導電性層の構造形成が可能になり、次に、部分領域しか覆わないが、非導電性層に更に一層を付けることができる。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＩ）として、非導電性層の構造形成を含む。この方法ステップは、好ましくは方法ステップＧ）の後に実行される。方法ステップＩ）は、例えば、次に再び露出された導電層の領域への貫通メッキが実行され得るということを可能にする。この場合、方法ステップＧ）で生成される誘電体層はマスクとして役立ち得る。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＪ）として、表面にレジストを塗布することを含む。この方法ステップＪ）は、好ましくは方法ステップＧ）の後に実行され、特に好ましくは方法ステップＩ）の後に実行される。例として、もし導電層の領域が方法ステップＩ）で露出された場合は、レジストが塗布された後、更に一層が表面の部分領域に付けられる。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＫ）として、表面に接触層を付けることを含む。この方法ステップＫ）は、好ましくは方法ステップＪ）の後に実行される。更なる方法ステップＬ）では、レジストと、その上に堆積された接触層は、その後、除去され得る。接触層は、それ以前にレジストで覆われていなかった領域に残る。接触層は、例えば導電層と電気的に接触した状態にあり得る。そして、例えば、後で、当該部品と電気接触するために役立ち得る。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＭ）として、表面に電気絶縁カバー層を堆積することを含む。これは、電気絶縁だけでなく、更に、例えば環境上の影響に対して部品を保護するためにも役立ち得る。
もう一つの方法の別形において、当該方法は、追加する方法ステップＮ）として、非導電性層の構造形成を含む。この方法ステップは、好ましくは方法ステップＤ）とＥ）の間で実行される。例として、構造形成された導電層の領域は、それによって再び露出され得る。方法ステップＮ）は方法ステップＦ）以前に実行されるという事実により、ベース金属被覆も露出された領域に付けられる。例として、導電層の領域がこの場合に関連し得る。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＯ）として、金属層の部分領域にレジストを塗布することを含む。この方法ステップは、好ましくは方法ステップＦ）とＧ）との間で実行される。更なる方法ステップＰ）では、その後、金属層がエッチングされ得る。これは、例えば、湿式化学エッチングにより実行され得る。これにより、金属層は構造形成され得る。もし、方法ステップＰ）が方法ステップＧ）より前に実行されれば、当該層は酸化される前に構造形成される。
もう一つの方法の別形は、追加する方法ステップＱ）として、金属層に酸化レジストを塗布することを含む。この方法ステップは、好ましくは方法ステップＦ）の後で実行される。更なる方法ステップＲ）では、その後、金属層は選択的に酸化される。現発明に関連して、選択的酸化とは、例えば、先に酸化レジストによって保護された金属層の部分領域は酸化されないのに対して、他の保護されていない領域は完全に酸化されるということを意味すると理解されるべきである。現発明に関連して、完全な酸化とはある層がその厚さ全体において酸化されることを意味していると理解されるべきである。この方法の別形によれば、酸化された領域と金属領域の両方を含む層を生成することが可能になる。金属領域は、後に、例えば導電目的に使用できる。
もう一つの方法の別形は、方法ステップＲ）の後に、次の方法ステップを含む。それらは、酸化レジストの除去、レジストの塗布、表面への接触層の堆積、レジスト上に堆積された接触層とともにレジストの除去、そしてまた、表面への電気絶縁カバー層の付着という各方法ステップである。これらの一連の方法ステップの結果、基板、構造形成された導電層、非導電性層、誘電体層、電気絶縁カバー層という一連の層を含み、また、対応する接触層の形態で必要な電気的接触を有する完成部品を製造することが可能である。
もう一つの方法の別形は、方法ステップＲ）の後に、次の方法ステップを含む。それらは、酸化レジストの除去、及び酸化レジストの除去により露出された領域への接触層の付着という各ステップである。部品は、今、例えば接触層を経由して、回路基板に接続され得る（「フリップチップ」）。しかし、部品はまた、今や、その導電領域が、酸化レジストの除去によって同様に露出されたもう一つの部品に接続（「スタッキング」）されることも可能である。
もう一つの方法の別形では、基板表面の一部は方法ステップＧ）の後、除去可能である。この場合、導電層で覆われた表面の反対側にある表面は除去される。それによって、基板の厚さは要望値に適合させることができる。基板の厚さは、例えば誘電体層の厚さと同じに設定することができる。
誘電体層を含む電気部品を製造する方法に加えて誘電体層を含む電気部品も特定される。
そのような電気部品は、例えば上記の方法の一つに従って製造することができる。
当該部品は、例えばガイドバルク音響波で動作する部品（ＧＢＡＷ部品）であり得る。このような部品の場合、例として、導電層は次の元素、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉの１つを含むことができる。電気音響部品の基板は、例えばＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３を含み得る。部品の非導電性層は、例えばＳｉＯ２又はＴｅＯ２を含み得る。
電気音響部品の、ある層は、例えばＡｌ２Ｏ３を含む領域を有し得る。しかし、この層はまた、金属Ａｌを含む領域をも有し得る。これらの金属Ａｌ領域は、例えば、導電層と電気的接触状態にあり得る。従って、当該部品の、ある層は、その部分領域に金属層、そして他の部分領域に誘電体層を含み得る。
発明の特有の実施形態について、図を参照して以下でより詳細に説明する。
異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおける電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 異なる方法ステージにおけるもう一つの電気部品の概略図を示す。 電気部品の異なる実施形態の別形の概略図を示す。 電気部品の異なる実施形態の別形の概略図を示す。 電気部品の異なる実施形態の別形の概略図を示す。 電気部品の実施形態の概略図を示す。 電気部品のもう一つの実施形態の概略図を示す。
図１は電気部品の、ある実施形態の概略図を示す。この部品は、基板１、基板１上に配置された構造形成された導電層２、更に基板１上に配置された非導電性層３を含む。そのような電気部品は、例えば次の方法ステップ、すなわち、電気基板１を供給するステップ、その基板に導電層２を付けるステップ、導電層２に構造形成するステップ、及び構造形成された導電層２に非導電性層３を付けるステップにより得られる。
この場合に、導電層２は構造形成されて電気音響トランスデューサを形成し得る。トランスデューサは、例えば、かみ合う櫛状電極を有し得る。この場合、各電極は細片型構造の導電層として実現され、音響波伝搬方向に直交して延伸する電極指を有し得る。導電層２は、更に、例えば音響反射体を有し得る。この場合、各反射体は例えば少なくとも一つの細片を有し得る。細片の幅は好ましくは波長の約１／４である。細片が複数の場合は、細片間の距離は、同様に波長の約１／４であり得る。トランスデューサは音響波の一方向、及び二方向放出に適合するように形成され得る。材料は、好ましくは、音響波の伝搬速度が、隣接層でよりも非導電性層３で低いように選定される。
図１ｂは、レジスト４が非導電性層３の部分領域に塗布されることによって、図１ａに図示された部品から生じ得る電気部品の、ある実施形態を示す。
図１ｃは、図１ｂに図示された部品から生じ得る電気部品の、ある実施形態の概略図を示す。図１ｃに描かれた部品に到達するために、ベース金属被覆５を付けるという、更にもう一つの方法ステップが実行され得る。
図１ｄに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば、図１ｃに描かれた部品から生じ得る。この目的のために一方法ステップにおいて、レジスト４は、その上に堆積されたベース金属被覆５と共に再度除去され得る。更に、例えば電気分解法によりベース金属被覆を厚くして、厚い金属層を形成することができる。金属層６は、この結果生じ得る。
図１ｅは、例えば図１ｄに図示された部品から生じ得る電気部品のある実施形態の概略図を示す。この目的のために金属層６は酸化され誘電体層を形成し得る。更なる方法ステップにおいて、非導電性層３は、次にエッチング法により構造形成され得る。エッチングは図１ｅに矢印で概略的に図示されている。可能なエッチング法として、例えば反応性イオンエッチングがある。誘電体層７はエッチング処理の間、マスクとして役立ち得る。例として、構造形成された導電層２の部分領域は、エッチング処理により露出された状態に成り得る。
図１ｆは、例えば図１ｅに図示された部品から生じ得る電気部品の、ある実施形態を概略的に図示する。この目的のために、レジスト４は誘電体層７の部分領域上に塗布され得る。その後、接触層９が部品表面に付けられ得る。この接触層は、その後に、当該部品との電気的接触のために役立ち得る。
図１ｇは、例えば図１ｆに図示された部品から生じ得る電気部品の、ある実施形態を概略的に図示する。この目的のために、レジスト層４は、その上に堆積された接触層とともに除去される。更なる方法ステップにおいて、電気絶縁カバー層１０が当該部品に付けられ得る。
図２ａは、例えば図１ａに図示された部品から生じ得る電気部品の、ある実施形態を概略的に図示する。この目的のために、非導電性層３は構造形成され得る。更なる方法ステップにおいて、その後、ベース金属被覆５が、構造形成された表面に付けられ得る。
図２ｂは、例えば図２ａに図示された部品から生じ得る電気部品の、ある実施形態を概略的に図示する。この目的のために、図２ａに図示されたベース金属被覆５は厚くされ、金属層６を形成することができる。これは、例えば電気分解法により実施され得る。
図２ｃに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、レジスト４を金属層６の部分領域に塗布することによって、例えば図２ｂに図示される部品から生じ得る。
図２ｄに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、金属層６をエッチングし、レジスト４をその後除去することによって、例えば図２ｃに図示される電気部品から生じ得る。
図２ｅに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、酸化レジスト１１を金属層６の部分領域に付けることによって、例えば図２ｄに図示される電気部品から生じ得る。
図２ｆに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば、図２ｅに図示されるような電気部品から生じ得る。この目的のために、金属層６は選択的に酸化される。これは、例えば酸化レジストにより保護されていない部分領域は全体として完全に酸化され、一方、例えば酸化レジストにより保護されている部分領域は金属領域として残ることを意味する。その結果、当該部品のある層は、部分領域の金属層６と、他の部分領域の誘電体層７とを含み得る。
図２ｇに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば、酸化レジスト１１を除去することによって、図２ｆに図示された部品から生じ得る。しかし、酸化前に存在する、電気分解法で厚くされた厚い金属層は、図２ｇに示すように、あらかじめ構造形成しておく必要はなく、図２ｂのような外見であっても良い。その後、連続した金属層６は図２ｆに示すように選択的に酸化され得る。
図２ｈに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、第１の方法ステップにおいて、レジスト４が電気部品の表面の部分領域に塗布され、更なる方法ステップで、接触層９が電気部品表面に堆積されるという事実に基づき、例えば図２ｇに図示された電気部品から生じ得る。
図２ｉに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば図２ｈに図示された電気部品から生じ得る。この目的のために、レジスト４と、レジスト上に堆積された接触層９は除去される。更なる方法ステップで、電気絶縁カバー層１０が電気部品表面の部分領域に付けられる。
図３ａに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば接触層９が金属層６の露出表面上に堆積されることにより、図２ｇに図示された電気部品から生じ得る。
図３ｂに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば図３ａに概略的に図示された電気部品から生じ得る。この目的のために、図３ａに図示された電気部品は回路基板１２に取り付けられる。この場合に、例として、接触層９は回路基板１２の導電トラック１３と導電接触状態にある。
図３ｃに概略的に図示されるような電気部品の実施形態は、例えば図２ｇと図３ａに図示されるような部品の組み合わせにより生じ得る。この目的のために、二つの部品が結合され、図３ａに図示された部品の接触層９は、図２ｇに図示された部品の金属層６の露出表面と導電接触するようになる。結果として、元は別々の二つの部品の、構造形成された導電層２は、次に導電接続され得る。
図４は、電気部品の、ある実施形態の概略図を示す。当該電気部品は基板１を含み、その端部領域上には電気接触を形成するために接触層９が堆積される。更に当該部品は二つのパッシベーション層８を含む。パッシベーション層８は、例えばＳｉ３Ｎ４を含み得る。二つのパッシベーション層８の間には、金属層６と誘電体層７との連続体である一つの層が配置される。例として、対応して構造形成されたそのような一連の層により、コイルを規定し得る。この場合、金属層６の一つが一つの接触層９に導電接続されることができ、もう一つの金属層６が他の接触層９に導電接続され得る。
図５は、例えば、同一型の二つの電気部品を結合することによって生じ得る電気部品の、ある実施形態の概略図を示す。この目的のために、一つの部品は回転され、対応する領域を経由して第１の部品と結合された。
このようにして製造された部品は、その上に構造形成された二つの導電層２が存在する一つの基板１を含む。非導電性層３は導電層２の上に付けられる。二つの導電層２の部分領域は、接触層９を介して互いに接続される。誘電体層７は非導電性層３に接した位置に置かれる。電気部品には電気絶縁カバー層１０が装備される。
もう一つの方法の別形において、ベース金属被覆５は層厚が厚くされる前に構造形成される。この場合に、ベース金属被覆５は部分領域で除去され得る。これは、これらの位置で、厚くした金属層６が全く形成されないか、又はほんの少し薄い、厚くした金属層６が形成されるという利点を有する。このことにより、今度は、厚い金属層６は次に構造形成される必要がないという利点が生じる。従って、例によれば、簡単な方法で、コンタクトホールが供給され得るし、又は、引き続き個片化が行われる予定の位置で金属層６と、金属層６から生じる誘電体層７とが実際に全く生成されないことも可能である。この方法によって与えられる更なる利点は、連続した厚い金属層６が存在しないため、歪みがほとんど生じないということである。この場合、ベース金属被覆５も、例えば接触露光のような高分解能を必要としない方法によって構造形成され得る。
第１のベース金属被覆５が付けられ、その後、例えば電気分解法で厚くして金属層６を形成するという、方法の別形も考えられる。その後、第２のベース金属被覆５が付けられ、それも同様に厚くされて金属層６を形成する。その後、両金属層６は、一方法ステップで酸化され得る。同様に、方法の別形が考えられる。この方法では、まず、第１の金属層６が増厚法により生成され、その後、その層は酸化され、第２の金属層６が第１の酸化層の上に生成され、第２の金属層はその後同様にして第２の酸化ステップにて酸化される。
バルク音響波で動作する電子部品の場合には、誘電体層の層厚は、好ましくはバルク音響波の波長の１／２よりも厚いことが好ましい。この層厚は、いくつかの実施形態では、好ましくは、波長よりも厚い場合もある。上記の方法で、たとえば、１〜３０μｍの層厚の誘電体層７を生成することが可能である。
上述の方法の一つに従って生成した誘電体層７は、例えば、無線周波数技術での使用に適している。これらの方法は、例えば、ＧＢＡＷ部品、静電容量、コイル、抵抗、又は他の線の製造に適している。更に、例えば、スイッチ、半導体部品、又は表面波で動作する他の部品の製造に対する使用も考えられる。ＧＢＡＷ部品の場合は、一連の層からなる層システムにより波がガイドされ得る。
層形成過程は、ベース金属被覆５を厚くするとき、異なる要因により影響を受け、又は制御され得る。電気分解法の場合、例として、ここで電流密度、電圧、電解液の選択、電解液濃度、そして温度を挙げることができる。更に、層厚の形成は直接に処理の継続時間に関係し得る。例えばアルミニウムの酸化はいろいろな方法で実施し得る。例として、ここで電気分解による酸化のために電解液中への浸し、そのような電解液中の通過、純粋化学的な酸化、又はプラズマアシスト酸化の各方法を挙げることができる。
発明は代表的な実施形態の記載に限定されない。個々の特徴それ自身、又はそれらの組み合わせ自身が特許請求項、又は代表的な実施形態で明確には記載していない場合であっても、むしろ、発明は、いかなる新規な特徴及び特徴のいかなる組み合わせをも包含し、特に、特許請求項の特徴のいかなる組み合わせをも含む。

Claims (34)

  1. 基板（１）上の誘電体層（７）を含む電気部品の製造方法であり、
    基板（１）に金属層（６）を付ける方法ステップａ）と、
    前記金属層（６）を酸化して誘電体層（７）を形成する方法ステップｂ）と、を含み、
    前記金属層（６）の少なくとも一つの部分領域は、該層の厚さ全体にわたり十分に酸化されている、
    電気部品の製造方法。
  2. 前記方法ステップａ）は、比較的薄い閉じたベース金属被覆（５）を堆積する方法と、
    前記ベース金属被覆（５）を厚くするための電気分解法と、
    を含む請求項１に記載の電気部品の製造方法。
  3. 材料にＡｌを含む金属層（６）が付けられる、
    請求項１又は２に記載の電気部品の製造方法。
  4. Ａｌの比率は９０％以上である、
    請求項３に記載の電気部品の製造方法。
  5. 前記金属層（６）は前記電気分解法により少なくとも１μｍの厚さまで厚くされた、
    請求項２乃至４のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  6. 電気音響部品用に基板（１）を供給する方法ステップＡ）と、
    前記基板（１）に、導電層（２）を付ける方法ステップＢ）と、
    前記導電層（２）を構造形成する方法ステップＣ）と、
    前記構造形成された導電層（２）に非導電性層（３）を付ける方法ステップＤ）と、
    前記非導電性層（３）にベース金属被覆（５）を付ける方法ステップＥ）と、
    電気分解法により、前記ベース金属被覆（５）を厚くして金属層（６）を生成する方法ステップＦ）と、
    前記金属層（６）を酸化して、誘電体層（７）を生成する方法ステップＧ）と、
    を含む、請求項１に記載の電気部品の製造方法。
  7. 前記方法ステップＥ）の前記金属層（６）に対して、Ａｌの比率が９０％以上である材料が使用される、
    請求項６に記載の電気部品の製造方法。
  8. 前記基板（１）に対して、圧電材料が使用される、
    請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  9. 前記非導電性層（３）の部分領域にレジスト（４）を塗布する追加の方法ステップＨ）を含み、
    該方法ステップＨ）は、前記方法ステップＤ）とＥ）との間で実行される、
    請求項６乃至８のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  10. 前記非導電性層（３）を構造形成する追加の方法ステップＩ）を含み、
    該方法ステップＩ）は、前記方法ステップＧ）の後に実行される、
    請求項６乃至９のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  11. 表面にレジスト（４）を塗布する追加の方法ステップＪ）を含み、
    該方法ステップＪ）は、前記方法ステップＧ）の後に実行される、
    請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  12. 前記方法ステップＪ）は前記方法ステップＩ）の後に実行される、
    請求項１０又は１１に記載の電気部品の製造方法。
  13. 表面に接触層（９）を付ける追加の方法ステップＫ）を含み、
    該方法ステップＫ）は、前記方法ステップＪ）の後に実行される、
    請求項１１又は１２に記載の電気部品の製造方法。
  14. 前記レジスト（４）と、その上に堆積された前記接触層（９）とを除去する追加の方法ステップＬ）を含み、
    該方法ステップＬ）は、前記方法ステップＫ）の後に実行される、
    請求項１３に記載の電気部品の製造方法。
  15. 表面に電気絶縁カバー層（１０）を堆積する追加の方法ステップＭ）を含む、
    請求項６乃至１４のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  16. 前記非導電性層（３）を構造形成する追加の方法ステップＮ）を含み、
    該方法ステップＮ）は、前記方法ステップＤ）とＥ）との間で実行される、
    請求項６乃至１５のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  17. 前記金属層（６）の部分領域にレジスト（４）を塗布する追加の方法ステップＯ）を含み、
    該方法ステップＯ）は、前記方法ステップＦ）とＧ）との間で実行される、
    請求項６乃至１６のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  18. 前記金属層（６）をエッチングする追加の方法ステップＰ）を含み、
    該方法ステップＰ）は、前記方法ステップＯ）の後に実行される、
    請求項１７に記載の電気部品の製造方法。
  19. 前記金属層（６）に酸化レジスト（１１）を塗布する追加の方法ステップＱ）を含み、
    該方法ステップＱ）は、前記方法ステップＦ）の後に実行される、
    請求項６乃至１８のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  20. 前記金属層（６）を選択的に酸化する追加の方法ステップＲ）を含み、
    該方法ステップＲ）は、前記方法ステップＱ）の後に実行される、
    請求項１９に記載の電気部品の製造方法。
  21. 前記酸化レジスト（１１）を除去する方法ステップと、
    レジスト（４）を塗布する方法ステップと、
    表面に接触層（９）を堆積する方法ステップと、
    前記レジスト（４）を、その上に堆積された前記接触層（９）とともに除去する方法ステップと、
    表面に電気絶縁カバー層（１０）を付ける方法ステップと、が
    前記方法ステップＲ）の後に続く、
    請求項２０に記載の電気部品の製造方法。
  22. 前記酸化レジスト（１１）を除去する方法ステップと、
    前記酸化レジスト（１１）の除去により露出された領域に接触層（９）を付ける方法ステップと、が
    前記方法ステップＲ）の後に続く、
    請求項２０に記載の電気部品の製造方法。
  23. 前記電気部品は、前記接触層（９）を介して回路基板（１２）に接続される、
    請求項２２に記載の電気部品の製造方法。
  24. 前記電気部品は、レジスト（１１）の除去により、露出された前記接触層（９）の領域を介してもう一つの電気部品に接続される、
    請求項２２に記載の電気部品の製造方法。
  25. 前記基板（１）が前記誘電体層（７）と同じ厚さを有するように、前記基板（１）の、前記導電層（２）で覆われた表面とは反対側にある表面の一部が前記方法ステップＧ）の後に除去される、
    請求項６乃至２４のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法。
  26. 請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の電気部品の製造方法に従って製造された電気音響部品。
  27. ガイドバルク音響波で動作する、
    請求項２６に記載の電気音響部品。
  28. 前記誘電体層（７）は、バルク波の１／２波長よりも厚い、
    請求項２７に記載の電気音響部品。
  29. 前記導電層（２）は、元素Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉの内の少なくとも一つを含む、
    請求項２６乃至２８のいずれか１項に記載の電気音響部品。
  30. 前記基板（１）はＬｉＮｂＯ３又はＬｉＴａＯ３を含む、
    請求項２６乃至２９のいずれか１項に記載の電気音響部品。
  31. 前記非導電性層（３）はＳｉＯ２を含む、
    請求項２６乃至３０のいずれか１項に記載の電気音響部品。
  32. 前記誘電体層（７）は、Ａｌ２Ｏ３を含む領域を有する、
    請求項２６乃至３１のいずれか１項に記載の電気音響部品。
  33. 前記誘電体層（７）は、金属Ａｌを含む領域を有する、
    請求項２６乃至３２のいずれか１項に記載の電気音響部品。
  34. 前記金属Ａｌ領域は、前記導電層（２）と電気的接触状態にある、
    請求項３３に記載の電気音響部品。
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